KR20000048110A - 고체촬상장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전송 효율이나 전송 전하량을 저하시키지 않고 작동할 수 있는 프레임 전송형 고체촬상장치를 제공한다.
광전변환영역(2)을 구성하는 복수의 N형영역(5)과 채널 스톱영역(3)을 구성하는 복수의 P+형영역(6)은 P형실리콘기판(4)표면에 형성되어 있으며 투명전극(1)은 기판(4)상에 절연막(7)을 개재하여 형성되어 있다. 광전변환영역 상부의 부분에서의 투명전극의 두께는 투명전극 이외의 부분의 막 두께보다도 얇게 형성되어 있으며 반사방지막(8)은 광전변환영역(2)의 위쪽에 형성되어 있다.
Description
본 발명은 고체촬상장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 전송 효율이나 전송 전하량의 저하가 생기는 일 없이 감도 및 해상도를 향상시킬 수 있는 프레임 전송형 또는 풀 프레임 전송형의 고체촬상장치와 그 제조방법에 관한 것이다.
CCD형 고체촬상장치가 동작 모드로 분류되는 경우, 두가지 방식으로 분류되는데, 그 하나는 인터라인 전송방식이고 다른 하나는 프레임 전송방식(또는 풀 프레임형전송방식)이다. 인터라인 전송형의 고체촬상장치에서 각 화소부는 PN접합으로 구성되어 있으며 N형영역상에 형성되는 절연막을 통해서 빛이 입사한다. 또한, 각 화소열에 인접하여 수직 CCD레지스터가 차례로 형성되며, 수광부상에 축적된 신호전하는 수직 CCD레지스터에 전송된다. 수직 CCD레지스터의 내용은 수평 CCD레지스터에 전송 및 출력된다. 반면에, 프레임 전송형의 고체촬상장치에 있어서, CCD는 수광부와 축적부로 분리되어 있으며, 수광부에 축적된 신호전하는 전하축적부에 전송되고 전하축적부에 저장된 신호전하는 수평 CCD레지스터에 출력된다. 프레임 전송의 경우에, 신호의 전송은 빈 시간 동안에 행해지고 수광부는 다음 신호전하를 판독 기간 동안 저장한다. 따라서, 몇몇의 경우 프레임 전송형 고체촬상장치의 수광부로서 전송 게이트를 형성하는 투명전극을 통해서 빛이 입사되고 상기 전송게이트 밑의 PN접합에서 광전변환이 행하여지는 다른 방식의 CCD가 사용되고 있다.
풀 프레임 전송방식의 고체촬상장치는 수광 셀 어레이부와 수평전송부를 구비하며, 수평전송부에 축적전하를 전송할 때에는 기계적 셔터 등을 써서 입사광을 차단해야 한다. 한편, 프레임 전송방식의 고체촬상장치는 수광 셀 어레이부와 축적부와 수평전송부를 갖추고 있으며 수광 셀 어레이부에 축적된 전하는 일괄적으로 고속으로 축적부에 전송된다. 축적부는 차광되어 있기 때문에, 축적부에 축적된 화상정보는 다음 화상정보를 수광부에 축적하기 까지의 사이에 전송을 완료하면 좋기 때문에 기계식 셔터 등에 의해 빛을 차단할 필요성은 없게 된다.
도 7은 종래의 프레임 전송형 고체촬상장치의 구조의 일 예를 도시하는 횡단면도이다. 또, 이 단면도는 투명전극의 길이방향에 따라 절단한 상태를 도시하고 있다. 상기 고체촬상장치는 P형실리콘기판(50)상에 광전변환영역(51)에 해당하는 N형영역(52), 및 인접하는 광전변환영역(51)들을 서로 분리하는 채널 스톱영역(53)에 해당하는 P+형영역(54)을 포함하고 있다. 또한, 투명전극은 기판(5O)상에 절연층(55)을 개재하여 형성되어 있으며, 투명전극(56)상에는 평탄화층(57)이 형성되어 있다.
상기 구조의 고체촬상장치를 제조할 때에는, 우선, 도 8(a)에 도시된 바와 같이, P형실리콘기판(50)상에 N형영역(52) 및 P+형영역(54)이 각각 형성되고, 그 후 절연층(55)및 다결정 실리콘막이 차례로 형성되고, 그 후 다결정 실리콘막을 선상으로 패터닝하여 길게 연장되는 투명전극(56)을 형성한다. 그 후에, 도 8(b)에 도시하는 바와 같이, 투명전극(56)을 덮도록 실리콘산화막으로 이루어지는 평탄화층(57)을 형성한다.
상기 고체촬상장치에 있어서, 빛은 평탄화층(57), 투명전극(56), 절연층(55)을 통해서 P형실리콘기판(50)내에 입사되어, 광전변환영역(51)의 N형영역(52)내에서 광전변환이 행하여져 신호전하가 축적된다. 그리고, 복수의 투명전극(56)에 펄스가 주어짐에 의해 축적된 신호전하가 차례로 전송되어 간다.
그러나, 상기 종래의 고체촬상장치에는 다음과 같은 문제점이 있었다. 그것은, 투명전극을 두텁게 형성한 경우에 있는 감도가 저하되며, 얇게 형성한 경우에는 전송 효율이나 전송 전하량의 저하를 초래한다고 하는 문제점이다. 또한, 종래의 촬상장치의 해상도는 만족스럽지 못했다.
문제는 이하의 요인에 의해 초래되었다. 상기 종래의 고체촬상장치에서, 다결정 실리콘등으로 이루어지는 투명전극은 균일한 막 두께로 형성되며, 투명전극부분의 배선저항을 내리는 방법중의 하나의 방법은 투명막의 막 두께를 두텁게 하는 것이다. 그런데, 투명막의 막 두께를 두텁게 한 경우에, 투명전극에 입사된 빛은 내부에서 난반사하는 부분이 많게 되어 빛의 투과율이 저하되기 때문에 감도가 저하한다. 그래서, 감도의 향상을 중시하여 투명전극을 얇게 하면, 이번에는 배선 저항이 증대하여 펄스 둔화 등의 문제가 생겨서 전송 효율이나 전송 전하량이 저하된다. 또한, 도 7에 도시한 구조로 하면, 채널 스톱영역에도 투명전극을 개재하여 빛이 입사되지만, 주변부로의 빛의 입사는 채널 스톱영역의 양측쪽의 광전변환영역으로 갈라져서 광전변환이 행하여지기 때문에 그 결과 해상도가 저하되는 것이다.
따라서, 본 발명은 상기의 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로서, 전송 효율이나 전송 전하량이 저하되지 않고 감도나 해상도가 뛰어난 프레임 전송형 또는 풀 프레임 전송형 고체촬상장치와 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1의 특징에 따르면, 다수의 광전변환영역과 각 광전변환영역을 분리하는 복수의 채널 스톱영역이 반도체기판상에 배열되어 있으며, 상기 다수의 광전변환영역 및 상기 다수의 채널 스톱영역의 윗쪽에 걸쳐 제1의 절연막을 개재하여 투명전극이 마련되어 있는, 프레임 전송형 또는 풀 프레임 전송형의 고체촬상장치에 해당하는 고체촬상장치에 있어서, 상기 고체촬상장치는 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치한 상기 투명전극의 적어도 일부상에 형성된 반사방지막을 또한 포함하고 있는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 제2의 특징에 따르면, 복수의 광전변환영역과 각 광전변환영역 사이를 분리하는 복수의 채널 스톱영역이 반도체 기판상에 배열되어 있으며, 상기 다수의 광전변환영역 및 상기 다수의 채널 스톱영역의 윗쪽에 걸쳐 제1의 절연막을 개재하여 투명전극이 마련되어 있는, 프레임 전송형 또는 풀 프레임 전송형의 고체촬상장치에 해당하는 고체촬상장치에 있어서, 상기 고체촬상장치는 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치한 상기 투명전극의 적어도 일부와 상기 투명전극을 피복하는 제2의 절연막의 사이에 형성되며, 상기 투명전극의 굴절율과 상기 투명전극을 피복하기 위해 형성된 상기 제2의 절연막의 굴절율의 중간 굴절율을 갖는 반사방지막을 포함하고 있는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 투명전극중에 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 부분의 막 두께를 그 이외의 부분의 막 두께보다도 얇게 하는 것은 바람직하다. 또한, 상기 투명전극표면의 상기 광전변환영역 이외의 영역의 윗쪽에 위치하는 곳에 차광막이 형성되는 것은 바람직하다.
본 발명의 제3의 특징에 따르면, 복수의 광전변환영역과 각 광전변환영역 사이를 분리하는 복수의 채널 스톱영역이 반도체 기판상에 배열되어 있으며, 상기 복수의 광전변환영역 및 상기 복수의 채널 스톱영역의 윗쪽에 걸쳐 절연막을 개재하여 투명전극이 마련되어 있는, 프레임 전송형 또는 풀 프레임 전송형의 고체촬상장치에 해당하는 고체촬상장치에 있어서, 상기 고체촬상장치는 상기 광전변환영역의 상부면 이외의 상기 투명전극의 표면상에 형성된 차광막을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 제4의 특징에 따르면, 복수의 광전변환영역과 각 광전변환영역 사이를 분리하는 복수의 채널 스톱영역이 반도체 기판상에 배열되어 있으며, 상기 복수의 광전변환영역 및 상기 복수의 채널 스톱영역의 윗쪽에 걸쳐 절연막을 개재하여 투명전극이 마련되어 있는, 프레임 전송형 또는 풀 프레임 전송형의 고체촬상장치에 해당하는 고체촬상장치에 있어서, 상기 광전변환영역 위쪽의 상기 투명전극의 두께는 상기 투명전극의 다른 영역의 두께보다 얇게 되도록 형성되는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 고체촬상장치에 따르면, 반사방지막은 광전변환영역의 윗쪽의 지점에 위치하는 투명전극표면의 표면의 일부상에 배치되어 있기 때문에, 투명전극 및 절연막을 통하여 광전변환영역에 도달하는 빛의 량, 즉 빛의 투과율은 반사방지막을 가지지 않는 종래의 것과 비교하여 향상한다. 그 결과, 감도를 향상시킬 수가 있다. 또한, 반사방지막으로서, 투명전극의 굴절율과 투명전극상의 제2의 절연막의 굴절율의 중간정도의 굴절율을 갖는 반사방지막을 쓰면 빛의 전반사를 방지할 수가 있다.
상기 반사방지막을 부가한 것 이외에도, 투명전극중의 광전변환영역에 해당하는 부분의 막 두께를 그 이외의 부분의 막 두께보다도 얇게 한 경우, 투명전극에 있어서의 빛의 투과율이 보다 향상하여 감도를 보다 향상시킬 수 있다. 역으로 말하면 광전변환영역 이외에 해당하는 부분의 투명전극의 막 두께는 두텁게 형성되기 때문에, 종래와 같이 투명전극의 막 두께를 어떤 곳이나 동일하게 하여, 더구나 투과율향상의 관점에서 막 두께를 한결같이 얇게 한 경우에 비해, 배선 저항을 저감할 수가 있다. 그 결과, 배선에 공급하는 판독 펄스의 둔화 등이 생기는 일이 없고, 나아가서는 전송 효율이나 전송 전하량의 저하를 방지할 수가 있다. 이 경우, 광전변환영역에 대응하는 부분의 막 두께는 약3OOnm 이하 일 필요가 있고, 바람직하기는 150내지 25Onm 정도가 적절하다. 막 두께가 두텁게 되면, 투과율이 내려가기 때문에 감도가 열화한다. 이 때문에, 막 두께와 수광 셀의 면적은 비례관계에 있으므로 셀의 면적을 바꾸지 않으면 막 두께가 얇아져서 감도가 올라가고, 감도를 일정하게 하면 셀의 면적을 작게 할 수가 있다.
또한, 광전변환영역 이외의 영역, 예컨대 채널 스톱영역에 해당하는 투명전극상에 차광막을 마련한 경우, 채널 스톱영역상에 입사하는 빛이 차광막에 의해 차광되어, 임의로 광전변환영역에 입사되는 빛이 인접하는 광전변환영역에도 입사되는 것을 방지하기 때문에 해상도가 향상될 수 있다.
또, 구체적인 구성재료로서는 반도체기판에는 실리콘기판, (제1의)절연막에는 실리콘산화막, 실리콘질화막, 실리콘산화질화막, 투명전극에는 다결정 실리콘, 반사방지막에는 실리콘질화막, 실리콘산화질화막, (제2의)절연막에는 실리콘산화막, 차광막에는 티타늄실리사이드, 텅스텐실리사이드 등의 고융점금속의 실리사이드막 또는 금속막, 등을 쓰는 것이 가능하다. 예컨대 투명전극에 다결정 실리콘, 반사방지막에 실리콘질화막이나 실리콘산화질화막, 제2의 절연막에 실리콘산화막을 쓴 경우, 굴절율이 밑으로부터 차례로 약 5, 약 2, 약 1.45로 되어 상기의 전반사를 방지하기 위한 조건을 만족한다.
본 발명의 고체촬상장치의 제조방법은 제1의 도전형의 반도체기판의 표면에 이온 주입에 의해 상기 제1의 도전형과 역의 도전형인 제2의 도전형의 광전변환영역을 형성하는 공정과, 상기 제2의 도전형의 각 광전변환영역 사이를 분리하는 제1의 도전형의 채널 스톱영역을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 해당 절연막상에 투명전극을 형성하는 공정과, 해당 투명전극상의 일부 또는 전면에 상기 투명전극의 굴절율 보다도 작은 굴절율의 반사방지막을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다. 상기 반사방지막을 투명전극상의 일부에 형성하는 경우에는 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 곳에 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 고체촬상장치의 제조방법은 제1의 도전형의 반도체기판의 표면에 이온 주입에 의해 상기 제1의 도전형과 역의 도전형인 제2의 도전형의 광전변환영역을 형성하는 공정과, 상기 제2의 도전형의 각 광전변환영역 사이를 분리하는 제1의 도전형의 채널 스톱영역을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 해당 절연막상에 투명전극을 형성하는 공정과, 상기 투명전극중 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 부분의 일부 또는 전부를 그 이외의 부분보다 막 두께가 얇아지도록 제거하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다. 또한, 투명전극중 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 부분의 일부 또는 전부를 그 이외의 부분보다 막 두께가 얇아지도록 제거하는 공정 후에, 투명전극상의 일부 또는 전면에 투명전극의 굴절율 보다도 작은 굴절율의 반사방지막을 형성하는 공정을 마련하면 양호하다.
본 발명의 다른 고체촬상장치의 제조방법은 제1의 도전형의 반도체기판의 표면에 이온 주입에 의해 상기 제1의 도전형과 역의 도전형인 제2의 도전형의 광전변환영역을 형성하는 공정과, 상기 제2의 도전형의 각 광전변환영역 사이를 분리하는 제1의 도전형의 채널 스톱영역을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 해당 절연막상에 다결정 실리콘으로 이루어지는 투명전극을 형성하는 공정과, 해당 투명전극의 표면에 고융점 금속막을 피착시키는 공정과, 열처리에 의해 상기 투명전극의 상기 고융점 금속막과 접한 부분을 실리사이드화 하는 공정과, 그 후에 실리사이드화 되어 있지 않은 상기 고융점 금속막을 제거하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 다른 고체촬상장치의 제조방법은 제1의 도전형의 반도체기판의 표면에 이온 주입에 의해 상기 제1의 도전형과 역의 도전형인 제2의 도전형의 광전변환영역을 형성하는 공정과, 상기 제2의 도전형의 각 광전변환영역 사이를 분리하는 제1의 도전형의 채널 스톱영역을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 해당 절연막상에 다결정 실리콘으로 이루어지는 투명전극을 형성하는 공정과, 해당 투명전극의 표면에 고융점 금속막을 피착하는 공정과, 열처리에 의해 상기 투명전극의 상기 고융점 금속막과 접한 부분을 실리사이드화 하는 공정과, 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 상기 고융점 금속막 또는 실리사이드막을 제거하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.
또, 상기 본 발명의 제조방법에 있어서, 반사방지막형성공정 후에, 투명전극의 표면에 고융점 금속막을 피착시키는 공정과, 열처리에 의해 상기 투명전극의 상기 고융점 금속막과 접한 부분을 실리사이드화 하는 공정과, 그 후에 실리사이드화 되어 있지 않은 상기 고융점 금속막을 제거하는 공정을 마련하더라도 좋다. 또는, 반사방지막 형성공정 후에, 상기 투명전극의 표면에 고융점 금속막을 피착시키는 공정과, 열처리에 의해 상기 투명전극의 상기 고융점 금속막과 접한 부분을 실리사이드화 하는 공정과, 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 상기 고융점 금속막 또는 실리사이드막을 제거하는 공정을 마련하더라도 좋다.
본 발명의 다른 고체촬상장치의 제조방법은, 제1의 도전형의 반도체기판의 표면에 이온 주입에 의해 상기 제1의 도전형과 역의 도전형인 제2의 도전형의 광전변환영역을 형성하는 공정과, 상기 제2의 도전형의 각 광전변환영역 사이를 분리하는 제1의 도전형의 채널 스톱영역을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 해당 절연막상에 다결정 실리콘으로 이루어지는 투명전극을 형성하는 공정과, 해당 투명전극의 표면에 고융점 금속막을 피착시키는 공정과, 열처리에 의해 상기 투명전극의 상기 고융점 금속막과 접한 부분을 실리사이드화 하는 공정과, 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 상기 고융점 금속막 또는 실리사이드막을 제거하는 공정과, 상기 투명전극표면의 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 곳에 상기 투명전극의 굴절율 보다도 작은 굴절율의 반사방지막을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 다른 고체촬상장치의 제조방법은, 제1의 도전형의 반도체기판의 표면에 이온 주입에 의해 상기 제1의 도전형과 역의 도전형인 제2의 도전형의 광전변환영역을 형성하는 공정과, 상기 제2의 도전형의 각 광전변환영역 사이를 분리하는 제1의 도전형의 채널 스톱을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 해당 절연막상에 투명전극을 형성하는 공정과, 해당 투명전극의 표면에 금속막을 피착시키는 공정과, 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 상기 금속막을 제거하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.
또, 상기 반사방지막형성공정 후에, 상기 투명전극의 표면에 금속막을 피착시키는 공정과, 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 상기 금속막을 제거하는 공정을 마련하더라도 좋다. 또한, 상기 금속막제거공정 후에, 상기 투명전극표면의 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 곳에 상기 투명전극의 굴절율 보다도 작은 굴절율의 반사방지막을 형성하는 공정을 마련하더라도 좋다.
어떻든간에, 본 발명의 고체촬상장치의 제조방법을 씀에 의해, 전송 효율이나 전송 전하량의 저하가 생기는 일 없이, 감도나 해상도가 뛰어난 고체촬상장치를 제조할 수가 있다. 광전변환영역에서의 투명전극의 막 두께가 얇은 부분, 광전변환영역에서의 반사방지막, 광전변환영역 이외의 영역에서의 차광막의 3가지 구성요소를 겸비한 고체촬상장치인 경우, 제조공정으로서는, 투명전극의 막 두께가 얇은 부분의 형성, 반사방지막의 형성, 차광막의 형성의 순서를 채용할 수 있다. 또는, 반사방지막의 형성과 차광막의 형성의 순서는, 차광막의 형성을 먼저 하고, 반사방지막의 형성을 후에 하도록 하더라도 좋다.
또한, 차광막의 형성에 관해서는, 다결정 실리콘으로 이루어지는 투명전극상에 고융점 금속막을 피착하여, 열처리에 의해 투명전극의 고융점 금속막과 접한 부분을 실리사이드화하며, 또한 광전변환영역상의 고융점 금속막 또는 실리사이드막을 제거함에 의해, 실리사이드막으로 이루어지는 차광막을 형성할 수가 있다. 또는, 단지 투명전극상에 금속막을 피착하고, 광전변환영역상의 금속막을 제거함에 의해, 금속막으로 이루어지는 차광막을 형성하는 것도 가능하다.
도1은 본 발명의 제1의 실시형태에 따른 CCD형 고체촬상장치를 도시하는 평면도.
도2는 도 1의 A-A선에 따른 횡단면도.
도3은 도 1의 B-B선에 따른 횡단면도.
도4는 본 발명의 제1의 실시형태에 따른 CCD형 고체촬상장치의 제조 공정을 도시하는 공정 단면도.
도5는 본 발명의 제2의 실시형태에 따른 CCD형 고체촬상장치를 도시하는 단면도.
도6은 본 발명의 제2의 실시형태에 따른 CCD형 고체촬상장치의 제조 공정을 도시하는 공정 단면도.
도7은 종래의 기술에 의한 프레임 전송방식으로 작동하는 CCD형 고체촬상장치를 도시하는 횡단면도.
도8은 도7에 도시된 종래의 기술에 의한 CCD형 고체촬상장치의 제조 공정을 도시하는 공정 단면도.
<도면의 주요부에 대한 간단한 설명>
1 : 투명전극 2 : 광전변환영역
3 : 채널 스톱영역 4 : P형실리콘기판(반도체기판)
5 : N형영역 6 : P+형영역
7 : 절연층(제1 절연층) 8 : 반사방지막
9 : 평탄화층(제2 절연층) 12 : 차광막
13 : 고융점 금속막
제1의 실시형태
이하, 본 발명의 제1의 실시형태를 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다.
도 1은 본 실시형태의 프레임 전송방식의 CCD형 고체촬상장치, 특히 수광부의 구성을 도시하는 평면도이고, 도 2는 투명전극의 길이방향에 따라 절단한 상태를 도시하는 (도 1의 A-A 선에 따른)단면도, 도 3은 3개의 투명전극을 횡단하는 방향에 따라 절단한 상태를 도시하는 (도 1의 B-B 선에 따른)단면도, 도 4는 동, 고체촬상장치의 제조 프로세스를 도시하는 공정 단면도이다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 CCD형 고체촬상장치의 수광부는 가로방향으로 연장된 투명전극(1)이 복수개 형성되고, 각 투명전극(1)에 따라 복수의 광전변환영역(2)이 형성됨과 동시에, 각 광전변환영역(2, 2) 사이를 분리하는 복수의 채널 스톱영역(3)이 형성되어 있다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 단면 구조로서는 P형실리콘기판(4) 표면에 N형불순물이 도입된 N형영역(5)이 형성되어, 그 부분이 광전변환영역(2)으로 되어있다. 또한, 투명전극(1)에 따라 인접하는 N형영역(5, 5) 사이에 기판(4)보다 고농도로 P형불순물이 도입된 P+형영역(6)이 형성되어, 이 부분이 채널 스톱영역(3)으로 되어있다. 그리고, 기판(4)상에 절연층(7)(제1 절연층)을 개재하여 투명전극(1)이 형성되어 있다.
이 투명전극(1)은 광전변환영역(2) 부분의 막 두께가 채널 스톱영역(3) 부분의 막 두께보다도 얇게 형성되고, 또한, 투명전극(1)중, 광전변환영역(2)에 해당하는 막 두께가 얇은 부분의 위에 반사방지막(8)이 형성되어 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 인접하는 3개의 투명전극(1)의 모든 표면에 반사방지막(8)이 형성되어 있다. 그리고, 이들 투명전극(1)및 반사방지막(8)을 덮도록 평탄화층(9)(제2 절연층)이 형성되어 있다.
본 실시형태의 경우, 각 층의 구성재료의 일례로서, 절연층(7)에 실리콘산화막, 투명전극(1)에 다결정 실리콘, 반사방지막(8)에 실리콘질화막(SiN)또는 실리콘산화질화막(SiON), 평탄화층(9)에 실리콘산화막이 쓰인다. 그 경우에, 투명전극(1), 반사방지막(8), 평탄화층(9)의 각 층의 굴절율은, 밑으로부터 차례로 약 5, 약 2, 약 1.45로 된다.
다음에, 상기 구성의 CCD형 고체촬상장치의 제조방법의 일례를 도 4을 써서 설명한다. 또, 도 4(a) 내지 (d)는 도 2와 동일한 방향에서 본 단면도이다.
우선, 도 4(a)에 도시하는 바와 같이, P형실리콘기판(4)표면에 N형영역(5), P+형영역(6)을 형성하여, 각각 광전변환영역(2), 채널 스톱영역(3)으로 한다. 이어서, 전면에 절연층(7)이 되는 실리콘산화막을 성막한 후에, 전면에 투명전극의 일부가 되는 다결정 실리콘을 300 내지 6O0 nm 정도의 막 두께로 일단 성막하고, 광전변환영역의 부분의 이 다결정 실리콘막을 제거하여, 광전변환영역 이외의 부분을 남기도록 패터닝한다(부호 1O의 부분). 또, 광전변환영역 이외의 부분에 남는 다결정 실리콘의 막 두께는, 저항치를 내리기위해서는 두꺼운 쪽이 바람직하지만, 800nm보다도 두텁게 되면, 가공시에 측벽부의 형상에 문제가 생기는 경우가 있다. 따라서, 일반적으로는 300 내지 600 nm 정도가 적당하다.
도 4(b)에 도시하는 바와 같이, 전면에 다결정 실리콘을 200nm 정도의 막 두께로 재차 성막함에 의해, 막 두께가 광전변환영역에서는 얇고, 그 이외의 영역에서는 두꺼운 단차이를 갖는 투명전극(1)을 형성한다.
다음에, 도 4(c)에 도시하는 바와 같이, 전면에 반사방지막(8)이 되는 예컨대 실리콘질화막을 CVD법 등을 써서 5Onm 정도의 막 두께가 되도록 성막한다.
다음에, 도 4(d)에 도시하는 바와 같이, 광전변환영역에 해당하는 반사방지막(8)(실리콘질화막)상에 레지스트 패턴(11)을 형성한 후에, 레지스트 패턴(11)을 마스크로 한 실리콘질화막의 에칭을 하여, 레지스트 패턴(11)이 형성되어 있지 않은 영역, 즉 광전변환영역 이외의 영역의 실리콘질화막을 제거한다. 이에 의해, 투명전극(1)상의 광전변환영역(2)에 해당하는 곳에만 반사방지막(8)을 남긴다.
최후에, 레지스트 패턴(11)을 제거한 후에, 전면에 평탄화층(9)이 되는 실리콘산화막을 성막함에 의해, 본 실시형태의 CCD형 고체촬상장치가 완성된다.
본 실시형태의 CCD형 고체촬상장치에 있어서는, 투명전극(1) 표면의 광전변환영역(2)에 해당하는 곳에 반사방지막(8)이 형성되어 있기 때문에, 반사방지막을 가지지 않는 종래의 것과 비교하여 광전변환영역에의 빛의 투과율이 높게 된다. 이에 의해, 감도를 향상시킬 수가 있다. 또한, 투명전극(1)에 다결정 실리콘, 반사방지막(8)에 실리콘질화막이나 실리콘산화질화막, 평탄화층(9)에 실리콘산화막을 쓰고 있기 때문에, 굴절율이 밑으로부터 차례로로 약 5, 약 2, 약 1.45가 되고, 각 층의 계면에서의 전반사가 확실히 방지되어, 투과율의 향상에 기여할 수가 있다.
더욱이, 본 실시형태인 경우, 투명전극(1)중의 광전변환영역(2)에 해당하는 부분의 막 두께가 그 이외의 부분의 막 두께보다도 얇아저 있기 때문에, 투명전극(1) 내에서의 난반사 등이 방지되어, 빛의 투과율이 보다 향상되며, 감도를 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 광전변환영역(2) 이외에 해당하는 부분의 투명전극(1)의 막 두께는 두텁게 형성되어 있기 때문에, 투명전극의 막 두께를 어떤 곳이나 같게 하고, 투과율 향상을 위해 막 두께를 한결같이 얇게 한 종래인 경우에 비교하여, 배선 저항을 저감할 수가 있다. 그 결과, 펄스 둔화 등이 생기는 일이 없고, 전송 효율이나 전송 전하량의 저하가 생기는 일이 없다.
또, 본 실시형태의 고체촬상장치의 제조방법에 있어서는, 광전변환영역(2)부분의 투명전극(1)을 얇게 하는 방법으로서, 광전변환영역(2) 이외의 막 두께를 두텁게 하는 곳에 다결정 실리콘의 패턴을 형성한 후에, 재차 전면에 다결정 실리콘을 성장시키는 방법을 썼지만, 이방법 대신에, 다결정 실리콘을 처음부터 두텁게 성장시켜, 광전변환영역의 부분을 일부 에칭하여 얇게 한다고 하는 방법을 채택할 수도 있다.
제2의 실시형태
이하, 본 발명의 제2의 실시형태를 도 5, 도 6을 참조하여 설명한다.
도 5는 본 실시형태의 프레임 전송방식의 CCD형 고체촬상장치의 구성을 도시하는 단면도(투명전극의 길이방향에 따라 절단한 상태), 도 6은 동, 고체촬상장치의 제조 프로세스를 도시하는 공정 단면도이다. 여기서는, 평면도, 즉 투명전극을 횡단하는 방향에 따라 절단한 단면도에 관해서는, 제1의 실시형태와 거의 같기 때문에 도시를 생략한다. 또, 도 5, 도 6에 있어서, 도 2, 도 4와 공통의 구성요소에는 동일한 부호를 부치다.
본 실시형태의 CCD형 고체촬상장치는 도 5에 도시하는 바와 같이, P형실리콘기판(4)표면에 광전변환영역(2)을 이루는 N형영역(5)이 형성됨과 동시에, 채널 스톱영역(3)을 이루는 P+형영역(6)이 형성되어 있다. 또한, 기판(4)상에 예컨대 실리콘산화막으로 이루어지는 절연층(7)(제1 절연층)을 개재하여 투명전극(1)이 형성되어 있다.
이 투명전극(1)은 다결정 실리콘에 의해 형성되어 있고, 채널 스톱영역(3)의 윗쪽에 해당하는 다결정 실리콘은 표면이 실리사이드화 되어, 예컨대 티타늄실리사이드, 텅스텐실리사이드 등의 고융점 금속의 실리사이드층으로서 이루어지며, 이 실리사이드층이 채널 스톱영역(3)의 윗쪽을 덮는 차광막(12)으로 되어있다. 또한, 투명전극(1)상의 광전변환영역(2)에 해당하는 부분에 반사방지막(8)이 형성되어 있다. 그리고, 이들 반사방지막(8) 및 차광막(12)을 덮도록 평탄화층(9)(제2 절연층)이 형성되어 있다. 본 실시형태인 경우도, 각 층의 재료는 제1의 실시형태와 같은 것을 쓸 수 있다.
다음에, 상기 구성의 CCD형 고체촬상장치의 제조방법의 일례를 도 6을 써서 설명한다.
도 6(a)에 도시하는 바와 같이, P형실리콘기판(4) 표면에 N형영역(5), P+형영역(6)을 형성하여, 각각 광전변환영역(2), 채널 스톱영역(3)으로 한다. 이어서, 전면에 절연층(7)이 되는 실리콘산화막을 성막한 후에, 전면에 투명전극(1)이 되는 다결정 실리콘을 300 내지 6OOA 정도의 막 두께로 성막한다. 이어서, 전면에 반사방지막(8)이 되는 예컨대 실리콘질화막을 CVD법 등을 써서 5Onm 정도의 막 두께로 되도록 성막한다. 또, 다결정 실리콘의 막 두께는, 저항치를 내리기 위해서는 두꺼운 쪽이 바람직하지만, 8O0nm보다도 두텁게 되면, 가공시에 측벽부의 형상에 문제가 생기는 경우가 있다. 따라서, 일반적으로는 300 내지 60Onm 정도가 적당하다.
도 6(b)에 도시하는 바와 같이, 광전변환영역(2)에 해당하는 반사방지막(8)(실리콘질화막)상에 레지스트 패턴(11)을 형성한 후에, 레지스트 패턴(11)을 마스크로 한 실리콘질화막의 에칭을 하여, 레지스트 패턴(11)이 형성되어 있지 않은 영역, 즉 광전변환영역(2) 이외의 영역의 실리콘질화막을 제거한다. 이에 의해, 투명전극(1)상의 광전변환영역(2)에 해당하는 곳에만 반사방지막(8)이 형성되고, 광전변환영역(2) 이외의 곳은 투명전극(1)의 다결정 실리콘이 노출한 상태로 된다.
레지스트 패턴(11)을 제거한 후에, 도 6(c)에 도시하는 바와 같이, 전면에 스패터법 등을 써서 티타늄, 텅스텐 등의 고융점 금속막(13)을 50nm 정도의 막 두께로 성막한다.
예컨대 Ar 등의 불활성가스 분위기하에서, 온도600℃, 시간30분 정도의 조건으로 열처리를 하면 , 도 6(d)에 도시하는 바와 같이, 투명전극(1)의 다결정 실리콘과 고융점 금속막(13)이 직접 접촉한 곳에서만 실리사이드화 반응이 생기기 때문에, 결과적으로, 채널 스톱영역(3)의 윗쪽에 티타늄실리사이드, 텅스텐실리사이드 등의 고융점금속의 실리사이드층으로 이루어지는 차광막(12)이 형성된다.
최종적으로, 실리사이드화 되어 있지 않은 고융점 금속막(13)을 제거한 후에, 전면에 평탄화층(9)이 되는 실리콘산화막을 성막함에 의해, 본 실시형태의 CCD형 고체촬상장치가 완성된다.
본 실시형태의 CCD형 고체촬상장치에 있어서도, 투명전극(1) 표면의 광전변환영역(2)상에 반사방지막(8)이 형성되어 있기 때문에, 광전변환영역(2)에의 빛의 투과율이 높게 되고, 감도가 향상된다는 제1의 실시형태와 같은 효과를 발휘할 수가 있다.
또한, 채널 스톱영역(3)에 해당하는 투명전극(1)상에 차광막(12)이 형성되어 있기 때문에, 채널 스톱영역(3)상에 입사하는 빛이 차광막(12)에 의해 차광되어, 임의로 광전변환영역(2)에 입사되는 빛이 인접하는 광전변환영역(2)에도 동시에 입사되는 것을 방지하기 때문에, 종래의 장치에 비해 해상도를 향상시킬 수 있다.
본 실시형태인 경우, 채널 스톱영역(3) 윗쪽의 투명전극 표면이 실리사이드화 되어 있기 때문에, 이 영역에서는 다결정 실리콘부분의 막 두께만 보면 광전변환영역(2)보다도 얇아저 있다. 그런데, 티타늄실리사이드, 텅스텐실리사이드 등의 재료는 다결정 실리콘보다도 비저항이 작기 때문에, 이 실리사이드층이 차광막(12)으로서의 역할을 다 할뿐만 아니라, 투명전극(1)가 얇아짐 의한 저항의 증대분을 상쇄하며, 또한 단위면적당의 비저항을 작게 한다고 하는 역할을 다 한다. 그 결과, 높은 배선 저항에 기인하는 펄스 둔화 등의 문제가 생기는 일이 없고, 전송 효율이나 전송 전하량의 저하를 방지할 수가 있다.
또한,본 실시형태의 제조방법은 먼저 광전변환영역(2)만에 반사방지막(8)을 형성하고, 전면에 고융점 금속막(13)을 성막한 후에, 투명전극(1)의 다결정 실리콘과 고융점 금속막(13)이 직접 접촉한 곳에서만 실리사이드화 반응이 생기게 하여, 채널 스톱영역(3)상에 선택적으로 차광막(12)을 형성하는 방법이다. 그리고, 실리사이드층과 고융점 금속과의 에칭 선택성을 이용하여, 차후의 공정에서 실리사이드화 되어 있지 않은 고융점 금속막(13)만을 용이하게 제거할 수가 있다. 따라서, 고융점 금속막(13)의 패터닝공정이 불필요하다고 하는 점에서 합리적인 제조 프로세스이다.
또, 본 발명의 기술 범위는 상기 기술된 두개의 실시예에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 여러가지의 변경을 가하는 것이 가능하다. 본 발명에 의한 고체촬상장치는 프레임 전송형 또는 풀 프레임 전송형 고체촬상장치 뿐만아니라, CMOS형 또는 MOS형 고체촬상장치와 같은 광전변환부 및 포토커풀러를 포함하는 광전변환장치에 적합하다. 본 발명의 가장 특징적인 3개의 구성요건은, (1) 광전변환영역의 윗쪽에 반사방지막을 마련하는 점, (2) 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 투명전극의 막 두께를 그 이외의 영역의 막 두께보다도 얇게 하는 점, (3) 광전변환영역 이외의 영역의 윗쪽에 차광막을 마련하는 점이다. 이에 대하여, 제1의 실시형태에서는, (1) 및 (2)만을 구비한 예, 제2의 실시형태에서는, (1) 및 (3)만을 구비한 예를 나타내었지만, 본 발명의 고체촬상장치는 이들 실시형태에 한하는 것이 아니라, 이들 모든 요건을 겸비하고 있더라도 좋고, 어느 하나 하나를 갖추고 있더라도 좋다.
또한, 상기제2의 실시형태에 있어서, 차광막을 고융점 금속의 실리사이드막으로 형성했지만, 기타, 금속막으로 형성하도록 하더라도 좋다. 그 경우에, 실리사이드화의 열처리공정이 불필요하게 되지만, 전면에 금속막을 성막한 후에 패터닝를 하여, 광전변환영역에 대응하는 부분을 제거하는 공정이 필요하게 된다. 또한, 제2의 실시형태에서는, 먼저 반사방지막을 형성한 후에, 차광막을 형성했지만, 패터닝에 의해 차광막을 형성하는 경우에는, 먼저 차광막을 형성한 후에, 반사방지막을 형성한다고 하는 순서라도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는, 인접하는 3개의 투명전극의 모든 표면에 반사방지막을 형성했지만, 프레임 전송형 CCD 고체촬상장치의 구동방법에 따라서는, 예컨대 1개의 투명전극 밑의 N형영역을 광전변환영역으로서 쓰고, 나머지 2개의 투명전극 밑의의 N형영역은 오로지 전하 전송영역으로 쓸 수도 있다. 그와 같은 경우, 본 발명의 고체촬상장치에서는 적어도 광전변환영역상에 맞는 투명전극만에 반사방지막을 형성하도록 하더라도 좋다.
또한, 상기 실시형태로 든 각 층의 재료 이외에도 여러가지의 재료를 쓸 수 있다. 예컨대, 반사방지막의 재료로서, 실리콘질화막, 실리콘산화질화막 대신에, 탄탈산화막(Ta2O5), BST((Ba, Sr)TaO3) 등을 쓰는 것도 가능하다.
이상, 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 광전변환영역의 윗쪽에 반사방지막을 마련하거나 투명전극중의 광전변환영역부분의 막 두께를 얇게 함에 의해 광전변환영역에의 빛의 투과율이 향상하기 때문에 감도를 향상시킬 수 있다. 또한, 광전변환영역 이외의 부분의 투명전극의 막 두께는 두텁게 형성됨에 의해 투명전극의 막 두께를 한결같이 얇게 한 종래인 경우에 비교하여 배선저항을 저감할 수 있기 때문에, 펄스 둔화 등이 생기는 일이 없고, 전송 효율이나 전송 전하량의 저하를 방지할 수가 있다. 또한, 광전변환영역 이외의 영역상에 차광막을 마련함에 의해, 임의의 광전변환영역에 입사되는 빛이 인접하는 광전변환영역에도 입사됨을 방지하기 때문에, 해상도를 향상할 수가 있다. 즉, 전송 효율이나 전송 전하량의 저하가 생기는 일 없이 감도나 해상도가 뛰어난 프레임 전송형 또는 풀 프레임 전송형 고체촬상장치를 실현할 수가 있다.
Claims (18)
- 반도체기판상에 광전변환영역 각각을 분리하는 복수의 채널 스톱영역과 복수의 광전변환영역이 배열되고, 상기 광전변환영역 및 상기 채널 스톱영역의 윗쪽에 걸쳐 제1의 절연막을 개재하여 투명전극이 형성된 프레임 전송형 또는 풀 프레임 전송형의 고체촬상장치에 있어서,상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 상기 투명전극표면의 적어도 일부에 반사방지막이 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 반도체기판상에 광전변환영역 각각을 분리하는 복수의 채널 스톱영역과 복수의 광전변환영역이 배열되고, 상기 복수의 광전변환영역 및 상기 복수의 채널 스톱영역의 윗쪽에 걸쳐 제1의 절연막을 개재하여 투명전극이 형성된 프레임 전송형 또는 풀 프레임 전송형의 고체촬상장치에 있어서,상기 투명전극의 적어도 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 부분과 해당 투명전극를 덮는 제2의 절연막의 사이에, 상기 투명전극의 굴절율과 상기 제2의 절연막의 굴절율의 중간의 굴절율을 갖는 반사방지막이 형성된 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제 1항에 있어서,상기 투명전극중 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 부분의 막 두께가 그 이외의 부분의 막 두께보다도 얇게 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제 1항에 있어서,상기 투명전극표면의 상기 광전변환영역 이외의 영역의 윗쪽에 위치하는 곳에 차광막이 형성된 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 반도체기판상에 광전변환영역 각각을 분리하는 복수의 채널 스톱영역과 복수의 광전변환영역이 배열되고, 상기 광전변환영역 및 상기 채널 스톱영역의 윗쪽에 걸쳐 절연막을 개재하여 투명전극이 형성된 프레임 전송형 또는 풀 프레임 전송형의 고체촬상장치에 있어서,상기 광전변환영역 이외의 영역의 윗쪽에 위치하는 상기 투명전극의 표면에 차광막이 형성된 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 반도체기판상에 광전변환영역 각각을 분리하는 복수의 채널 스톱영역과 복수의 광전변환영역이 배열되고, 상기 광전변환영역 및 상기 채널 스톱영역의 윗쪽에 걸쳐 절연막을 개재하여 투명전극이 형성된 프레임 전송형 또는 풀 프레임 전송형의 고체촬상장치에 있어서,상기 투명전극중, 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 부분의 막 두께가 그 이외의 부분의 막 두께보다도 얇은 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 고체촬상장치의 제조방법에 있어서,제1의 도전형의 반도체기판의 표면에 이온 주입에 의해 상기 제1의 도전형과 역의 도전형인 제2의 도전형의 광전변환영역을 형성하는 공정과,상기 제2의 도전형의 각 광전변환영역 사이를 분리하는 제1의 도전형의 채널 스톱영역을 형성하는 공정과,상기 반도체기판상에 절연막을 형성하는 공정과,상기 절연막상에 투명전극을 형성하는 공정과,상기 투명전극상의 일부 또는 전면에 상기 투명전극의 굴절율보다도 작은 굴절율의 반사방지막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
- 7항에 있어서,상기 반사방지막을 형성하는 공정에 있어서, 상기 투명전극표면의 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 곳에 상기 반사방지막을 형성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
- 고체촬상장치의 제조방법에 있어서,제1의 도전형의 반도체기판의 표면에 이온 주입에 의해 상기 제1의 도전형과 역의 도전형인 제2의 도전형의 광전변환영역을 형성하는 공정과,상기 제2의 도전형의 각 광전변환영역 사이를 분리하는 제1의 도전형의 채널 스톱영역을 형성하는 공정과,상기 반도체기판상에 절연막을 형성하는 공정과,상기 절연막상에 투명전극을 형성하는 공정과,상기 투명전극중 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 부분의 일부 또는 전부를 그 이외의 부분보다 막 두께가 얇아지도록 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 투명전극중 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 부분의 일부 또는 전부를 그 이외의 부분보다 막 두께가 얇아지도록 제거하는 공정 후에, 상기 투명전극상의 일부 또는 전면에 상기 투명전극의 굴절율 보다도 작은 굴절율의 반사방지막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
- 고체촬상장치의 제조방법에 있어서,제1의 도전형의 반도체기판의 표면에 이온 주입에 의해 상기 제1의 도전형과 역의 도전형인 제2의 도전형의 광전변환영역을 형성하는 공정과,상기 제2의 도전형의 각 광전변환영역 사이를 분리하는 제1의 도전형의 채널 스톱영역을 형성하는 공정과,상기 반도체기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 해당 절연막상에 다결정 실리콘으로 이루어지는 투명전극을 형성하는 공정과,상기 투명전극의 표면에 고융점 금속막을 피착시키는 공정과,열처리에 의해 상기 투명전극의 상기 고융점 금속막과 접한 부분을 실리사이드화 하는 공정과,그 후 실리사이드화되어 있지 않은 상기 고융점 금속막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
- 고체촬상장치의 제조방법에 있어서,제1의 도전형의 반도체기판의 표면에 이온 주입에 의해 상기 제1의 도전형과 역의 도전형인 제2의 도전형의 광전변환영역을 형성하는 공정과,상기 제2의 도전형의 각 광전변환영역 사이를 분리하는 제1의 도전형의 채널 스톱영역을 형성하는 공정과,상기 반도체기판상에 절연막을 형성하는 공정과,상기 절연막상에 다결정 실리콘으로 이루어지는 투명전극을 형성하는 공정과,상기 투명전극의 표면에 고융점 금속막을 피착시키는 공정과,열처리에 의해 상기 투명전극의 상기 고융점 금속막과 접한 부분을 실리사이드화 하는 공정과,상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 상기 고융점 금속막 또는 실리사이드막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 반사방지막을 형성하는 공정 후에,상기 투명전극의 표면에 고융점 금속막을 피착시키는 공정과,열처리에 의해 상기 투명전극의 상기 고융점 금속막과 접한 부분을 실리사이드화 하는 공정과,그 후 실리사이드화되어 있지 않은 상기 고융점 금속막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 반사방지막을 형성하는 공정 후에,상기 투명전극의 표면에 고융점 금속막을 피착시키는 공정과,열처리에 의해 상기 투명전극의 상기 고융점 금속막과 접한 부분을 실리사이드화 하는 공정과,상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 상기 고융점 금속막 또는 실리사이드막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
- 고체촬상장치의 제조방법에 있어서,제1의 도전형의 반도체기판의 표면에 이온 주입에 의해 상기 제1의 도전형과 역의 도전형인 제2의 도전형의 광전변환영역을 형성하는 공정과,상기 제2의 도전형의 각 광전변환영역 사이를 분리하는 제1의 도전형의 채널 스톱영역을 형성하는 공정과,상기 반도체기판상에 절연막을 형성하는 공정과,상기 절연막상에 다결정 실리콘으로 이루어지는 투명전극을 형성하는 공정과,상기 투명전극의 표면에 고융점 금속막을 피착시키는 공정과,열처리에 의해 상기 투명전극의 상기 고융점 금속막과 접한 부분을 실리사이드화 하는 공정과,상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 상기 고융점 금속막 또는 실리사이드막을 제거하는 공정과,상기 투명전극표면의 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 곳에 상기 투명전극의 굴절율 보다도 작은 굴절율의 반사방지막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
- 고체촬상장치의 제조방법에 있어서,제1의 도전형의 반도체기판의 표면에 이온 주입에 의해 상기 제1의 도전형과 역의 도전형인 제2의 도전형의 광전변환영역을 형성하는 공정과,상기 제2의 도전형의 각 광전변환영역 사이를 분리하는 제1의 도전형의 채널 스톱영역을 형성하는 공정과,상기 반도체기판상에 절연막을 형성하는 공정과,상기 절연막상에 투명전극을 형성하는 공정과,상기 투명전극의 표면에 금속막을 피착시키는 공정과,상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 상기 금속막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 반사방지막을 형성하는 공정 후에, 상기 투명전극의 표면에 금속막을 피착시키는 공정과, 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 상기 금속막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
- 제 16항에 있어서,상기 금속막을 제거하는 공정 후에, 상기 투명전극표면의 상기 광전변환영역의 윗쪽에 위치하는 곳에 상기 투명전극의 굴절율 보다도 작은 굴절율의 반사방지막을 형성하는 공정을 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
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Legal Events
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| NORF | Unpaid initial registration fee |