DE3436632C2 - Halbleiter-Fotosensor - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Halbleiter-Fotosensor mit einem Halbleitersubstrat, in dem eine Vielzahl von Poten­ tialmulden zur Aufnahme von durch fotoelektrische Umwandlung erzeugter Ladungen ausbildbar ist, mit einer über dem Halb­ leitersubstrat ausgebildeten Isolierschicht sowie Steuerelek­ troden, die die Potentialmulden derart steuern, daß die La­ dungen zur jeweils benachbarten Potentialmulde übertragen werden.

Ein derartiger Halbleiter-Fotosensor ist bereits aus der Li­ teraturstelle "Optoelektronik" von D. A. Ross, R. Oldenbourg Verlag München 1982, S. 150-151, bekannt, nämlich ein ladungs­ gekoppeltes Bauelement, das aus einer Reihe nahe beieinander liegender Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren besteht, wobei die jeweils dritten Elemente miteinander verbunden sind. Wird an ein bestimmtes Element eine Spannung angelegt, so kann es durch absorbierte Photonen erzeugte Ladungen speichern. Die gespeicherte Ladung ist proportional zur Lichtintensität, die während der Speicherzeit auf ein Element auftrifft. Eine Folge von an jeweiligen Anschlüssen angelegten Spannungsim­ pulsen bewirkt eine Ladungsverschiebung von einem Element zum nächsten, so daß eine Spalte von eng aneinandergereihten Ele­ menten ausgelesen werden kann. Ein Bildsensor besteht aus ei­ ner Anzahl von Spalten, d. h. einer matrixförmigen Anordnung dieser Elemente.

Bei derartigen Halbleiter-Bildsensoren wird wie bei anderen Halbleiterschaltungen auch eine Steigerung der Packungsdichte der einzelnen Elemente angestrebt, um eine höhere Auflösung bei noch kleineren Abmessungen zu erhalten.

Andererseits ist bei solchen Sensoren zur Verbesserung des Apertur- bzw. Öffnungsverhältnisses eine Gestaltung in der Weise erforderlich, daß in der fotoempfindlichen Fläche die Fläche eines Lichtabschirmbereichs so klein wie möglich ist.

In manchen Fällen werden zusätzlich als Steuerelektroden lichtdurchlässige Elektroden aus polykristallinem bzw. Poly- Silizium oder dergleichen verwendet, um den Lichteinfall auf einen fotoelektrischen Wandlerteil merklich zu steigern.

Dieses Poly-Silizium hat eine verhältnismäßig geringe Leit­ fähigkeit und es ist ferner erforderlich, das Silizium zum Verbessern des Öffnungsverhältnisses dünner auszubilden, so daß es parasitäre Widerstände bildet.

Wie in der Literaturstelle "Optoelektronik" von D. A. Ross, R. Oldenbourg Verlag München 1982, S. 150-151, bereits erwähnt, besteht ein wesentliches Problem in der geeigneten Ankopplung der einzelnen Elemente an eine Fotodetektormatrix, damit die Elemente zeilenweise abgetastet werden können. Die für eine derartige Ankopplung erforderliche Packungsdichte führt außerdem zu Problemen mit Parallelkapazitäten, die die hohen Frequenzen eines angelegten Ansteuersignals herausfiltern und dieses dadurch abrunden, wodurch die Größe (Auflösung) des Bildsensors, die Einstreuung und vor allem die Auslesege­ schwindigkeit (Ansteuerfrequenz) negativ beeinflußt werden.

Daher wird durch Widerstände der Steuerelektrode selbst und Kapazitäten zwischen einem Halbleitersubstrat und der Steuerelektrode eine in Fig. 1B gezeigte Ersatzschaltung mit verteilten Parametern gebildet.

Fig. 1A zeigt ein Beispiel für das Muster einer Steuerelektrode PE. In Fig. 1B sind mit R Widerstände und mit C Kapazitäten bezeichnet. Daher wird gemäß Fig. 2 die Kurvenform eines Steuersignals an einem Eingangsan­ schluß während der Übertragung allmählich gemäß der Darstellung bei und abgerundet bzw. abgeflacht, was verschiedenerlei Probleme hervorruft:

Da in dem Bereich nahe dem mittleren Bereich des Steuerelektrodenmusters die Kurvenform des Steuersignals ab­ geflacht wird, wird eine Potentialmulde unterhalb der Steuer­ elektrode abgeflacht, wodurch die Übertragungswirkung ver­ schlechtert wird. Wenn zum Verhindern einer derartigen Verschlechterung der Übertragungswirkung an den Eingangs­ anschluß eine hohe Spannung angelegt wird, werden die Leistungsverluste übermäßig groß.

Da sich andererseits die jeweils an den mittleren und den Randteilen des Steuerelektrodenmusters gebildeten Formen der Potentialmulden voneinander unterscheiden, tritt eine merkliche Abschaltung in Erscheinung. Insbesondere wird dieses Problem schwerwiegender, sobald die Übertragungsgeschwindigkeit des an die Steuerelektrode angelegten Steuersignals höher wird.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Halb­ leiter-Fotosensor der eingangs genannten Art derart weiterzu­ bilden, daß sowohl die Auflösung (Integrationsdichte) des Fotosensors als auch die Übertragungsgeschwindigkeit der ge­ speicherten Bildinformationen gesteigert werden kann.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Potentialmulden im Halbleitersubstrat durch Kanalsperren ge­ trennt sind und daß auf den Steuerelektroden in einem Licht­ empfangsteil des Halbleitersubstrats und in Kontakt mit den Steuerelektroden zur Erzielung eines gleichförmigen Poten­ tials längs der Steuerelektroden Leiter mit hoher Leitfähig­ keit vorhanden sind, die Abschnitte der Steuerelektroden an ihren jeweiligen Eckpunkten kurzschließen und deren Breite kleiner als die der Steuerelektroden ist.

Erfindungsgemäß wird die erhöhte Integrationsdichte durch die geschickte Anordnung von p⁺-dotierten Kanalsperren er­ reicht, so daß der nötige Abstand von einer Potentialmulde zur nächsten verringert werden kann und die Steuerelektroden in Form von Balken und nicht mehr als Inseln ausgebildet sind.

In Verbindung mit der erhöhten Auflösung wird durch Verwen­ dung eines Leiters, der sich über den Steuerelektroden befin­ det und mit diesen Kontakt hat, auch die Übertragungsge­ schwindigkeit erhöht. Während herkömmliche Bildsensoren auf­ grund des Aufbaus ihres RC-Ersatzschaltbildes bald auf Gren­ zen hinsichtlich ihrer Ansteuerfrequenz stoßen, wird durch die erfindungsgemäße Verwendung eines Leiters über der Steuerelektrode der parasitäre Widerstand nahezu zu Null und der unvermeidbare RC-Lade- bzw. Entladeeffekt beim Verschie­ ben der Ladungen tritt erst bei sehr viel höheren Frequenzen auf.

In den Unteransprüchen 2 bis 10 sind vorteilhafte Ausgestal­ tungen der Erfindung gekennzeichnet.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbei­ spielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben. Es zeigt

Fig. 1A und 1B Darstellungen, die ein Beispiel für eine herkömmliche Ladungsübertragungsvorrichtung zeigen, wobei Fig. 1A ein Elektrodenmuster zeigt, während Fig. 1B eine Ersatzschaltung zeigt,

Fig. 2 eine Darstellung der Kurvenformen von Signalen an Schaltungspunkten , und in Fig. 1B,

Fig. 3A bis 3D Darstellungen zur Erläuterung eines ersten Ausführungsbeispiels der Halbleitervorrichtung, wobei Fig. 3A Elektroden zeigt, Fig. 3B eine Ansicht eines Schnitts längs einer Linie A-A′ in Fig. 3A ist, Fig. 3C eine Ansicht eines Schnitts längs einer Linie B-B′ in Fig. 3A ist und Fig. 3D eine Ansicht eines Schnitts längs einer Linie C-C′ in Fig. 3A ist,

Fig. 4A bis 4D Darstellungen eines zweiten Ausführungs­ beispiels, wobei Fig. 4A Elektroden zeigt, Fig. 4B eine Ansicht eines Schnitts längs einer Linie A-A′ in Fig. 4A ist, Fig. 4C eine Ansicht eines Schnitts längs einer Linie B-B′ in Fig. 4A ist und Fig. 4D eine Ansicht eines Schnitts längs einer Linie C-C′ in Fig. 4A ist, und

Fig. 5A und 5B Darstellungen eines dritten Ausführungs­ beispiels, wobei Fig. 5A Elektroden zeigt und Fig. 5B eine Ansicht eines Schnitts längs einer Linie E-E′ in Fig. 5A ist.

Die Fig. 3A bis 3D sind Darstellungen eines ersten Ausfüh­ rungsbeispiels der Halbleitervorrichtung. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird die Gestaltung bei einem Bildsensor mit einer Vollbildübertragungs- Ladungskopplungsvorrichtung (CCD) angewandt. Fig. 3A ist die Darstellung eines Elektrodenmusters, Fig. 3B zeigt einen Schnitt längs einer Linie A-A′ in Fig. 3A, Fig. 3C zeigt einen Schnitt längs einer Linie B-B′ in Fig. 3A und Fig. 3D zeigt einen Schnitt längs einer Linie C-C′ in Fig. 3A.

Diese Darstellungen zeigen einen Lichtempfangsteil 1, eine Speichervorrichtung 2, eine Auslesevorrichtung bzw. ein Horizontalschieberegister 3, einen Aus­ gangsverstärker 4, eine Steuerelektrode 5 für den Lichtempfangsteil 1 und jeweilige Steuerelektroden 6 und 7 für die Speichervorrichtung bzw. das Horizontalschiebe­ register 3. Die Steuerelektroden 5 bis 7 bestehen alle aus einem lichtdurchlässigen Material mit einer verhältnis­ mäßig geringen Leitfähigkeit wie beispielsweise polykristal­ linem bzw. Poly-Silizium.

Jede Steuerelektrode 5 bis 7 ist über einer Isolierschicht 9 oberhalb eines Halbleitersubstrats 8 angeordnet.

Mit CS sind Kanalsperren bezeichent, die als Trennvorrichtungen dienen. Falls beispielsweise das Halbleitersubstrat 8 aus p-Silizium besteht, werden diese Kanalsperren CS durch Diffundierung zu einem p⁺-Halbleiter oder dergleichen ge­ bildet. Diese Kanalsperren CS dienen dazu, jeweilige Elemente in dem Halbleitersubstrat 8 voneinander zu trennen. Mit VE sind virtuelle Elektroden bezeichnet, die beispielsweise durch Ionenimplantation von Bor gebildet sind.

In einem durch die Kanalsperren CS abgesonderten Bereich ist ein jeweiliges Element durch ein Paar aus der Steuer­ elektrode und der virtuellen Elektrode VE gebildet.

Mit PI ist ein Übertragungstaktsignal zum Steuern der Übertragung usw. über die Steuerelektrode 5, mit PS ist ein Übertragungstaktsignal zum Steuern der Übertragung usw. über die Steuerelektrode 6 und mit S ist ein Übertragungstaktsignal zum Steuern der Übertragung usw. über die Steuerelektrode 7 be­ zeichnet.

Mit 11 bis 13 sind Aluminium-Leitermuster bzw. Leiter bezeichnet, die somit aus einem Material bestehen, das eine im Verhältnis zu den Steuerelektroden 5 bis 7 höhere Leitfähigkeit hat. Diese Aluminium-Leitermuster 11 bis 13 sind durch Aufdampfen oder dergleichen auf den Oberflächen der jeweiligen Steuerelektroden 5 bis 7 gebildet und dienen als Leiter­ vorrichtung der Halbleitervorrichtung. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Aluminium-Leitermuster 11 bis 13 oberhalb der Kanalsperren CS und an den Steuer­ elektroden an einem Außenumfang außerhalb eines Bildwinkels angeordnet und schließen zumindest Teile der Steuer­ elektroden kurz, um die Signalübertragungseigenschaften der Steuerelektroden zu verbessern bzw. zu korrigieren.

Bei diesem Ausführungsbeispiel sind ferner diese Aluminium- Leitermuster 11 und 12 durchgehend verbunden.

Mit 10 ist eine Isolierschicht aus Siliziumoxid oder der­ gleichen für den Schutz der ganzen integrierten Schaltung bezeichnet.

Wenn bei dieser Gestaltung beispielsweise als Signal PI ein Signal niedrigen Pegels angelegt wird, werden jeweils die entsprechend dem auf den Lichtempfangsteil 1 fallenden Bild verteilten Ladungen in den Potentialmulden unter den jeweils von den Kanalsperren CS und der Steuerelektrode 5 um­ gebenen virtuellen Elektroden VE gesammelt.

Als nächstes werden durch das Zuführen von bei diesem Ausführungs­ beispiel sechs Impulsen als Signal PI und PS die Ladungen unter den virtuellen Elektroden VE des Lichtempfangsteils 1 in den Potentialmulden unter den virtuellen Elektroden der Speichervorrichtung 2 angehäuft. Die Ladungen aus dieser Speicher­ vorrichtung 2 können zeilenweise durch das Zuführen der Signale PS und S ausgelesen werden.

Bei diesem Ausführungsbeispiel werden zwar die Übertragungs­ taktsignale PI und PS jeweils von beiden Enden der Steuer­ elektroden 5 und 6 eingegeben, jedoch sind dabei zusätzlich die Poly-Silizium-Steuerelektroden teilweise in der Richtung ihrer Oberflächen durch das Aluminium-Leitermuster 11 kurzgeschlossen; daher wird der verteilte Widerstand in dem Poly-Sili­ zium-Elektrodenmuster im wesentlichen zu "0", so daß das Ausmaß der Glättung bzw. Rundung der Kurvenform des Über­ tragungstaktsignals auf ein Mindestmaß herabgesetzt werden kann.

Da darüber hinaus bei diesem Ausführungsbeispiel die Aluminium- Leitermuster 11 an Stellen angeordnet sind, an denen sie nicht die Bildelemente im Lichtempfangsteil 1 beeinflussen, nämlich an den äußeren Umfangsteilen der Steuerelektroden 5 und über den Kanalsperren CS, wird das Öffnungs- bzw. Aperturverhältnis des Lichtempfangsteils 1 über­ haupt nicht beeinträchtigt.

Da ferner bei diesem Ausführungsbeispiel die Aluminium- Leitermuster 11 und 12 durchgehend verbunden sind, entstehen kaum Abweichungen bei der Widerstandsverteilung in den Steuerelektroden 5 und 6.

Da weiterhin bei diesem Ausführungsbeispiel die Steuer­ elektrode 6 der Speichervorrichtung 2 aus dem gleichen Material wie die Steuerelektrode 5 des Lichtempfangsteils 1 besteht, ist die Herstellung der integrierten Schaltung vereinfacht.

Da ferner bei diesem Ausführungsbeispiel für die Steuer­ elektroden 5 bis 7 ein Material geringer Leitfähigkeit wie Poly-Silizium, nämlich ein Material mit geringer Ätzge­ schwindigkeit benutzt wird, kann eine Feinätzung ausgeführt werden, so daß die Vorrichtung gemäß dem Ausführungsbei­ spiel für eine hohe Integration bzw. Integrationsdichte ge­ eignet ist. Da die verteilten Widerstände in den Richtungen der Oberflächen der Steuerelektroden 5 und 6 durch die Leiter mit der verhältnismäßig hohen Leitfähigkeit verringert sind, kann eine Übertragung mit hoher Geschwindigkeit ausgeführt werden. Da aufgrund dessen das Poly-Silizium der Steuer­ elektroden 5 und 6 dünn aufgebracht werden kann, kann damit die Empfindlichkeit für "Blau" und daher die gesamte Emp­ findlichkeit des Bildsensors gesteigert werden.

Bei diesem Ausführungsbeispiel wurde zwar als Leitervor­ richtung das Aluminium-Leitermuster 11 bis 13 verwendet, jedoch ist es auch möglich, ein Material mit einer verhältnismäßig hohen Leitfähigkeit und einem hohen Schmelzpunkt wie bei­ spielsweise Molybdänsilicid, Wolframsilicid, Tantalsilicid oder Titansilicid zu verwenden.

Andererseits kann für die Steuerelektroden 5 bis 7 statt des Poly-Siliziums irgendein anderes lichtdurchlässiges Material mit geringer Leitfähigkeit wie Zinnoxid verwendet werden.

Als nächstes zeigen Fig. 4A bis 4D ein zweites Ausfüh­ rungsbeispiel der Halbleitervorrichtung, wobei Fig. 4A ein Elektrodenmuster, Fig. 4B einen Schnitt längs einer Linie A-A′ in Fig. 4A, Fig. 4C einen Schnitt längs einer Linie B-B′ in Fig. 4A und Fig. 4D einen Schnitt längs einer Linie C-C′ in Fig. 4A zeigt; dabei sind gleiche Teile und Komponenten wie die Fig. 3A bis 3D gezeigten mit den gleichen Be­ zugszeichen bezeichnet. Bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel sind als Leitervorrichtungen Aluminium-Leitermuster 11′ und 12′ durch Aufdampfen oder dergleichen auf dem äußeren Umfangsbereich außerhalb des Bildwinkels auf den Steuerelektroden 5 und 6 sowie auf den Oberflächen in den Horizontalrichtungen der Steuerelektroden 5 und 6 gebildet.

Da bei dieser Gestaltung die Aluminiumleiter Teile der Bild­ elemente überdecken, kann zwar eine der Wirkung bei dem ersten Ausführungsbeispiel nahezu gleiche Wirkung erzielt werden, jedoch wird das Apertur- bzw. Öffnungsverhältnis geringfügig verringert. Offensichtlich ist dabei anzustreben, daß das horizontale Aluminium-Leitermuster 11′ im Bildfeld des Lichtempfangsteils 1 dünn aufgebracht wird.

Fig. 5A und 5B zeigen ein drittes Ausführungsbeispiel der Halbleitervorrichtung, wobei Fig. 5A Elektroden zeigt, während Fig. 5B einen Schnitt längs einer Linie E-E′ in Fig. 5A zeigt. Bei diesem Ausführungs­ beispiel ist eine andere Ausführung der Leitervorrichtungen für die Speichervorrichtung 2 und die Auslesevorrichtung bzw. das Horizontalschieberegister 3 gezeigt.

In den Darstellungen sind die gleichen Teile und Komponenten wie die in Fig. 1 bis 4 gezeigten mit den gleichen Be­ zugszeichen bezeichnet. Mit 15 ist eine Leiterschicht aus Aluminium oder dergleichen als Leitervorrichtung bezeichnet. Diese Leiterschicht 15 dient auch als Lichtabschirmschicht für das Abschirmen der Speichervorrichtung 2 und des Horizontalschie­ beregister 3 gegenüber Licht.

Die Leiterschicht 15 für die Speichervorrichtung 2 und eine Leiter­ schicht 15′ für das Horizontalschieberegister 3 sind von­ einander isoliert. Mit 14 und 14′ sind Verbindungsbereiche für das jeweilige Verbinden und Leiterschichten 15 bzw. 15′ mit den Steuerelektroden 6 bzw. 7 an einer Vielzahl von Stellen bezeichnet. Wenn nach dem Bilden der Steuer­ elektrode 6 gemäß Fig. 5B ein isolierender Oxidfilm 10 gebildet wird, werden diese Verbindungsbereiche maskiert, um an diesen die Entstehung des Oxidfilms 10 zu verhindern. Wenn dann die Leiterschicht 15 aufgedampft wird, werden durch diese Öffnungen hindurch die Leiterschicht 15 und die Steuerelektroden 6 und 7 elektrisch verbunden.

Bei dieser Gestaltung liegt eine vorteilhafte Wirkung darin, daß durch die Leiterschicht 15 auch die Lichtabschirmung er­ zielt werden kann.

Ferner können das Material für die Steuerelektrode 6 und das Material für die Leiterschicht 15 als Leitervorrich­ tung die gleichen wie bei dem vorstehend beschriebenen er­ sten oder zweiten Ausführungsbeispiel sein.

Bei diesem dritten Ausführungsbeispiel sind mindestens drei oder mehr Verbindungsbereiche vorgesehen, so daß durch die Leiterschicht 15 die Bereiche in der Nähe der beiden Enden der Steuerelektrode 6 und der Bereich in der Nähe des mittleren Bereichs kurzgeschlossen werden können.

Gemäß der vorstehenden Beschreibung hat als Halbleitervorrichtung die Ladungsübertragungsvorrichtung die Steuerelektroden 5 bis 7 die über der Isolierschicht 9 auf dem Halbleitersubstrat 8 angeordnet sind und aus einem Material mit verhältnismäßig niedriger Leitfähigkeit bestehen, um die Leitervorrichtungen, die längs der Oberfläche der Steuerelektroden 5 bis 7 angeordnet sind und aus einem Material mit verhältnismäßig hoher Leitfähigkeit bestehen, um Teile der Steuerelektroden 5 bis 7 gegenseitig kurzzuschließen. Daher kann eine Feinätzung der Steuerelektroden 5 bis 7 aus­ geführt werden und damit auch eine hohe Integration bzw. Integrationsdichte herbeigeführt werden. Zugleich ist es möglich, damit das Glätten bzw. Abrunden der Kurvenformen der Übertragungs- bzw. Steuersignale auszuschalten, so daß die Übertragung mit hoher Geschwindigkeit vorgenommen und ein "Verwischen" verhindert werden kann. Vielerlei weitere Vorteile bestehen darin, daß die Übertragungslei­ stung bzw. der Übertragungswirkungsgrad verbessert ist, daß eine Abschattung verhindert werden kann usw.

Claims (9)

1. Halbleiter-Fotosensor mit einem Halbleitersubstrat (8), in dem eine Vielzahl von Potentialmulden zur Aufnahme von durch fotoelektrischer Umwandlung erzeugter Ladungen ausbildbar ist, und mit einer über dem Halbleitersubstrat ausgebildeten Isolierschicht (9) sowie Steuerelektroden (5), die die Potentialmulden derart steuern, daß die Ladun­ gen zur jeweils benachbarten Potentialmulde übertragen wer­ den, dadurch gekennzeichnet, daß die Potentialmulden im Halbleitersubstrat (8) durch Kanalsperren (CS) getrennt sind und daß auf den Steuerelektroden (5) in einem Licht­ empfangsteil (1) des Substrats (8) und in Kontakt mit den Steuerelektroden (5) zur Erzielung eines gleichförmigen Po­ tentials längs der Steuerelektroden (5) Leiter (11) mit ho­ her Leitfähigkeit vorhanden sind, die Abschnitte der Steuerelektroden (5) an ihren jeweiligen Eckpunkten kurz­ schließen und deren Breite kleiner als die der Steuerelek­ troden (5) ist.

2. Fotosensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitfähigkeit der Leiter (11) höher als diejenige der Steuerelektroden (5) ist.

3. Fotosensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Steuerelektroden (5) lichtdurchlässig sind.

4. Fotosensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektroden (5) Poly-Silizium enthalten.

5. Fotosensor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, da­ durch gekennzeichnet, daß die Leiter (11) die Steuer­ elektroden (5) zumindest nahe der Randteile und nahe der Mittelteile kurzschließen.

6. Fotosensor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da­ durch gekennzeichnet, daß er eine Speichervorrichtung (2) und eine Auslesevorrichtung (3) mit weiteren Steuerelektro­ den (6, 7) und Kanalsperren (13) aufweist, wobei zur Erzie­ lung eines gleichförmigen Potentials längs der weiteren Steuerelektroden (6, 7) weitere Leiter (12, 13) mit hoher Leitfähigkeit vorhanden sind, die Abschnitte der weiteren Steuerelektroden (6, 7) an ihren jeweiligen Eckpunkten kurzschließen und deren Breite kleiner als die der weiteren Steuerelektroden (6, 7) sind.

7. Fotosensor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitfähigkeit der weiteren Leiter (12, 13) höher als diejenige der weiteren Steuerelektroden (6, 7) ist.

8. Fotosensor nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtempfangsteil (1), die Spei­ chervorrichtung (2) und die Auslesevorrichtung (3) eine Vollbildübertragungs-Ladungskopplungsvorrichtung (CCD) dar­ stellen.

9. Fotosensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiter (11) und die weiteren Leiter (12, 13) über den Kanalsperren (CS) ausgebildet sind
10. Fotosensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die weiteren Leiter (15, 15′) als Lichtabschirmschicht über einer Isolier­ schicht (10) ausgebildet sind und mittels Verbindungsberei­ che (14, 14′) mit den weiteren Steuerelektroden (6, 7) ver­ bunden sind.