JP3276906B2 - 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法Info
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 63
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 24
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 18
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14831—Area CCD imagers
- H01L27/1485—Frame transfer
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フレーム転送方式
のＣＣＤ固体撮像素子及びその固体撮像素子の製造方法
に関する。
のＣＣＤ固体撮像素子及びその固体撮像素子の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、フレーム転送方式の固体撮像素
子の構成を示す概略図である。フレーム転送方式のＣＣ
Ｄ固体撮像素子は、撮像部ｉ、蓄積部ｓ、水平転送部ｈ
及び出力部ｄを有する。撮像部ｉは、垂直方向に延在
し、互いに平行に配列された複数のシフトレジスタから
なり、各シフトレジスタの各ビットが受光画素を構成す
る。蓄積部ｓは、撮像部ｉのシフトレジスタに連続する
遮光された複数のシフトレジスタからなり、各シフトレ
ジスタの各ビットが蓄積画素を構成する。水平転送部ｈ
は、水平方向に延在する単一のシフトレジスタからな
り、各ビットに蓄積部ｓのシフトレジスタの出力が接続
される。出力部ｄは、水平転送部ｈから転送出力される
電荷を一時的に蓄積する容量及びその容量に蓄積された
電荷を排出するリセットトランジスタを含む。これによ
り、撮像部ｉの各受光画素に蓄積される情報電荷は、各
画素毎に独立して蓄積部ｓの蓄積画素へ転送された後、
１行ずつ蓄積部ｓから水平転送部ｈへ転送され、さら
に、１画素単位で水平転送部ｈから出力部ｄへ転送され
る。そして、出力部ｄで１画素毎の電荷量が電圧値に変
換され、その電圧値の変化がＣＣＤ出力として外部回路
へ供給される。
子の構成を示す概略図である。フレーム転送方式のＣＣ
Ｄ固体撮像素子は、撮像部ｉ、蓄積部ｓ、水平転送部ｈ
及び出力部ｄを有する。撮像部ｉは、垂直方向に延在
し、互いに平行に配列された複数のシフトレジスタから
なり、各シフトレジスタの各ビットが受光画素を構成す
る。蓄積部ｓは、撮像部ｉのシフトレジスタに連続する
遮光された複数のシフトレジスタからなり、各シフトレ
ジスタの各ビットが蓄積画素を構成する。水平転送部ｈ
は、水平方向に延在する単一のシフトレジスタからな
り、各ビットに蓄積部ｓのシフトレジスタの出力が接続
される。出力部ｄは、水平転送部ｈから転送出力される
電荷を一時的に蓄積する容量及びその容量に蓄積された
電荷を排出するリセットトランジスタを含む。これによ
り、撮像部ｉの各受光画素に蓄積される情報電荷は、各
画素毎に独立して蓄積部ｓの蓄積画素へ転送された後、
１行ずつ蓄積部ｓから水平転送部ｈへ転送され、さら
に、１画素単位で水平転送部ｈから出力部ｄへ転送され
る。そして、出力部ｄで１画素毎の電荷量が電圧値に変
換され、その電圧値の変化がＣＣＤ出力として外部回路
へ供給される。
【０００３】図６は、撮像部ｉの構造を示す平面図であ
り、図７（Ｘ）、（Ｙ）は、それぞれ図６のＸ−Ｘ線及
びＹ−Ｙ線の断面図である。これらの図においては、３
相駆動の場合を示している。Ｎ型のシリコン基板１の一
主面に、素子領域となるＰ型の拡散層２が形成される。
この拡散層２の表面領域に、選択酸化された厚い酸化シ
リコン膜からなるチャネル分離領域３が垂直方向に延在
して互いに平行に配置される。これらのチャネル分離領
域３の間には、Ｎ型の拡散層４が形成され、情報電荷の
転送経路となるチャネル領域が形成される。Ｎ型拡散層
４上には、薄い酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜５
を介して、多結晶シリコンからなる複数の転送電極６
が、それぞれ一定の距離を隔てて平行に配置される。こ
れらの転送電極６には、例えば、３相の転送クロックφ
1〜φ3が印加され、チャネル領域のポテンシャルの状態
が制御される。そして、転送電極６上には、ゲート絶縁
膜５と同一の層間絶縁膜７が積層される。
り、図７（Ｘ）、（Ｙ）は、それぞれ図６のＸ−Ｘ線及
びＹ−Ｙ線の断面図である。これらの図においては、３
相駆動の場合を示している。Ｎ型のシリコン基板１の一
主面に、素子領域となるＰ型の拡散層２が形成される。
この拡散層２の表面領域に、選択酸化された厚い酸化シ
リコン膜からなるチャネル分離領域３が垂直方向に延在
して互いに平行に配置される。これらのチャネル分離領
域３の間には、Ｎ型の拡散層４が形成され、情報電荷の
転送経路となるチャネル領域が形成される。Ｎ型拡散層
４上には、薄い酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜５
を介して、多結晶シリコンからなる複数の転送電極６
が、それぞれ一定の距離を隔てて平行に配置される。こ
れらの転送電極６には、例えば、３相の転送クロックφ
1〜φ3が印加され、チャネル領域のポテンシャルの状態
が制御される。そして、転送電極６上には、ゲート絶縁
膜５と同一の層間絶縁膜７が積層される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】フレーム転送方式の固
体撮像素子の場合、転送電極６で被われたチャネル領域
内に受光画素が形成される。換言すれば、受光画素が転
送電極６で被われているため、光電変換領域（チャネル
領域）には、転送電極６を透過して光が入射されること
になる。一般に、転送電極６を形成する多結晶シリコン
は、短波長の光に対する吸収率及び反射率が高いため、
短波長の光を通しにくい。従って、各受光画素には、短
波長の光が到達しにくくなり、受光画素の青色光（例え
ば４０００〜５０００Åの波長の光）に対する感度が低
下する。
体撮像素子の場合、転送電極６で被われたチャネル領域
内に受光画素が形成される。換言すれば、受光画素が転
送電極６で被われているため、光電変換領域（チャネル
領域）には、転送電極６を透過して光が入射されること
になる。一般に、転送電極６を形成する多結晶シリコン
は、短波長の光に対する吸収率及び反射率が高いため、
短波長の光を通しにくい。従って、各受光画素には、短
波長の光が到達しにくくなり、受光画素の青色光（例え
ば４０００〜５０００Åの波長の光）に対する感度が低
下する。
【０００５】そこで本発明は、転送電極の短波長の光の
透過率を向上して、受光画素の短波長に対する受光感度
を改善することを目的とする。
透過率を向上して、受光画素の短波長に対する受光感度
を改善することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子
は、半導体基板と、上記半導体基板の一主面に一方向に
延在して互いに平行に配置される複数のチャネル領域
と、上記半導体基板の一主面上に積層されるゲート絶縁
膜と、上記ゲート絶縁膜上に上記複数のチャネル領域に
交差する方向に延在して互いに平行に配置される複数の
転送電極と、を備え、上記複数の転送電極は、上記半導
体基板上にゲート絶縁膜を介して積層される多結晶シリ
コン層及びこの多結晶シリコン層上に積層される窒化シ
リコン層を含むことを特徴としている。
は、半導体基板と、上記半導体基板の一主面に一方向に
延在して互いに平行に配置される複数のチャネル領域
と、上記半導体基板の一主面上に積層されるゲート絶縁
膜と、上記ゲート絶縁膜上に上記複数のチャネル領域に
交差する方向に延在して互いに平行に配置される複数の
転送電極と、を備え、上記複数の転送電極は、上記半導
体基板上にゲート絶縁膜を介して積層される多結晶シリ
コン層及びこの多結晶シリコン層上に積層される窒化シ
リコン層を含むことを特徴としている。
【０００７】そして、本発明の固体撮像素子の製造方法
は、半導体基板の一主面に、互いに平行で一方向に延在
する複数の分離領域を形成すると共に、各分離領域の間
にそれぞれチャネル領域を形成する第１の工程と、上記
半導体基板の一主面上に上記チャネル領域を被ってゲー
ト絶縁膜を積層する第２の工程と、上記ゲート絶縁膜上
に多結晶シリコン層及び窒化シリコン層を積層し、その
多結晶シリコン層及び窒化シリコン層をパターニングし
て上記複数の分離領域と交差する複数の転送電極を形成
する第３の工程と、上記複数の転送電極を被って層間絶
縁膜を形成する第４の工程と、を含むことを特徴として
いる。
は、半導体基板の一主面に、互いに平行で一方向に延在
する複数の分離領域を形成すると共に、各分離領域の間
にそれぞれチャネル領域を形成する第１の工程と、上記
半導体基板の一主面上に上記チャネル領域を被ってゲー
ト絶縁膜を積層する第２の工程と、上記ゲート絶縁膜上
に多結晶シリコン層及び窒化シリコン層を積層し、その
多結晶シリコン層及び窒化シリコン層をパターニングし
て上記複数の分離領域と交差する複数の転送電極を形成
する第３の工程と、上記複数の転送電極を被って層間絶
縁膜を形成する第４の工程と、を含むことを特徴として
いる。
【０００８】本発明によれば、転送電極の表面に、転送
電極を被う絶縁膜よりも屈折率の高い窒化シリコン膜を
形成したことにより、転送電極の表面での光の反射が少
なくなり、転送電極を透過する光が増加する。このた
め、転送電極自体の光の吸収率が高いままでも、光電変
換領域に達する光の量が増加する。
電極を被う絶縁膜よりも屈折率の高い窒化シリコン膜を
形成したことにより、転送電極の表面での光の反射が少
なくなり、転送電極を透過する光が増加する。このた
め、転送電極自体の光の吸収率が高いままでも、光電変
換領域に達する光の量が増加する。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１（Ｘ）、（Ｙ）は、本発明の
固体撮像素子の要部を示す断面図であり、それぞれ図７
と同一部分を示している。Ｎ型のシリコン基板１１の一
主面に、素子領域となるＰ型拡散層１２が形成され、こ
のＰ型拡散層１２の表面領域に、選択酸化された厚い酸
化シリコン膜からなるチャネル分離領域１３が垂直方向
に延在して互いに平行に配置される。チャネル分離領域
１３の間には、埋め込みチャネルを形成するＮ型拡散層
１４が形成される。ここで、シリコン基板１１は、チャ
ネル領域に発生する過剰な電荷を吸収するオーバーフロ
ードレインとして働く。以上のＰ型拡散層１２、チャネ
ル分離領域１３及びＮ型拡散層１４については、図５に
示すＰ型拡散層２、チャネル分離領域３及びＮ型拡散層
４と同一である。尚、チャネル分離領域１３について
は、厚い酸化膜により形成する他、高濃度のＰ型領域あ
るいは厚い酸化膜と高濃度のＰ型領域との組み合わせを
用いて形成することが可能である。
固体撮像素子の要部を示す断面図であり、それぞれ図７
と同一部分を示している。Ｎ型のシリコン基板１１の一
主面に、素子領域となるＰ型拡散層１２が形成され、こ
のＰ型拡散層１２の表面領域に、選択酸化された厚い酸
化シリコン膜からなるチャネル分離領域１３が垂直方向
に延在して互いに平行に配置される。チャネル分離領域
１３の間には、埋め込みチャネルを形成するＮ型拡散層
１４が形成される。ここで、シリコン基板１１は、チャ
ネル領域に発生する過剰な電荷を吸収するオーバーフロ
ードレインとして働く。以上のＰ型拡散層１２、チャネ
ル分離領域１３及びＮ型拡散層１４については、図５に
示すＰ型拡散層２、チャネル分離領域３及びＮ型拡散層
４と同一である。尚、チャネル分離領域１３について
は、厚い酸化膜により形成する他、高濃度のＰ型領域あ
るいは厚い酸化膜と高濃度のＰ型領域との組み合わせを
用いて形成することが可能である。
【００１０】Ｎ型拡散層１４上には、酸化シリコンから
なるゲート絶縁膜１５を介して、複数の転送電極１６
が、それぞれ一定の距離を隔てて平行に配置される。こ
の複数の転送電極１６は、多結晶シリコン層１６ａと窒
化シリコン層１６ｂとの２層で形成される。ここで、窒
化シリコン層１６ｂの膜厚は、多結晶シリコン層１６ａ
の膜厚よりも薄く形成される。さらに、多結晶シリコン
層１６ａと窒化シリコン層１６ｂとを重ねた膜厚（転送
電極１６の膜厚）は、ゲート絶縁膜１５の膜厚よりも薄
く形成される。それぞれの最適値としては、図２に示す
ように、ゲート絶縁膜１５が１５００Åの膜厚に形成さ
れ、転送電極１６の多結晶シリコン層１６ａ及び窒化シ
リコン層１６ｂがそれぞれ６００Å及び５００Åに形成
される。
なるゲート絶縁膜１５を介して、複数の転送電極１６
が、それぞれ一定の距離を隔てて平行に配置される。こ
の複数の転送電極１６は、多結晶シリコン層１６ａと窒
化シリコン層１６ｂとの２層で形成される。ここで、窒
化シリコン層１６ｂの膜厚は、多結晶シリコン層１６ａ
の膜厚よりも薄く形成される。さらに、多結晶シリコン
層１６ａと窒化シリコン層１６ｂとを重ねた膜厚（転送
電極１６の膜厚）は、ゲート絶縁膜１５の膜厚よりも薄
く形成される。それぞれの最適値としては、図２に示す
ように、ゲート絶縁膜１５が１５００Åの膜厚に形成さ
れ、転送電極１６の多結晶シリコン層１６ａ及び窒化シ
リコン層１６ｂがそれぞれ６００Å及び５００Åに形成
される。
【００１１】複数の転送電極１６が形成されたシリコン
基板１１上には、各転送電極１６を被って酸化シリコン
からなる層間絶縁膜１７が形成される。そして、層間絶
縁膜１７上には、各転送電極１６に転送クロックφ1〜
φ3を供給するための電力供給線（図示せず）が形成さ
れる。転送電極１６の表面に形成される窒化シリコン層
１６ｂは、転送電極１６を被う層間絶縁膜１７を形成す
る酸化シリコンと比較して屈折率が高いため、酸化シリ
コン側から窒化シリコン側へ入射する光の反射が抑制さ
れる。従って、転送電極１６へ入射される光が多くなっ
てチャネル領域により多くの光が到達するようになり、
結果的に、受光画素の感度が向上する。
基板１１上には、各転送電極１６を被って酸化シリコン
からなる層間絶縁膜１７が形成される。そして、層間絶
縁膜１７上には、各転送電極１６に転送クロックφ1〜
φ3を供給するための電力供給線（図示せず）が形成さ
れる。転送電極１６の表面に形成される窒化シリコン層
１６ｂは、転送電極１６を被う層間絶縁膜１７を形成す
る酸化シリコンと比較して屈折率が高いため、酸化シリ
コン側から窒化シリコン側へ入射する光の反射が抑制さ
れる。従って、転送電極１６へ入射される光が多くなっ
てチャネル領域により多くの光が到達するようになり、
結果的に、受光画素の感度が向上する。
【００１２】図３は、シミュレーションにより得られた
分光感度特性を示す図であり、ａは転送電極が多結晶シ
リコンと窒化シリコンとの２層で構成される場合、ｂは
転送電極が多結晶シリコンのみで形成される場合、ｃは
転送電極がない場合をそれぞれ示している。ａの場合、
ｂの場合と比較して４０００Åから５５００Åの範囲の
波長に対して感度が高く、青色感度が向上されているこ
とが確認できる。この分光感度特性は、転送電極を配置
しないｃの場合、即ち、フォトダイオードの場合に近
く、理想的な特性に近いものとなる。
分光感度特性を示す図であり、ａは転送電極が多結晶シ
リコンと窒化シリコンとの２層で構成される場合、ｂは
転送電極が多結晶シリコンのみで形成される場合、ｃは
転送電極がない場合をそれぞれ示している。ａの場合、
ｂの場合と比較して４０００Åから５５００Åの範囲の
波長に対して感度が高く、青色感度が向上されているこ
とが確認できる。この分光感度特性は、転送電極を配置
しないｃの場合、即ち、フォトダイオードの場合に近
く、理想的な特性に近いものとなる。
【００１３】図４は、本発明の固体撮像素子の製造方法
を説明する工程別の断面図である。この図においては、
図１（Ｘ）と同一部分を示す。 （ａ）：第１工程 Ｎ型のシリコン基板１１の表面領域に、ボロン等のＰ型
の不純物を拡散し、素子領域となるＰ型拡散層１２を形
成する。このＰ型拡散層１２内に、選択酸化法により酸
化シリコン膜を成長させて複数のチャネル分離領域１３
（図示せず）を形成する。このチャネル分離領域１３
は、互いに一定の距離を隔てて垂直方向に延在される。
そして、各チャネル分離領域１３の間に、リン等のＮ型
の不純物を注入し、チャネル領域となるＰ型拡散層１３
を形成する。
を説明する工程別の断面図である。この図においては、
図１（Ｘ）と同一部分を示す。 （ａ）：第１工程 Ｎ型のシリコン基板１１の表面領域に、ボロン等のＰ型
の不純物を拡散し、素子領域となるＰ型拡散層１２を形
成する。このＰ型拡散層１２内に、選択酸化法により酸
化シリコン膜を成長させて複数のチャネル分離領域１３
（図示せず）を形成する。このチャネル分離領域１３
は、互いに一定の距離を隔てて垂直方向に延在される。
そして、各チャネル分離領域１３の間に、リン等のＮ型
の不純物を注入し、チャネル領域となるＰ型拡散層１３
を形成する。
【００１４】（ｂ）：第２工程 Ｐ型拡散層１４が形成されたシリコン基板１１の表面を
熱酸化し、酸化シリコンをＮ型拡散層１４上で１５００
Åの膜厚まで成長させてゲート絶縁膜１４を形成する。
この熱酸化処理においては、チャネル分離領域１３の表
面にも酸化シリコン膜が形成される。
熱酸化し、酸化シリコンをＮ型拡散層１４上で１５００
Åの膜厚まで成長させてゲート絶縁膜１４を形成する。
この熱酸化処理においては、チャネル分離領域１３の表
面にも酸化シリコン膜が形成される。
【００１５】（ｃ）：第３工程 ゲート絶縁膜１４上にＣＶＤ法により多結晶シリコンを
６００Åの膜厚に積層し、連続して、窒化シリコンを５
００Åの膜厚に積層する。これにより、多結晶シリコン
層１６ａ及び窒化シリコン層１６ｂが形成される。そし
て、これら多結晶シリコン層１６ａ及び窒化シリコン層
１６ｂを同時に所定の形状にエッチングすることによ
り、チャネル領域と交差する方向に延在する互いに平行
な複数の転送電極１６を形成する。
６００Åの膜厚に積層し、連続して、窒化シリコンを５
００Åの膜厚に積層する。これにより、多結晶シリコン
層１６ａ及び窒化シリコン層１６ｂが形成される。そし
て、これら多結晶シリコン層１６ａ及び窒化シリコン層
１６ｂを同時に所定の形状にエッチングすることによ
り、チャネル領域と交差する方向に延在する互いに平行
な複数の転送電極１６を形成する。
【００１６】（ｄ）：第４工程 複数の転送電極１６上にＣＶＤ法により酸化シリコンを
積層し、層間絶縁膜１７を形成する。層間絶縁膜１７を
形成した後には、転送電極１６の端部あるいはチャネル
分離領域１３上で層間絶縁膜１７にコンタクトホールを
形成し、そのコンタクトホールを通して転送電極１６に
接続される電力供給線（図示せず）を形成する。これに
より、電力供給線を介して各転送電極１６に多相の転送
クロックφ1〜φ3を供給できるようになる。
積層し、層間絶縁膜１７を形成する。層間絶縁膜１７を
形成した後には、転送電極１６の端部あるいはチャネル
分離領域１３上で層間絶縁膜１７にコンタクトホールを
形成し、そのコンタクトホールを通して転送電極１６に
接続される電力供給線（図示せず）を形成する。これに
より、電力供給線を介して各転送電極１６に多相の転送
クロックφ1〜φ3を供給できるようになる。
【００１７】以上の製造方法によれば、転送電極１６の
表面に酸化シリコンよりも屈折率の大きい窒化シリコン
が積層され、転送電極１６と層間絶縁膜１７との界面で
の光の反射が抑圧される。また、多結晶シリコン層１６
ａと窒化シリコン層１６ｂとを連続して形成した後、同
時にエッチングして転送電極１６を形成しているため、
製造工程の増加は、窒化シリコン層１６ｂの形成のみと
なる。
表面に酸化シリコンよりも屈折率の大きい窒化シリコン
が積層され、転送電極１６と層間絶縁膜１７との界面で
の光の反射が抑圧される。また、多結晶シリコン層１６
ａと窒化シリコン層１６ｂとを連続して形成した後、同
時にエッチングして転送電極１６を形成しているため、
製造工程の増加は、窒化シリコン層１６ｂの形成のみと
なる。
【００１８】以上の実施形態においては、転送電極１６
を１層構造とした場合を例示したが、この転送電極１６
は、隣どうし互いにオーバーラップする２層構造として
もよい。そして、転送電極１６に印加する転送クロック
φ1〜φ3については、３相に限られるものではなく、２
相あるいは４相以上でも採用することができる。尚、図
２に示した各膜厚については、最適値であり、±１０％
程度の差であれば十分に効果をえることができる。
を１層構造とした場合を例示したが、この転送電極１６
は、隣どうし互いにオーバーラップする２層構造として
もよい。そして、転送電極１６に印加する転送クロック
φ1〜φ3については、３相に限られるものではなく、２
相あるいは４相以上でも採用することができる。尚、図
２に示した各膜厚については、最適値であり、±１０％
程度の差であれば十分に効果をえることができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、転送電極の表面での光
の反射を少なくし、光電変換が行われるチャネル領域へ
効率よく光を入射させることができる。このため、短波
長の光に対しても十分な感度を得ることができ、分光感
度特性を改善することができる。
の反射を少なくし、光電変換が行われるチャネル領域へ
効率よく光を入射させることができる。このため、短波
長の光に対しても十分な感度を得ることができ、分光感
度特性を改善することができる。
【図１】本発明の固体撮像素子の撮像部の構造を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の固体撮像素子の主要部分の拡大図であ
る。
る。
【図３】本発明の固体撮像素子の分光感度特性を示す図
である。
である。
【図４】本発明の固体撮像素子の製造方法を説明する工
程別の断面図である。
程別の断面図である。
【図５】フレーム転送方式の固体撮像素子の構成を示す
概略図である。
概略図である。
【図６】従来の固体撮像素子の撮像部の構造を示す平面
図である。
図である。
【図７】従来の固体撮像素子の撮像部の構造を示す断面
図である。
図である。
ｉ 撮像部 ｓ 蓄積部 ｈ 水平転送部 ｄ 出力部 １、１１ シリコン基板 ２、１２ Ｐ型拡散層 ３、１３ 分離領域 ４、１４ Ｎ型拡散層 ５、１５ ゲート絶縁膜 ６、１６ 転送電極 ７、１７ 層間絶縁膜 １６ａ 多結晶シリコン層 １６ｂ 窒化シリコン層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/339 H01L 27/148 H01L 29/762 H04N 5/335
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板と、上記半導体基板の一主面
に一方向に延在して互いに平行に配置される複数のチャ
ネル領域と、上記半導体基板の一主面上に積層されるゲ
ート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜上に上記複数のチャネ
ル領域に交差する方向に延在して互いに平行に配置され
る複数の転送電極と、を備え、 上記複数の転送電極は、上記ゲート絶縁膜よりも薄く形
成され、且つ、上記半導体基板上にゲート絶縁膜を介し
て積層される多結晶シリコン層及びこの多結晶シリコン
層上に積層される窒化シリコン層を含むことを特徴とす
る固体撮像素子。 - 【請求項２】 上記複数の転送電極の窒化シリコン層
は、多結晶シリコン層よりも薄く形成されることを特徴
とする請求項１に記載の固体撮像素子。 - 【請求項３】 半導体基板の一主面に、互いに平行で一
方向に延在する複数の分離領域を形成すると共に、各分
離領域の間にそれぞれチャネル領域を形成する第１の工
程と、上記半導体基板の一主面上に上記チャネル領域を
被ってゲート絶縁膜を積層する第２の工程と、上記ゲー
ト絶縁膜上に多結晶シリコン層及び窒化シリコン層を積
層し、且つ、上記多結晶シリコン層及び窒化シリコン層
の全体の膜厚を上記ゲート絶縁膜の膜厚よりも薄く形成
し、その多結晶シリコン層及び窒化シリコン層をパター
ニングして上記複数の分離領域と交差する複数の転送電
極を形成する第３の工程と、上記複数の転送電極を被っ
て層間絶縁膜を形成する第４の工程と、を含むことを特
徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項４】 上記第３の工程は、上記窒化シリコン層
を多結晶シリコン層よりも薄く積層することを特徴とす
る請求項４に記載の固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31373097A JP3276906B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
| US09/189,323 US6348720B1 (en) | 1997-11-14 | 1998-11-09 | Solid state image sensing device and method of manufacturing the same |
| KR10-1998-0048704A KR100374264B1 (ko) | 1997-11-14 | 1998-11-13 | 고체촬상소자및고체촬상소자의제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31373097A JP3276906B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11150262A JPH11150262A (ja) | 1999-06-02 |
| JP3276906B2 true JP3276906B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=18044838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31373097A Expired - Fee Related JP3276906B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6348720B1 (ja) |
| JP (1) | JP3276906B2 (ja) |
| KR (1) | KR100374264B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000048110A (ko) | 1998-12-15 | 2000-07-25 | 카네코 히사시 | 고체촬상장치 및 그 제조방법 |
| US6445021B1 (en) * | 2000-09-20 | 2002-09-03 | International Business Machines Corporation | Negative differential resistance reoxidized nitride silicon-based photodiode and method |
| JP2003092424A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-03-28 | Sharp Corp | 分割型受光素子および回路内蔵型受光素子および光ディスク装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2533371B1 (fr) * | 1982-09-21 | 1985-12-13 | Thomson Csf | Structure de grille pour circuit integre comportant des elements du type grille-isolant-semi-conducteur et procede de realisation d'un circuit integre utilisant une telle structure |
| JPH04133471A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| TW218426B (ja) * | 1992-05-11 | 1994-01-01 | Samsung Electronics Co Ltd | |
| JP3070513B2 (ja) * | 1997-04-07 | 2000-07-31 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-11-14 JP JP31373097A patent/JP3276906B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-11-09 US US09/189,323 patent/US6348720B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-13 KR KR10-1998-0048704A patent/KR100374264B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6348720B1 (en) | 2002-02-19 |
| JPH11150262A (ja) | 1999-06-02 |
| KR19990045276A (ko) | 1999-06-25 |
| KR100374264B1 (ko) | 2003-04-21 |
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