DE3345238A1 - Festkoerper-bildaufnahmewandler - Google Patents
Festkoerper-bildaufnahmewandlerInfo
- Publication number
- DE3345238A1 DE3345238A1 DE19833345238 DE3345238A DE3345238A1 DE 3345238 A1 DE3345238 A1 DE 3345238A1 DE 19833345238 DE19833345238 DE 19833345238 DE 3345238 A DE3345238 A DE 3345238A DE 3345238 A1 DE3345238 A1 DE 3345238A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- signal
- signals
- elements
- gate
- sit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 102100021934 Cyclin-D1-binding protein 1 Human genes 0.000 claims 1
- 101000897488 Homo sapiens Cyclin-D1-binding protein 1 Proteins 0.000 claims 1
- 101000651236 Homo sapiens NCK-interacting protein with SH3 domain Proteins 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000406668 Loxodonta cyclotis Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14679—Junction field effect transistor [JFET] imagers; static induction transistor [SIT] imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
- H04N3/1506—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation with addressing of the image-sensor elements
- H04N3/1512—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation with addressing of the image-sensor elements for MOS image-sensors, e.g. MOS-CCD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
WUESTHOFF-v.PECHMANN-BEHRENS-GOeTZ "·'»'>"«»* wuestho» („.7-19,«)
EUROPEAN PATENTATTORNEYS dipl.-chem. dr. e. Freiherr von pechmann
Olympus Optical Company Ltd., Tokyo D-8000 MÜNCHEN 90
Jun-ichi NISHIZAWA, Sendai City Schweigerstrasse2
TEtEFON: (089)6620 JI
TELEGRAMM: PROTECTPATENT TELEX! 524070
Beschreibun g^"5? 839
Festkörper-Bildaufnahmewandler
Die Erfindung bezieht sich auf einen Festkörper-Bildaufnahmewandler
mit Verschlußfunktion aus Wandler-Elementen mit einem SIT (static induction Transistor) als Festkörper-
Abbildungs- bzw. Bildelemente.
Bezüglich der allgemeinen Eigenschaften von SIT wird auf den Artikel "Static Induction Transistor Image Sensors" von Junichi
Nishizawa et al, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.ED-26, No.12, Dec, 1979, S.1970-1977 verwiesen.
In der Vergangenheit hat ein Festkörper-Bildaufnahmewandler weite Verbreitung gefunden, dessen Bildelemente eine
ladungsgekoppelte Einrichtung (CCD) oder einen MOS-Transistor aufweisen. Zur Zeit wird versucht, diese Elemente durch
SIT-Elemente zu ersetzen.
Beispielsweise zeigt Fig. 1 die Schaltung eines Festkörper-Bildaufnahmewandlers, der von einer Vielzahl von
SIT-Elementen mit isolierter Gate-Elektrode gebildet wird,
die in Matrixform angeordnet sind. Fig. 2 zeigt ein Impuls/Zeitdiagramm zur Erläuterung der Arbeitsweise der
SIT-Elemente mit isolierter Gate-Elektrode, die in der in
57 839
Fig. 1 gezeigten^-Matrix^-angeprunet: sind. Die jeweiligen
SIT-Elemente 1-1.1, 1-1.2, ... 1-2.1, 1-2.2, ... bestehen aus η-Kanal SIT-Elementen, die normalerweise nicht leitend
sind, und bilden ein Bildelement bzw. -zelle (auch Wandlerzelle oder Wandler-Bildelement genannt). Jedes Bildelement
empfängt das auftreffende Licht und erzeugt Videosignal-Ausgangssignale, die von einem XY-Adreßsystem ausgelesen
werden. Wie in Fig. 1 gezeigt ist, haben die jeweiligen SIT-Elemente 1-1.1, 1-1.2, ..., 1-2.1, 1-2.2,
Source-Elektroden, die mit den jeweiligen vertikalen Abtastleitungen 2-1, 2-2, ... verbunden sind, Drain-Elektroden,
die mit einer Referenzspannungsquelle (bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel der Bezugsspannung) verbunden
sind, und Gate-Elektroden, die mit den jeweiligen horizontalen Abtastleitungen 3-1, 3-2, ... verbunden sind.
Die horizontalen Abtastleitungen 3-1» 3-2, ... werden nacheinander durch Signale <j>G-|, OG2, ··· angewählt, die von
einem nichtgezeigten Horizontalregister erzeugt werden. Die vertikalen Abtastleitungen 2-1, 2-2, ... werden nacheinander
durch entsprechende Leitungs-Wählschalter 4-1, 4-2, ...
ausgewählt und mit einer Signal-Ausleseleitung 5 verbunden; die Leitungs-Wählschalter 4-1, 4-2, ... werden durch Signale
<j>S-], §$2>
··· leitend geschaltet, die während einer ausgewählten Periode einer horizontalen Abtastleitung von
einem nichtgezeigten Vertikalregister erzeugt werden.
I
!
!
Wenn das Signal öS-], dejssen Dauer gleich einer
Zeilenabtastperiode (Fig. 2a) ist, an den Leitungs-Wählschalter 4-1 der vertikalen Abtastleitung 2-1 von dem
Vertikalregister angelegt wird, wird der Leitungs-Wählschalter 4-1 leitend und die Source- und Drainelektroden der
entsprechenden SIT-Elemente 1-1.1, 1-1.2, ..., die den jeweiligen Bildelementen in Horizontalrichtung entsprechen,
werden während einer Zeilenabtastperiode mit einer bestimmten Spannung vorgespannt. Wenn in diesem Zustand das
in Fig. 2c gezeigte Signal d>G -j an die horizontale
Abtastleitung 3-1 von dem Horizontalregister angelegt wird,
wird das SIT-Elemenv 1-1.1 "a'viagewählt;' so daß ein Strom, der
äquivalent zu der durch das Licht hervorgerufenen Ladung ist, die in der Gate-Kapazität Cg des SIT-Elements 1-1.1
gespeichert ist, und eine Größe entsprechend der einfallenden Lichtmenge hat, durch einen Lastwiderstand 7,
den Transistorschalter 4-1 und das SIT-Element 1-1.1 von
einer Energiequelle 6 fließt. Infolge hiervon liegt ein variabler Anteil des Spannungsabfalls, der am Lastwiderstand
7 erzeugt wird, an einem Ausgangsanschluß 8 als Ausgangsspannung entsprechend der auf das SIT-Element 1-1.1
einfallenden Lichtmenge an. Auf diese Weise wird, nachdem die den auftreffenden Lichtmengen entsprechenden
Ausgangssignale mittels der vertikalen Abtastleitung 2-1 nacheinander aus den entsprechenden SIT-Elementen 1-1.1,
1-2.2, ... ausgelesen worden sind, die folgende vertikale Abtastleitung 2-2 mittels des in Fig. 2b gezeigten Signals
iS2 des Vertikalregisters ausgewählt, so daß die von dem
Horizontalregister erzeugten Signale <|>G-|, d>G2, ... (Fig. 2c
und 2d) die entsprechenden SIT-Elemente 1-2.1, 1-2.2, ...
treiben, deren Source- und Drainelektroden durch die vertikale Abtastleitung 2-2 in gleicher Weise wie vorstehend
erläutert vorgespannt sind und deren Ausgangssignale nacheinander ausgelesen werden. Diese Vorgänge werden
nacheinander wiederholt, so daß das gewünschte Bildaufnahme-Ausgangssignal erhalten wird.
Bei dem. vorstehend beschriebenen bekannten Festkörper-Bildaufnahmewandler
kann das Auslesen des Signals und das Rücksetzen des Signals gleichzeitig für die entsprechenden
SIT-Elemente, die die Bildelemente bilden, durchgeführt werden, so daß lediglich eine Verschlußgeschwindigkeit mit
bestimmter Dauer erhalten werden kann, die durch die Abtastperiode von dem Zeitpunkt, an dem das SIT-Element
1-1.1 gewählt wird, bis zu dem Zeitpunkt bestimmt ist, an dem das gleiche SIT-Element 1-1.1 erneut gewählt wird. Unter
der Voraussetzung, daß beispielsweise der Leitungs-Wahlschalter 4-1 durch das Signal iS·) leitend ist, so daß
BAD ORIGINAL
die Spannung de"r* Energiequelle* 6°* an der vertikalen
Abtastleitung 2-1 anliegt, wenn das Signal 0G1 an der horizontalen Abtastleitung 3-1 anliegt, wird ein Teil der
Ladung, die in der Gate-Kapazität Cg entsprechend der einfallenden Lichtmenge für das andere SIT-Element 1-2.1
gespeichert ist, das nicht von der horizontalen Abtastleitung 3-1 angewählt ist, durch dessen Source-Elektrode
entladen.
Bei einem Fernseh-Bildaufnahmesystem sind SIT-Elemente in
etwa 500 Zeilen angeordnet, so daß die durch die Ladung erzeugte Lichtmenge um ca. 20 bis 30% gegenüber der ursprünglichen
Ladungssignalmenge abnimmt. Diese Abnahme kann nicht ignoriert werden und führt zu einem ungleichmäßigen oder
verschmierten Bild.
Bei dem vorstehend beschriebenen Festkörper-Bildaufnahmewandler sind die SIT-Elemente, von denen jedes eine Bildzelle
bildet, in einer Matrix angeordnet und können lediglich gemeinsam rückgesetzt werden, nachdem die Signale für
das gesamte Bild ausgelesen worden sind. Zur Erhöhung der Verschlußgeschwindigkeit muß ein äußerer mechanischer Verschluß
als Belichtungs-Steuerverschluß vorgesehen werden.
Es ist Aufgabe der Erfindung, di
e vorstehend beschriebenen
Nachteile der herkömmlichen Festkörper-Bildaufnahmewandler zu beseitigen und einen Wandler mit einer elektronischen
Verschlußfunktion zu schaffen, der in der Lage ist, ein Bild mit hoher Empfindlichkeit und Qualität dadurch aufzunehmen,
daß SIT-Bildsensoren verwendet werden, die aus SIT-Elementen
als Bildzellen bestehen.
Eine diese Aufgabe lösender Bildaufnahmewandler ist mit seinen Ausgestaltungen in den Patentansprüchen gekennzeichnet.
Erfindungsgemäß werden die Auslese-Signalimpulse an die Gate-Signalleitung angelegt, wobei die Licht-Ausgangssignale
aus den SIT-Elementen der gleichen Gate-Signalleitung gleichzeitig ausgelesen werden. Die derart ausgelesenen Aus-
gangssignale werden—gleichz'ettTg iff dem Schieberegister gespeichert
und in Zeitseriensignale während der Zeitdauer bis zu den nächsten Lichtausgangssignalen umgesetzt, die ebenfalls
gleichzeitig von den SIT-Elementen der nächsten Gate-Signalleitung
ausgelesen werden. Hierdurch erhält man Videosignale, so daß keine Auslese-Signalimpulse an die SIT-EIemente
angelegt werden, auf die nicht zugegriffen werden soll Deshalb tritt eine Abnahme der gespeicherten Ladung in den
Zellen, auf die nicht zugegriffen wird, im Gegensatz zu herkömmlichen Wandlern nicht auf, so daß die Bildqualität durch
das Bildaufnahme-Ausgangssignal verbessert werden kann. Darü berhinaus ist es sehr einfach, die in den SIT-Elementen gespeicherten
Ladungen zu dem Zeitpunkt einer Gate-Signalleitung-Einheit (eine Leitung) rückzusetzen und eine Bildaufnahme
mit einem Zeilensprungsystem zu erhalten, wenn SIT-EIe mente als Bildelemente verwendet werden, so daß ein Festkörper-Bildaufnahmewandler
mit Verschlußfunktion mit hoher Empfindlichkeit und Bildqualität erhalten wird.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind anhand einer Zeichnung näher erläutert, in der zeigt:
Fig. 3 einen Schaltplan eines ersten Ausführungsbeispiels des Festkörper-Bildaufnahmewandlers,
Fig. 4 ein Impuls/Zeit-Diagramm der verschiedenen Signale des in Fig. 3 gezeigten Wandlers,
Fig. 5 einen Schaltplan eines weiteren Ausführungsbeispiels des Festkörper-Bildaufnahmewandlers, und
Fig. 6 einen Querschnitt zur Erläuterung des Aufbaus eines Bildsensors aus SIT-Elementen der Wandler.
Wie bekannt ist, haben die SIT-Elemente eine hohe Lichtempfindlichkeit
und ein hervorragendes Integrationsvermögen.
- 05 -
BAD ORfGINAL
."". "■·: 57 839
Die Erfindung verwe'n'det einen" 'S'lT-B'i ld sensor,' der dadurch
entsteht, daß derartige SIT-Elemente, von denen jedes ein
Einzelelement für eine Bildzelle bzw. ein Bildelement bildet, in Matrixform angeordnet werden.
In Fig. 3 sind mit den Bezugszeichen 1-1.1 bis 1-1.η SIT-Elemente
bezeichnet, die einen Kondensator bzw. eine Kapazität Cg haben, die mit den entsprechenden Signalspeicher-Gate-Elektroden
verbunden ist. Die SIT-Elemente sind in einer Matrix angeordnet und haben Gate-Elektroden, die über entsprechende
Kondensatoren Cg mit Gate-Signalleitungen 2-1 bis 2-n verbunden sind, während ihre Drain-Elektroden mit entsprechenden
Signal-Ausleseleitungen 3-1 bis>3-n verbunden sind.
Die Gate-Signalleitungen 2-1 bis 2-n sind mit einem Vertikal-Schieberegister 9 verbunden. Die Gate-Signalleitungen 2-1 bis
2-n sind mit einem Vertikal-Schieberegister 9 verbunden. Die entsprechenden Signal-Ausleseleitungen 3-1 bis 3-n sind über
in Serie geschaltete Ausleseleitung-Steuerschaltelemente 4-1 bis 4-n und Schaltelemente 5-1 bis 5-n mit Entnahme Gate-Elektrode
mit der entsprechenden Registereinheit eines Schieberegisters verbunden, beispielsweise einem Schieberegister 6
(im Folgenden als CCD-Schieberegister bezeichnet), das Ladungsübertragungseinrichtungen
verwendet, die von Transferimpulsen O1 und 02 betrieben werden. Mit 7-1 bis 7-n sind
Lasttransistoren zum Anlegen einer Vorspannung Vs an die entsprechenden SIT-Elemente bezeichnet, wenn die Steuerschaltelemente
4-1 bis 4-n für die Ausleseleitung durch ein Steuersignal LC leitend gemacht werden.
Im Folgenden soll angenommen werden, daß bei dem vorstehend beschriebenen Wandler Rücksetzsignal-Impulse mit einem Potential
größer als O V (mit Gr in Fig. 4 bezeichnet) an die Gate-Signalleitung 2-1 angelegt sind. In diesem Fall nimmt
die Signalspeicher-Gate-Elektrode aller SIT-Elemente 1-1.1 bis 1-1.n, die mit der Gate-Signalleitung 2-1 verbunden sind,
positives Potential an. Hierdurch wird der PN-Übergang zwi-
- 06 -
sehen der Gate- und"äei* Soürce'-Elefc'trode des SIT-Elements in
Vorwärtsrichtung vorgespannt, so daß die in den Signalspeicher-Gate-Elektroden gespeicherten Ladungen abfließen können,
so daß die an der Signalspeicher-Gate-Elektrode anliegende Spannung einen konstanten Wert annimmt, der durch die Kapazität
der Elektrode bestimmt wird. Die jeweiligen Steuerschaltelemente 4-1 bis 4-n für die Ausleseleitung empfangen
während einer Zeitdauer, während der mindestens Rücksetzsignal-Impulse Gr an den Gate-Signalleitungen 2-1 bis 2-n
angelegt sind, Steuersignale LC (Fig. 4c), die die Signal-Ausleseleitungen
3-1 bis 3-n abschalten. Deshalb wird das Potential der Signal-Ausleseleitungen 3-1 bis 3-n während
der Zeit, in der die Rücksetzsignal-Impulse Gr an der Gate-Signalleitung
2-1 anliegen, schwebend, so daß die Signale, die durch die Rücksetzsignal-Impulse Gr aus den Signalspeicher-Gate-Elektroden
der entsprechenden SIT-Elemente, die mit den Gate-Signalleitungen 2-1 verbunden sind, ausgelesen
werden, ohne daß sie an dem Schieberegister 6 anliegen, so daß die entsprechenden SIT-Elemente sicher rückgestellt werden.
Wenn nach einer Zeit T ein Auslesesignal-Impuls Rs an der
Gate-Signalleitung 2-1 anliegt, ergibt sich die Spannung der Signalspeicher-Gate-Elektrode der SIT-Elemente, die mit der
Gate-Signalleitung 2-1 verbunden sind, als Summe der Spannung, die durch die Ladung hervorgerufen wird, die in dem PN-Übergang
einer Photodiode, die in der Signalspeicher-Gate-Elektrode gebildet wird, während der Zeit T gespeichert wird,
und der Spannung des angelegten Auslesesignal-Impulses, so daß die entsprechenden SIT-Elemente durchgeschaltet werden
und damit Lichtsignale aufgrund der entsprechend dem Lichteingangssignal gespeicherten Ladung gleichzeitig aus den
entsprechenden SIT-Elementen ausgelesen werden können. In
diesem Falle werden die Steuerschaltelemente 4-1 bis 4-n für die Ausleseleitung, die die entsprechenden Signalausleseleitungen
3-1 bis 3-n ein- bzw. ausschalten, durchgeschaltet.
- 07 -
BAD ORIGINAL
Die entsprechenden'Schaltelemente 5-1*bis 5-n für die Entnahme
Gate-Elektroden sind so aufgebaut, daß Impulse mit der gleichen Impulsdauer synchron zu den Auslesesignal-Impulsen
(Fig. 4d) als Steuersignal SG angelegt werden, wodurch sie gleichzeitig durchgeschaltet werden, so daß die Ausgangssignale
der jeweiligen SIT-Elemente, die mit derselben Gate-Signalleitung
verbunden sind, beispielsweise der Leitung 2-1, gleichzeitig an die entsprechenden Registereinheiten
des Schieberegisters 6 angelegt werden. Fig. Me zeigt ein
Bildsignal S einer horizontalen Abtastleitung (entsprechend der Gate-Signalleitung), das gleichzeitig an das Schieberegister
6 angelegt wird.
Der vorstehend beschriebene Vorgang wird während einer Feldperiode
für die gleiche Gate-Signalleitung ausgeführt, so daß die Rücksetzsignal-Impulse Gr, Gr' einer horizontalen
Abtastperiode H und die Auslesesignal-Impulse Rs, Rs1 nacheinander
an die entsprechenden Gate-Signalleitungen 2-1 bis 2-n angelegt werden; hierdurch kann ein gleichzeitiges Auslesen
der Lichtausgangssignale der SIT-Elemente, die mit der gleichen Gate-Signalleitung verbunden sind, in der Zeitdauer
1H (in Fig. 4e S', S", ...) für jede Gate-Signalleitung sukzessive
durchgeführt werden. Die derart ausgelesenen Bildsignale werden gleichzeitig in den entsprechenden Registereinheiten
des CCD-Schieberegisters 6 gespeichert. Während einer 1H-Zeitdauer vor dem Auslesen der Ausgangssignale der
SIT-Elemente, die mit der folgenden Gate-Signalleitung, beispielsweise 2-2 verbunden sind, werden die gespeicherten
Bildsignale vollständig zu der Ausgangsseite durch Taktimpulse <j>i, <j>2 verschoben und in ein zeitserielles Signal So
umgesetzt, das als Video-Ausgangssignal an einem Ausgangsanschluß 8 ansteht. Dabei wird angenommen, daß die Taktimpulse
(j»1 und <i>2 mit den Auslesesignal-Impulsen Rs und Rs1 synchronisiert
sind.
In gleicher Weise werden die jeweiligen Gate-Signalleitungen
- 08 -
2-1 bis 2-n und die"*Signal-AüsIesel"eiVungen 3-1 bis 3-n nach
einander eingeschaltet, so daß am Video-Ausgangsanschluß 8 ein Videosignal So (Fig. 4f) für ein vollständiges Bild ansteht.
Das Videosignal So wird dabei dadurch erhalten, daß eine Belichtung mit der in Fig. 4a angegebenen Zeit T ausgeführt
wird. Diese Belichtungszeit T, d.h. die Verschlußzeit bzw. Verschlußgeschwindigkeit kann nach Wunsch dadurch in
jeder horizontalen Abtastperiode H dadurch eingestellt werden, daß der Zeitpunkt der Rücksetzsignal-Impulse Gr und Gr'
geändert wird.
In den Fig. 4a und 4b bezeichnet γ k eine ausgewählte Gate-Signalleitung
und -γ k+1 die nächste Gate-Signalleitung, die
auf die ijik n-te Gate-Signalleitung folgt.
Fig. 5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel für einen erfindungsgemäßen
Festkörper-Bildaufnahmewandler, bei dem eine Zeilensprungabtastung unter Verwendung des in Fig. 3 gezeigten
Wandlers ausgeführt werden kann. Dabei tragen entsprechende Teile die gleichen Bezugszeichen. Der grundlegende
Aufbau dieses Ausführungsbeispiels gleicht dem des in Fig. 3 gezeigten Wandlers mit der Ausnahme, daß die Rücksetzsignal-Impulse
Gr, Gr1 und die Auslesesignal-Irapulse Rs, Rs1 (siehe
Fig. 4), die an die entsprechenden Gate-Signalleitungen 2-1 bis 2-n von einem Vertikal-Abtastregister 9 angelegt werden,
alternierend an Gate-Signalleitungen 2-1, 2-3 > -·· mit ungerader
Nummer und Gate-Signalleitungen 2-2, 2-4, ... mit gerader Nummer während einer Feldperiode durch Schaltelemente
10-1 bis 10-n zur Leitun,gsumschaltung angelegt werden, die
durch Steuersignale (J)F ein- und ausgeschaltet werden. Das
Signal oF nimmt alternierend in jeder Feldperiode den Pegel "1" bzw. "0" an.
Die Steuersignale §F, die den Pegel "1" bei ungeradem und
den Pegel "0" bei geradem an den Eingangsanschluß 11 angelegten Feld haben, sind in zwei Teile geteilt. Die eine Hälf
- 09 -
-... 57 839
Ί :.:. . /is/ .:*·;.;; 33Λ5238
te der Steuersignale* if schäite't d'i'e Schaltelemente 10-1,
10-3, ... mit ungerader Nummer während der ungerade numerierten Feldperioden durch, so daß nacheinander die Treibersignale
Gr und Rs an den Gate-Signalleitungen 2-1, 2-3, ···
mit ungerader Nummer anliegen. Die andere Hälfte der Steuersignale oF wird an die Schaltelemente 10-2, 10-4 zum Durchschalten
der Leitungen mit gerader Nummer über eine Inverterschaltung 12 angelegt und schaltet die Schaltelemente 10-2,
TO-4, ... während der Feldperioden mit gerader Nummer durch,
so daß nacheinander Rücksetzsignal-Impulse Gr und Auslesesignal-Impulse
Rs an die Gate-Signalleitungen 2-2, 2-4, ... mit gerader Nummer von dem Vertikal-Abtastregister 9 angelegt
werden.
Bei dem Ausführungsbeispiel ist die Beziehung zwischen dem Rücksetzvorgang und dem Signalauslesevorgang die gleiche wie
bei dem vorigen Ausführungsbeispiel mit der Ausnahme, daß die entsprechenden Bildaufnahme-Ausgangssignale während gerade
bzw. ungerade numerierten Feldperioden durch Zeilensprungabtastung erhalten werden, so daft auf eine Erklärung
verzichtet werden kann. Auf diese Weise können am Video-Ausgangsanschluß
8 Videosignale bestehend aus geraden und ungeraden Feldsignalen erhalten werden.
Um Videosignale für Fernseh-Standardsysteme zu erhalten, ist
es notwendig, die folgenden numerischen Werte zu verwenden: 490 oder mehr vertikale Bildelemente, 400 bis 700 horizontale
Elemente, eine Impulsperiode für Φθ von 1H=63,5 usec,
die nacheinander an die entsprechenden Gate-Signalleitungen 2-1 bis 2-n angelegt werden {4G ist ein Gattungsname für die
Rücksetzsignal-Impulse Gr, Gr1, ... und die Auslesesignal-Impulse
Rs, Rs1, ...), sowie eine Impulsdauer von ca. 100 nsec und eine Impulsfrequenz von 6 MHz bis 10 MHz für die
Treiberimpulse <j>-|, j>2 des CCD-Schieberegisters 6 in Verbindung
mit den horizontalen Bildelementen. Wenn die Auslesesignal-Impulse Rs und die Rücksetzsignal-Impulse Gr konti-
- 10 -
nuierlich an dieselbe Gate-5i"gnalleitung angelegt werden,
ist die Speicherzeit für die aufgrund des Lichts hervorgerufene Ladung des SIT-Elements, das jeweils ein Bildelement
bildet, 1V=33,3 msec, so daß Laufbilder mit 30 Bildern pro Sekunde aufgenommen werden können.
Fig. 6 zeigt einen Querschnitt eines Bildaufnahmesensors mit SIT-Elementen, der den vorstehend beschriebenen erfindungsgemäßen
Festkörper-Bildaufnahmewandler verwendet.
In Fig. 6 bezeichnet das Bezugszeichen 13 ein Siliziumsubstrat, auf dem ein SIT-Element 1, ein η-Kanal MOS-Transistor
4, der das Steuerschaltelement für eine Ausleseleitung bildet, ein CCD-Element 5, das das Schaltelement für die Entnahme
Gate-Elektrode bildet, und ein CCD-Schieberegister 6 einteilig ausgebildet sind. Mit dem Bezugszeichen 14 ist in
Fig. 6 eine SIT-Signalspeicher-Gate-Elektrode bezeichnet,
während 15 eine SIT-Source-Elektrode, 16 ein isoliertes Gate
des SIT-Elements, 17 eine SIT-Drain-Elektrode und 18, 19 und
20 Source-Gate- bzw. Drain-Elektroden des MOS-Transistors 4 bezeichnen; 21 ist ein Abschirmwiderstand. Der Abschirmwiderstand
21 und der Lastwiderstand 7 sind mit einer Spannungsversorgungsquelle Vs verbunden. Mit 22 ist ein Eingangsanschluß für ein Steuersignal LC für eine Signalausleseleitung
bezeichnet, während 23 einen Eingangsanschluß für das Auslese-Steuersignal SG, 24 einen Eingangsanschluß für den
Treiber-Taktimpuls des CCD-Schieberegisters 6 und 25 einen Verbindungsanschluß für eine Gate-Signalleitung bezeichnen.
Bei den in den Fig. 3 und 5 gezeigten Ausführungsbeispielen werden CCD-Elemente als Schieberegister 6 verwendet; das CCD-Schieberegister
6 kann jedoch durch einen Aufbau ersetzt werden, bei dem die entsprechenden Signal-Ausleseleitungen 3-1
bis 3-n mit Kondensatoren versehen sind, die die ausgelesenen Signale halten; diese Kondensatoren werden nacheinander mittels
Transistoren abgetastet, die durch ein weiteres digita-
- 11 -
BAD ORIGINAL
OO 57839 334523E
les Schieberegister betätigt werden, wodurch die in Fig. Hf
gezeigten zeitseriellen Signale erhalten werden.
"BAD ORIGINAL
/IG Leerseite
Claims (8)
- PATEKTAN^'Äl-Τζ .Γ-.Ι - dr.-ing. fran7 vlfsthoffWUESTHOFF-v.PECHMANN-BEHRENS-GOETZ »»■«•»■»«»«»»»»(„DIPL.-1NG. GFRHAKD PUlS (1952-1971)EUROPEAN PATENTATTORNEYS uipl.-cmi m. dr. f. frf inr rr von pech.DR.-ING. DIETER BEHRENSDIP1..-INC.; DIPL.-TIRTSCH.-ING. RUPERTD-8000 MÜNCHEN 90 Olympus Optical, Tokyo /. schvc-i-igf.rstrassf^Jun-ichi NISHIZAWA, Sendai City telefon: (osy)66 20 j.TELEGRAMM: PROTECTrATENT TELEX: J 24 07057 839-Ansprüche\\J Festkörper-Bildaufnahraewandler mit einer Vielzahl von Bild- bzw. Wandlerelementen aus jeweils einem SIT (staticinduction transistor), die in Form einer Matrix angeordnet sind, einer Einrichtung, die gleichzeitig Gate-Signale an die Bildelemente in der jeweiligen Reihe der Matrix anliegt, einer Einrichtung, die Gate-Signale erzeugt und die Einrichtung zum Anlegen der Gate-Signale abtastet, einer Einrichtung, die die in den Bildelementen, die in der jeweiligen Spalte der Matrix angeordnet sind, gespeicherten Lichtsignale ausliest,gekennzeichnet durch eine Einrichtung (6), die gleichzeitig und zeitweise die in den Elementen jeweils der gleichen Reihe gespeicherten Lichtsignale speichert und sie in zeitserielle Signale umsetzt, und eine Einrichtung (4, 5) die mit der Signalausleseeinrichtung (3) und der Einrichtung zum zeitweisen Speichern (6) zur Steuerung der Verbindung zwischen diesen Einrichtungen verbunden ist.
- 2. Wandler nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Anlegen eines Gate-Signals aus einer Vielzahl von Gate-Signalleitungen (2) besteht.
- 3. Wandler nach Anspruch 1 oder 2,dadurch gekennzeichnet , daß die· EinrichtungBAD ORIGINALzum Signalauslesen aus einer Vielzahl von Signal-Ausleseleitungen (3) besteht.
- 4. Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 3,dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung, die ein Gate-Signal erzeugt, ein Vertikal-Abtastregister (9) ist.
- 5. Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 4,dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung, die die Signale zeitweise speichert und umwandelt, ein Schie beregister (6) mit einer Vielzahl von Registereinheiten ist.
- 6. Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 5,dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung eine Vielzahl von Leitungs-Steuerschaltelementen (4), die durchgeschaltet sein können oder sperren, sowie eine Vielzahl von Schaltelementen (5) mit Entnahme aus der Gate-Elektrode aufweist, die durchgeschaltet sein können oder sperren können, und daß jeweils ein Leitungs-Steuerschaltelement (4) und ein Schaltelement (5) mit Gate-Elektrodenentnahme zwischen die entsprechenden Signal-Ausleseleitungen (3) und das Schieberegister (6) geschaltet ist.
- 7. Wandler nach Anspruch 6,dadurch gekennzeichnet, daß die Auslesesignal-Impulse und die Steuersignale zum Steuern der Schaltelemente mit Taktimpulsen zum Betreiben des Schieberegisters (6) synchronisiert sind, und daß die Signale der Wandlerelemente einer Reihe, die in dem Schieberegister gespeichert sind, verschoben werden, bevor die Auslesesignal-Impulse an die nächste Gate-Signalleitung (2) angelegt werden, um so die Speicherung der Eingangssignale vorzubereiten, die gleichzeitig durch Anlegen der Auslesesignale an die nächste Gate-Signalleitung ausgelesen werden.8AO ORIGINAL
- 8. Wandler nach Anspruch 2,dadurch gekennzeichnet, daß die Gate-Signalleitungen mit ungerader Nummer und die Gate-Signalleitungen mit gerader Nummer alternierend in Verknüpfung mit der Feldperiode angesteuert werden, und daß die Bildsignale, die den gespeicherten Ladungen gemäß dem Lichteingangssignal entsprechen, gleichzeitig aus den SIT-Elementen (1) auf den Gate-Signalleitungen (2) ausgelesen werden, die nacheinander mit einer Zeilenperiode ausgewählt werden, um ein Video-Ausgangssignal mit Zeilensprung zu erhalten.ν 9- Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß Rücksetzsignal-Impulse, die ein ausreichendes positives Potential zum Durchschalten des PN-übergangs zwischen der Gate- und der Drain-Elektrode des SIT-Elements in Vorwärtsrichtung haben und deren Zeitpunkt vor dem Zeitpunkt des Auslesesignal-Impulses liegt, an die entsprechenden Gate-Signalleitungen angelegt werden, um einen Auslesevorgang nach dem Verstreichen einer Zeitspanne entsprechend der gewünschten Belichtungszeit zu ermöglichen, so daß nacheinander die gespeicherten Ladungen der SIT-Elemente jeder Gate-Signalleitung rückgesetzt werden und die Belichtungszeit voni dem Zeitpunkt des Rücksetzvorgangs bis zu dem Zeitpunkt dies Auslesevorgangs nach Wunsch für jeden Leitungszeitpujnkt durch Ändern des Rücksetzzeitpunkts eingestellt werdjen kann.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57217758A JPS59108463A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3345238A1 true DE3345238A1 (de) | 1984-06-14 |
DE3345238C2 DE3345238C2 (de) | 1986-10-09 |
Family
ID=16709277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3345238A Expired DE3345238C2 (de) | 1982-12-14 | 1983-12-14 | Festkörper-Bildaufnahmewandler |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4626916A (de) |
JP (1) | JPS59108463A (de) |
DE (1) | DE3345238C2 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0187047A2 (de) * | 1984-12-26 | 1986-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Bildsensoranordnung |
EP0332778A2 (de) * | 1988-03-14 | 1989-09-20 | General Electric Company | Ladungsinjektionseinrichtungssensor |
USRE34309E (en) * | 1984-12-26 | 1993-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor device having plural photoelectric converting elements |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0658949B2 (ja) * | 1986-01-08 | 1994-08-03 | 財団法人半導体研究振興会 | 半導体撮像装置 |
JPH0650771B2 (ja) * | 1986-09-13 | 1994-06-29 | 財団法人半導体研究振興会 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US4835617A (en) * | 1986-09-22 | 1989-05-30 | Hitachi, Ltd. | Image pickup device for television cameras having a shutter function for a photodiode matrix operated using MOS switches |
US4875100A (en) * | 1986-10-23 | 1989-10-17 | Sony Corporation | Electronic shutter for a CCD image sensor |
JPS6442992A (en) * | 1987-08-08 | 1989-02-15 | Olympus Optical Co | Solid-state image pickup device |
US4959723A (en) * | 1987-11-06 | 1990-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus having multi-phase scanning pulse to read out accumulated signal |
JPH01210871A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 表面電位分布と対応する電気信号の発生装置 |
US4912537A (en) * | 1988-06-24 | 1990-03-27 | Polaroid Corporation | Image sensing array with charge isolation |
JP3169327B2 (ja) * | 1995-10-26 | 2001-05-21 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置 |
JP3962431B2 (ja) * | 1995-11-07 | 2007-08-22 | カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー | 高ダイナミックレンジのリニア出力を有する画像センサ |
US6088058A (en) * | 1997-05-29 | 2000-07-11 | Foveon, Inc. | Capacitive coupled bipolar active pixel imager having overflow protection and electronic shutter |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5515229A (en) | 1978-07-18 | 1980-02-02 | Semiconductor Res Found | Semiconductor photograph device |
DE2939490A1 (de) * | 1979-09-28 | 1981-04-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Monolithisch integrierter zweidimensionaler bildsensor mit einer differenzbildenden stufe |
DE3039264A1 (de) * | 1979-10-19 | 1981-04-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka | Festkoerper-bildabtastvorrichtung und deren ladungsuebertragungsverfahren |
DE2952159A1 (de) * | 1979-12-22 | 1981-06-25 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Ir-bildaufnahmeeinrichtung |
EP0096725A1 (de) * | 1981-12-17 | 1983-12-28 | NISHIZAWA, Junichi | Halbleiterbildaufnahmevorrichtung |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2936703A1 (de) * | 1979-09-11 | 1981-03-26 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Monolithisch integrierte schaltung mit einem zweidimensionalen bildsensor |
JPS56152382A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Hitachi Ltd | Solid image pickup element |
JPS5813079A (ja) * | 1981-07-16 | 1983-01-25 | Olympus Optical Co Ltd | イメ−ジセンサ |
DE3138294A1 (de) * | 1981-09-25 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Zweidimensionaler halbleiter-bildsensor mit steuerung oder regelung der integrationszeit |
-
1982
- 1982-12-14 JP JP57217758A patent/JPS59108463A/ja active Pending
-
1983
- 1983-11-29 US US06/556,050 patent/US4626916A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-12-14 DE DE3345238A patent/DE3345238C2/de not_active Expired
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5515229A (en) | 1978-07-18 | 1980-02-02 | Semiconductor Res Found | Semiconductor photograph device |
DE2939490A1 (de) * | 1979-09-28 | 1981-04-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Monolithisch integrierter zweidimensionaler bildsensor mit einer differenzbildenden stufe |
DE3039264A1 (de) * | 1979-10-19 | 1981-04-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka | Festkoerper-bildabtastvorrichtung und deren ladungsuebertragungsverfahren |
DE2952159A1 (de) * | 1979-12-22 | 1981-06-25 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Ir-bildaufnahmeeinrichtung |
EP0096725A1 (de) * | 1981-12-17 | 1983-12-28 | NISHIZAWA, Junichi | Halbleiterbildaufnahmevorrichtung |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.ED-26, Nr.12, 1979, S.1970-1977 * |
JP-OS 55-15 229 * |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0187047A2 (de) * | 1984-12-26 | 1986-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Bildsensoranordnung |
EP0187047A3 (en) * | 1984-12-26 | 1987-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor device |
EP0455311A2 (de) * | 1984-12-26 | 1991-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Bildsensoranordnung |
EP0455311A3 (en) * | 1984-12-26 | 1992-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor device |
USRE34309E (en) * | 1984-12-26 | 1993-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor device having plural photoelectric converting elements |
EP0332778A2 (de) * | 1988-03-14 | 1989-09-20 | General Electric Company | Ladungsinjektionseinrichtungssensor |
EP0332778A3 (de) * | 1988-03-14 | 1991-10-16 | General Electric Company | Ladungsinjektionseinrichtungssensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3345238C2 (de) | 1986-10-09 |
JPS59108463A (ja) | 1984-06-22 |
US4626916A (en) | 1986-12-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2939490C2 (de) | ||
DE3220958A1 (de) | Fluessigkeitskristall-matrixanzeigeanordnung | |
DE3345215C2 (de) | Festkörper-Bildaufnahmewandler | |
DE2936703C2 (de) | ||
DE2331093C2 (de) | Strahlungsabtastvorrichtung | |
DE69122278T2 (de) | Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung | |
DE2857564C2 (de) | Steuerschaltung für eine Bildaufnahmeeinrichtung | |
DE3337484C2 (de) | ||
DE69922730T2 (de) | Festkörperbildaufnahmevorrichtung | |
DE3223809C2 (de) | Bildsensor | |
DE2609731A1 (de) | Festkoerper-bilderfassungsvorrichtung | |
DE2834761C2 (de) | Steuerschaltung für eine Bildaufnahmeeinrichtung | |
DE10231083A1 (de) | Verfahren und Vorrichtungen zum Auslesen eines Bildsensors mit reduzierter Verzögerungszeit zwischen Zeilen | |
DE3345238A1 (de) | Festkoerper-bildaufnahmewandler | |
DE3446374A1 (de) | Ladungskopplungs-bildwandler mit registern, die zur gleichzeitigen ladungsuebertragung in entgegengesetzten richtungen unterteilt sind | |
DE2301963A1 (de) | Photodetektoranordnung | |
DE2210303A1 (de) | Aufnehmer zum Umwandeln eines physikalischen Musters in ein elektrisches Signal als Funktion der Zeit | |
DE3513436A1 (de) | Festkoerper-bildsensor | |
DE3234573C2 (de) | Bildsignalausleseverfahren für einen Festkörper-Bildabtaster | |
DE3514994C2 (de) | Festkörper-Bildsensor | |
DE3039264A1 (de) | Festkoerper-bildabtastvorrichtung und deren ladungsuebertragungsverfahren | |
DE2723669A1 (de) | Programmierbares filter | |
DE3006267A1 (de) | Festkoerper-abbildungsanordnung | |
EP0026380B1 (de) | Verfahren zur zeilenweisen Abtastung eines kontinuierlich bewegten Bildes unter Abtastung von Tilebildern nach dem Zeilensprungverfahren | |
DE69810232T2 (de) | Bildsensor mit Photosensorchips und Ausgangskreis auf einem einzigen Trägersubstrat |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |