JPS6080272A - 電荷転送素子 - Google Patents
電荷転送素子Info
- Publication number
- JPS6080272A JPS6080272A JP58187862A JP18786283A JPS6080272A JP S6080272 A JPS6080272 A JP S6080272A JP 58187862 A JP58187862 A JP 58187862A JP 18786283 A JP18786283 A JP 18786283A JP S6080272 A JPS6080272 A JP S6080272A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- electrode
- section
- transfer electrode
- wiring pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は高速転送特性の優れた電荷転送素子に関する。
（従来技術）
従来ＣＯＤやＢＢＤ等の電荷転送素子を用いた第１図（
ａ）のようなラインセンサーやイメージセンサ−が種々
考えられているが、このようなセンサーにおいては高集
積化が進みつつあると共に転送速度の高速化が図られて
いる。
ａ）のようなラインセンサーやイメージセンサ−が種々
考えられているが、このようなセンサーにおいては高集
積化が進みつつあると共に転送速度の高速化が図られて
いる。
一方、センサーにおいては、開口率を向上させる為に受
光面内に極力遮光部分の無いよ′うな構造が必要とされ
ている。又、光電変換部への光入射を極力増大させる為
に転送電極としてポリ・シリコン等の透明電極を用いる
事が多い。
光面内に極力遮光部分の無いよ′うな構造が必要とされ
ている。又、光電変換部への光入射を極力増大させる為
に転送電極としてポリ・シリコン等の透明電極を用いる
事が多い。
ところが、このようなポリ・シリコンは比較的導電率が
低いうえに、前述のような開口率向上の為に、より薄く
されるようになってきている。
低いうえに、前述のような開口率向上の為に、より薄く
されるようになってきている。
従って転送電極自身の持っている抵抗と、半導体基板と
電極間の容量とによって、第１図（ｂ）のような分布定
数回路が形成される。
電極間の容量とによって、第１図（ｂ）のような分布定
数回路が形成される。
尚、第１図（ａ）は転送電極ＰＲのパターン例を示す図
である。又、Ｒは抵抗、Ｃは容量である。この為第２図
に示すように入力端■の制御波形は■。
である。又、Ｒは抵抗、Ｃは容量である。この為第２図
に示すように入力端■の制御波形は■。
■に示すように徐々になまってしまい、種々の問題を引
きおこす。
きおこす。
即ち、転送電極パターンの中央部付近で制御波形がなま
る為に、電極下のポテンシャル・ウェルが浅くなってし
まい転送効率が低下してしまう。
る為に、電極下のポテンシャル・ウェルが浅くなってし
まい転送効率が低下してしまう。
又、このような転送効率の低下を防ぐ為に入力端子■に
高圧をかけるようにした場合にはパワーロスが極めて大
きい。
高圧をかけるようにした場合にはパワーロスが極めて大
きい。
又、転送電極パター・ンの中央部と周辺部とで夫々形成
されるポテンシャル・ウェルの形状が異なるので、シェ
ーディング現象が著しい。このような問題は特に第２図
■の制御信号が高周波になる程大きい。
されるポテンシャル・ウェルの形状が異なるので、シェ
ーディング現象が著しい。このような問題は特に第２図
■の制御信号が高周波になる程大きい。
一般にイメージセンサ−の高解像度化を図ろうとする場
合には単位時間当たりに読み出すビット数を増やさねば
ならないが、上述の欠点はこのような転送速度の高速化
にとって大きな障害となっていた。
合には単位時間当たりに読み出すビット数を増やさねば
ならないが、上述の欠点はこのような転送速度の高速化
にとって大きな障害となっていた。
（目 的）
本発明は、上述のような電荷転送素子の欠点を解決する
事を目的とする。
事を目的とする。
又、転送りロック波形のなまりを低減化し得る電荷転送
素子を提供する事を目的とする。
素子を提供する事を目的とする。
又、高集積化が可能であって、しかも高速転送が可能な
電荷転送素子を提供する事を目的とする。
電荷転送素子を提供する事を目的とする。
又、スミアやシェーディングの少ない電荷転送素子を提
供する事を目的としている。
供する事を目的としている。
（実施例）
以下本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
第６図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１実施例を示す図で
、フレーム・トランスファー型ＣＣＤによるイメージセ
ンサ−に本発明を適用した場合のものである。
、フレーム・トランスファー型ＣＣＤによるイメージセ
ンサ−に本発明を適用した場合のものである。
第６図（ａ）は電極パターンを示す図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ｎ断面図、同図（Ｃ）はＢ −Ｂ／断面
図、同図（ｄ）はＣ−Ｃ／断面図である。
図（ａ）のＡ−Ｎ断面図、同図（Ｃ）はＢ −Ｂ／断面
図、同図（ｄ）はＣ−Ｃ／断面図である。
図中１は撮像部、２は蓄積部、己は水平シフトレジスタ
、４は出力アンプ、５は撮像部１の転送電極、６は蓄積
部２，７は水平シフトレジスタ３の転送電極で５〜７は
共に例えばポリ・シリコンのような比較的導電率の低い
透明物質から成る。
、４は出力アンプ、５は撮像部１の転送電極、６は蓄積
部２，７は水平シフトレジスタ３の転送電極で５〜７は
共に例えばポリ・シリコンのような比較的導電率の低い
透明物質から成る。
各転送電極は半導体基板８上に絶縁層９を介して設けら
れている。
れている。
Ｃ８はチャンネル・ストップであり、半導体基板８が例
えばＰ型シリコンから成る場合には Ｐ＋半導体を拡散
させる等の方法により形成されている。ＶＥは仮想電極
であって例えばポロンをイオン注入させたものである。
えばＰ型シリコンから成る場合には Ｐ＋半導体を拡散
させる等の方法により形成されている。ＶＥは仮想電極
であって例えばポロンをイオン注入させたものである。
又、ＰＩは転送電極５による転送等を制御する為の転送
りロック信号、Ｐｓは転送電極６による転送等を制御す
る為の転送りロック信号、Ｓは転送電極７による転送等
を制御する為の転送りロック信号である。
りロック信号、Ｐｓは転送電極６による転送等を制御す
る為の転送りロック信号、Ｓは転送電極７による転送等
を制御する為の転送りロック信号である。
１１〜１６は各転送電極５〜７０表面に蒸着等により形
成された本発明に係る配線手段としての比較的高導電率
物質であるアルミニウム配線パターンであり、本実施例
ではチャンネル・ストップＣ８上及び転送電極の内面角
を外れた外周に配置されている 又、本実施例ではこのアルミニウム配線パターンは連続
的に接続されている。
成された本発明に係る配線手段としての比較的高導電率
物質であるアルミニウム配線パターンであり、本実施例
ではチャンネル・ストップＣ８上及び転送電極の内面角
を外れた外周に配置されている 又、本実施例ではこのアルミニウム配線パターンは連続
的に接続されている。
又、１０は酸化シリコン等の絶縁層テあって、ＩＣ全体
を保護する為のものである。
を保護する為のものである。
このように構成されているので、例えば信号ＰＩとして
ローレベルの信号を印加すると、撮像部１に入射した像
に対応する電荷の分布は夫々チャンネル・ストップｃＢ
と転送電極５に囲まれた仮想電極下のポテンシャルに普
請（？−スー次いで信号ＰＩ 、ＰＳに対して約６パル
スを供給する事により、前記撮像部１の仮想電極下の電
荷は蓄積部２０例えに仮想電極下に蓄積される。
ローレベルの信号を印加すると、撮像部１に入射した像
に対応する電荷の分布は夫々チャンネル・ストップｃＢ
と転送電極５に囲まれた仮想電極下のポテンシャルに普
請（？−スー次いで信号ＰＩ 、ＰＳに対して約６パル
スを供給する事により、前記撮像部１の仮想電極下の電
荷は蓄積部２０例えに仮想電極下に蓄積される。
又、この蓄積部内の電荷は信号ＰＳ及びＳを供給する事
により、１行分ずつ読み出す事ができる。
により、１行分ずつ読み出す事ができる。
本実施例によれば、転送りロック信号ＰＩ。
ＰＳは夫々電極５，６の両端から入力されるが、その際
ポリ・シリコン電極はその表面方向にアルミニウム配線
パターン１１によ塾部分的に短絡されているので、ポリ
嗜シリコン電極パターン内の分布抵抗は実質的に零とな
り、転送りロック信号波形のなまりは最小限に抑える事
ができる。
ポリ・シリコン電極はその表面方向にアルミニウム配線
パターン１１によ塾部分的に短絡されているので、ポリ
嗜シリコン電極パターン内の分布抵抗は実質的に零とな
り、転送りロック信号波形のなまりは最小限に抑える事
ができる。
しかも、本実施例ではアルミニウム配線パターンは撮像
部内の画素に影響を与えない位置、即ち転送電極の外周
部及びチャンネル・ストップ上に配置されるので、撮像
部の開口率に何ら影響を与えない。
部内の画素に影響を与えない位置、即ち転送電極の外周
部及びチャンネル・ストップ上に配置されるので、撮像
部の開口率に何ら影響を与えない。
又、本実施例ではアルミニウム配線パターンは連続的に
接続されているので、転送電極内に抵抗分布のムラが生
じＫ〈い。
接続されているので、転送電極内に抵抗分布のムラが生
じＫ〈い。
又、本実施例では蓄積部２０転送電極６を撮像部の転送
電極５と同じ物質により構成しているので、ＩＣ製造プ
ロセスが簡単となる。
電極５と同じ物質により構成しているので、ＩＣ製造プ
ロセスが簡単となる。
又、本実施例では転送電極としてポリ拳シリコンのよう
な導電率の高い、即ちエツチング速度の遅い物質を用い
ているので、微細エツチングが可能で高集積化に適して
おり、又転送電極の表面方向の分布抵抗は比較的高導電
率の配線により低く抑えているので高速転送が可能とな
る。又、これＫよ）逆に転送電極のポリ・シリコンの厚
さを薄くする事ができるので背色に対する感度、ひいて
はセンサー全体の感度を高める事ができる。
な導電率の高い、即ちエツチング速度の遅い物質を用い
ているので、微細エツチングが可能で高集積化に適して
おり、又転送電極の表面方向の分布抵抗は比較的高導電
率の配線により低く抑えているので高速転送が可能とな
る。又、これＫよ）逆に転送電極のポリ・シリコンの厚
さを薄くする事ができるので背色に対する感度、ひいて
はセンサー全体の感度を高める事ができる。
尚、本実施例では配線手段としてアルミニウム配線パタ
ーンを用いたが、例えばシリサイドモリブデン、シリサ
イドタングステン、シリサイドタンタル、シリサイドチ
タンのような比較的高導電率かつ高融点の金属を用いて
も良い。
ーンを用いたが、例えばシリサイドモリブデン、シリサ
イドタングステン、シリサイドタンタル、シリサイドチ
タンのような比較的高導電率かつ高融点の金属を用いて
も良い。
又、転送電極としてはポリ・シリコン以外にも酸化スズ
のような導電率の高い、透明な物質であっても良い。
のような導電率の高い、透明な物質であっても良い。
次に第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２実施例を示す
図であり、同図（ａ）は電極パターン図、同図（ｂ）は
そのＡ −Ａ／断面図、同図（Ｃ）はＢ−Ｂ／断面図、
同図（ｄ）はＣ−Ｃ／断面図であり、第６図（ａ）〜（
ｄ）と同じ符番のものは同じ要素を示す。本実施例では
配線手段としてのアルミニウム配線パターン１１／、１
２’を転送電極５．６の内の画角を外れた外周部分及び
転送電極の水平方向の表面に蒸着等により形成している
。
図であり、同図（ａ）は電極パターン図、同図（ｂ）は
そのＡ −Ａ／断面図、同図（Ｃ）はＢ−Ｂ／断面図、
同図（ｄ）はＣ−Ｃ／断面図であり、第６図（ａ）〜（
ｄ）と同じ符番のものは同じ要素を示す。本実施例では
配線手段としてのアルミニウム配線パターン１１／、１
２’を転送電極５．６の内の画角を外れた外周部分及び
転送電極の水平方向の表面に蒸着等により形成している
。
このように構成した場合には、アルミニウム配線が画素
の一部を覆うので若干開口率は低下するが、第１実施例
とほぼ同等の効果を得る事ができる。尚、撮像部の画角
内の水平方向のアルミニウム配線パターンは細い方が望
ましいのは勿論である。
の一部を覆うので若干開口率は低下するが、第１実施例
とほぼ同等の効果を得る事ができる。尚、撮像部の画角
内の水平方向のアルミニウム配線パターンは細い方が望
ましいのは勿論である。
又、第５図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の第３実施例を
示す図で、同図（ａ）は電極図、同図（ｂ）は七〇Ｂ−
Ｅｙ断面図である。本実施例は蓄積部２及び水平シフト
レジスタ３の配線手段の他の例を示すものである。
示す図で、同図（ａ）は電極図、同図（ｂ）は七〇Ｂ−
Ｅｙ断面図である。本実施例は蓄積部２及び水平シフト
レジスタ３の配線手段の他の例を示すものである。
図中第１〜第４図と同じ符番は同じ要素を示す。
尚、蓄積部２の配線層１５と水平シフトレジスタρ配線
層１５’とは絶縁されている。１４．１４’は配線層１
５．１５’と転送電極６，７とを夫々後数ケ所で接続す
る為の接続部である。この接続部は第５図（ｂ）の転送
電極６を形成した後、絶縁用酸化膜１０を形成するとき
にマスクによりこの接続部だけ酸化膜を形成しないよう
にしておき、次いで配線層１５を蒸着する時この穴を介
して配線層１５と転送電極とを電気的に接続するもので
ある。
層１５’とは絶縁されている。１４．１４’は配線層１
５．１５’と転送電極６，７とを夫々後数ケ所で接続す
る為の接続部である。この接続部は第５図（ｂ）の転送
電極６を形成した後、絶縁用酸化膜１０を形成するとき
にマスクによりこの接続部だけ酸化膜を形成しないよう
にしておき、次いで配線層１５を蒸着する時この穴を介
して配線層１５と転送電極とを電気的に接続するもので
ある。
このように構成する事により配線層によって遮光をも行
う事ができる効果を有する。
う事ができる効果を有する。
尚、転送電極６の材質、配線手段としての配線層の材質
は第１．第２実施例と同じであれば良い。
は第１．第２実施例と同じであれば良い。
尚、本実施例では接続部は少なくとも転送電極の両端近
傍と中央近傍とを配線層によって短絡し得るよう６つ以
上設けられている事を特徴として、・る。
傍と中央近傍とを配線層によって短絡し得るよう６つ以
上設けられている事を特徴として、・る。
（効 果）
以上説明した如く、本発明によれば、電荷転送素子にお
い１半導体基板に対し絶縁層を介して設けられた比較的
低い導電率の物質から成る転送電極と、該転送電極の表
面方向に沿って設けられ転送電極の一部を短絡する為の
比較的高い導電率の物質から成る配線手段とを有するの
で、転送電極のエツチングの微細化が可能であって高集
積化が図れると共に、その場合の転送波形のなまりを無
くす事ができるので、高速転送が可能とな９スミアを防
止できる。又、転送効率が向上する、シェーディングが
防止できる、等の多くの効果を有する。
い１半導体基板に対し絶縁層を介して設けられた比較的
低い導電率の物質から成る転送電極と、該転送電極の表
面方向に沿って設けられ転送電極の一部を短絡する為の
比較的高い導電率の物質から成る配線手段とを有するの
で、転送電極のエツチングの微細化が可能であって高集
積化が図れると共に、その場合の転送波形のなまりを無
くす事ができるので、高速転送が可能とな９スミアを防
止できる。又、転送効率が向上する、シェーディングが
防止できる、等の多くの効果を有する。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は従来の電荷転送素子の例を
示す図で、同図（ａ）は電極パターン図、同図（ｂｌは
等価回路図である。 第２図は第１図（ａ）の０．■、■点における信号波形
図１第６図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１実施例を説明
する図で、同図（ａ）は電極図、同図（ｂ）はＡ−Ａ’
断同区、同図（Ｃ）はＢ −Ｂ／断面図、同図（ｄ）は
ｃ −ｃ’断面図１第４図（ａ）〜（ｄ）は第２実施例
を示す図で、同図（ａ）は電極図、同図（ｂ）はＡ−Ａ
’断面図、同図（Ｃ）はＢ −Ｂ’断面図、同図（ｄ）
はｃ −ｃ’断面図、第５図（ａ）。 （ｂ）はＷ、３実施例を示す図で、同図（ａ）は電極図
１同図（ｂ）はＥ −Ｈ’断面図である。 ８＠・・拳・半導体基板、９・・・・・絶縁層、５〜７
・ψ・・・転送電極、１１〜１５．１１’、１２’。 １５・・・・・配線手段としての配線パターン及び配線
層。 特許出願人 キャノン株式会社
示す図で、同図（ａ）は電極パターン図、同図（ｂｌは
等価回路図である。 第２図は第１図（ａ）の０．■、■点における信号波形
図１第６図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１実施例を説明
する図で、同図（ａ）は電極図、同図（ｂ）はＡ−Ａ’
断同区、同図（Ｃ）はＢ −Ｂ／断面図、同図（ｄ）は
ｃ −ｃ’断面図１第４図（ａ）〜（ｄ）は第２実施例
を示す図で、同図（ａ）は電極図、同図（ｂ）はＡ−Ａ
’断面図、同図（Ｃ）はＢ −Ｂ’断面図、同図（ｄ）
はｃ −ｃ’断面図、第５図（ａ）。 （ｂ）はＷ、３実施例を示す図で、同図（ａ）は電極図
１同図（ｂ）はＥ −Ｈ’断面図である。 ８＠・・拳・半導体基板、９・・・・・絶縁層、５〜７
・ψ・・・転送電極、１１〜１５．１１’、１２’。 １５・・・・・配線手段としての配線パターン及び配線
層。 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 半導体基板に対し絶縁層を介して設けられた比較的低い
導電率の物質から成る。転送電極と、該転送電極の表面
方向に沿って設けられ転送電極の一部を短絡する為の比
較的高い導電率の物質から成る配線手段とを有する電荷
転送素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187862A JPS6080272A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 電荷転送素子 |
| DE3436632A DE3436632C2 (de) | 1983-10-07 | 1984-10-05 | Halbleiter-Fotosensor |
| GB08425337A GB2149963B (en) | 1983-10-07 | 1984-10-08 | Solid-state semiconductor device |
| US07/384,096 US5073808A (en) | 1983-10-07 | 1989-07-24 | Solid state semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187862A JPS6080272A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 電荷転送素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080272A true JPS6080272A (ja) | 1985-05-08 |
Family
ID=16213512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58187862A Pending JPS6080272A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 電荷転送素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5073808A (ja) |
| JP (1) | JPS6080272A (ja) |
| DE (1) | DE3436632C2 (ja) |
| GB (1) | GB2149963B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69034145T2 (de) * | 1989-07-17 | 2005-06-30 | Sony Corp. | Struktur für Festkörperbildaufnahmeanordnungen |
| JPH06268192A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| US5646427A (en) * | 1995-08-23 | 1997-07-08 | Dalsa, Inc. | Integrated circuit defect tolerant architecture |
| US5965910A (en) * | 1997-04-29 | 1999-10-12 | Ohmeda Inc. | Large cell charge coupled device for spectroscopy |
| JP3641260B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2005-04-20 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| DE202007019236U1 (de) | 2007-11-02 | 2011-11-09 | Valentina Anzupowa | Farbteiler-Bildwandler-Gruppe mit teildurchlässigen Spiegeln und Mosaikfarbfiltern |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50123285A (ja) * | 1974-03-16 | 1975-09-27 | ||
| JPS5337392A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-06 | Sanyo Electric Co Ltd | Driving pulse supplying method of charge coupled type semiconductor device |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5255987Y2 (ja) * | 1971-09-15 | 1977-12-17 | ||
| US4194213A (en) * | 1974-12-25 | 1980-03-18 | Sony Corporation | Semiconductor image sensor having CCD shift register |
| JPS5732547B2 (ja) * | 1974-12-25 | 1982-07-12 | ||
| US4329706A (en) * | 1979-03-01 | 1982-05-11 | International Business Machines Corporation | Doped polysilicon silicide semiconductor integrated circuit interconnections |
| US4291322A (en) * | 1979-07-30 | 1981-09-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Structure for shallow junction MOS circuits |
| US4336295A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-22 | Eastman Kodak Company | Method of fabricating a transparent metal oxide electrode structure on a solid-state electrooptical device |
| US4366335A (en) * | 1981-01-05 | 1982-12-28 | Exxon Research And Engineering Co. | Indium oxide/n-silicon heterojunction solar cells |
| US4362597A (en) * | 1981-01-19 | 1982-12-07 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of fabricating high-conductivity silicide-on-polysilicon structures for MOS devices |
| US4567524A (en) * | 1982-08-13 | 1986-01-28 | Rca Corporation | Smear reduction in CCD imagers using empty well clocking |
| US4443652A (en) * | 1982-11-09 | 1984-04-17 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electrically interconnected large area photovoltaic cells and method of producing said cells |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP58187862A patent/JPS6080272A/ja active Pending
-
1984
- 1984-10-05 DE DE3436632A patent/DE3436632C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-10-08 GB GB08425337A patent/GB2149963B/en not_active Expired
-
1989
- 1989-07-24 US US07/384,096 patent/US5073808A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50123285A (ja) * | 1974-03-16 | 1975-09-27 | ||
| JPS5337392A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-06 | Sanyo Electric Co Ltd | Driving pulse supplying method of charge coupled type semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3436632A1 (de) | 1985-04-25 |
| DE3436632C2 (de) | 1995-06-29 |
| US5073808A (en) | 1991-12-17 |
| GB2149963A (en) | 1985-06-19 |
| GB8425337D0 (en) | 1984-11-14 |
| GB2149963B (en) | 1987-12-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3204216B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| US6849476B2 (en) | Method of manufacturing a solid-state imaging device | |
| JPH11274445A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| EP0509820B1 (en) | Image pickup apparatus | |
| JPS6080272A (ja) | 電荷転送素子 | |
| JP2878546B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH05206426A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US5327004A (en) | Solid-state imaging device with an electrically connected light shield layer | |
| JP3200899B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH06140618A (ja) | 固体撮像素子 | |
| US6187608B1 (en) | Solid state image sensor and method for fabricating the same | |
| JP3362456B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0130306B2 (ja) | ||
| JP3028823B2 (ja) | 電荷結合素子およびこれを用いた固体撮像装置 | |
| JPH02166769A (ja) | 積層型固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH0456272A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH025473A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPS63164270A (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
| JP3365159B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH03183166A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3123768B2 (ja) | 撮像素子およびその製造方法 | |
| JPH03184375A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2838816B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH01291460A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH08167707A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 |