DE2533405C3 - Verfahren zum verschachtelten Auslesen einer Ladungsspeicheranordnung - Google Patents
Verfahren zum verschachtelten Auslesen einer LadungsspeicheranordnungInfo
- Publication number
- DE2533405C3 DE2533405C3 DE2533405A DE2533405A DE2533405C3 DE 2533405 C3 DE2533405 C3 DE 2533405C3 DE 2533405 A DE2533405 A DE 2533405A DE 2533405 A DE2533405 A DE 2533405A DE 2533405 C3 DE2533405 C3 DE 2533405C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- charge
- during
- arrangement
- stage
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 32
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 8
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000012432 intermediate storage Methods 0.000 description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/46—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/72—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame transfer [FT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum verschachtelten Auslesen einer Anordnung von Ladungsspeicherstufen,
die jeweils mehr als einen Bereich enthalten, in dem Ladung speicherbar ist, bei welchem während
erster und zweiter Eingangszeitperioden jeder Stufe Spannungen zugeführt werden, die die Ansammlung
eines Ladungssignais in einem entsprechenden Bereich jeder Stufe während der ersten Eingangszeitperiode
und die Ansammlung eines Ladungssignals in einem zweiten entsprechenden Bereich jeder Stufe während
der zweiten Eingangszeitperiode ermöglichen, und die Werte der Spannungen während erster und zweiter
Leseperiode, die auf die ersten bzw. die zweiten Eingangszeitperioden folgen, zum Herausschieben der
Ladungssignale aus der Anordnung gesteuert werden, gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Ein verschachteltes Auslesen der einzelnen Stufen einer Ladungsspeicheranordnung kann beispielsweise
dann vorteilhaft sein, wenn es sich bei der Speicheranordnung um ein Bildaufnahmegerät handelt, welches in
jeder Stufe die Information eines Bildpunkts als strahliingsabhängig erzeugtes Ladungssignal speichert.
Bei Anordnung der Speicherstufen in Form der Zeilen und Spalten eines Fernsehrasters wird ein solches
Aufnahmegerät mit dem kommerziellen Fernsehen kompatibel, wenn man die Möglichkeit für eine
zeilenweise verschachtelte Auslesung der Stufen gemäß dem Fernseh-Zeilensprungverfahren schafft. Hierzu ist
aus der Veröffentlichung »Charge-Coupled Imaging Devices« aus IEEE, Traiis-Elec. Devices (Vol. ED-20,
No. 6, Juni 1973) ein Verfahren bekannt, bei dem die Bildpunktc der Zeilen des ersten Halbbildes während
einer ersten Eingangszeitperiode durch eine erste Gruppe von Speicherstufen erfaßt werden und dann die
dort gebildeten Ladungssignale zur Gänze aus der Anordnung herausgeschoben und verarbeitet werden,
bevor sie damit zeilenverschachtelten, zum zweiten Halbbild gehörenden Bildpunkte durch eine zweite
Gruppe von Speicherstufen erfaßt werden. Bevor wieder die erste Eingangszeitperiode folgt, werden die
zum zweiten Halbbild gehörenden Ladungssignale zur Gänze aus der Anordnung herausgeschoben und
verarbeitet.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren der eingangs beschriebenen Gattung so zu
gestalten, daß die Qualität der am Ende aus der Ladungsspeicheranordnung herausgeschobenen Signale
verbessert wird. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den im Kennzeichnungsteil des Patentanspruchs
1 angegebenen Maßnahmen gelöst.
Durch die erfindungsgemäße Vereinigung und Auslesung von Ladungssignalen aus jeweils zwei nebeneinanderliegenden
Bereichen einmal derselben und einmal zweier benachbarter Speicherstufen besteht jedes
ausgelesene Signal aus der Summe zweier Teilbeträge, zu deren Speicherung nur jeweils etwa die halbe
Spannung notwendig ist. Da die Erzeugung unerwünschter Ladungsmengen (z. B. von sogenannten
Dunkclströmen an unbelichteten Speicherstufen im Falle einer Bildaufnahmeordnung) überproportional mit
der an die Stufen gelegten Spannung steigt, werden die Stärke und die Wahrscheinlichkeit solcher unerwünschter
Komponenten mit dem erfindungsgemäßen Verfahren verringert
Das erfindungsgemäße Verfahren wird vorzugsweise zum Auslesen einer Ladungsspeicheranordnung angewendet,
deren Stufen aus ladungsgekoppelten Elementen bestehen. Bei einer speziellen Anwendungsart
handelt es sich um Elemente, die in zeilen- und spaltenweiser Anordnung eine Matrix bilden und in
deren Bereichen sich während der jeweiligen Eingangszeitperioden Ladungssignale entsprechend einer auf die
betreffenden Bereiche fallenden Strahlungs'menge ansammeln. Hierbei werden die Werte der an die Bereiche
angelegten Spannungen während der ersten bzw. der zweiten Lesezeitperiode so gesteuert, daß die Ladungssignale in den in Spaltenrichtung benachbarten Bereichen
derselben Stufe bzw. zweier in Spaltenrichtung benachbarter Stufen vereinigt werden, bevor sie in
Spaltenrichtung aus der Anordnung herausgeschoben werden. Eine derartige Anwendung des erfindungsgemäßen
Verfahrens beim Betrieb der Strahlungsfühlermatrix eines Bildaufnahmegerätes führt zu einer
wesentlichen Verbesserung der Vertikalauflösung und zur Verminderung von Moiremustereffekten bei gleichzeitiger
Geringhaltung von Dunkelströmen.
Bei einer anderen speziellen Anwendungsart handelt es sich bei der mit dem erfindungsgemäßen Verfahren
ausgelesenen Ladungsspeicheranordnung um die ladungsgekoppelten Stufen des Ausgangsregisters einer
Matrix aus zeilen- und spaltenweise angeordneten ladungsgekoppelten Bildfühlelementen, wobei diese
Stufen parallel jeweils die aus den verschiedenen Spalten der Matrix herausgeschobenen Ladungssignsie
empfangen. Hier führt die erfindungsgemäße Ve.einigung von Ladungssignalen aus nebeneinanderliegenden
Bereichen einmal jeweils derselben Stufe und einmal jeweils zweier benachbarter Stufen dazu, daß die
Horizontalauflösrng verbessert wird und gleichzeitig Moiremustereffekte sowie Störkomponente gering
gehalten werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann in einem Bildaufnahmegerät auch gleichzeitig sowohl zum
Auslesen der Bildfühlermatrix selbst als auch zum Auslesen des Ausgangsregisters angewendet werden.
Die Erfindung wird im folgenden an Ausführungsbeispielen, von denen eines zusätzlich noch Maßnahmen
zur Verringerung des sogenannten Überstrahlens aufweist, anhand von Zeichnungen näher erläutert.
Es zeigt
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer bekann-•en
ladungsgekoppelten Bildaufnahmeeinrichtung;
Fig.2 einen Querschnitt durch einen Teil eines Kanals der Einrichtung gemäß Fig. 1;
F i g. 3a, Fi g. 3b und F i g. 3c eine schematische Darstellung, wie bei einer Einrichtung gemäß der
Erfindung eine vertikale Verschachtelung erreicht werden kann;
F i g. 4 eine zur weiteren Erläuterung der Vertikalverschachtelung
dienende Darstellung von Elektroden und fto Oberflächenpotentialprofilen;
F i g. 5 eine graphische Darstellung des Verlaufes von Signalen, die beim Betrieb der in F i g. 4 dargestellten
Einrichtung verwendet werden;
F i g. 6 eine schematische Darstellung einer Einrich- '·>
tung, die gemäß einer Ausführungsform der Erfindung verwendet werden kann, um eine Horizontalverschachtelungzu
erzielen;
F i g. 7 eine schematische Darstellung einer Elektrodenstruktur für ein Ausgangsregister der Einrichtung
gemäß Fig.6 und von Potentialprofilen, die während
des Betriebes auftreten;
F i g. 8 eine etwas vereinfachte, realistischere Darstellung des Aufbaues eines Ausgangsregisters, wie es zur
Realisierung der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann;
F i g. 9 eine graphische Darstellung des Verlaufes von Signalen, wie sie im Bereich von Ausführungsbeispielen
der Erfindung auftreten, und
Fig. 10 eine schematische Darstellung von einer
Elektrodenstruktur und Potentialprofi.'en, die bei einer
Ausführungsform der Erfindung auftreten, welche einen gewissen Grad von Überstrahlungskontrolle gewährleistet
Die in F i g. 1 dargestellte bekannte Einrichtung kann als ladungsgekoppelte Einzelbild- oder Rasterübertragungsbildaufnahmeeinrichtung
bezeichnet werden und enthält eine photoempfindliche Anordnung oder Matrix 10, eine Temporär- oder Zwischenspeichermatrix 12 mit
der gleichen Anzahl von Plätzen wie die Matrix 10, und ein Ausgangsregister 14, das ebensoviele Stufen hat, wie
die Matrizen 10 und 12 Spalten. Die Matrizen 10,12 und das Ausgangsregister 14 werden manchmal auch als A,
B- bzw. C-Register bezeichnet. Bei dem dargestellten Zweiphasensystem enthält jede Stufe oder jeder Platz
zwei Elektrodenanordnungen K und L Wie F i g. 2 zeigt, kann eine Elektrodenanordnung, wie die Elektrodenanordnung
K, bei nur zwei Phasensystemen zwei Elektroden k\ und 2 enthalten. Die Elektrode Jt2 kann aus
polykristallinem oder Polysilicium, und die Elektrode K]
aus Polysilicium oder Aluminium bestehen und beide Elektroden werden mit derselben Phasenspannung Φαι
beaufschlagt. Die Elektrodenanordnung L ist entsprechend aufgebaut und wird durch die andere Phasenspannung
Φα2 gesteuert. Hinsichtlich der Einrichtungen
gemäß dieser und den folgenden Figuren wird angenommen, daß das Substrat η-leitend ist, man kann
selbstverständlich statt dessen auch ein p-leitendes Substrat verwenden, wenn man die Betriebsspannungen
entsprechend wählt.
Bei konventionellem, ohne vertikale oder horizontale Verschachtelung arbeitenden Betrieb kann die Elektrodenanordnung
K während der sogenannten »Integrationszeitspanne«, die in der Photographic der Belichtungszeit
entspricht, auf einem solchen Spannungswert gehalten werden, daß bei der Oberfläche des Substrats
Potentialmulden erzeugt werden. Die Elektrodenanordnung L kann auf einem solchen Spannungswert gehalten
werden, daß zwischen den Potentialmulden Potentialberge oder Potentialbarrieren entstehen. Der Übergang
von Ladungen aus einem Kanal in den nächsten Kanal wird durch nicht gesondert dargestellte »Kanalsperren«
verhindert. Unter diesen Umständen bewirkt eine Strahlungsenergieverteilung, z. B. ein Bild aus sichtbarem
oder infrarotem Licht, die auf die Matrizen fällt, daß in den jeweiligen Photosensorplätzen Ladungen erzeugt
und angesammelt werden, die Ladungssignale darstellen. Die Anzahl der sich während der Integrationszeit
an den verschiedenen Plätzen ansammelnden Ladungsträger ist proportional dem Betrag der den
betreffenden Platz erreichenden Strahlungsenergie und damit wiederum proportional der Strahlungsintensität
und der Dauer der Integrationszeit. Die Matrix 12 und das Register 14 sind abgeschirmt, so daß die Strahlung
dieser Anordnung nicht erreichen kann.
Am Ende der Inteerationszeit werden Hip I «Ηιιησς-
träger von der Photosensor-Matrix 10 in die Zwischenspeicher-Matrix
12 übergeführt. Diese Überführung erfolgt bei dem dargestellten Beispiel durch Verschiebung
mittels zweier Gruppen von Phasenspannungen Φα\, Φα2, Φβ\, Φβι (mit praktisch dergleichen Gatter- s
struktur währe auch ein Vierphasenbetrieb möglich). Während des Verschiebungsvorganges sind Φα\ — Φβ\
und ΦAi = Φβ2· Nachdem die durch die Matrix 10
wahrgenommene Information als Ganzes in die Zwischenspeichermatrix 12 verschoben worden ist, wird ι ο
sie jeweils Zeile für Zeile (oder Reihe für Reihe) von der Zwischenspeichermatrix 12 in das Ausgangsregister 14
verschoben. Während die Signale von der Zwischenspeichermatrix 12 in das Ausgangsregister 14 verschoben
werden, kann die Photosensor-Matrix wieder in den auinahmebereiten Zustand gebracht werden und ein
Lichtbild empfangen.
Die Verschiebung des Inhalts der Zwischenspeichermatrix 12 in das Ausgangsregister 14 wird durch die
Zweiphasenspannungen Φβ\, Φβ2 bewirkt. Nachdem die
einzelnen Zeilen von der Zwischenspeichermatrix 12 parallel in das Ausgangsregister 14 verschoben worden
sind, werden sie jeweils durch zwei verschiedenphasige Spannungen Φα, Φα vom Ausgangsregister 14 serienmäßig
auf eine Ausgangsleitung 20 übertragen. Die letzterwähnten Spannungen haben selbstverständlich
eine viel höhere Frequenz als die zweiphasigen Spannungen Φβ\, Φβ2, so daß eine Entleerung des
Ausgangsregisters 14 vor dem Eintreffen der nächsten Informationszeile gewährleistet ist. w
In der Praxis kann der Inhalt der Photosensormatrix
10 in die Zwischenspeichermatrix 12 während einer Zeitspanne verschoben werden, die der Vertikalaustastzeil
beim komerziellen Fernsehen entspricht, d. h. während einer Zeitspanne von z. B. 900 μβ. Das
Speichern der Information im Ausgangsregister 14 kann z.B. 10 μ5 dauern und der Zeilenrücklaufzeit entsprechen
und das bitweise Verschieben seines Inhalts zur Ausgangsklemme kann während einer Zeilenperiode
(z. B. 50 μβ) erfolgen.
Die vertikale Verschachtelung der aus der Einrichtung gemäß Fig. 1 herausgelesenen Information kann
ähnlich erfolgen, wie es in der Veröffentlichung »Cahrge-Coupled Imaging Devices« IEEE, Trans-Elec.
Divices, Vol. ED-20, No. 6, Juni 1973, beschrieben ist. Während jeder zweiten Bild- oder Rasterperiode findet
eine Ladungsintegration unter der Elektrodenanordnung K statt, während die Elektrodenanordnung L auf
einer solchen Spannung gehalten wird, daß Barrieren zwischen den Aw-Elektrodenanordnungen enstehen.
Nach der Ansammlung von Ladungen während der Integrationszeit werden diese Ladungen in ihrer Gänze
von der Matrix 10 in die Matrix 12 und dann von letzterer zeilenweise ir, das Ausgangsregister 14
verschoben, wie bereits erläutert wurde.
Während des Auslesens der Zwischenspeichermatnx 12 läßt man in der Photosensormatrix 10 sich ein zweites
Raster von Information ansammeln. Während dieses zweiten Rasters oder Teilbildes sammeln sich die
Ladungen nun unter dem L-Elektrodenanordnungen, anstatt unter den K-Elektrodenanordnungen an und
letztere werden auf einer Spannung gehalten, die Barrieren zwischen den L-Elektrodenanordnungen
entstehen läßt
Bei der oben beschriebenen Einrichtung hat das fts
Ausgangsregister 14 ebensoviele Stufen, wie die Matrix Spalten hat, gleichgültig ob mit Vertikalverschachtelung
gearbeitet wird oder nicht. Bei der in F i g. 1 dargestellten Einrichtung hat die Anordnung alsc
(^-Spalten und das Ausgangsregister 14 hat (?-Stufer
Die Information aus der l-ten Spalte der Anordnunj oder Matrix wird in die i-te Registerstufe verschoben
wobei i eine ganze Zahl mit dem Wert 1,2,3 .. .Q ist.
Fig. 3 zeigt schemalisch, wie die Vertikalverschach
telung bewirkt wird. Jede Elektrodenanordnung is durch einen einzigen Block dargestellt, wobei de
Hauptteil des Blockes, unter dem die Ladungsansamm lung stattfindet, mil Ai oder /2 und ein kleiner Teil jede;
Blockes, unter dem die Potentialwelle oder Barriercr gebildet werden, mit k\ oder l\ bezeichnet sind. Fig. 3;
zeigt die Verhältnisse während der Ladungsintegra tionszeit. Fig.4 zeigt das Gleiche bei a. Die Potential·
oder Spannungen Φα\ und Φαί haben während dei
integrationszeit solche Werte, daß sich Ladungen untei
jeder Polysiliciumelektrode ansammeln. Es sammelr sich also Ladungen unter den Elektroden h und untei
den Elektroden ki an. Die Aluminiumelektroden k\ unc
/1 haben einen genügenden Abstand vom Substrat, da; bei den für die Spannungen Φα\ und Φαί verwendeter
Werte Potentialwellen zwischen den Potentialmulder vorhanden sind, wie F i g. 4 zeigt.
Man beachte, daß bei der vorliegenden Anordnung gemäß der Erfindung während der Integrationszei
doppelt so viele Potentialmulden vorhanden sind als in bekannten Falle. Wie gleich erläutert wird, werden nach
der Integration die in jedem Paar von Mulder vorhandenen Ladungen in einer einzigen Mulde
vereinigt. Dies bedeutet, daß die anfänglichen Potential mulden relativ flach sein müssen (nicht tiefer als di(
Hälfte der Mulde, in dem das jeweilige Paar vor Ladungssignalen später vereinigt wird). Die zur
Zeugung dieser flachen Mulden erforderliche Spannung ist relativ niedrig und dies stellt hinsichtlich de
Betriebes einen wichtigen Vorteil dar. Die Verwendung niedriger Spannungen während der Integrationszeit
führt zu relativ niedrigen Dunkelströmen (Dunkelströme lassen Ladungssignale aufgrund anderer Ursachen
als der interessierenden Strahlung entstehen. Dunkelströme können z. B. durch Wärmeeffekte entstehen und
im wiedergegebenen Bild eine unerwünschte Aufhellung, z. B weiße Flecken, zur Folge haben). Untersuchungen
haben gezeigt, daß die Amplitude der Dunkelstromimpulse mit Erhöhung der während der
Integrationszeit verwendeten Spannung sehr rasch und in nichtlinearer Weise ansteigt.
DieFig. 3c und 4b zeigen, wie die Information für
alternierende Raster oder Teilbilder, die willkürlich mit »Teilbild 1« bezeichnet werden sollen, erhalten werden
Am Ende der Integrationszeit wird die Spannung, die den Elektroden K für die eine Phase zugeführt wird
erhöht, während die Spannung, die den Elektroden L für
die Phase 2 zugeführt wird, unverändert bleibt. Dies ist
in den Diagrammen der Fig.5 durch den Doppelpfeil
mit der Beschriftung »Ladungsverschiebung zu den K-Mulden« dargestellt Die Folge dieser Spannungswertänderung
besteht darin, daß die vorher unter den Elektroden L befindlichen Ladungen unter die Elektroden
K geschoben werden, wie dies durch die Schraffierung in F i g. 3c dargestellt ist
Das mit dem eben beschriebenen Teilbild verschachtelte Teilbild wird in ähnlicher Weise erhalten. Während
der zweiten Integrationszeit läßt man Ladungen sich in der gleichen Weise ansammeln, wie es in den Fig.3a
und 4a dargestellt wird und verschiebt diese dann wie in den F i g. 3b und 4c dargestellt ist. Diese Verschiebung
erfolgt dadurch, daß man die Spannung an den
Elektroden L erhöht, während die Spannung an den
Elektroden K unverändert bleibt. Dies ist in K i g. 5 durch den Doppelpfeil mit der Bezeichnung »Ladeverschiebung
zu dem λ-Mulden« ebenfalls dargestellt.
Der letzte Teil der Fig.4 zeigt bei dschematisch die
in der eben beschriebenen Weise bewirkte Vertikalverschachtelung. Die Kreuze steüen die »Schwerpunkte«
für die willkürlich mit »Teilbild 2« bezeichneten Teilbilder und Raster dar, während die Schwerpunkte
der willkürlich mit »Teilbild I« bezeichneten Teilbilder oder Raster durch Kreise dargestellt sind.
F i g. 6 zeigt schematisch eine Struktur, mit der gemäß der Erfindung eine horizontale Verschachtelung bewirkt
werden kann. Es sind ein Teil der letzten beiden Zeilen der Matrix 12 und ein Teil des Ausgangsregisters
14 dargestellt. Im bekannten Falle ist eine Registerstufe pro Kanal vorgesehen. Bei der Anordnung gemäß der
vorliegenden Erfindung ist für jeweils zwei Kanäle eine Registerstufe vorhanden, d. h. eine halbe Registerstufe
pro Kanal. Die Arbeitsweise ist in F i g. 7 dargestellt. Anfänglich sind die Spannungen Φα und Φα verhältnismäßig
hoch und haben solche Werte, daß sich Potentialmulden unter jeder der Elektroden bilden, die
sich verhältnismäßig nahe beim Substrat befinden und daß sich Potentialwellen zwischen diesen Mulden bilden,
d. h. unter jeder Elektrode, die verhältnismäßig weit vom Substrat entfernt ist Das Oberflächenpotential ist
in F i g. 7 bei a dargestellt Wenn eine Zeile Information in das Ausgangsregister übertragen wird, füllt sich jede
Potentialmulde in einem Ausmaß, daß von der von der Spalte übertragenen Ladungsmenge abhängt.
Nach der anfänglichen Übertragung einer horizontalen Zeile des Teilbildes 1 in das Ausgangsregister 14
werden die Spannungen Φα und Φα zuerst etwas
herabgesetzt, die Mulden und Wall-Oberflächenpotentiale nehmen beide ab, die relative Tiefe der Mulden
bleibt jedoch gleich; dann wird die Spannung Φα
erhöht, während die Spannung Φα auf dem herabgesetzten
Wert bleibt. Dies bewirkt die Übertragung von Ladungen von jeder Ausgangsregisterstufenhälte a in
die folgende Ausgangsregisterstufenhälfte b, wie in F i g. 7 bei (b) dargestellt wird. Z. B. werden die Inhalte
der Halbstufen J3 und Jb in der Potentialmulde der
Stufenhälfte Jb vereinigt Die so angesammelten
Ladungen werden anschließend mit hoher Geschwindigkeit aus dem Ausgangsregister herausgeschoben, wie
in F i g. 9 schematisch angedeutet ist Der Vorgang setzt sich fort, bis das ganze Teilbild 1 zeilenweise oder
zeilenparallel in das Ausgangsregister und dann seriell aus dem Ausgangsregister heraus verschoben worden
ist
Das mit dem oben beschriebenen Teilbild horizontal verschachtelte Teilbild wird in entsprechender Weise
gewonnen. Nach einer zweiten Integrationszeit erfolgt zuerst eine Ladungsübertragung in der gleichen Weise,
wie es anhand von Fig.7a erläutert wurde. Die
angesammelten Ladungen werden dann jedoch von den Halbstufen b in die nachfolgenden Halbstufen a
verschoben. Z. B. wird, wie in F i g. 7c dargestellt ist, der
Inhalt der Halbstufe (J—\)b in die Halbstufe /,
verschoben und diese Verschiebung erfolgt dadurch, daß zuerst Φα und Φα verringert werden und dann der
Wert der Spannung Φα verhältnismäßig groß gemacht wird, während die Spannung Φα auf ihrem herabgesetzten Wert gehalten wird Dieser Prozeß dauert an, bis das
ganze Teilbild 2 zeilenweise parallel in das Ausgangsregister und aus diesem seriell heraus verschoben worden
ist
Fig. 7 zeigt bei t/ die in der oben erläuterten Weise
erhaltene horizontale Verschachtelung. Die Kreise stellen die »Schwerpunkte« der willkürlich mit »Teilbild
1« bezeichneten alternierenden Teilbilder und die Kreuze die Schwerpunkte der willkürlich mit »Teilbild
2« bezeichneten Teilbilder dar.
In F i g. 8 ist das Ausgangsregister etwas wirklichkeitsgetreuer
dargestellt als in den vorangegangenen Figuren. Mit 80 ist die Polysiliciumelektrode der letzten
ίο Zeile der Zwischenspeichermatrix 12 bezeichnet. Diese
Elektrode 80 wird von einer zweiten Elektrode 82 überlappt, die z. B. aus Polysilicium oder Aluminium
bestehen kann. Das Ausgangsregister enthält u. a. Elektroden 84 bis 87 aus Polysilicium oder Aluminium
und Elektroden 88 bis 91 aus Polysilicium.
Das Ausgangsregister kann ferner eine schwimmende Diffusionszone 92, eine Kollektor- oder Drain-Diffusionszone
94 und eine Gate-Elektrode 96 enthalten.
Bei der folgenden Erläuterung der Arbeitweise der in F i g. 8 dargestellten Anordnung wird auch auf F i g. 9 Bezug genommen. Wenn eine Ladungssignalzeile die letzte Polysiliciumelektrode 80 erreicht, erhält die zweite Elektrode 82 (Übertragungselektrode) einen negativen Spannungsimpuls Φβα wie beispielsweise bei 100 in Fig.9 dargestellt ist. Dieser Impuls 100 nimmt seinen negativen Wert an, während Φβι negativ ist und bleibt noch negativ, nachdem sich Φ& in positiver Richtung geändert hat. Durch diesen zeitlichen Verlauf wird verhindert, daß sich Ladung, die in das Ausgangsregister übertragen worden ist, zurück zu den Kanälen abgewandt Sowohl Φα als auch Φα sind während mindestens eines Teiles des negativen Impulses Φβε negativ. Dies gewährleistet, daß die Ladungssignalzeile beim Enden des negativen Impulses Φβο in das Ausgangsregister 14 übertragen wird. Der Spannungswert bei 100 kann so gewählt werden, daß die Potentialmulde unter der Elektrode 82 flacher ist, als die unter den Polysiliciumelektroden des Ausgangsregisters und tiefer als die unter der Polysiliciumelektrode 80.
Bei der folgenden Erläuterung der Arbeitweise der in F i g. 8 dargestellten Anordnung wird auch auf F i g. 9 Bezug genommen. Wenn eine Ladungssignalzeile die letzte Polysiliciumelektrode 80 erreicht, erhält die zweite Elektrode 82 (Übertragungselektrode) einen negativen Spannungsimpuls Φβα wie beispielsweise bei 100 in Fig.9 dargestellt ist. Dieser Impuls 100 nimmt seinen negativen Wert an, während Φβι negativ ist und bleibt noch negativ, nachdem sich Φ& in positiver Richtung geändert hat. Durch diesen zeitlichen Verlauf wird verhindert, daß sich Ladung, die in das Ausgangsregister übertragen worden ist, zurück zu den Kanälen abgewandt Sowohl Φα als auch Φα sind während mindestens eines Teiles des negativen Impulses Φβε negativ. Dies gewährleistet, daß die Ladungssignalzeile beim Enden des negativen Impulses Φβο in das Ausgangsregister 14 übertragen wird. Der Spannungswert bei 100 kann so gewählt werden, daß die Potentialmulde unter der Elektrode 82 flacher ist, als die unter den Polysiliciumelektroden des Ausgangsregisters und tiefer als die unter der Polysiliciumelektrode 80.
Nach dem Enden des Impulses 100 ändert sich die Spannung Φβι in positiver Richtung, während die
Spannung Φα ihren relativ negativen Wert beibehält.
Dies hat zur Folge, daß der Inhalt der durch die Elektroden Φα gesteuerten Halbstufe unter die Elektroden
Φα verschoben wird. Dies unterscheidet sich etwas
von der in F i g. 7 dargestellten Arbeitsweise, die Wirkung ist jedoch die gleiche. In Fig.7 ist das
Oberflächenpotential unter allen Elektroden mit dem Index b anfänglich hoch. Die Vereinigung wird dadurch
erreicht daß man zuerst Φα und Φα herabsetzt, um die
Oberflächenpotentiale unter den b-Elektroden abzusenken
und dann eine der Phasenspannungen erhöht (negativer) macht während die andere Phasenspannung
auf dem herabgesetzten Wert bleibt; in F i g. 9 wird die
SS Vereinigung dadurch bewirkt, daß man die eine der
während die andere Phasenspannung unverändert
bleibt
Weise vereinigt worden sind, werden die vereinigten
Ladungen mit hoher Geschwindigkeit aus dem Aus gangsregister 14 herausgeschoben. Jedesmal, wenn eine
Ladung die schwimmende Diffusionszone 92 erreicht erzeugt sie ein Signal auf einer Ausgangsleitung 102, die zu einer nicht dargestellten Ausgangsverstärkerstufe führt Kurze Zeit später wird die Gate-Elektrode 96
erregt, um einen leitenden Kanal zwischen der schwimmenden Diffusionszone 92 und der Drain-Diffu-
sions2:one 94 herzustellen, um das Potential der Diffusionszone 92 auf einen Bezugswert zu bringen. Der
restliche Arbeitsablauf läßt sich ohne weiteres aus den in F i g. 9 dargestellten Signalverläufen entnehmen.
Der Beginn der Übertragung der das Teilbild 2 bildenden Zeilen in das Ausgangsregister wird durch
den 4>ß(~Impuls 104 angezeigt Die Vereinigung der
übertragenen Ladungen von zwei Halbstufen mit dem Index 6 in solche mit dem Index a ist im Bereich 106 der
Spannung ΦΏ in F i g. 9 dargestellt. Im übrigen läßt sich
der Fiiinktionsablauf ohne weiteres aus Fig.9 entnehmen.
Fig. 10 zeigt eine Struktur, die das Überstrahlen
(Aufblühen) während der in Verbindung mit den F i g. 3 bis 5 erläuterten Vertikalverschachtelung verringert.
Auch hier wird das Substrat als η-Leitend angenommen. Bei der Anordnung gemäß Fig. 10 werden die
Aluminiumelektroden während der Integrationszeit auf einer Spannung V gehalten, die genügend positiv
(relativ) betrachtet, ist, um die Ansammlung von Majoritätsträgern (Elektronen) im Substrat zu bewirken.
Diese Spannung kann einen Wert von 0 Volt (unter der Annahme, daß das Substrat auf OVoIt gehalten
wird) oder einen kleinen positiven Wert (wie etwa 1 bis 5 Volt) haben. Wenn intensive Strahlung auftritt, wie in
Fig. 10 durch Pfeile dargestellt ist, werden einige der Minoritätträger (Löcher), die sonst auf einer Potentialmulde
in benachbarte Potentialmulden überfließen würden, mit den Majoritätsträgern in den Ansammlungsbereichen
unterhalb der Aluminiumelektrode;* rekomibinieren, wie in Fig. 10 dargestellt ist. Wenn die
Ladungssignale in der oben beschriebenen Weise vereinigt und verschoben werden sollen, werden die
Aluminiumelektroden mit den Klemmen für die mehrphasigen Spannungen verbunden, wie schematisch
durch die Symbole für mechanische Schalter angedeutet ist. Selbstverständlich wird dies in der Praxis mit
elektronischen Schaltern und Schaltungsanordnungen bewirkt.
Im vorstehenden wurde eine sowohl horizontale als auch vertikale Verschachtelung der Ladungsverteilungen
beschrieben; selbstverständlich läßt sich die Erfindung sowohl für eine solche kombinierte Verschachtelung
als auch für eine der beiden Verschachtelungsarten allein verwenden.
Anstelle der beschriebenen ladungsgekoppelten Bildaufnahmeeinrichtungen
mit η-leitendem Substrat läßt sich die Erfindung selbstverständlich auch bei Einrichtungen
mit p-leitenden Substraten verwenden, und sie eignet sich für ladungsgekoppelte Einrichtungen sowohl
mit Oberflächenkanal als auch mit verdecktem Kanal, mit der Ausnahme des Ausführungsbeispieles gemäß
Fig. 10, das in erster Linie bei Einrichtungen mit Oberflächenkanal anwendbar ist. Der Erfindungsgedanke
ist auch auf Vierphasensysteme anwendbar, und kann dann mit einer entsprechenden Elektrodenstruktur
realisiert werden.
Zu den beschriebenen speziellen Zweiphasenelektrodenstrukturen gibt es selbstverständlich ebenfalls
Alternativen. Z. B. kann man asymmetrische Potentialmulden erzeugen, indem man die beiden Elektroden
jedes Paares mit verschiedenen Gleichspannungen vorspannt und die Aluminiumelektroden können den
gleichen oder einen größeren Abstand vom Substrat haben, als die Polysiliciumelektroden. Asymmetrische
Potentialmulden kann man auch dadurch erhalten, daß man die Ladung entweder in das Substrat unter die eine
der Elektroden jedes Elektrodenpaares bringt, oder indem man eine geeignete Isolation mit eingebauter
Ladung verwendet, die unter der einen Elektrode eines Paares einen anderen Wert hat, als unter der anderen
Elektrode des Paares. Man kann auch andere Metalle aus Aluminium verwenden. Wenn nur Polysiliciumelektroden
verwendet werden, kann man Aluminiumanschlüsse für die Elektroden sowie für die Source- und
Drain-Diffusionszone und das Substrat benützen.
Beim Betrieb der erläuterten Einrichtung ist es wichtig, daß die Raster oder Teilbilder bei der
Wiedergabe auf einer Wiedergabeeinrichtung, wie einer Fernsehbildröhre, in der gleichen relativen Lage
erscheinen, wie Schwerpunkte der Teilbilder während der Integrationszeit der betreffenden Teilbilder. Dies
entspricht dem, was beim kommerziellen Fernsehen geschieht
Claims (4)
1. Verfahren zum verschachtelten Auslesen einer Anordnung von Ladungsspeicherstufen, die jeweils
mehr als einen Bereich enthalten, in dem Ladung speicherbar ist, bei welchem während erster und
zweiter Eingangszeitperiode jeder Stufe Spannungen zugeführt werden, die die Ansammlung eines
Ladungssignals in einem entsprechenden Bereich jeder Stufe während der ersten Eingangszeitperiode ι ο
und die Ansammlung eines Ladungssignals in einem zweiten entsprechenden Bereich jeder Stufe während
der zweiten Eingangszeitperiode ermöglichen, und die Werte der Spannungen während erster und
zweiter Lesezeitperioden, die auf die ersten bzw. zweiten Eingangsszeitperioden folgen, zum Herausschieben
der Ladungssignale auf der Anordnung gesteuert werden, dadurch gekennzeichnet,
daß die Spannungen (Φαι, Φαί, Φα, Φα) jedem
Bereich (K, L, J1, Jb usw.) einer Stufe (die Stufe eines
Kanals in der Matrix 10; die Stufe 1 ... Q im Ausgangsregister) sowohl während der ersten als
auch während der zweiten Eingangszeitperioden zugeführt werden, um die Ansammlung eines
Ladungssignales in jedem Bereich während jeder 2S
Eingangszeitperiode zu ermöglichen; daß die Werte der Spannungen während der ersten Lesezeitperiode
so gesteuert werden, daß das angesammelte Ladungssignal von einem Bereich (K; J1) jeder Stufe
in einen benachbarten Bereich (L; Jb) derselben Stufe v>
verschoben und die Ladungssignale vor ihrem Herausschieben aus der Anordnung (Kanal 1, Kanal
2 .... Kanal Q; Ausgangsregister) vereinigt werden; und das die Werte der Elektrode k\ der zweiten
Leseperiode so gesteuert werden, daß das angesammelte
Ladungssignal von einem Bereich (L, Jb) jeder Stufe in einen benachbarten Bereich (K; (J+\)a)
einer benachbarten Stufe zur Vereinigung der Ladungssignale vor dem Heraasschieben der Ladungssignale
aus der Anordnung verschoben wird. -1°
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es zum Auslesen einer Ladungsspeicheranordnung
angewendet wird, deren Stufen aus ladungsgekoppelten Elementen bestehen.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß es zum Auslesen einer Ladungsspeicheranordnung
(10) angewendet wird, deren Stufen eine Matrix aus zeilen- und spaltenweise angeordneten ladungsgekoppelten Elementen bilden,
ii. deren Bereichen (K, L) sich während der jeweiligen Eingangszeitperioden Ladungssignale
entsprechend einer auf die betreffenden Bereiche fallenden Mengen an Strahlungsenergie ansammeln,
wobei die Werte der an die Bereiche angelegten Spannungen (Φα\, Φαί) während der ersten bzw. der
zweiten Lesezeitperiode so gesteuert werden, daß die Ladungssignale in den in Spaltenrichtung
benachbarten Bereichen derselben Stufe bzw. zweier in Spaltennchtung benachbarter Stufen (z. B.
k\ und /ι bzw. /1 und fo) vereinigt werden, bevor sie in
Spaltenrichtung aus der Anordnung herausgeschoben werden.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß es /um Auslesen einer Ladungsspeicheranordnung
(14) angewendet v,jrd, Λ5
deren Stufen (J, /+1, ...) als ladungsgekoppelte Elemente das Ausgangsregister einer Matrix (10) aus
zeilen- und spaltenweise angeordneten ladungsgekoppelten Bildfühlelementen bilden und parallel
jeweils die aus den verschiedenen Spalten der Matrix herausgeschobenen Ladungssignale empfangen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/491,812 US3932775A (en) | 1974-07-25 | 1974-07-25 | Interlaced readout of charge stored in a charge coupled image sensing array |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2533405A1 DE2533405A1 (de) | 1976-02-05 |
DE2533405B2 DE2533405B2 (de) | 1977-11-03 |
DE2533405C3 true DE2533405C3 (de) | 1978-06-15 |
Family
ID=23953785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2533405A Expired DE2533405C3 (de) | 1974-07-25 | 1975-07-25 | Verfahren zum verschachtelten Auslesen einer Ladungsspeicheranordnung |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3932775A (de) |
JP (2) | JPS5444413B2 (de) |
AU (1) | AU497072B2 (de) |
CA (1) | CA1042102A (de) |
DE (1) | DE2533405C3 (de) |
FR (1) | FR2280197A1 (de) |
GB (1) | GB1503820A (de) |
NL (1) | NL185970C (de) |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3932775A (en) * | 1974-07-25 | 1976-01-13 | Rca Corporation | Interlaced readout of charge stored in a charge coupled image sensing array |
JPS5156156A (de) * | 1974-09-17 | 1976-05-17 | Westinghouse Electric Corp | |
JPS5140711A (en) * | 1974-10-02 | 1976-04-05 | Nippon Electric Co | 2 jigendenkatensososhi oyobi koreomochiita eizoshingono goseihoho |
US4141024A (en) * | 1975-09-25 | 1979-02-20 | Sony Corporation | Solid state image sensing device |
US4087832A (en) * | 1976-07-02 | 1978-05-02 | International Business Machines Corporation | Two-phase charge coupled device structure |
JPS585627B2 (ja) * | 1977-08-10 | 1983-02-01 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
US4176369A (en) * | 1977-12-05 | 1979-11-27 | Rockwell International Corporation | Image sensor having improved moving target discernment capabilities |
US4169273A (en) * | 1978-06-26 | 1979-09-25 | Honeywell Inc. | Photodetector signal processing |
JPS5518064A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-07 | Sony Corp | Charge trsnsfer device |
JPS55163960A (en) * | 1979-06-08 | 1980-12-20 | Nec Corp | Electric charge transfer pickup unit |
NL7904654A (nl) * | 1979-06-14 | 1980-12-16 | Philips Nv | Televisie opneempaneel. |
US4278999A (en) * | 1979-09-12 | 1981-07-14 | The Mead Corporation | Moving image scanner |
NL8000998A (nl) * | 1980-02-19 | 1981-09-16 | Philips Nv | Vaste stof opneemcamera met een halfgeleidende photogevoelige trefplaat. |
JPS57104377A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state image pickup device |
US4499496A (en) * | 1981-09-17 | 1985-02-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image sensing device |
JPS58125963A (ja) * | 1982-01-21 | 1983-07-27 | Nec Corp | 電荷転送撮像装置 |
US4727406A (en) * | 1982-02-12 | 1988-02-23 | Rockwell International Corporation | Pre-multiplexed detector array |
US4564766A (en) * | 1982-04-20 | 1986-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for driving solid state image pickup device |
JPS59115678A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-04 | Canon Inc | 撮像装置 |
NL192315C (nl) * | 1983-01-18 | 1997-05-07 | Philips Electronics Nv | Televisiecamera uitgevoerd met een vaste stof opneeminrichting. |
US4524390A (en) * | 1983-03-07 | 1985-06-18 | Eastman Kodak Company | Imaging apparatus |
NL8301977A (nl) * | 1983-06-03 | 1985-01-02 | Philips Nv | Ladinggekoppelde beeldopneeminrichting en geheugeninrichting met hoge bitdichtheid. |
US4598321A (en) * | 1983-12-19 | 1986-07-01 | Rca Corporation | CCD imagers with registers partitioned for simultaneous charge transfers in opposing directions |
US4707743A (en) * | 1985-02-19 | 1987-11-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for image conversion with multiple exposures for filtering |
GB2177542B (en) * | 1985-07-05 | 1989-07-12 | Gen Electric Plc | Charge coupled device image sensors |
GB8517081D0 (en) * | 1985-07-05 | 1985-08-14 | Gen Electric Co Plc | Image sensors |
US4656518A (en) * | 1985-12-11 | 1987-04-07 | Rca Corporation | Field-transfer CCD imagers with poly-phase image registers, operated to provide pseudo line interlace on alternate fields |
US5306648A (en) * | 1986-01-24 | 1994-04-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of making photoelectric conversion device |
JPS6344759A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Canon Inc | 光電変換装置 |
US4995061A (en) * | 1987-12-17 | 1991-02-19 | Texas Instruments Incorporated | Two-phase CCD imager cell for TV interlace operation |
US5134087A (en) * | 1987-12-17 | 1992-07-28 | Texas Instruments Incorporated | Fabricating a two-phase CCD imager cell for TV interlace operation |
US4873561A (en) * | 1988-04-19 | 1989-10-10 | Wen David D | High dynamic range charge-coupled device |
DE3817559C1 (de) * | 1988-05-24 | 1989-12-07 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De | |
JP2735223B2 (ja) * | 1988-06-08 | 1998-04-02 | 日本放送協会 | 固体撮像装置 |
US4958207A (en) * | 1989-03-17 | 1990-09-18 | Loral Fairchild Corporation | Floating diode gain compression |
US4967249A (en) * | 1989-03-17 | 1990-10-30 | Loral Fairchild Corporation | Gain compression photodetector array |
US5055667A (en) * | 1990-06-21 | 1991-10-08 | Loral Fairchild Corporation | Non-linear photosite response in CCD imagers |
DE69318455T2 (de) * | 1992-03-18 | 1998-10-01 | Sony Corp | Festkörperbildaufnahmevorrichtung |
US5569938A (en) * | 1993-03-15 | 1996-10-29 | Nikon Corporation | Imaging Apparatus with light pulses |
US5757427A (en) * | 1993-04-23 | 1998-05-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Image pick-up apparatus having a charge coupled device with multiple electrodes, a buffer layer located below some of the electrodes |
JPH0738077A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像装置 |
JP2007175294A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | イメージセンサ及びその制御方法並びにx線検出器及びx線ct装置 |
KR101448152B1 (ko) * | 2008-03-26 | 2014-10-07 | 삼성전자주식회사 | 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서 |
GB2468668B (en) * | 2009-03-17 | 2014-07-16 | E2V Tech Uk Ltd | CCD imaging array with extended dynamic range |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57702B2 (de) * | 1971-10-15 | 1982-01-07 | ||
CA993100A (en) * | 1972-03-17 | 1976-07-13 | Carlo H. Sequin | Charge transfer imaging devices |
US3826926A (en) * | 1972-11-29 | 1974-07-30 | Westinghouse Electric Corp | Charge coupled device area imaging array |
US3801884A (en) * | 1972-12-18 | 1974-04-02 | Bell Telephone Labor Inc | Charge transfer imaging devices |
US3932775A (en) * | 1974-07-25 | 1976-01-13 | Rca Corporation | Interlaced readout of charge stored in a charge coupled image sensing array |
-
1974
- 1974-07-25 US US05/491,812 patent/US3932775A/en not_active Expired - Lifetime
-
1975
- 1975-07-09 AU AU82874/75A patent/AU497072B2/en not_active Expired
- 1975-07-09 GB GB28883/75A patent/GB1503820A/en not_active Expired
- 1975-07-15 CA CA231,565A patent/CA1042102A/en not_active Expired
- 1975-07-24 JP JP9103475A patent/JPS5444413B2/ja not_active Expired
- 1975-07-24 NL NLAANVRAGE7508834,A patent/NL185970C/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-07-25 DE DE2533405A patent/DE2533405C3/de not_active Expired
- 1975-07-25 FR FR7523383A patent/FR2280197A1/fr active Granted
-
1978
- 1978-11-02 JP JP53135661A patent/JPS5911230B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1042102A (en) | 1978-11-07 |
FR2280197A1 (fr) | 1976-02-20 |
FR2280197B1 (de) | 1980-06-06 |
JPS5444413B2 (de) | 1979-12-26 |
DE2533405B2 (de) | 1977-11-03 |
NL185970C (nl) | 1990-08-16 |
US3932775A (en) | 1976-01-13 |
AU497072B2 (en) | 1978-11-23 |
NL7508834A (nl) | 1976-01-27 |
GB1503820A (en) | 1978-03-15 |
JPS5911230B2 (ja) | 1984-03-14 |
AU8287475A (en) | 1977-01-13 |
DE2533405A1 (de) | 1976-02-05 |
NL185970B (nl) | 1990-03-16 |
JPS5136820A (de) | 1976-03-27 |
JPS5484920A (en) | 1979-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2533405C3 (de) | Verfahren zum verschachtelten Auslesen einer Ladungsspeicheranordnung | |
DE2533404C3 (de) | Verfahren und Einrichtung zum Verschachteln zweier aufeinanderfolgender Teilbilder eines Ladungsmusters | |
DE69020833T2 (de) | Ladungsgekoppelte Abbildungsvorrichtung mit in einem Abbildungsteil horizontalen Ladungsübertragungsteilen. | |
DE69005991T2 (de) | Verfahren und anordnung zur erzeugung eines hochauflösenden elektronischen signals von der zeilenabtastung einer farbvorlage. | |
DE3446374C2 (de) | ||
DE3120458C2 (de) | Festkörper-Bildwandler | |
DE2342684A1 (de) | Signaluebertragungssystem | |
DE3345215C2 (de) | Festkörper-Bildaufnahmewandler | |
DE2055639B2 (de) | Verfahren zur Korrektur der Schattierungsverzerrungen in einem Viedeosignal und Schaltungsanordnung zum Durchführen dieses Verfahrens | |
DE3530222A1 (de) | Ladungsuebertragungs-bildaufnahmevorrichtung des zwischenzeilen-typs | |
DE69328041T2 (de) | Festkörper-Bildsensor und Ansteuerungsverfahren dazu | |
DE2801449C2 (de) | Festkörper-Fernsehkamera | |
DE69110797T2 (de) | Bildsensor. | |
DE2842346A1 (de) | Bildabtaster in festkoerpertechnik | |
DE3408344C2 (de) | Verfahren zur Vorspannung der Gateelektroden eines Ladungsübertragungselementes und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE3883577T2 (de) | Bildaufnahmegerät. | |
DE69017172T2 (de) | Bildaufnahmeeinrichtung mit integrierten Ablenkschaltungen. | |
DE3437561A1 (de) | Bildaufnahmevorrichtung | |
DE3012183C2 (de) | Festkörper-Farbfernsehkamera | |
DE2939518C2 (de) | ||
DE68923203T2 (de) | Ladungsgekoppelte Anordnung. | |
DE3320706C2 (de) | ||
DE3234573A1 (de) | Bildsignalausleseverfahren fuer einen festkoerper-bildabtaster | |
DE3335681C2 (de) | Bildaufnahmeeinrichtung mit einem CCD-Bildfühler | |
DE2504617C3 (de) | Fernsehkamera zur Erzeugung von Signalen von Teilbildern eines Fernsehbildes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |