JP2523873B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JP2523873B2
JP2523873B2 JP1144707A JP14470789A JP2523873B2 JP 2523873 B2 JP2523873 B2 JP 2523873B2 JP 1144707 A JP1144707 A JP 1144707A JP 14470789 A JP14470789 A JP 14470789A JP 2523873 B2 JP2523873 B2 JP 2523873B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は固体撮像装置、特に、固体撮像装置の遮光膜
構造に関するものである。
従来の技術 従来、固体撮像装置の遮光膜は第２図の断面に示すよ
うな構成であった。
第２図において、１はＮ型半導体基板、２はＰウエル
層、３はフォトダイオードのＮ型不純物層、４はＮウエ
ル層、５は素子分離用のP+不純物層、６はゲート酸化
膜、７は多結晶シリコンゲート電極、８はシリコン酸化
膜、９はBPSG膜、10はシリコンを0.5wt％以上含有した
アルミニウム遮光膜、11は化学的気相成長方法で形成さ
れたシリコン酸化膜（CVD酸化膜）を示す。すなわち、
第２図のように、Ｎ型半導体基板１上にＰウエル層２、
フォトダイオードのＮ型不純物層３、Ｎウエル層４、素
子分離用のP+不純物層５、ゲート酸化膜６、多結晶シリ
コンゲート電極７、層間絶縁膜としてシリコン酸化膜８
とBPSG膜９を形成し、さらに、多結晶シリコンゲート電
極７上のシリコン酸化膜８とBPSG膜９を介してシリコン
を0.5wt％以上含有したアルミニウム遮光膜10を形成
し、最終保護用絶縁膜としてCVD酸化膜11を形成する。
発明が解決しようとする課題 このような従来例では、アルミニウムヒロックの発生
が著しく、とくに、基板に対して水平方向へのアルミニ
ウムヒロック（横ヒロック）は、フォトダイオードの開
口面積を著しく低下させ、フォトダイオード間の感度む
らを増大させるという問題があった。
本発明はこのような課題を解決するもので、フォトダ
イオード間の感度むらを抑制することのできる固体撮像
装置を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段 この課題を解決するために、本発明は、半導体基板上
に形成された光電変換部の表面以外がアルミニウム遮光
膜で覆われ、かつ、前記アルミニウム遮光膜の側壁及び
上面のみが高融点金属膜で被覆されたものである。
作用 本発明では、アルミニウム遮光膜の側壁及び上面がモ
リブデン、タングステン等の高融点金属膜で被覆される
ため、アルミニウムヒロックの発生を著しく低減でき、
フォトダイオード間の感度むらを抑制することができ
る。
実施例 以下、本発明の一実施例について、第１図の断面図に
基づいて説明する。
第１図において、Ｎ型半導体基板１上にＰウエル層
２、フォトダイオードのＮ型不純物層３、Ｎウエル層
４、素子分離用のP+型不純物層５、ゲート酸化膜６、多
結晶シリコンゲート電極７、層間絶縁膜として、シリコ
ン酸化膜８とBPSG膜９を形成し、さらに、多結晶シリコ
ンゲート電極７上のシリコン酸化膜８とBPSG膜９を介し
て、スパッタリング法によりシリコンを0.5wt％以上含
有したアルミニウム遮光膜10を形成した後、六フッ化タ
ングステン（WF6）と水素（H2）の混合ガス中で300〜50
0℃程度の熱処理を施し、アルミニウム遮光膜10の側壁
及び上面にのみ1000〜2000Å程度の膜圧のタングステン
膜12を選択成長させ、最終保護用絶縁膜としてCVD酸化
膜11を形成する。ここでWF6ガスの代わりMoF6を使用す
ればモリブテンが選択成長される。
発明の効果 以上のように本発明によれば、アルミニウム遮光膜の
側壁及び上面を、モリブテン、タングステン等の高融点
金属膜で被覆することにより、アルミニウムヒロックの
発生を抑制することができ、その結果、フォトダイオー
ド間の感度むらを著しく改善できる効果が得られ、所望
の特性の固体撮像装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す構成断面図、第２図は
従来例を示す構成断面図である。 １……Ｎ型半導体基板、２……Ｐウエル層、３……フォ
トダイオードのＮ型不純物層、４……Ｎウエル層、５…
…素子分離用のP+不純物層、６……ゲート酸化膜、７…
…多結晶シリコンゲート電極、８……シリコン酸化膜、
９……BPSG膜、10……シリコンを0.5wt％以上含有した
アルミニウム遮光膜、11……CVD酸化膜、12……タング
ステン膜。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板上に形成された光電変換部の表
    面以外がアルミニウム遮光膜で覆われ、かつ、前記アル
    ミニウム遮光膜の側壁及び上面のみが高融点金属膜で被
    覆されたことを特徴とする固体撮像装置。
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