DE2210303A1 - Aufnehmer zum Umwandeln eines physikalischen Musters in ein elektrisches Signal als Funktion der Zeit - Google Patents

Aufnehmer zum Umwandeln eines physikalischen Musters in ein elektrisches Signal als Funktion der Zeit

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DE2210303A1
DE2210303A1 DE19722210303 DE2210303A DE2210303A1 DE 2210303 A1 DE2210303 A1 DE 2210303A1 DE 19722210303 DE19722210303 DE 19722210303 DE 2210303 A DE2210303 A DE 2210303A DE 2210303 A1 DE2210303 A1 DE 2210303A1
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Description

Dr. Herbert Seh ο Ι* " PHN PalenUnwalt Wij/RJ
Anmeldir: N.Y. fmiip;» wioeiiam^enfabrieken
AkteNo., pjif\j 55 12
Anmeldung vomi ) C, 1
"Aufnehmer zum Umwandeln eines physikalischen Musters in ein elektrisches Signal als Funktion der Zeit".
Die Erfindung bezieht sich auf einen Aufnehmer zum Umwandeln eines physikalischen Musters in ein elektrisches Signal als Funktion der Zeit, der mit in einer Reihe angeordneten Wandlern versehen ist, die je mit mindestens einer Kapazität und einer Steuerelektrode ausgebildet sind, wobei das physikalische Muster die Ladung einer bis zu einer Bezugsspannung aufgeladenen Kapazität bestimmt, welche Ladung mit Hilfe der mit einer Schaltspannungsquelle
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verbundenen Steuerelektrode aufeinanderfolgend auf andere Kapazitäten übertragen wird und als aufgenommene Musterinformation am Ausgang des Aufnehmers erscheint.
Ein derartiger Aufnehmer ist in der französischen Patentschrift Nr. 2006763 beschrieben worden. Dabei ist eine Reihe von Wandlern aus reihengeschalteten Aufnahmelementen aufgebaut, auf welche die Information des physikalischen Musters in Form von Licht, Druck usw. einwirkt. Danach erfolgt mit Hilfe der SchaltSpannungsquelle das Auslesen der Reihe in Serie, und zwar über einen Ausgangsschalter. Auf diese Weise wird die von einem Aufnahmeelement aufgenommene Information beim Auslesen durch die anderen Elemente zum Ausgang des Aufnehmers weitergeleitet. Die Aufnahmeelemente erfüllen dadurch eine doppelte Aufgabe und zwar einerseits das Umwandeln der Information des physikalischen Musters in eine Spannung an den Kapazitäten und andererseits das Weiterschieben dieser Information zum Ausgang des Aufnehmers. Um zu vermeiden, dass während des Auslesens das weitergehende Aufnehmen der Information die Spannungen an den Kapazitäten nennenswert beeinflusst, d.h. um Übersprechen zu vermeiden, muss die Auslesezeit um viele Male, beispielsweise 10 bis lOOmal kleiner sein als die
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wirksame Aufnahmezeit. Die kleinste Auslesezeit des Aufnehmers wird durch die höchstmögliche Schaltfrequenz von in die Elemente aufgenommenen Halbleitern festgelegt, die als Schalter zwischen den Kapazitäten wirksam sind, und durch die Anzahl Elemente
in Reihe. Die Anforderung, dass in einem Zyklus die Aufnahmezeit um viele Male grosser sein muss als die Auslesezeit, kann zu einer unerlaubt langen Aufnahmezeit führen.
Als Beispiel gilt, dass bei einer maximalen Schaltfrequenz von 2 MHz der Halbleiter (beispielsweise MOS-Transistoren) in einem Aufnehmer mit 6k
Elementen in Reihe, die Auslesezeit 64 χ 0,5 /us =
32 /US beträgt, wodurch für ein noch akzeptierbares Übersprechen die Aufnahmezeit mindestens etwa 1 ms
sein muss. Diese Aufnahmezeit ist unakzeptierbar
lang, wenn der Aufnehmer für Schriftzeichenwiedererkennung bei einer Rechenmaschine verwendet werden würde, wobei eine Zykluszeit von 50 /us erforderlich sein kann.
Für Fernsehzwecke ist in der genannten Patentschrift ein Aufnahmepaneel angegeben, das aus
Reihen reihengeschalteter Wandler oder Aufnahmeelemente zusammengestellt ist. Eine Reihe reihengeschalteter Aufnahmeelemente entspricht der beim Fernsehen üblichen Zeilenabtastung, die rasterweise stattfindet·,
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Jeweils werden in der Ausgangsstufe mit Hilfe eines Schieberegisters die Reihen Aufnahmeeleraente über Ausgangsschalter nach nur einem Ausgangskondensator ausgelesen.
Eine in einem Halbleiterkörper integrierte Ausführung des Aufnahmepaneels mit MOS-Transistoren als Halbleiterschalter hat einen gedrängten Bau und eine einfache Steuerung, aber durch die doppelte Aufgabe der Wandler können widersprechende Anforderungen an die Grosse jedes Elemente» gestellt werden. Damit ein Aufnahmeelement einem normalen Fernsehbildpunkt bei Wiedergabe entspricht, muss die Grosse desselben minimal sein, was auch aus technologischen Gründen interessant ist. Dagegen stellt eine gewünschte hohe Auslesefrequenz ihre eigene Anforderungen an die Abmessungen der MOS-Transistoren, die dadurch nicht minimal sein können. Je nach der beispielsweise entsprechend einer Fernsehnorm gewünschten Zeilenzahl, d.h. Reihen von Aufnahmeelementen, kann die Oberfläche des Paneels ziemlich gross werden.
Dabei wird das Schieberegister verwendet, für das es dann ebenfalls erwünscht ist, dieses in integrierter Form auszubilden. Obschon das Schiebe-» register nur zeilenfrequent schaltet, würde es in einer praktischen Ausführungsfonn eine gleich grosse
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Oberfläche beanspruchen wie das Aufnahmepaneel.
Es stellt sich heraus, dass die Reihen von Aufnahmeelementen wechselweise über die als MOS-Transistoren ausgebildeten Ausgangsschalter an den Ausgangskondensator gelegt werden. An den Ausgangsschaltern liegen jedoch Streukapazitäten, wie diese durch eine Überlappung der Gatter- und Senkenelektrode des MOS-Transistors und Substratkapazxtaten gegeben sind, so dass das Ausgangssignal des Aufnehmers stark abgeschwächt werden kann.
Die Erfindung bezweckt nun, einen Aufnehmer zu schaffen, der mit minimalem Übersprechen wirkt ohne das Problem des Auslese-Aufnahmezeitverhältnisses und der sich mit geringer Oberfläche in integrierter Form ausbilden lässt und ein sehr gutes, durch etwaige Streukapazitäten aufs mindeste abgeschwächtes Ausgangssignal liefert. Der erfindungsgemässe Aufnahmer weist dazu das Kennzeichen auf, dass die Wandler teilweise als Aufnahmeelemente mit Kapazitäten, welche die Musterinformation aufnehmen und mit in einen Parallel-Reihenwandler aufgenommenen, reihengeschalteten Elementen ausgebildet sind, an welche die genannten Aufnahmeelementen parallel angeschlossen sind, während die Steuerelektrode^! des mit dem Ausgang des Aufnehmers verbundenen Parallel-Reihenwandlers mit einer HF-Schaltspannungsquelle
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und die der Aufnahme el einen te mit einer niedriger frequenten Schaltspannungsquelle verbunden sind.
Es ist eine Trennung von Aufgaben erreicht, wodurch die Aufnahmeelemente sowie die Parallel-Reihenwandler für jeweils sein eigene spezifische Aufgabe auf günstige Weise ausgebildet werden können.
Ein Aufnehmer, nach der Erfindung als zweidimensional arbeitendes Aufnahmepaneel ausgebildet, weist weiter das Kennzeichen auf, dass Reihen reihengeschalteter Aufnahme element e spaltenweise angeordnet sind, wobei zwischen den Aufnahmeelementen und den Parallel-Reihenwandlern im genannten Wandler Reihen reihengeschalteter, als Speicherelemente wirksamer Wandler angeordnet sind, die einen Speicher bilden, dessen Steuerelektroden mit der genannten niedriger frequenten Schaltspannungsquelle verbunden sind,
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild eines erfindungegemässen Aufnehmers,
Fig. 2 als Funktion der Zeit einige im Aufnahmer nach Fig. 1 auftretende Signale,
Fig. 3 eine schematische Darstellung einer in einem Halbleiterkörper integrierten Ausführungs-
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form eines Aufnehmers.
In Fig. 1 ist ein für Fernsehen geeigneter, z.B. bei einer Fernsehkamera verwendeter Aufnehmer nach der Erfindung dargestellt, der mit einem Aufnahmepaneel P ausgebildet ist. Das Aufnahmepaneel P ist mit vier Reihen zu vier reihengeschalteten Aufnahmeelementen P1 ^, P21* P31' P41; P12* P22' P32' Vk2' P13 ' * * P43 Und P1** ' * ' Vkk ausSebildet, die spaltenweise angeordnet sind. Die Aufnahmeeleraente P11I Ρίο· ΡΠ und P1^ entsprechen den Bildpunkten in einer Zeile bei der bei Fernsehen üblichen Zeilen- bzw. Horizontalabtastung. Der Einfachheit der Fig. 1 halber ist vorausgesetzt, dass vier Zeilen zu je vier Aufnahmeelementen P11 . . .P1-; P?1 . . .
P24; P31 * * * V"}h und P41 * * ' Vhk als Biidpunk*0 ein'bei Fernsehen auftretendes Raster bilden. Das Aufnahmepaneel ist also durch vier zu vier Aufnahmeelemente P11 ... Pir anstelle der bei Fernsehen üblichen Zeilenzahlen von 525 zu 525 oder 625 zu 625 angegeben, was im Grunde unwichtig ist.
Das Aufnahmepaneel P ist an einen Speicher M angeschlossen. Die Aufnahmeelemente P11I Ρ-ιο» ^n und P1Li welche die erste Zeile bilden, sind an als Speicherelemente wirksame Wandler M. .., Mr2I M._ und Mr^ des Speichers M angeschlossen, welche Wandler je einen Teil einer Reihe von drei reihengeschalteten Elementen M31, M31, Mjn; M32, M32, M^2; M23, M33, M^3
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und M_., M_., M.. bilden. Jede Reihe von Speicherelementen Mp1, M^1, M.1 usw. hat nur ein Element weniger als die daran angeschlossene Reihe von Aufnahmeelementen P11* Ppi» Pqi» Pjii usw· Die Speicherelemente Mp1, M , M„_ und M„i sind an in einen Parallel-Reihenwandler SR aufgenommene, reihengeschaltete Wandler SR1, SR , SR und SR. angeschlossen. Der als Schieberegister wirksame Parallelreihenwandler SR ist mit einem an den Wandler SR1 angeschlossenen Ausgangstransistor T_ ausgebildet.
Die Wandler P11 ... Prr (Aufnahmeelemente) des Aufnahmepaneels P, M„1 ... M.r (Speicherelemente) des Speichers M und SR1 . . . SRr des Parallel-Reihenwandlers SR sind mehr oder weniger entsprechend einem identischen Schaltplan ausgebildet. Jeder Wandler, beispielsweise P11I ist mit zwei als MOS-Transistoren dargestellten Halbleitern T1 und T2 und mit zwei einander entsprechenden Kapazitäten C1 und C ausgebildet. Die MOS-Transistoren T1 und T_ vom p-Kanaltyp sind mit einer Steuerelektrode bzw. einem Gatter G, einer Quelle S und einer Senke D ausgebildet. Die Senke D des Transistors T1 liegt an der Quelle S des Transistors Ύ und über die Kapazität C1 am Gatter G des Transistors T . Die Quelle S des Transistors T des Elementes P liegt unmittelbar und über die Kapazität
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C„ an unterschiedlichen Anschlusspunkten des Elemen-.tes Ppi· Diesen analoge Anschlusspunkte des Elemente? P , die an das Element M^1 angeschlossen sind, sind im Element P11 mit der Senke D mit dem Gatter G des Transistors Tp verbunden. Die Gatter G der Transistoren T1 und Tp liegen an Steuerleitungen, wobei beim Element P11 mit A und A invers auftretende Signale angedeutet sind. Die Steuersignale für die Transistoren T1 und T„ im Speicher M sind durch B und B und für den Wandler SR durch E und E bezeichnet.
Die Elemente P2n, P^2, P^3, P1^ und SR^ sind etwas abweichend dargestellt und die Quelle S des Transistors T1 liegt über die Kapazität C2 nur an der Leitung mit dem Steuersignal A bzw. E. Vom
Element SR1 liegt die Quelle S des Transistors Tp am Gatter G des Ausgangstransiitor T_. Die Senken D des Transistors T_ und des Transistors T (SR1) liegen an einer Klemme mit einer Spannung -2U einer weiter nicht angedeuteten Speisequelle, während von einer anderen Klemme vorausgesetzt wird, dass sie an Masse gelegt ist. Die Quelle S des Transistors T„ liegt über einen Widerstand R_ an Masse und ist dabei mit einer Klemme Zt die als Ausgangsklemme des Aufnehmers nach Fig. 1 wirksam ist, verbunden.
Obschon die Elemente P11 ... Pj,/,» Mp1
. . . M.. und SR1 . . . SR. mehr oder weniger den-
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selben Bau aufweisen, weisen die Elemente P11 P. . eine zusätzliche Eigenschaft auf und zwar die Eigenschaft, dass sie lichtempfindlich sind. Durch ein L bezeichnete strichpunktierte Linien geben das Licht an, das auf die Aufnahmeelemente P11 ... P.· projiziert wird und von einer aufzunehmenden Szene herrührt. Das Licht L trifft auf die bis zu einer Bezugsspannung aufgeladenen Kapazitäten C1 und C2 in den Aufnahmeelementen P11 . . . P. . , welche Kapazitäten lichtempfindlich sind und unter dem Einfluss der örtlichen Lichtstärke entladen werden. Wenn die Elemente M21 . . . Mj. auf identische Weise mit Kapazitäten C1 und Cp mit lichtempfindlichen Eigenschaften ausgebildet sein würden, so wird vorausgesetzt, dass der Speicher M mit einer lichtundurchlässigen Schicht bedeckt ist, so dass das Licht L nicht auf die Elemente M21 ... M1^ trifft.
Die Wirkungszwiese des Aufnehmers nach Fig·« 1 wird in Zusammenhang mit den als Funktion der Zeit in Fig. 2 dargestellten Signalen näher beschrieben. Bei den Signalen sind eine logische 1 und O aufgetragen und teilweise damit übereinstimmende Spannungen oV (Masse) und -U, was beispielsweise -6 V sein kann.
In Fig. 1 ist 1 eine Taktimpulsquelle, die Taktimpulse CS abgibt. Die Taktimpulsquelle 1
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ist über einen Frequenzteiler 2 an einen Signalgenerator 3 angeschlossen, der ein Signal PS liefert. Der Generator 3 liegt über einen Frequenzteiler k an einem Signalgenerator 5» der ein Signal H liefert. Der Generator 5 liegt über einen Frequenzteiler 6 an einem Signalgenerator 7> der ein Signal V liefert.
Die Taktimpulse CS mit einer Wiederholungsperiode T„ und die daraus über die Teiler 2, h und hergeleiteten Signale PS, H und V sind in Fig. 2 über etwa eine Zeitdauer Tv dargestellt. Es wird vorausgesetzt, dass die Zeitdauer Tv die beim Fernsehen übliche Rasterperiode ist, die in eine Rasterabtastzeit Τνς und eine Rasteraustastzeit TVR aufgeteilt ist. Beim Signal H ist mit der Zeitdauer T„ eine Zeilenperiode angedeutet, die in eine Zeilenabtastzeit TT„ und eine Zeilenaustastzeit T
XlO XlXJ
aufgeteilt ist. Ausgehend von dem bei Fig. 1 gegebenen Aufnahmepaneel P mit vier zu vier Aufnahmeelementen P11 . . . P.N folgt, dass Tvs = ^T„. Es ist gewählt worden, dass die Rasteraustastzeit T™ zwei Zeilenperioden T„ dauert, während darin das Signal PS mit vier durch T angedeuteten Perioden auftritt. Daraus folgt, dass die Teiler 2, k und ein 3-» 2- bzw. 6-Teiler sind. Anstelle der Reihenschaltung mit den Elementen 1 bis einschliesslich 7 könnte der Generator 5 bzw. 7 auch über einen
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6-Teiler bzw. 36-Teiler unmittelbar an die Quelle angeschlossen werden. Da die Signale H und V einen Impuls mit einer Wiederholungsperiode aufweisen, sind die genannten Teiler asymmetrisch ausgebildet.
Die Taktimpulse CS und die Signale PS, H und V geben über NICHT-UND-Tore 8 bis einschliesslich 11 und Inviertierschaltungen 12 bis einschliesslich 16 die Steuersignale A, B und E und die inversen Signale derselben. Für die NICHT-UND-Tore 8 ... 11 gilt, dass diese nur eine logische O abgeben, wenn an allen Eingängen eine logische 1 auftritt. Aus der gegebenen Regel folgt, dass das Tor 8, das unmittelbar an den Generator 3 mit dem Signal PS aus Fig. 2 und über die Invertierschaltung 12 an den Generator 7 mit dem Signal V angeschlossen ist, das in Fig. 2 dargestellte Signal A abgibt. Über die Invertierschaltung 13 wird das Signal A erhalten.
Das Signal A wird dazu verwendet, einen Teil des Signals B zu erzeugen und wird dazu einem Eingang des Tores 9 zugeführt. Ein anderer Eingang des Tores 9 liegt am Ausgang des Tores 10, dessen Eingang unmittelbar an den Generator 7 und über die Invertierschaltung lh an den Generator 5 angeschlossen ist. Es folgt, dass in der Zeit Tv„ aus Fig. 2 das Tor 10 die logische 1 abgibt und zwar unter dem
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Einfluss der logischen O im Signal V, so dass im Signal B das Signal A.invertiert erscheint. In der Zeit T ς gibt das Signal A bzw, V mit der logischen 1 das Tor 9 bzw. 10 frei und das Signal H gelangt invertiert im Signal B zum Ausdruck, Über die Invertierschaltung 15 liefert das Tor 9 das Signal B.
Die Eingänge des NICHT-UND-Tores 11 sind unmittelbar an die Quelle 1 und die Generatoren 5 und 7 mit den Taktimpulsen CS bzw. den Signalen H und V angeschlossen. Das Signal V bzw. H sperrt mit der logischen 0 das Tor 11 in der Zeit T,r_ bzw. in
VXJ
den Zeiten T110 während der Zeit T.TC,. In den Zeiten
JrIxI Vb
T™ während der Zeit T,ro geben die Signale H und V
xlö V ο
mit der logischen 1 das Tor 11 frei, wodurch dieses am Ausgang im Signal E die invertierten Taktimpulse CS führt. Das Tor 11 liefert über die Invertierschaltung 16 das Signal E,
Auf diese Weise sind drei Schaltspannungsquellen geschaffen und zwar eine hochfrequente Schaltspannungqeulle (1, 11), die einen Teil des Signals E liefert, eine niedriger frequente Quelle (3, 8, 12), die einen Teil der Signale A und B liefert, und eine zeilenfrequente Quelle (5, 9, 10, 1*0, d:*-e einen Teil des Signals B liefert. Zur Erläuterung der Wirkungsweise des Auf-
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nehmers nach Fig. 1 wird von einem Anfangszustand ausgegangen, wobei das Element SR1 an die Spannung -2U angeschlossen wird. Das Signal E bringt mit der Spannung -U den Transistor 1 (SR1) in den leitenden Zustand, wodurch die Kapazität C1 bis zu einer
Spannung -U aufgeladen wird, da im Signal E das
Massenpotential oV vorhanden ist. Danach bringt
das Signal E mit der Spannung -U den Transistor T1 (SR1) in den leitenden Zustand, während T2 (SR1)
unter dem Einfluss des Massenpotentials oV gesperrt ist. Die Folge ist, dass die Kapazität C2, die der Kapazität C1 gleich ist, die Ladung übernimmt und bis zur Spannung -U aufgeladen wird. Eine nachfolgende -U-Spannung im Signal -E bewerkstelligt, dass die Kapazität C1 (SR1) wieder bis zur Spannung -U aufgeladen wird und dass die Kapazität C2(SR1) der Kapazität C1(SR2) die Ladung übergibt. Es stellt
sich heraus, dass aus dem Anfangszustand die hochfrequenten Taktimpulse CS, die im Signal E während der Zeiten T HS(T Ve) auftreten, die Kapazitäten C1
und C2 im Wandler SR bis zur Spannung -U aufladen, welche Spannung -U als Bezugsspannung wirksam ist.
Unter Ansteuerung des Signals B werden
bei der Spannung -U die Elemente M21, M22, M2- und M22| auf SR1, SR , SR und SR^ angeschlossen. Für
M21 gilt, dass der Transistor T2 (M2-) bei einer
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Spannung -U in den Signalen B und E, wobei der Senke D von T (M ) -2U aufgeprägt wird, wenn die Kapazität C (SR1) bis zur Spannung-U aufgeladen ist, C.. (Mp1) die negative Ladung von C~ (SR1) übernehmen lässt. Danach werden durch die abwechselnden Spannungen -U und oV in den Signalen B und B,ebenso wie bei den Signalen E und E, die Ladungen über die Kapazitäten C„ und C1 in dem Speicher M weitergeschoben. Das Weiterschieben erfolgt in der Zeit Τ,.— unter dem Einfluss des Signals PS und der Zeit Tvs durch das Signal H.
Aus dem Obenstehenden geht hervor, dass das Aufnahmepaneel P unter Ansteuerung der Signale A und A aufgeladen wird, wobei bei einer Spannung -U im Signal A (Tp(P11) ist dann beispielsweise leitend) im Signal B oV auftreten muss. Die Kapazitäten C1 und Cp im Aufnahmepaneel P werden unter dem Einfluss des Signals PS in der Zeit 1\rT, bis zur Bezugsspannung -U aufgeladen.
Nach Verlauf der Zeit sind alle Kapazitäten C1 und Cp im Aufnehmer nach Fig. 1 bis zur Bezugsspannung -U aufgeladen. Durch die -U, oV-Änderung im Signal E wird dem Gatter G des Transistors T„ eine Spannung -2U, -U aufgeprägt, die ebenfalls an der Ausgangsklemme Z auftritt und weiter keine Information enthält.
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Unter dem Einfluss des Lichtes L können die lichtempfindlichen Kapazitäten C und C„ des Aufnahmepaneels P sich entladen. Die Kapazitäten C. und C im Speicher M und der Wandler SR behalten ihre Bezugsspannung -U. Während der Zeit TVQ ist im Signal
V j
A bzw. A ο bzw. -U Volt Spannung vorhanden. Die Transistoren T„ im Paneel P sind dadurch gesperrt, während die Transistoren T1 (P) leitend sein können, was geschieht, wenn die Kapazitäten C„ (p)eine niedrigere Spannung als -U unter dem Einfluss des auftreffenden Lichtes L führen wollen. Das Ergebnis ist, dass in der Zeit T „ durch die Spannung -U im Signal A der
V ο
vom auftreffenden Licht L in den Kapazitäten C_ (p) verursachte Ladungsverlust unmittelbar aus den Kapazitäten C (p) nachgefüllt wird. Es folgt, dass bei einer maximalen örtlichen Stärke des Lichtes L auf den beiden Kapazitäten C und C~ eines Aufnahmeelementes P11 · · · Pl| an der Kapazität C„ die Bezugsspannung -U stehen muss, während die Kapazität C1 völlig entladen ist.
Das Auslesen des Aufnahmepaneels P findet wie folgt statt: in der Rasteraustastzeit TVR treten vier Perioden T auf. In der ersten Hälfte der ersten
Periode T tritt im Signal A (und A) keine Änderung auf, während die Änderung im Signal B (und B) ohne weiteren Einfluss die Transistoren T1 (M) als Schalter
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einschaltet. In der !zweiten Hälfte der ersten Periode T werden durch das Signal A mit einer Spannung -U die Transistoren T„ (p) eingeschaltet und durch das Signal B die Transistoren T„ (m); das Signal B hat keinen Einfluss. Über die Transistoren T„ (p) wird jedoch der in den Kapazitäten C1 (p) durch das Licht L verursachte Ladungsverlust aus den bis zur Bezugsspannung -U aufgeladenen Kapazitäten C2 (p) eines nachfolgenden Elementes nachgefüllt, während insbesondere für die Elemente P11* P12I P1- uni* Ρ-ιλ gilt, dass die Kapazitäten C1 aus den Kapazitäten Cp der Elemente M. .,, M. „, Ml„ und Mrr eine negative Ladung zugeführt bekommen.
In der ersten Hälfte der zweiten Periode
T wird in den Aufnahme element en P11 ... Ροι. der P 11 3*±
Ladungsverlust von den Kapazitäten C„ zu den Kapazitäten C1 weitergeleitet, während die Aufnahmeelemente keine Information mehr führen. Ein
gleiches Weiterschieben von Information von den Kapazitäten C„ zu den Kapazitäten C1 erfolgt in den Speicherelementen Mr1, Mr2, Mjl„ und M^. In der zweiten Hälfte der zweiten Periode T tritt wieder ein
Weiterschieben zu einem nachfolgenden Element auf.
In der ersten Hälfte der vierten Periode T ist die
ursprüngliche Information der Kapazität C1 (P11) bis in die Kapazität C1 (M?1) weitergeschoben,
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und zwar von C1 (P12) nach C1 (M22) . . . , von C1 (P21) nach C1 (M^1) usw., während die von C1 (Pk1) nun in C1 (P-ii) vorhanden ist, die von C1 (p, ) in C1 (P12) usw. In der zweiten Hälfte der vierten Periode T ist sowohl im Signal B als auch E die Spannung -U vorhanden, so dass die Information in den Kapazitäten C1 (M31), C1 (M33), C1 (M33) und C1 (M2-) nach den Kapazitäten C3 (SR1), C3 (SR ), C3 (SR ) und C3 (SR^) weitergeschoben wird. Obschon dabei die Transistoren T (SR) durch das Signal E eingeschaltet sind, hat dies keinen weiteren Einfluss, da die Kapazitäten C1 (SR) die Bezugsspannung -U führen. Das Resultat ist, dass die durch das Licht L verursachten Ladungsverluste in den Kapazitäten C1 (p) auf die Kapazitäten C3 (SR) und C3 (m) übertragen sind, während die Kapazitäten C1 (P) und C_ (p) alle die Bezugsspannung -U führen.
Am Anfang der Rasterabtastzeit T g tritt im Signal B bzw. B die Spannung -U bzw. oV auf, wodurch während der Zeilenhinlaufzeit THg der ersten Periode T„ die Transistoren T3 (M) gesperrt und T1 (M) eingeschaltet sind. In den Elementen des Speichers M wird entweder die Information oder der Ladungsverlust von den Kapazitäten C3 (M) auf Cj (m) vtsartrsgen. Am Wandler SR werden in dieser Zeit T„g über die Signale E und E vier hochfrequente Taktimpulse CS
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mit der Periode Tn, zugeführt. In der ersten Hälfte der ersten Perio'de T-, werden durch die Spannung -U im Signal E die Transistoren T1 (SR) eingeschaltet. In erster Instanz wird nach diesem Einschalten dem Gatter G des Transistors T„ die Spannung -2U aufgeprägt, die jedoch schnell bis zu einem weniger negativen Wert abnimmt, der von der negativen Ladung, die von der Kapazität C1 (SR1) nach C„ (SR ) fliesst um dort den Ladungsverlust nachzufüllen, welcher Verlust ein Mass ist für das Licht L, das auf die Kapazitäten C1 (^11) un<* C (P1 ) aufgetroffen ist. In den Elementen SRp, SR„ und SR. wird die Information von den Kapazitäten C„ auf C1 übertragen.
In der ersten Hälfte der ersten Periode T„ werden mit Hilfe des Signals E die Transistoren T2 (SR) eingeschaltet. Die Kapazitäten C1 (SR) werden dann bis zur Bezugsspannung -U aufgeladen und die Kapazitäten C (SR) führen danach die Information. Dem Gatter G des Transistors T„ und folglich der Ausgangsklemme Z wird eine Spannung aufgeprägt, die zunächst weniger negativ ist und schnell bis zur Bezugsspannung -U zunimmt.
Obenstehendes wiederholt sich in den folgenden drei Perioden Tn und das Ergebnis ist, dass an der Ausgangsklemme Z während der Zeit T„c der ersten Zeilenperiode T„ die von den Aufnahmeelementen
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P1 P19 » P-io und P1L herrührende Information erscheint .
In der Zeilenaustastzeit T„n der ersten
Hd
Zeilenperiode T„ ist im Signal E die Spannung -U vorhanden, ebenso wie im Signal B. Die Folge ist, dass in der Zeit T D die in den Kapazitäten C1 (m)
der Elemente M1 . . . M„i und Mr1 . . . M. ^ vorhandene Information zu den Kapazitäten C„ in den Elementen M„1 . . . M , und M^1 . . . M_. weitergeschoben wird, während die der Elemente Mp1 . . . M_· zu den Kapazitäten C? der Elemente SR1 . . . SR^ geht. Vor Anfang der zweiten Zeilenperiode T„ ist der Wandler SR mit der von den Aufnahmeelementen P91, P , P _ und P . herrührenden Information gefüllt.
Die Beschreibung der ersten Zeilenperiode T gilt
ebenfalls für die nachfolgenden drei Zeilenperioden
Tx,. Für die vierte Zeilenperiode T„ gilt jedoch, dass jt H
die Zeilenaustastzeit TTTT, zum Weiterschieben unnütz-
Hr)
lieh ist, weil der Speicher M dann keine Information mehr hat. Diese zusätzliche Zeit und die der ersten Hälfte der ersten Periode T sind dazu eingeführt worden, im Zyklus mit der Periode Tv eine ganze Anzahl von Zeilen mit der Periode T„ zu erhalten.
rl
Im Obenstehenden ist ein Zyklus für ein Aufnahmepaneel P in einem Fernsehsystem mit sechs Zeilen pro Bild bzw. Raster zu je vier Bildpunkten
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beschrieben worden, wobei zwei Zeilen in der Rasteraustastzeit Τ^ττ. fallen. Ein derartiges System ist der
Vo
Einfachheit halber gegeben worden und viele andere Verhältnisse zwischen Zeilen- und Rasterperioden und Rasterabtast- und Rasteraustastzeiten sind möglich. Auch ist das Zeilensprungverfahren ausser Betracht geblieben. Ein Bild unter Anwendung des Zeilen-
prungverfahrens, das aus zwei Teilbildern aufgebaut ist, könnte mit einem Aufnahmepaneel P, das doppelt ausgebildet ist, erzeugt werden, wobei der eine Teil die Information für die geradzahligen Zeilen und der andere Teil die für die ungeradzahligen Zeilen liefert.
Im Grunde stellt es sich heraus, dass das Aufnahmepaneel P in der Rasteraustastzeit T,r_ ausgelesen wird und in der Zeit Τνς, welche Rasterabtastzeit in praktischen Fernsehsystem viel grosser ist als die Zeit T™, in Ruhe gelassen wird damit das Licht L auf das Aufnahmepaneel P einwirken kann. Der Speicher M bekommt in der Rasteraustastzeit T,rT1
die Information des Aufnahmepaneels P zugeführt, während er in der Zeit Τ™ in den Zeilenaustast-
V »3
zeiten T„B Zeile nach Momentanzeile ausgelesen wird. Der Parallel-Reihenwandler SR bekommt während der Zeit Tvs in einer Zeilenaustastzeit T™ auf momentane Art und Weise (parallel) die Information einer
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Zeile a-\is dem Speicher M zugeführt, während das Auslesen in einer nachfolgenden Zeilenabtastzeit T„„ hochfrequent in Reihe erfolgt, so dass auf se-
quentielle Art und Weise die Bildpunktinformation in jeder Zeile an der Ausgangsklemme Z des Aufnehmers nach Fig. 1 erscheint.
Es ist erreicht worden, dass das Aufnahmepaneel P in einem Zyklus in einer langen Zeit Information aufnimmt und in einer verhältnismässsig kurzen Zeit ausgelesen wird, wobei der Speicher M während dieser langen Zeit Information behält und diese dem Wandler SR, der hochfrequent ausgelesen wird, zur Verfügung stellt.
Die Vorteile des Aufnehmers nach Fig. 1 gehen aus einem Vergleich mit einer früher vorgeschlagenen Ausführungsform hervor.
In einer vorgeschlagenen Ausführungsform eines Aufnehmers ohne den in Fig. 1 gegebenen spaltenweisen Aufbau des Aufnahmepaneels P und ohne Verwendung des Speichers M und des Wandlers SR, sondern mit einem Aufnahmepaneel, das einen zeilenweisen Aufbau aufweist, müsste jede Zeile desselben bildpunkt- bzw. hochfrequent ausgelesen werden. Das zeilenweise aufgebaute Paneel wäre dann derart zusammengestellt, dass die Reihe P11* P21* P31' P41 aus Fig. 1 sich an der Stelle der Aufnahmeelemente
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P-J1, P12' P13' P14 be:f:i-nden würde; ebenso wie P12* P22. Ρ^2» P^2 sich an der Stelle von P31, P33, P , Ρρ· befinden würde usw. Das hochfrequente Auslesen der Zeilen würde dann derart erfolgen, dass jede Zeile des Aufnahmepaneels während einer anderen Z eilenabtastzeit in der Rasterabtastzeit an einer Ausgangsstufe liegen würde, während in der ganzen Auslesezeit die Lichtinformation nach wie vor auf die Aufnahmeelemente einwirkt. Die Aufnahmeelemente haben also die Aufgabe, aufzunehmen sowie die Information bildpunktfrequent weiterzuschieben. Aus dieser doppelten Aufgabe folgt ein gewisses Ausmass an Übersprechen, zu dessen Verringerung die Informationsauslesezeit viel kleiner sein muss als die Informationsaufnahmezeit. Die Bildpunktauslesefrequenz ist. dadurch hoch.
Die Ausgangsstufe der bekannten Ausführungsform wird wechselweise während einer Zeilenperiode an eine der genannten Teile des Paneels angeschlossen. Diese Stufe ist über Streukapazitäten mit allen anderen Zeilen gekoppelt, so dass ein stark abgeschwächtes Ausgangssignal mit einem schlechten Signal-Rauschverhältnis resultiert.
Zum Umschalten der Ausgangsstufe von der einen auf die andere Zeile ist ein zusätzliches Schieberegister erforderlich.
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Der hohe Wert der Bildpunktauslesefrequenz macht bei einer gewünschten Ausführungsform des Aufnahmepaneels, integriert in einem Halbleiterkörper, Schwierigkeiten und zwar durch Anforderungen, die für eine gewünschte Konfiguration der Aufnahmeelemente wegen des Bildpunktformates und der Auslesegeschwindigkeit einander widersprechen.
Der Aufnehmer nach Fig. 1 vermeidet die Verwendung der kritisierten Ausgangsstufe und des kritisierten Schieberegisters, während durch eine Trennung der Aufnahme- und Ausleseaufgabe eine andere Auslesefrequenz möglich ist; zur Erläuterung gilt folgendes:
Bei einem praktischen Fernsehsystem mit Zeilensprungverfahren mit 625 oder 525 Zeilen pro Bild und also 312,5 bzw. 262,5 Zeilen pro Teilbild mit einer Teilbildfrequenz von 50 oder 60 Hz sind etwa 20 Zeilenperioden, d.h. etwa 7 $ einer Teilbildperiode für die Bildaustastzeit (TyB) und sind etwa 18 $ einer Zeilenperiode für die Zeilenaustastzeit (RHP) in einer Norm festgelegt. Wenn vorausgesetzt wird, dass ein Teilbild c[ Zeilen umfasst (Ty=c|TH) und jede Zeile £ Bildpunkte (T11=P4T0), dann folgt für die kritisierte Ausführungsform des Aufnahmepaneels eine Auslesefrequenz von <jLT„. Für das Aufnahmepaneel P aus Fig. 1 folgt eine Auslese-
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frequenz:
a/TVB = ^0,07 Tv = q/o,O7 a th^
Aus einem Vergleich von £, die durchschnittlich genommen 285 entspricht mit dem Faktor 16 folgt, dass die Auslesefrequenz des Aufnahmepaneels P nach Fig. 1 um einen Faktor 18 gegenüber der kritisierten Ausführungsform herabgesetzt worden ist.
Ausser der in Fig. 1 gegebenen Ausführungsform eines Aufnehmers, der sich für Fernsehen eignet und der mit einem zweidimensional arbeitenden Aufnahmepaneel P und einem angepassten Speicher M arbeitet, kann der Aufnehmer auch eindimensional ausgebildet werden, wobei kein Speicher M erforderlich ist. Vom Parallel-Reihenwandler SR sind die Elemente SR1, SR2, SR und SR^ unmittelbar an die Transistoren T„ in den Aufnahmeelementen P11* pip' P^„ und P^. aufgenommen,.die je weiter nur eine Kapazität Cj enthalten. Die Steuerleitung, wobei das Signal A angegeben ist, liegt an Masse, während an die Steuerleitung mit dem Signal A die zwischen -U und ο Volt schwankende Sehaltspannung auftritt. Nachdem die Information des physikalischen Musters auf die bis zur Bezugsspannung -U aufgeladenen Kapazitäten C1 eingewirkt hat, werden die Transistoren T2 der Aufnahmeelemente P11* p 12» P13 und Pi4 eingeschaltet und die dem Ladungsverlust entsprechende
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Information wird an die Kapazitäten C„ des Parallel-Reihenwandlers SR weitergeleitet. Auf die beschriebene Art und Weise wird mit einer gewünschten Auslesegeschwindigkeit der Wandler SR zur Ausgangsklemme Z ausgelesen, während bei gesperrten Transistoren T2 (P) die Information des physikalischen Musters auf die Aufnahmeelemente P11 ... P1. einwirkt.
Die Trennung der Aufnahme- und Auslesefunktion führt bei der eindimensionalen Ausführungsform des Aufnehmers dazu, dass Übersprechen zwischen den Aufnahmeelementen vermieden ist. Das beim reihen·* weisen Auslesen der Aufnahmeelemente P11 ... P1Ji möglichst gross zu wählende Verhältnis zwischen der Aufnahmezeit und der Auslesezeit zur Erhaltung eines möglichst geringen Ubersprechens, ist durch die Funktionstrennung nicht mehr wichtig.
Als Anwendungsbereich einer eindimensionalen Ausführungsform des Aufnehmers wird Schriftzeichenwiedanerkennung als Beispiel genannt. Statt des auch beim Aufnehmer nach Fig. 1 geschriebenen optischen Musters kann auch jedes andere physikalische Muster, beispielsweise mit Druckunterschieden, auf die Aufnahmeelemente einwirken.
In Fig. 3 ist auf schematische Weise ein Aufnehmer dargestellt, der in einem Halbleiterkörper
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integriert ist. Bereits bei Fig. 1 und 2 beschriebe-' ne Teile und Signale sind mit denselben Bezugszeichen in Fig. 3 angedeutet. Der Einfachheit halber ist ein zweidimensionaler Aufnehmer mit zwei zu zwei Aufnahmeelementen P11* P1 κ und P^1* Pjkji, dargestellt. Dazu gehört ein Speicher, der aus zwei Speicherelementen M21 und M2K aufgebaut ist, die an die Elemente P11 und P1J, angeschlossen sind. Der Parallel-Reihenwandler besteht aus zwei Elementen SR1 und SRr, die pardlel an die Speicherelemente M?1 und M„r und in Reihe an den Ausgangstransistor T„ angeschlossen sind. Die Ausgangsklemme Z gibt über einen nicht dargestellten Widerstand nach Masse (R„ in Fig. 1) das Ausgangssignal .
Der Aufnehmer nach Fig. 3 kann mit Hilfe der normalerweise angewandten Ätz- und Diffusionstechniken gebildet werden, wie dies in den Handbüchern angegeben ist. Mit X ist ein Schnitt durch den aus n-Materlal bestehenden Halbleiterkörper angegeben, der weiter in einer Draufsicht dargestellt ist. Durch Ätzung und Diffusion sind Inseln aus p_- Material in dem am Masse gelegten η-Substrat gebildet. Über den Körper aus η-Material mit den p-Inseln ist eine elektrisch isolierende durchsichtige Oxydschicht aus sogenannten Siliziumglas aufgebracht, die teilweise dünn, durch gestrichelte Linien ange-
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deutet, und dick ist. Über die dünnen Oxydschichtteile sind undurchsichtige Aluminiumstreifen angebracht .
In der Draufsicht sind die Aluminiumstreifen durch dünne Linien dargestellt wobei die ihnen zugeführten Signale wie A, B und E und die Inversen dieser Signale und die Speisespannung -2U angegeben sind. Die p-Inseln sind mit dicken Linien dargestellt und von der Oxydschicht sind nur die mit den gestrichelten Linien augedeuteten dünnen Gebiete angegeben. Zur Erläuterung sind durch punktierte Linien die Elemente P11 . . . P^, M31, M3J+1 SR1 und SRj+ abgegrenzt. Auf die Aufnahmeelemente P11J P-th» P41 und P.. trifft das Licht L, das durch die dicke durchsichtige Oxydschicht hindurchgeht und bis an die Grenzschicht, zwischen der p-Insel und dem n-Substrat durchdringt. Auf die Elemente M„1, M„k, SR1, SR. und den Transistor T„ darf kein Licht auftreffen, so dass diese abgeschirmt und beispielsweise mit einer dünnen Aluminiumschicht bedeckt sind, die mittels einer Oxydschicht isoliert an dieser Stelle angebracht ist.
Im Schnitt X sind die MOS-Transistoren T1 und T„ angegeben. Durch G sind die aus Aluminium bestehenden Gatter angedeutet, Durch S und D. sind die Quelle bzw. die Senke der Transistoren T1 und
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T„ bezeichnet; es stellt sich, heraus, dass diese nicht mit Elektroden versehen sind, sondern dass die eine Seite eine p-Insel als Senke D des einen Transistors und die andere Seite als Quelle S für den anderen Transistor wirksam ist. Bei der Grenzschicht der p-Inseln und des η-Substrates sind die Kapazitäten C1 und C angegeben. Auf einem Teil dieser Grenzschicht, die durch einen ρ,-η Übergang in gesperrtem Zustand gebildet wird, trifft das Licht L auf. Das Licht L macht mit seinen Photonen Elektronen frei in der Grenzschicht, wobei diese nach dem an Masse gelegten Substrat gehen, während die übrigbleibenden Löcher sich in Richtung der eine negative Spannung führenden p_-Insel verlagern. Die Spannung an der Grenzschicht nimmt dadurch ab und auf diese Weise ist die bei Fig. 1 beschriebene photoempfindliche Kapazität erhalten. Diese photoempfindliche Kapazität bilder zusammen mit der Kapazität des übrigen Teils der nicht durch das Licht L beschienenen Grenzschicht und der Kapazität zwischen der p_-Insel und dem überlappenden Teil des Alumi»- niumgatters G die Kapazitäten C1 und C_, die auf die bei Fig. 1 angegebene Weise schematisch zwischen der Senke D und dem Gatter G der Transistoren T1 und T„ dargestellt sind.
Es stellt sich heraus, dass die Begrenzung
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der Wandler mit den reihengeschalteten Teilen C2, T1, C1; T2 auch mit T1, C1, T2, C2 hätte gewählt werden können. Die gemachte Wahl gibt eine auf einfache Weise zu zeichnende Anschlussmöglichkeit zwischen den Speicherelementen M91 ... Mp. und den Elementen SR1 . . . SR..
In Fig. 3 sind einige Anschlussstellen zwischen der Speisespannung -2U und der Senke D der Transistoren T„ (SR1) und T_, zwischen der Senke D des Transistors T1 (SR1) mit der Kapazität C1 und dem Gatter G des Transistors T„ und bei der Ausgangsklemme Z dargestellt. Von einer derartigen Anschlusstelle ist bei Z ein Schnitt gegeben. Eine p_-Insel im η-Substrat ist mit einer quadratischen Ausnehmung bedeckt mit einer dünnen randförmigen und weiter dick ausgebildeten isolierenden Oxydschicht bedeckt. Für einen elektrischen Kontakt kann die Ausnehmung mit einem Aluminiumstreifen aufgefüllt werden, wie dies bei den anderen Anschlussstellen dargestellt ist.
Durch die Trennung der Funktion zwischen dem Aufnehmen der Information und dem hochfrequenten Auslesen kann die Konfiguration der unterschiedlichen Elemente P11 ... P,., Mpi' M24 Und SR1* SRr und des Ausgangstransistors T„ auf die best mögliche Weise an die Funktion angepasst gewählt
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werden. Im allgemeinen gilt, dass für ein schnelles Schalten die MOS-Transistoren mit grossen länglichen Inseln im Halbleiterkörper ausgebildet werden müssen, wie dies bei T„, T1 (SR) und 1 (SR) dargestellt ist. Für die den Fernsehbildpunkten entsprechenden Aufnahmeelemente P11 . . . P.. ist es erwünscht, diese mehr oder weniger quadratisch und möglichst klein zu machen und sie möglichst dicht beieinander zu legen; die dazu gehörenden Speicherelemente M21, M22, können mit derselben Konfiguration ausgebildet werden. Ohne die Trennung der Funktionen würde die Konfiguration der Aufnahmeelemente als Kompromis zwischen zwei optimalen Lösungen liegen. Im obenstehenden ist bei Fig. 1 der Ladungsmechanismus des Aufnehmers beschrieben worden. Der Aufnehmer nach Fig. 3 kann auf einfachere Art und Weise aufgeladen werden und zwar dadurch* dass" beim Einschalten des Aufnehmers das n-Substrat während kurzer Zeit an die Spannung -U angeschlossen wird, wodurch bei der Spannung oV an den Gattern G die Kapazitäten C1 und C„ bis zur Bezugsspannung -U aufgeladen werden. Nach dem Aufladen muss das Substrat wieder an Masse gelegt werden und der Aufnehmer ist gebrauchsfertig. Auch wäre es möglich, das Substrat beim Aufladen an Masse gelegt zu hai-
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ten und die Gatter G an eine Spannung +U zu legen,
wobei über die g-n-Grenzschicht, die als Diode wirksam ist, die Kapazitäten C1 und C_ aufgeladen werden Nach dem Ausschalten der Spannung +U bleiben die Kapazitäten C1 und C2 bis zur Spannung -U aufgeladen.
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Claims (2)

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    Patentansprüche:
    1y Aufnehmer zum Umwandeln eines physikalischen Musters in ein elektrisches Signal als Funktion der Zeit, der mit in einer Reihe angeordneten Wandlern versehen ist, die je mit mindestens einer Kapazität und einer Steuerelektrode ausgebildet sind, wobei das physikalische Muster die Ladung einer bis zur Bezugsspannung aufgeladenen Kapazität bestimmt, welche Ladung mit Hilfe der mit einer Schaltspannungsquelle verbundenen Steuerelektrode aufeinanderfolgend auf andere Kapazitäten übertragen wird und als aufgenommene Musterinformation am Ausgang des Aufnehmers erscheint, dadurch gekennzeichnet, dass, die Wandler teilweise als Aufnahmeelemente mit Kapazitäten, welche die Musterinformation aufnehmen und mit in einen Parallel-Reihenwandler aufgenommenen, reihengeschalteten Elementen ausgebildet sind, an welche die genannten Aufnahmeelemente parallel angeschlossen sind, während die Steuerelektroden des mit dem Ausgang des Aufnehmers vernundenen Parallel-Reihenwandler s mit einer HF-SchaltSpannungsquelle und die der Aufnahraeelemente mit einer niedriger frequenten SehaltSpannungsquelle verbunden sind.
  2. 2. Aufnehmer nach Anspruch 1, ausgebildet mit einem zweidimensional arbeitenden Aufnahmepaneel, dadurch gekennzeichnet, dass Reihen reihen-
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    geschalteter Aufnahmeelemente spaltenweise angebracht sind, wobei zwischen den Aufnahmeelementen und den Parallel-Reihenwandlern im genannten Wandler Reihen reihengeschalteter, als Speicherelemente wirksamer Wandler angebracht sind, die einen Speicher bilden, dessen Steuerelektroden mit der genannten niedriger frequenten SchaltSpannungsquelle verbunden sind. 3· Aufnehmer nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Reihen Speicherelemente ein Element weniger haben als die Reihen Aufnahmeelemente. k. Aufnehmer nach Anspruch 2 oder 3 zum Gebrauch beim Fernsehen mit einer zeilen- bzw. teilbildfrequent auftretenden Abtast- und Austastperiode, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerelektroden des Speichers zugleich mit einer zeilenfrequenten SchaltSpannungsquelle verbunden sind, wobei die obengenannte niedriger frequente Schaltspannungsquelle für das Aufnahmepaneel und den Speicher wirksam ist in der Rasteraustastperiode und die zeilenfrequente Schaltspannungsquelle in der Rasterabtastperiode, während die mit dem Parallel-Reihenwandler verbundene hochfrequente Schaltspannungsquelle in den Zeilenabtastperioden während der Rasterabtastperiode wirksam ist.
    5. Ausnehmer nach Anspruch k, dadurch gekennzeichnet, dass die genannte niedriger frequente
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    Schaltspannungsquelle eine höhere Frequenz hat als die zeilenfrequente Schaltspannungsquelle.
    6. Aufnehmer nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Aufnehmer mit einer Taktimpulsquelle versehen ist, die einen Teil der hochfrequenten Schaltspannungsquelle bildet und über Teiler mit der genannten niedriger frequenten und zeilenfrequenten Schaltspannungsquelle verbunden ist.
    7. Aufnehmer nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die genannten Schaltspannungsque11en mit Toren ausgebildet sind, die an zeilen- bzw. teilbildfrequente Signale liefernde Generatoren angeschlossen sind.
    8. Aufnehmer nach einem der vorstehenden Ansprüche, integriert in einem Halbleiterkörper ausgebildet, dadurch gekennzeichnet, dass die Konfiguration der im Halbleiterkörper vorhandenen Inseln mit einem Leitfähigkeitstyp, der dem des Körpers entgegengesetzt 1st, mehr oder weniger quadratisch ist in den Aufnahmeelementen im Aufnahmepaneel und mehr oder weniger länglich rechteckig in den Wandlern im Parallel-Reihenwandler.
    9. Aufnehmer nach einem der obenstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß er hei einer Fernsehkamera verwendet ist.
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    L e e r s e i t e
DE2210303A 1971-03-19 1972-03-03 Aufnehmer zum Umwandeln eines physikalischen Musters in ein elektrisches Signal als Funktion der Zeit Expired DE2210303C3 (de)

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