DE3436632A1 - Festkoerper-halbleitervorrichtung und bildsensor - Google Patents
Festkoerper-halbleitervorrichtung und bildsensorInfo
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Description
- Grams - Struif
Dipl.-Ing. R. Kinne Dipl.-Ing. R Grupe
Dipl.-Ing. K. Grams Dipl.-Chem. Dr. B. Struif
Bavariaring 4, Postfach 2024( 8000 München 2
Tel.: 089-539653 Telex: 5-24845 tipat Telecopier: O 89-537377
cable: Germaniapatent Munch«
5. Oktober 1984 DE 4296
Canon Kabushiki Kaisha Tokio, Japan
Festkörper-Halbleitervorrichtung und Bildsensor
Die Erfindung bezieht sich auf eine Festkörper-Halblei.tervorrichtung
mit hervorragenden Eigenschaften hinsichtlich einer Übertragung mit hoher Geschwindigkeit.
Gewöhnlich wird für verschiedenerlei Zeilensensoren und Bildsensoren die Verwendung einer Ladungsübertragungsvorrichtung
wie einer Ladungskopplungsvorrichtung (CCD), einer Eimerketten-Vorrichtung (BBD) oder dergleichen gemäß Fig.
1A in Betracht gezogen. Bei derartigen Sensoren wurden die hohe bzw. dichte Integration und die Übertragung mit hoher
Geschwindigkeit fortentwickelt.
Andererseits ist bei solchen Sensoren zur Verbesserung des Apertur- bzw. Öffnungsverhältnisses eine Gestaltung in der
Weise erforderlich, daß in einer fotoempfindlichen Fläche die Fläche eines Lichtabschirmbereichs so klein wie möglich
ist. In manchen Fällen werden zusätzlich als Übertragungselektroden lichtdurchlässige Elektroden aus polykristallinem
bzw. Poly-Silizium oder dergleichen verwendet, um den Lichtgeändert
GserniäS :
A/25 eingisgoinssn tiw
-6- DE 4296
einfall auf einen fotoelektrischen Wandlerteil merklich zu steigern.
Dieses Poly-Silizium hat eine verhältnismäßig geringe Leitfähigkeit
und es ist ferner erforderlich, das Silizium zum Verbessern des Öffnungsverhältnisses dünner auszubilden.
Daher wird durch Widerstände der Obertragungselektrode selbst und Kapazitäten zwischen einem Halbleitersubstrat
und der Elektrode eine in Fig. 1B gezeigte Äquivalenzschaltung mit verteilten Parametern gebildet.
Die Fig. 1A zeigt ein Beispiel für das Muster einer Übertragungselektrode
PE.,In Fig. 1B sind mit R Widerstände und mit C Kapazitäten bezeichnet. Daher wird gemäß Fig.
die Kurvenform eines Steuersignals an einem Eingangsanschluß (a) während der Übertragung allmählich gemäß der
Darstellung bei © und (c) abgerundet bzw. abgeflacht, was verschiedenerlei Probleme hervorruft:
Da in dem Bereich nahe dem mittleren Bereich des Übertragungselektrodenmusters
die Kurvenform des Steuersignals abgeflacht wird, wird eine Potentialmulde unterhalb der Elek-
trode abgeflacht, wodurch die Übertragungswirkung ver-25
schlechtert wird. Wenn zum Verhindern einer derartigen Verschlechterung der Übertragungswirkung an den Eingangsanschluß (a) eine hohe Spannung angelegt wird, werden die
Leistungsverluste übermäßig groß.
Da sich andererseits : die jeweils an den mittleren und den
Randteilen des Übertragungselektrodenmusters gebildeten Formen der Potentialmulden voneinander unterscheiden, tritt
eine merkliche Abschattung in Erscheinung. Insbesondere wird dieses Problem schwerwiegender, sobald die Frequenz
des an die Übertragungselektrode angelegten Steuersignals höher wird.
-7- DE 4296
Allgemein muß zum Erzielen eines hohen Auflösungsvermögens
des Bildsensors die Anzahl der in einer Zeiteinheit ausgelesenen Bits gesteigert werden. Die vorstehend genannten
Mängel werden jedoch zu einem großen Hindernis bei der Steigerung der Übertragungsgeschwindigkeit.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, zur Behebung der vorstehend genannten Mangel der herkömmlichen Vorrichtungen
q eine Halbleitervorrichtung mit Ladungsübertragung zu schaffen, bei der das Ausmaß der Glättung bzw. Rundung der Kurvenformen
von Übertragungstaktsignalen verringert ist.
Ferner soll mit der Erfindung eine Halbleitervorrichtung bzw. ein Bildsensor mit Ladungsübertragung geschaffen werden,
mit denen :eine .hohe:-: Integration und eine Übertragung mit
hoher Geschwindigkeit ermöglicht sind.
Weiterhin soll mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung eine Ladungsübertragungsvorrichtung mit verringertem "Verwisch«
und verringerter Abschattung geschaffen werden.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.
Fig. 1A und 1B sind Darstellungen, die ein Beispiel für eine herkömmliche Ladungsübertragungsvorrichtung zeigen,
wobei die Fig. 1A ein Elektrodenmuster zeigt, während die Fig. 1B eine Äquivalenzschaltung zeigt.
Fig. 2 ist eine Darstellung der Kurvenformen von Signalen an Schaltungspunkten (a) , (b) und. (c) in Fig. 1B.
Fig. 3A bis 3D sind Darstellungen zur Erläuterung'eines
ersten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen 35
Halbleitervorrichtung, wobei die Fig. 3A Elektroden
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zeigt, die Fig. 3B eine Ansicht eines Schnitts längs
einer Linie A-A1 in Fig. 3A ist, die Fig. 3C eine
Ansicht eines Schnitts längs einer Linie B-B1 in g Fig. 3A ist und die Fig. 3D eine Ansicht eines
Schnitts längs einer Linie C-C in Fig. 3A ist.
Fig. 4A bis 4D sind Darstellungen eines zweiten Ausführungsbeispiels, wobei die Fig. 4A Elektroden zeigt, die
jQ Fig. 4B eine Ansicht eines Schnitts längs einer Linie
A-A' in Fig. 4A ist, die Fig. 4C eine Ansicht eines Schnitts längs einer Linie B-B1 in Fig. 4A
ist und die Fig. 4D eine Ansicht eines Schnitts längs einer Linie C-C in Fig. 4A ist.
Fig. 5A und 5B sind Darstellungen eines dritten Ausführungsbeispiels, wobei die Fig. 5A Elektroden zeigt und
die Fig. 5B eine Ansicht eines Schnitts längs einer Linie E-E' in Fig. 5A ist.
Die Fig. 3A bis 3D sind Darstellungen eines ersten Ausführungsbeispiels
der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird die erfindungsgemäße
Gestaltung bei einem Bildsensor mit einer Vollbildübertragungs-Ladungskopplungsvorrichtung
(CCD) angewandt. Die Fig. 3A ist die Darstellung eines Elektrodenmusters, die Fig.
3B zeigt einen Schnitt längs einer Linie A-A' in Fig. 3A, die Fig. 3C zeigt einen Schnitt längs einer Linie B-B' in
Fig. 3A und die Fig. 3D zeigt einen Schnitt längs einer
Linie C-C in Fig. 3A.
30
30
Diese Darstellungen zeigen einen Bildaufnahmeteil 1, einen
Speicherteil 2, ein Horizontalschieberegister 3, einen Ausgangsverstärker 4, eine Übertragungselektrode 5 für den
Bildaufnahmeteil 1 und jeweilige Übertragungselektroden 35
6 und 7 für den Speicherteil 2 bzw. das Horizontalschiebe-
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register 3. Die Übertragungselektroden 5 bis 7 bestehen alle aus einem lichtdurchlässigen Material mit einer verhältnismäßig geringen Leitfähigkeit wie beispielsweise polykristallinem
bzw. Poly-Silizium und wirken als Steuerelektroden.
Jede Übertragungselektrode ist über einer Isolierschicht oberhalb eines Halbleitersubstrats 8 angeordnet.
^q Mit CS sind Kanalsperren bezeichnet, die als Trennvorrichtungen
dienen. Falls beispielsweise das Halbleitersubstrat 8 aus p-Silizium besteht, werden diese Kanalsperren CS durch
Diffundierung zu einem ρ -Halbleiter oder dergleichen gebildet. Diese Kanalsperren dienen dazu, jeweilige Elemente
1C in dem Halbleitersubstrat voneinander zu trennen. Mit VE
sind virtuelle Elektroden bezeichnet, die beispielsweise durch Ionenimplantation von Bor gebildet sind.
In einem durch die Kanalsperren CS abgesonderten Bereich ist ein jeweiliges Element durch ein Paar aus der Übertri
gungselektrode und der virtuellen Elektrode gebildet.
Mit PI ist ein Übertragungstaktsignal zur Steuerung der
Übertragung usw. über die Übertragungselektrtifde 5 bezeichnet,
mit PS ist ein.Übertragungstaktsignal zum Steuern der Übertragung usw. über die Übertragungselektrode 6 bezeichnet
und mit S ist ein Übertragungstaktsignal zum Steuern der Übertragung usw. über die Übertragungselektrode 7 bezeichnet.
Mit 11 bis 13 sind Aluminium-Leitermuster bezeichnet, die
somit aus einem Material bestehen, das eine im Verhältnis zu den Übertragungselektroden höhere Leitfähigkeit hat. Diese
Aluminium-Leitermuster 11 bis 13 sind durch Aufdampfen
oder dergleichen auf den Oberflächen der jeweiligen Über-35
tragungselektroden 5 bis 7 gebildet und dienen als Leiter-
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vorrichtung der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung.
Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Leitermuster 11 bis 13 oberhalb der Kanalsperren CS und an den Übertragungselektroden
an einem Außenumfang außerhalb eines Bildwinkels angeordnet und schließen zumindest Teile der Übertragungselektroden kurz, um die Signalübertragungseigenschaften
der Übertragungselektroden zu verbessern bzw. zu korrigie- ι ren.
Bei diesem Ausführungsbeispiel sind ferner diese Aluminium-Leitermuster
durchgehend verbunden.
Mit 10 ist eine Isolierschicht aus Siliziumoxid oder der-.
j. gleichen für den Schutz der ganzen integrierten Schaltung
bezeichnet.
Weinn bei dieser Gestaltung beispielsweise als Signal PI ein
Signal niedrigen Pegels angelegt wird, werden jeweils die
entsprechend dem auf den Bildaufnahmeteil 1 fallenden Bild ZO
verteilten Ladungen in den Potentialmulden unter den jeweils von den Kanalsperren CS und der Übertragungselektrode 5 umgebenen
virtuellen Elektroden gesammelt.
Als nächstes werden durch das Zuführen von bei diesem Bei-25
spiel sechs Impulsen als Signale PI und PS die Ladungen unter den virtuellen Elektroden des Bildaufnahmeteils 1 in
den Potentialmulden unter den virtuellen Elektroden des Speicherteils 2 angehäuft. Die Ladungen aus diesem Speicherteil
können zeilenweise durch das Zuführen der Signale PS 6
und S ausgelesen werden.
Bei diesem Ausführungsbeispiel werden zwar die Übertragungstaktsignale
PI und PS jeweils von beiden Enden der Elektroden 5 und 6 eingegeben, jedoch sind dabei zusätzlich die
35
Poly-Silizium-Elektroden teilweise in der Richtung ihrer
-11- DE 4296
Oberflächen durch das Aluminium-Leitermuster 11 kurzgeschlossen; daher wird der verteilte Widerstand in dem Poly-Silizium-Elektrodenmuster
im wesentlichen zu "0", so daß das
κ Ausmaß der Glättung bzw. Rundung der Kurvenform des Übertragungstaktsignals
auf ein Mindestmaß herabgesetzt werden kann.
Da darüberhinaus bei diesem Ausführungsbeispiel die Alumi-
- n nium-Leitermuster an Stellen angeordnet sind, an denen sie
nicht die Bildelemente im Bildaufnahmeteil beeinflussen, nämlich an den äußeren Umfangsteilen der Übertragungselektroden
und über den Kanalsperren, wird das Öffnungsverhältnis bzw. Aperturverhältnis des Bildaufnahmeteils überhaupt
nicht beeinträchtigt.
Da ferner bei diesem Ausführungsbeispiel die Aluminium-Leitermuster
durchgehend verbunden sind, entstehen kaum Abweichungen bei der Widerstandsverteilung in den Übertra-
gungselektroden.
20
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Da weiterhin bei diesem Ausführungsbeispiel die Übertragungselektrode
6 des Speicherteils 2 aus dem gleichen Material wie die Übertragungselektrode 5 des Bildaufnahmeteils
1 besteht, ist die Herstellung der'integrierten Schaltung
25
vereinfacht.
Da ferner bei diesem Ausführungsbeispiel für die Übertragungselektroden
ein Material geringer Leitfähigkeit wie
Poly-Silizium, nämlich ein Material mit geringer Ätzge-30
schwindigkeit benutzt wird, kann eine Feinätzung ausgeführt
werden, so daß die Vorrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel für eine hohe Integration bzw. Integrationsdichte geeignet
ist. Da die verteilten Widerstände in den Richtungen
der Oberflächen der Übertragungselektroden durch die Leiter 35
mit der verhältnismäßig hohen Leitfähigkeit verringert sind,
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kann eine Übertragung mit hoher Geschwindigkeit ausgeführt werden. Da aufgrund dessen das Poly-Silizium der Übertragungselektroden
dünn aufgebracht werden kann, kann damit die Empfindlichkeit für "Blau" und daher die gesamte Empfindlichkeit
des Sensors gesteigert werden.
Bei diesem Ausführungsbeispiel wurde zwar als Leitervorrichtung das Aluminium-Leitermuster verwendet, jedoch ist
jQ es auch möglich, ein Material mit einer verhältnismäßig
hohen Leitfähigkeit und einem hohen Schmelzpunkt wie beispielsweise
Molybdänsilicid, Wolframsilicid, Tantalsilicid oder Titansilicid zu verwenden.
Andererseits kann für die Übertragungselektroden statt des
Poly-Siliziums irgendein anderes lichtdurchlässiges Material
mit geringer Leitfähigkeit wie Zinnoxid verwendet werden.
on Als nächstes zeigen die Fig. 4A bis 4D ein zweites Ausführungsbeispiel
der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung, wobei die Fig. 4A ein Elektrodenmuster zeigt, die Fig. 4B
einen Schnitt längs einer Linie A-A' in Fig. 4A zeigt, die Fig. 4C einen Schnitt längs einer Linie B-B' in Fig. 4A
zeigt und die Fig. 4D einen Schnitt längs einer Linie C-C in Fig. 4A zeigt; dabei sind gleiche Teile und Komponenten
wie die in den Fig. 3A bis 3D gezeigten mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet. Bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel
sind als Leitervorrichtungen Aluminium-Leitermuster 11' und 12' durch Aufdampfen oder dergleichen auf dem äußeren
Umfangsbereich außerhalb des Bildwinkels auf den Übertragungselektroden
5 und 6 sowie auf den Oberflächen in den Horizontalrichtungen der Übertragungselektroden gebildet.
Da bei dieser Gestaltung die Aluminiumleiter Teile der BiId-35
elemente überdecken, kann zwar eine der Wirkung bei dem
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ersten Ausführungsbeispiel nahezu gleiche Wirkung erzielt werden, jedoch wird das Apertur- bzw. Öffnungsverhältnis
geringfügig verringert. Offensichtlich ist dabei anzustre-,-ben, daß das horizontale Aluminium-Leitermuster im Bildfeld
des Bildaufnahmeteils dünn aufgebracht wird.
Die Fig. 5A und 5B zeigen ein drittes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung, wobei die Fig.
5A Elektroden zeigt, während die Fig. 5B einen Schnitt längs einer Linie E-E' in Fig. 5A zeigt. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist eine andere Ausführung der Leitervorrichtungen
für den Speicherteil 2 und das Horizontalschieberegister 3 gezeigt.
In den Darstellungen sind die gleichen Teile und Komponenten wie die in den Fig. 1 bis 4 gezeigten mit den gleichen Bezugszeichen
bezeichnet. Mit 15 ist eine Leiterschicht aus Aluminium oder dergleichen als Leitervorrichtung bezeichnet.
Diese Leiterschicht dient auch als Lichtabschirmschicht für 20
das Abschirmen des Speicherteils 2 und des Horizontalschieberegisters
3 gegenüber Licht.
Die Leiterschicht 15 für den Speicherteil 2 und eine Leiterschicht
15' für das Horizontalschieberegister 3 sind von-25
einander isoliert. Mit 14 und 14' sind Verbindungsbereiche
für das jeweilige Verbinden der Leiterschichten 15 bzw. 15'
mit den Übertragungselektroden 6 bzw. 7 an einer Vielzahl von Stellen bezeichnet. Wenn nach dem Bilden der Übertragungselektrode
6 gemäß Fig. 5B ein isolierender Oxidfilm 30
10 geformt wird, werden diese Verbindungsbereiche maskiert, um an diesen die Entstehung des Oxidfilms zu verhindern.
Wenn dann die Leiterschicht aufgedampft wird, werden durch diese Öffnungen hindurch die Leiterschicht 15 und die Übertragungselektroden
elektrisch verbunden. 35
-14- DE 4296
Bei dieser Gestaltung liegt eine vorteilhafte Wirkung darin, daß durch die Leiterschicht auch die Lichtabschirmung erzielt
werden kann.
Ferner können das Material für die Übertragungselektrode 6 und das Material für die Leiterschicht als Leitervorrichtung
die gleichen wie bei dem vorstehend beschriebenen ersten oder zweiten Ausführungsbeispiel sein.
Bei diesem dritten Ausführungsbeispiel sind mindestens drei oder mehr Verbindungsbereiche vorgesehen, so daß durch die
Leiterschicht die Bereiche in der Nähe der beiden Enden der Übertragungselektrode und der Bereich in der Nähe des mitt-,.
leren Bereichs kurzgeschlossen werden können.
Gemäß der vorstehenden Beschreibung hat als erfindungsgemäße
Halbleitervorrichtung die Ladungsübertragungsvorrichtung die Übertragungselektroden, die über der Isolierschicht auf
dem Halbleitersubstrat angeordnet sind und aus einem Matez(J
rial mit verhältnismäßig niedriger Leitfähigkeit bestehen,
und die Leitervorrichtungen, die längs der Oberflächen der Übertragungselektroden angeordnet sind und aus einem Material
mit verhältnismäßig hoher Leitfähigkeit bestehen, um
o_ Teile der Übertragungselektroden gegenseitig kurzzuschließen.
Daher kann eine Feinätzung der Übertragungselektroden ausgeführt werden und damit auch eine hohe Integration bzw.
Integrationsdichte herbeigeführt werden. Zugleich ist es möglich, damit das Glätten bzw. Abrunden der Kurvenformen
der Übertragungs- bzw. Steuersignale auszuschalten, so daß 30
die Übertragung mit hoher Geschwindigkeit vorgenommen werden kann und ein "Verwischen" verhindert werden kann. Vielerlei
weitere Vorteile bestehen darin, daß die Übertragungsleistung bzw. der Übertragungswirkungsgrad verbessert ist, daß
eine Abschattung verhindert werden kann usw. 35
-15- DE 4296
Es wird eine Festkörper-Halbleitervorrichtung angegeben, die als Bildsensor oder dergleichen benutzt wird. Diese Halbleitervorrichtung
hat Übertragungselektroden, die über einer c Isolierschicht oberhalb eines Halbleitersubstrats gebildet
sind und aus einem Material mit verhältnismäßig geringer Leitfähigkeit bestehen, und Leitervorrichtungen, die längs
den Richtungen der Oberflächen der Übertragungselektroden angeordnet sind, aus einem Material mit verhältnismäßig hoher
Leitfähigkeit bestehen und Kurzschlüsse zwischen Teilen der Übertragungselektroden bilden. Bei dieser Halbleitervorrichtung
sind die Signalübertragungseigenschaften der Übertragungselektroden verbessert.
Claims (1)
- Patentansprücheiy. Festkörper-Halbleitervorrichtung, gekennzeichnet durch ein Halbleitersubstrat (8), eine auf dem Halbleitersubstrat gebildete Isolierschicht (9), über der Isolierschicht gebildete Steuerelektroden (5 bis 7) zum Steuern einer Vielzahl von Potentialmulden in dem Halbleitersubstrat durch die Isolierschicht hindurch und längs der Steuerelektroden angeordnete Leitervorrichtungen (11 bis 15) zum · Korrigieren der Signalübertragungseigenschaften der Steuerelektroden.2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitfähigkeit der Leitervorrichtungen (11 bis 15) höher als diejenige der Steuerelektroden (5 bis 7) ist.3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Potentialmulden Ladungen sammeln, die durch fotoelektrische Wandlung erzielt sind.4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoelektrische Wandlung in dem Halbleitersubstrat (8) unter den Steuerelektroden (5) erfolgt.A/25-2- DE 42965. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,daß die Steuerelektroden (5) lichtdurchlässig sind.6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektroden (5) Poly-Silizium enthalten.7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitervorrichtungen (11 bis15) an von den Potentialmulden abliegenden Stellen angeordnet sind.8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitervorrichtungen (11 bis- r- 15) die Steuerelektroden (5 bis 7) zumindest nahe der Randloteile und nahe der Mittelteile kurzschließen.9. Festkörper-Halbleitervorrichtung, gekennzeichnet durch ein Halbleitersubstrat (8), eine Vielzahl von imHalbleitersubstrat ausgebildeten Elementen, über dem HaIb-20leitersubstrat gebildete Steuerelektroden (5 bis·7) zum gleichzeitigen Steuern der Elemente und längs der Steuerelektroden angeordnete Leitervorrichtungen (11 bis 15) zum Korrigieren der Signalübertragungseigenschaften der Steuer-n_ elektroden.
2510. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet daß die Leitfähigkeit der Leitervorrichtungen (11 bis 15) höher als diejenige der Steuerelektroden (5 bis 7) ist.11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektroden (5) lichtdurchlässig sind.12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeich-35net, daß die Steuerelektroden (5) Poly-Silizium enthalten.-3- DE 429613. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitervorrichtungen (11 bis 15) die Steuerelektroden (5 bis 7) zumindest nahe der Rand-g teile und nahe der Mittelteile kurzschließen.14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 13, dadurch gekennzeichnet· daß die Vielzahl der Elemente eine Ladungskopplungsvorrichtung bilden.15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Elemente jeweils Potentialmulden enthalten.16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Potentialmulden Ladungen sammelt, die durch fotoelektrische Wandlung erzielt sind.17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeich-net, daß die fotoelektrische Wandlung in dem Halbleiter-20substrat (8) unter den Steuerelektroden (5) erfolgt.18. Bildsensor, gekennzeichnet durch ein Halbleitersubstrat (8), eine Vielzahl im Halbleitersubstrat ausgebildeter Elemente, über dem Halbleitersubstrat gebildete Steuer-elektroden (5 bis 7) zum gleichzeitigen Steuern der Elemente, in dem Halbleitersubstrat gebildete Trennbereiche (CS) zum gegenseitigen Absondern der Elemente und Leitervorrichtungen (11 bis 15) zum Kurzschließen von zumindestder Steuerelektroden über den Trennbereichen und von ande-30ren Bereichen der Steuerelektroden.19. Bildsensor nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitfähigkeit der Leitervorrichtungen (11 bis 15)höher als diejenige der Steuerelektroden (5 bis 7) ist. 35-4- DE 429620. Bildsensor nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoelektrische Wandlung in dem Halbleitersubstrat (8) unter den Steuerelektroden (5) erfolgt.21. Bildsensor nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet,daß die Steuerelektroden (5) lichtdurchlässig sind.22. Bildsensor, gekennzeichnet durch ein Halbleitersubstrat (8), eine Vielzahl von in dem Halbleitersubstrat ausgebildeten Elementen, über dem Halbleitersubstrat gebildete Steuerelektroden (5 bis 7) für das gleichzeitige Steuern der Elemente und Leitervorrichtungen (14, 15) für die Lichtabschirmung von zumindest den ganzen Steuerelektroden und für das Kurzschließen zwischen Teilen der Steuerelektroden.23. Bildsensor, gekennzeichnet durch ein Halbleitersubstrat (8), eine Vielzahl von in dem Halbleitersubstrat ausgebildeten Elementen, über dem Halbleitersubstrat gebildete Steuerelektroden (5 bis 7) für das gleichzeitige Steuern der Elemente und Leitervorrichtungen (11 bis 15), die an den Steuerelektroden zumindest Teile von Elektrodenabschnitten gegenseitig kurzschließen, die nicht die Elemente überdecken.
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