JPH0456272A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH0456272A JPH0456272A JP2167177A JP16717790A JPH0456272A JP H0456272 A JPH0456272 A JP H0456272A JP 2167177 A JP2167177 A JP 2167177A JP 16717790 A JP16717790 A JP 16717790A JP H0456272 A JPH0456272 A JP H0456272A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- tungsten silicide
- silicide film
- silicon nitride
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- LKTZODAHLMBGLG-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon;$l^{2}-alumanylidenesilylidenealuminum Chemical compound [Si]#[Al].[Si]#[Al].[Al]=[Si]=[Al] LKTZODAHLMBGLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体撮像装置、特に、スミアの発生を低減する
固体撮像装置に関する。
固体撮像装置に関する。
従来の技術
従来の固体撮像装置について図面を用いて説明する。
第２図は従来の固体撮像装置の断面図である。
第２図において、１はＮ型半導体基板、２はＰウェル層
、３は受光部のＮ型不純物層、４はＮウェル層、５は素
子分離用のＰ＋不純物層、６はゲート酸化膜、７は多結
晶シリコンゲート電極、８はシリコン酸化膜、９はＣＶ
Ｄ酸化膜１．１０はタングステンシリサイド膜、１１は
アルミニウムシリサイドからなる遮光膜、１２はＣＶＤ
絶縁膜からなる表面保護膜を示す。すなわち、第２図の
ように、Ｎ型半導体基板ｌ上にＰウェル層２、受光部の
Ｎ型不純物層３、Ｎウェル層４、素子分離用のＰ＋不純
物層５、ゲート酸化膜６、多結晶シリコンゲート電極７
、眉間絶縁膜としてシリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜９
を形成し、さらに、゛多結晶シリコンゲート電極７上の
シリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜９を介してタングステ
ンシリサイド膜１０とアルミニウムシリサイドからなる
遮光膜１１を順に積層し、ＣＶＤ絶縁膜−からなる表面
保護膜１２を形成する。
、３は受光部のＮ型不純物層、４はＮウェル層、５は素
子分離用のＰ＋不純物層、６はゲート酸化膜、７は多結
晶シリコンゲート電極、８はシリコン酸化膜、９はＣＶ
Ｄ酸化膜１．１０はタングステンシリサイド膜、１１は
アルミニウムシリサイドからなる遮光膜、１２はＣＶＤ
絶縁膜からなる表面保護膜を示す。すなわち、第２図の
ように、Ｎ型半導体基板ｌ上にＰウェル層２、受光部の
Ｎ型不純物層３、Ｎウェル層４、素子分離用のＰ＋不純
物層５、ゲート酸化膜６、多結晶シリコンゲート電極７
、眉間絶縁膜としてシリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜９
を形成し、さらに、゛多結晶シリコンゲート電極７上の
シリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜９を介してタングステ
ンシリサイド膜１０とアルミニウムシリサイドからなる
遮光膜１１を順に積層し、ＣＶＤ絶縁膜−からなる表面
保護膜１２を形成する。
第２図でアルミニウムシリサイドからなる遮光膜１１の
下にタングステンシリサイド膜１０が形成されているの
は、アルミニウムシリサイド膜からなる遮光膜１１を透
過する光があるためで、この透過光を完全に遮光して、
透過光によるスミアの発生を抑制するためである。また
、タングステンシリサイド８１１０は反射率がアルミニ
ウムシリサイド膜からなる遮光膜の約３分の１と低いた
め、斜めからの入射光によるスミアの発生をも抑制でき
る。
下にタングステンシリサイド膜１０が形成されているの
は、アルミニウムシリサイド膜からなる遮光膜１１を透
過する光があるためで、この透過光を完全に遮光して、
透過光によるスミアの発生を抑制するためである。また
、タングステンシリサイド８１１０は反射率がアルミニ
ウムシリサイド膜からなる遮光膜の約３分の１と低いた
め、斜めからの入射光によるスミアの発生をも抑制でき
る。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、このような従来例では、ダンゲステンシ
リサイド膜１０とＣＶＤ酸化膜９の密着性の悪さから、
タングステンシリサイド膜１０がＣＶＤ＃化膜９から剥
離するという問題があった。
リサイド膜１０とＣＶＤ酸化膜９の密着性の悪さから、
タングステンシリサイド膜１０がＣＶＤ＃化膜９から剥
離するという問題があった。
本発明はこの課題を解決するもので、タングステンシリ
サイド膜１０の密着力を強化し、タングステンシリサイ
ド膜１０の剥離を防止することのできる固体撮像装置を
提供することを目的とするものである。
サイド膜１０の密着力を強化し、タングステンシリサイ
ド膜１０の剥離を防止することのできる固体撮像装置を
提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために、本発明は、−導電型半導体
基板上に形成した受光部と前記受光部に生じた信号電荷
を読み出す読出ゲートと読み出された前記信号電荷を転
送する電荷転送部と前記電荷転送部上方に設けられた転
送電極とを少なくとも備えかつ前記受光部上に窓を有す
るタングステンシリサイド膜とアルミニウムシリサイド
膜を順に積層した２層膜からなる遮光膜の直下にシリコ
ン窒化膜を形成した固体撮像装置である。
基板上に形成した受光部と前記受光部に生じた信号電荷
を読み出す読出ゲートと読み出された前記信号電荷を転
送する電荷転送部と前記電荷転送部上方に設けられた転
送電極とを少なくとも備えかつ前記受光部上に窓を有す
るタングステンシリサイド膜とアルミニウムシリサイド
膜を順に積層した２層膜からなる遮光膜の直下にシリコ
ン窒化膜を形成した固体撮像装置である。
作用
本発明では、タングステンシリサイド膜と密着性の良い
シリコン窒化膜がタングステンシリサイド膜の直下に形
成されているため、タングステンシリサイド膜の剥離は
防止できる。
シリコン窒化膜がタングステンシリサイド膜の直下に形
成されているため、タングステンシリサイド膜の剥離は
防止できる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、第１図の断面図に基
づいて説明する。
づいて説明する。
第１図において、Ｎ型半導体基板１上にＰウェル層２、
受光部のＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素子分離用の
Ｐ中不純物層５、ゲート酸化膜６、多結晶シリコンゲー
ト電極７、層間絶縁膜としてシリコン酸化膜８とＣＶＤ
酸化膜９と減圧ＣＶＤ法による約２０ＯＡのシリコン窒
化膜１３を順に積層し、前記シリコン窒化膜１３上にタ
ングステンシリサイド膜１０とアルミニウムシリサイド
からなる遮光膜１１をスパッタリングにより形成した後
、ＣＶＤ絶縁膜からなる表面保護膜１２を形成する。
受光部のＮ型不純物層３、Ｎウェル層４、素子分離用の
Ｐ中不純物層５、ゲート酸化膜６、多結晶シリコンゲー
ト電極７、層間絶縁膜としてシリコン酸化膜８とＣＶＤ
酸化膜９と減圧ＣＶＤ法による約２０ＯＡのシリコン窒
化膜１３を順に積層し、前記シリコン窒化膜１３上にタ
ングステンシリサイド膜１０とアルミニウムシリサイド
からなる遮光膜１１をスパッタリングにより形成した後
、ＣＶＤ絶縁膜からなる表面保護膜１２を形成する。
発明の効果
以上のように本発明によれば、タングステンシリサイド
膜の剥離を防止できる効果かえられ、所望の特性の固体
撮像装置を実現することができる。
膜の剥離を防止できる効果かえられ、所望の特性の固体
撮像装置を実現することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成断面図、第２図は
従来例を示す構成断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐウェ
ル層、３・・・・・・受光部のＮ型不純物層、４・・・
・・・Ｎウェル層、５・・・・・・素子分離用のＰ中不
純物層、６・・・・・・ゲート酸化膜、７・・・・・・
多結晶シリコンゲート電極、８・・・・・・シリコン酸
化膜、９・・団・ｃｖＤ酸化膜、１ｏ・・・・・・タン
グステンシリサイド膜、１１・・・・・・アルミニウム
シリサイドからなる遮光膜、１２・・・−ＣＶ Ｄ絶縁
膜からなる表面保護膜、１３・・・用シリコン窒化膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はが１名第 図 １ Ｎ型子禰イ本屋４匁 ３ ・ シリコツ西丈
イＬＷｋ２−Ｐつｘ）’ｖＭ ｑ
−ＣＶＤＭ（ｔ、［り９結晶シワ］ソ ケートを袷 ！３・ シリコン窒化層 第 図
従来例を示す構成断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐウェ
ル層、３・・・・・・受光部のＮ型不純物層、４・・・
・・・Ｎウェル層、５・・・・・・素子分離用のＰ中不
純物層、６・・・・・・ゲート酸化膜、７・・・・・・
多結晶シリコンゲート電極、８・・・・・・シリコン酸
化膜、９・・団・ｃｖＤ酸化膜、１ｏ・・・・・・タン
グステンシリサイド膜、１１・・・・・・アルミニウム
シリサイドからなる遮光膜、１２・・・−ＣＶ Ｄ絶縁
膜からなる表面保護膜、１３・・・用シリコン窒化膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はが１名第 図 １ Ｎ型子禰イ本屋４匁 ３ ・ シリコツ西丈
イＬＷｋ２−Ｐつｘ）’ｖＭ ｑ
−ＣＶＤＭ（ｔ、［り９結晶シワ］ソ ケートを袷 ！３・ シリコン窒化層 第 図
Claims (1)
- 一導電型半導体基板上に形成した受光部と、前記受光
部に生じた信号電荷を読み出す読出ゲートと、読み出さ
れた前記信号電荷を転送する電荷転送部と、前記電荷転
送部上方に設けられた転送電極と、かつ前記受光部上に
窓を有するタングステンシリサイド膜とアルミニウムシ
リサイド膜を順に積層した２層膜からなる遮光膜の直下
に、シリコン窒化膜を形成することを特徴とした固体撮
像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167177A JPH0456272A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167177A JPH0456272A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456272A true JPH0456272A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15844850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2167177A Pending JPH0456272A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456272A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6326653B1 (en) * | 1998-08-27 | 2001-12-04 | Nec Corporation | Solid-state image sensor and method of fabricating the same |
| KR20020045450A (ko) * | 2000-12-11 | 2002-06-19 | 박종섭 | 씨모스이미지센서 및 그 제조방법 |
| US6468826B1 (en) * | 1998-06-24 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Solid state image sensor using an intermediate refractive index antireflection film and method for fabricating the same |
| JP2005228997A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP2167177A patent/JPH0456272A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6468826B1 (en) * | 1998-06-24 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Solid state image sensor using an intermediate refractive index antireflection film and method for fabricating the same |
| US6326653B1 (en) * | 1998-08-27 | 2001-12-04 | Nec Corporation | Solid-state image sensor and method of fabricating the same |
| KR20020045450A (ko) * | 2000-12-11 | 2002-06-19 | 박종섭 | 씨모스이미지센서 및 그 제조방법 |
| JP2005228997A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3204216B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| CN106067469B (zh) | 摄像装置和电子设备 | |
| TWI238525B (en) | Solid-state imaging device, solid-state imaging apparatus and methods for manufacturing the same | |
| US5416344A (en) | Solid state imaging device and method for producing the same | |
| JPH0456272A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH08148665A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS6344761A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP3362456B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2001352051A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPH1145989A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH05218371A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS6080272A (ja) | 電荷転送素子 | |
| JP2831752B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2856774B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0456273A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH02166769A (ja) | 積層型固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH0456274A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS63164270A (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
| JPH02156670A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS6345856A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH11121728A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3052367B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0456275A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPH07130975A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS63129661A (ja) | 固体撮像装置 |