DE3335681C2 - Bildaufnahmeeinrichtung mit einem CCD-Bildfühler - Google Patents
Bildaufnahmeeinrichtung mit einem CCD-BildfühlerInfo
- Publication number
- DE3335681C2 DE3335681C2 DE3335681A DE3335681A DE3335681C2 DE 3335681 C2 DE3335681 C2 DE 3335681C2 DE 3335681 A DE3335681 A DE 3335681A DE 3335681 A DE3335681 A DE 3335681A DE 3335681 C2 DE3335681 C2 DE 3335681C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- image
- register
- gate electrodes
- phase
- clock
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 37
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 claims 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000011221 initial treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/72—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame transfer [FT]
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/745—Circuitry for generating timing or clock signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
In einer Bildaufnahmeeinrichtung wird ein CCD-Bildfühler (10) mit einem die Bildstrahlung integrierenden und dreiphasig taktgesteuerten Bildregister (30) verwendet, bei welchem eine Teilbildverschachtelung dadurch erfolgt, daß ungerade Teilbilder bei hohem Zustand nur der ersten Taktphase und gerade Teilbilder bei hohem Zustand nur der zweiten und dritten Taktphasen integriert werden. Um teilbildfrequentes Flimmern zu unterdrücken, sind diejenigen Gateelektroden (32, 33; 35, 36) im Bildregister, welche die zweite und die dritte Taktphase empfangen, gleich lang und halb so lang wie die Gateelektroden (31; 34), welche die erste Taktphase empfangen.
Description
der Integrationszeiten der »ungeraden« Teilbilder eine
Integration nur unter den von der ersten Phase angesteuerten
Elektroden, und während der Integrationszeilen der »geraden« Teilbilder erfolgt eine Integration
nur unter den von der zweiten oder der dritten Phase angesteuerten Elektroden. Die Bereiche der Gateelektroden,
unter denen die Bildintegratiön während,abwechselnder
Teilbilder stattfindet, sind in aufeinanderfolgenden
Teilbildern gleich groß. Dsr-die unter diesen
Elektroden.: für die Ladungsansammlung gebildeten Verarmungsgebiete in. aufeinanderfolgenden Teilbildern
gleiche Größe haben, werden in jedem Teilbild gleiche Beträge an Dunkelstrom angesammelt, wodurch
eine der Ursachen für das teilbildfrequente Flimmern im
wesentlichen beseitigt wird. Ferner ist die während der Bildintegraticnszeiten stattfindende Kopplung der
Taktsignale der B- und C-Register auf das A-Register, die über die Kapazitäten der Register zu ihrem gemeinsamen
Substrat erfolgt, in aufeinanderfolgenden Teilbildern
ähnlicher, wodurch eine weitere Ursache ff,- das teilbildfrequente Himmern im wesentlichen beseitigt ist.
Die beschriebene Methode bringt zwar einen retativ flimmerfreien Dreiphasenbetrieb, führt jedoch andererseits
zu Ungenauigkeiten in der Teilbildverschachtelung und zu Umfaltfehlern (aliasing) an diagonalen Zeilen,
was in kritischen Anwendungsfällen wie z. B. in Fernsehkameras für Rundfunksendezwecke nicht akzeptierbar
ist.
Die Schaffung einer dreiphasig gesteuerten und mit Teilbildübertragung arbeitenden CCD-Bildaufnahmeeinrichtung,
die einerseits eine gute Teilbildverschachtelung bringt und andererseits frei von störendem teilbildfrcquentcm
Flimmern ist, stellt ein bisher ungelöstes Problem dar. Die Mechanismen zur Erzielung einer nahezu
perfekten Teilbildverschachtelung in der CCD-Bildaufnahmeeinrichtung
nach Fig. 5 der oben genannten US-Patentschrift sind offenbar nicht gut genug verstanden
worden, um selbst solchen Fachleuten, die auf dem Gebiet der CCD-Bildaufnahmeeinrichtungen
hochqualifiziert sind, den Bau einer entsprechenden Einrichtung zu erlauben.
Die vorliegende Erfindung beruht auf der entgegen iillen Erwartungen gewonnenen Erkenntnis, daß die erwähnten
Mechanismen benutzt werden ^können, um eine vollständig oder im wesentlichen perfekte Teilbildverschachtelung
gemeinsam mit einer Unterdrückung des tcilbifdfrequenien Flimmerns zu erzielen, auch wenn
die Bereiche der Gateelektroden, unter denen Ladungsiniegraiion
siaufinuei, in aufeinanderfolgenden Teilbildcrn
unterschiedlich groß sind. Die nachfolgende Analyse zeigt, warum dies so ist.
In einer dreiphasig gesteuerten CCD-Bildaufnahmecinrichiung
(im folgenden kurz CCD-Bildfühler genannt) wird während abwechselnder Bildintegrationszciten
(d. h. während jeder zweiten Bildintegrationszeit) ein die Integration erlaubendes Potential (Integrationspotential)
nur an diejenigen Gateelektroden gelegt, welche die Φα i-Taktphase empfangen. Während jeder dieser
abwechselnden Integrationszeiten werden die in den Verarmiingsgebieten unter den genannten Elektroden
erzeugten Ladungsträger in diesen Gebieten zurückgehalten, bis sie während der als nächstes stattfindenden
Teilbildübcrtragung in der Φλ i-Phase hinausgetaktet
werden.
Während der lntcgrationo.v.eit wandern Ladungsträger,
«lic /wischen den erwähnten Verarmungsgebieten im statistischen Mittel erzeugt werden, zu den ihren
jeweiligen Erzeugungsorten Nächstliegenden Verarmungsgebieten.
Das heißt, im wesentlichen die gleiche Anzahl von Ladungsträgern, wie sie an Orten entstehen,
die innerhalb eines Bereichs von
LA3)
von der Mitte jeder Φ\ i-Gateelektröde liegen, wird
während einer jeden solchen Integrationszeil unter dieser Φα i-Gateelektrode gesammelt Somit liegen wäli-
rend solcher Integrationszeiten die Bildpiiiiktzentren. in
jeder Zeile von Bildpuhkten bei der Mittellähge einer
von Bildpunkten abwechselnder Teübflder auf dje/:Mittellänge
der ΦΑ i-Gateelektrode unabhängig "vomgeV
genseitigen Verhältnis der Längeri-i* i. Lau und £43 ist
und daß diese Längen nicht im Verhältnis von 1:1 :1
zueinander stehen müssen, wie es die erw&hnte US-Patentschrift
zeigt.
Während .der dazwischenliegenden Bildintegrationszeiten, wenn Integrationspotentiale an die den Taktphu.-sen
Φα ζ und Φα 3 zugeordneten Gateelektroden gelegt
werden, wandern Ladungsträger, die unter den auf Sperrpotential liegenden ΦΑ i-Gateelektroden im statistischen
Mittel erzeugt werden, zur einen Hälfte zu der vorangehenden Φα rGateelektrode un«i zur anderen
Hälfte zu der nachfolgenden ^42-Gateelektrode (unter
der Voraussetzung, daß die Φ at und #4rGateelektroden
Integrationspotentiale gleichen Werts empfangen). Es wurde ferner gefunden, daß die Ränder oder Enden der Bildpunkte unabhängig vom' Verhältnis
Lax ■■ La2:La3an den Mittellängen der ΦΑ i-Gateelektroden
liegen. Wenn die Taktsteuerung wieder aufgenommen wird, verschmelzen die Ladungen unter jedem
Paar benachbarter Φα r und Φα 3-Gateelektroden miteinander.
Somit wird es keinerlei Konsequenz mehr tür die Teilbildverschachtelung haben, in weichem Verhältnis
die beiden Elektroden eine Ladung unter sich jeweils als Funktion ihrer Längen La? und Lau aufteilen. Aus
dieser Analyse wurde der Schluß gezogen, daß die Teilbildverschachtelung
unabhängig von den relativen Werten der Längen LA 1, Lai und La3 im wesentlichen perfekt
ist
Wie oben erwähnt, wird das Teilbildflimmern vermindert, wenn der Bereich oder die Zone der Gateelektroden,
unter denen in geraden Teilbildern Ladungsakkumulation stattfindet, so groß ist wie der Bereich der
Gateelektroden, unter denen in ungeraden Teilbildern
so Ladungsakkumulation stattfindet Wenn in einer dieser beiden Teilbtldgruppen (gerade oder ungerade) nur die
Φα i-Gateelektroden Integrationspotential empfangen und in der anderen TeilbUdgruppe (ungerade blw. gerade)
sowohl die Φα 2-Gateelektrode als auch die Φα 3-Gateelektroden
Integrationspotential empfangen, dann läßt sich folgende Bedingung für die Unterdrückung des
Teilbildflimmerns aufseilen:
La 2 + La
Es gibt jedoch noch eine weitere praktische Einschränkung für das Verhältnis La\ : Lai: La3- Es wurde
nämlich gefunden, daß wenn man den Überstrahlungseffekt
bis zur Erreichung eines hohen Wertes der Bildes helligkeit vermeiden will, die Kapazitäten der Potentialmulden,
die den unter den Φα 2- und Φα 3-Gateelektroden
gebildeten Verarmungsgebieten zugeordnet sind, gleich sein sollten. Andernfalls wird eine Gruppe dieser
5 6
strahlung getrieben als die andere Gruppe. Wenn die CCD-Bildfühler 10 enthält neben seinem A-Rcgisterein
läßt sich die vorstehende Forderung dadurch erfüllen, register (sogenanntes B-Register), ein gegenüber Sirah-
daß man La ι und La j einander gleichmacht. Da 5 lung abgeschirmtes und eine Parallel/Scrien-Umset-
zung durchführendes Auslesercgister (sogenanntes C-
ist, setzt der Überstrahlungseffekt in ungeraden und ge- Videoausgangssignal-Abfragewerte. Die von dieser
raden Teilbildern jeweils bei gleichen Helligkeitswerten to Stufe gelieferten Videoausgangssignulc werden in her- |
ein. Hält man sich an diese zusätzliche Einschränkung, kömmlicher Weise auf eine Schaltung 11 /ur Filterung j|
dann wird auch durch das Abgießen überschüssiger La- und Taktsignalunterdrückung gegeben. Das Signal von f
dung in die Anti-Überstrahlungsdrains kein teilbildfre- der Schaltung U gelangt zu einem Korrekturverstärker
quentes Flimmern hervorgerufen. IZ in welchem die üblichen Synchronsignale eingefügt
beiienden CCD-Büdfühler za schaffen, der sich sowohl Ein Zeitsignslgsnerssor !5 leitet von einem !«icrnsR
durch gute Teilbildverschachtelung als auch durch oder externen Haupttaktgeber (nicht dargestellt) fol-
Flimmerfreiheit auszeichnet. Erfindungsgemäß werden gende Signale ab:
im Α-Register des Bildfühlers die Längen der Gateelek- 20
im Α-Register des Bildfühlers die Längen der Gateelek- 20
troden zueinander so bemessen, daß die Bedingung a) Dreiphasen-Taktsignale für das A-Rcgistcr des
b) geeignete Taktsignale für die B- und C- Register des
im wesentlichen erfüllt wird, wie es für beste Teilbild- 25 CCD-Bildfühlers 10 und
verschachtelung im Falle dreiphasiger Taktsteuerung c) dii Synchronsignale, die der Korrekturverstärker
des Α-Registers notwendig ist. In besonderer Ausfüh- 12 in das Videoausgangssignal einfügt,
rungsform der Erfindung ist die Länge La ι der Φα i-Ga-
rungsform der Erfindung ist die Länge La ι der Φα i-Ga-
teelektroden, unter denen eine Bildintegration während Diese Signale sind im wesentlichen die gleichen, wie
abwechselnder Bildintegrationszeiten stattfindet, dop- 30 sie bei der Anordnung nach Fig·. 5 der US-Patentschrift
pelt so groß wie die Länge jeder der einander gleichlan- 38 01 884 verwendet werden.
gen Φαίτ und Φαj-Gateelektroden, unter denen eine Das Zeitdiagramm nach Fig.2 veranschaulicht, wie
integrationszeiten stattfindet. Zeitsignalgenerator !5 gelieferten Takiisnpulse in auf-
rungsbeispiel anhand von Zeichnungen näher erläutert Fig. 3 zeigt im einzelnen, in welch unterschiedlicher
lisiert ist; tion für ungerade und für gerade Teilbildcr angehalten
dungsübertragung in der Einrichtung nach Fig. 1: ΦΑ ι. Φα 2 und Φα ι der Taktsignale für das A-Register
Fig.3 ist ein Detail des aligemeinen Zeitdiagramms während des Bildintegrationsintervalls (vom Zeitpunkt
nach F i g. 2 und veranschaulicht, wie die Taktsteuerung r0 bis zum Zeitpunkt fi) eines ungeraden Tcilbildes dardes
Bildregisters angehalten wird wenn die Integration gestellt. Im unteren Teil zeigt die F i g. 3 die drei Phasen
eines ungeraden Teilbildes erfolgt und wenn die Inte- 45 der Taktsignale des A-Registcrs während des Bildintegration
eines geraden Teilbildes erfolgt; grationsintervalls (vom Zeitpunkt h bis /um Zeitpunkt
struktion der CCD-Bildaufnahmeeinrichtung nach Das von fo bis /1 währende »Hinlaufintervall« für ein
henen Gateelektroden des Bildregisters eine Länge ha- 50 tervall für das ungerade Teilbild, welches als nächstes
ben, die so groß ist wie die kombinierten Längen der folgen soll. Die Taktsteuerung des Α-Registers wird an-
ziumstruktur einer Gruppe von Gateelektroden des B-Registers, um eine neue Zeile von Bildpunkl-Abfragc-
messensind rend des vorangegangenen Zeilenhinlaufintervalls die
durch ein Linsensystem 5 (symbolisch als einfache Sam- punkt-Abfragefrequenz aus dem C-Register hinausge-
mellinse dargestellt) auf das Α-Register (Bildregister) taktet worden ist). Die Taktsteuerung des B-Registers
einer CCD-Bildaufnahmeeinrichtung 10 eines Typs ab- 60 kann dreiphasig (wie die normale Taktsteuerung des
gebildet, der mit Teilbildübertragung arbeitet Solche Α-Registers) sein oder wie bekannt z. B. zwei-oder vier-
ler« bezeichnet Die Einrichtung 10 unterscheidet sich Wie in F i g. 3 gezeigt wird die Taktsteuerung des
von bekannten CCD-Bildfühlern dieses Typs darin, daß Α-Registers während des Hinlaufiniervalls des geraden
die der ersten Taktsignalphase zugeordneten Gateelek- 65 Teilbildes angehalten, so daß nur das Taktsignal der
troden des Α-Registers jeweils eine Länge haben, die Phase ΦΛ ι »hoch« ist »Hoch« bedeutet, daß die betref-
gleich ist der kombinierten Länge (d. h. der Summe der fenden Gateelektroden des Α-Registers ein Potential
im Halbleitermaterial nahe diesen Elektroden gebildet
werden. Somit findet während des Intervalls zwischen den Zeitpunkten in und Λ cine Ladungsintegration nahe
den die erste Taktphase Φ,\ ι empfangenden Gateelektrodcn
des Α-Registers statt, d. h. die durch Photoumwandlung d^r Strahlungsenergie des Bildes 3 erzeugten
Ladungsträger sammeln sich in den Verarmungsgebieten, die nächst den
<P\ i-Cateelektrodendes A-Registers
gebildet werden. Ladung, die in den Bereichen zwischen den Φ,\ i-Gatcelektroden erzeugt wird, wandert zur jeweils
nächsllicgenden der beiden diese Bereiche jeweils flankierenden Φ λ i-Gateelektroden, so daß die Enden
oder Ränder der Bildpunkte jeweils mitten zwischen den Mittellinien der Φλ i-Elektroden liegen.
Die Taktstcuerung des Α-Registers wird während des
Übertraglingsintervalls des ungeraden Teilbildes wieder aufgenommen, und zwar vom Zeitpunkt t\ bis zum
Zeitpunkt I2. Die Taktsteuerung der A- und B-Register
erfolgt mit schneller Geschwindigkeit, um die integrierten Ladungspakete, welche die Information von Bildpunkten
darstellen, aus dem Α-Register, wo sie erzeugt wurden, zur Speicherung in das B-Register zu übertragen.
Üblicherweise wird das C-Register mit schneller Taktgeschwindigkeit gesteuert, um restliche Dunkelströme
abzuziehen, die sich im B-Register während des vorangegangenen Teilbild-Hinlaufintervalls angesammelt
haben. Am Ende des Teilbild-Übertragungsintervalls sind die Ladungspakete, welche die Bildpunktwerle
des ungeraden Teilbildes darstellen, im B-Register des Bildfühlers 10 gespeichert.
Dieses gespeicherte Teilbild wird dann während des nachfolgenden »ungeraden« Teilbild-Hinlaufintervalls,
d. h. vom Zeitpunkt h bis zum Zeitpunkt f«, aus dem
B-Register in das C-Rcgister übertragen. Bei dieser Übertragung wird jede Zeile auf einmal für sich während
des Zeiienrückiautiruervaiis in das C-Register gegeben.
Während der Zeilenhinlaufintervalle werden die !.adtingspakete, welche die Bildpunktwerte des ungeraden
Tcilbildes darstellen, mit Bildpunkt-Abtastfrequenz aus dem C-Register hinausgeschleust und in eine Videoausgangsspannung
oder einen Videoausgangsstrom umgewandeil.
Die Taktsteuerung des Α-Registers wird während des ungeraden Tcilbild-Hinlaufs angehalten, so daß die Ladungspaketc,
welche die Bildpunktwerte des nachfolgenden geraden Teilbildes darstellen, durch die Photoumwandlung
der Strahlungsenergie des Bildes aufgebaut werden können. Das Anhalten der Taktsteuerung
des A-Registers erfolgt so, daß diejenigen Gateelektroden,
welche die zweite und die dritte Taktsignalphase ΦΛ ι und Φλ j empfangen, auf hohem Taktsignalpegel
sind, wie es im unteren Teil der F i g. 3 veranschaulicht ist. Während dieses Anhaltens der Taktsteuerung werden
Ladungs-Verarmungsgebiete im Halbleitersubstrat nahe denjenigen Elektroden gebildet, welche die nun
hohen Taktsignale der Phasen Φα 2 und Φα 3 empfangen.
In diesen Gebieten findet eine Ladungsintegration statt.
Ladung, die in den Bereichen unter den ΦΑ i-Gateelektroden
des Α-Registers erzeugt wird, wandert aus jedem dieser Bereiche zu den jeweils benachbarten beiden
Elektroden, und zwar jede Teilladung zur näheren Elektrode hin. Somit liegen die Enden oder Ränder der
Bildpunkte jeweils an den Mittellinien der Φα i-Gateciektroden.
Hierzu spieit es keine Rolle, wie die Längen den Elektroden, die unterschiedliche Phasen der Taktsignalc
des Α-Registers empfangen, zueinander bemessen sind. (Es sei angenommen, daß alle Gateelektroden des
A-Registcrs, welche die jeweils gleiche Taktphase Φα ι.
Φα ι oder Φ ι ι empfangen, gleiche Länge haben.)
In ungeraden Teilbildern liegen die Bildpunktenden also mitten zwischen den Mittellinien der Φα rElektroden,
und in geraden Teilbildern liegen die Bildpunkten-
s den an den Mittellinien der Φα i-Elektroden, unabhängig
vom Verhältnis LA\ : LAi: Las. Das heißt, der Abstand
der Bildpunktränder in verflochtenen benachbarten Zeilen ist über das Teilbild gleichmäßig, so daß die
Teilbildverschachtelung perfekt ist.
Der Zeitpunkt U ist das Ende einer Vollbildperiode
und stellt gleichzeitig den Zeitpunkt ίο des Beginns der
nächsten Periode dar, die in der gleichen Weise abläuft, wie es vorstehend beschrieben wurde. Wie oben erwähnt,
ist die vorstehend geschilderte Taktsteuerung
ts des CCD-Bildfühlers 10 ähnlich wie die in der US-Patentschrift
38 01 884 beschriebene Taktsteuerung. Das Fehlen des teilbildfrequenten Flimmerns ist der Tatsache
zuzuschreiben, daß im CCD-Bildfühler 10 die Länge der Φα i-Gateelektroden gleich der Summe der Längen
der Φα j- und ΦΑ rGateelektroden ist Die Darstellung
ist vereinfacht, indem in den A- und B-Registern die Anzahl der Reihen (jede Reihe umfaßt drei Elektroden)
von z. B. 256 auf 2 und die Anzahl der Spalten von z. B. 500 auf 9 reduziert ist. Die durch gestrichelte Umrißlinien
gezeigte Kanalbegrenzungsstruktur 20 definiert die neun Spalten der A- und B-Register. Jede Spalte
bildet eine ladungsgekoppelte Schaltung, bestehend aus einer ersten Schieberegisteranordnung im A-Teil 30 und
einer nachgeschalteten zweiten Schieberegisteranordnung im B-Teil 40. Jede dieser Spalten 21 bis 29 wird im
A-Register 30 durch Gateelektroden 31, 32, 33,34,35
und 36 überkreuzt Der Anschaulichkeit halber sind in F i g. 4 die Gateelektroden nicht einander überlappend
dargestellt; in der Praxis ist die Struktur vorzugsweise mit überlappenden Elektroden ausgebildet, wie es die
F i g. 5 zeigt.
Gemäß der Erfindung haben die Gateelektroden 31 und 34, an welche die Taktphase ΦΑ ι gelegt wird, jeweils
eine »Länge« (d. h. Ausdehnung in Spaltenrichtung), die doppelt so groß ist wie die Länge der Gateelektroden 32
und 35, an welche die Taktphase Φα ι gelegt wird, und
wie die Länge der Gateelektroden 33 und 36, an welche die Taktphase ΦΑ 3 gelegt wird.
die Spalten 21 bis 29 voneinander trennen, im A-Register
30 breiter sein als im B-Register 40, um bessere Anti-Überstrahlungs-Ableitungen zu bilden. Diese Besonderheit
ist jedoch aus Gründen der Übersichtlichkeit in F i g. 4 nicht dargestellt Das B-Register 40 kann z. Bn
so wie daigestellt, mit Dreiphasen-Taktsteuerung betrieben werden und hat sechs Gateelektroden 41,42,43,44,
45 und 46 gleicher Breite, die rechtwinklig zu den Spalten
21 bis 29 verlaufen, um die Reihen m diesem Register
zu definieren. Die Gateelektroden 41 und 44 empfangen eine erste Taktphase Φβ ι, die Gateelektroden 42
und 45 empfangen eine zweite Taktphase Φβί, und die
Gateelektroden 43 usd 46 empfangen eine dritte Taktphase Φβ3- Ein C-Register 50 wird zur Parallel/Serien-Umsetzung
der Daten verwendet und kann z.B, wie dargestellt, durch drei Phasen taktgesteuert sein.
Während des Zeilenrücklaufs wird die Taktsteuerung des C-Registers so angehalten, daß das Taktsignal der
Φε i-Phase, welches den Gateelektroden an den Enden
der Spalten angelegt wird, hohen Pegel hat, um Verarmungsgebiete
zu bilden, in weiche die Ladungspakete,'
die eine Zeile von Bildpunkten darstellen, voni Ausgang
des B-Registers hineingetaktet werden. Die dazwischenliegenden Φογ und ^cj-Gateelektroden sind in
dieser Zeit auf niedrigem Pegel.
Die Dreiphasen-Taktsteuerung des C-Registers setzt während des Zeilenhinlaufs wieder ein, um die Ladungspakete Bildpunkt für Bildpunkt in ein »schwimmendes«
Diffusionsgebiet 51 zu geben, das mit der Gateelektrode eines MOS-Fe.'deffekttransistors 52 im Videoausgangsverstärker
des> Bildfühlers verbunden ist. Das Diffusionsgebiet 51 wird periodisch auf ein Potential vorbestimmten
Werts gebracht, und zwar durch einen an eine Rücksetz-Gateelektrode 53 gelegten Rücksetzimpuls,
womit das Diffusionsgebiet 51 durch Feldeffekttransistorwirkung auf eine Draindiffusion 54 geklemmt wird.
Vor der Gateelektrode 53 kann eine zusätzliche, an einer Gleichvorspannung liegende Gateelektrode 55 als
Puffer liegen, um den Rücksetzimpuls von der Gateelektrode des Feldeffekttransistors 52 fernzuhalten.
Diese Ausgangsschaltung des C-Registers ist nur ein Beispiel, es sind auch andere Typen von Ausgangsschaltungen
bekannt.
Wenn man die Gateelektroden in einem CCD-Bildfühler breiter als etwa 10 Mikron macht, dann kann es
vorkommen, daß eine funkelnde Störung in den vom Videoausgangssignal des Bildfühlers erzeugten Fernsehbildern
sichtbar wird. Dies IaBt sich in einfacher Weise dadurch vermeiden, daß man bei Realisierung der
Erfindung denjenigen Gateelektroden des A-Registers, welche die Taktphase Φα t empfangen, eine Breite von
10 Mikron oder etwas weniger gibt und daß man die von den Taktphasen ΦΛ 2 und ΦΛ j beaufschlagten Gateelektroden
halb so breit macht. Diese Breiten sind groß genug, um mit herkömmlichen photolithographischen
Verfahren bei der Herstellung des CCD-Bildfühlers realisiert werden zu können.
Die F i g. 5 zeigt in Schnittansicht eine Gruppe von Gateelektroden des Α-Registers, deren effektive Breiten
gemäß der Erfindung proportioniert sind. Der gezeigte
Schnitt geht zwischen Kanalbegrenzungen durch den Block des Bildfühlers, und zwar senkrecht zur Richtung
der unter den Gateelektroden erfolgenden Ladungsübertragung. Der Aufbau kann im wesentlichen
so sein, wie er von C H. Sequin, F. J. Morris, T. A. Shankoff, M. F. Tompsett und E. J. Zimany Jr. in ihrer Arbeit
»Charge-Coupled Area Image Sensor Using Three Levels of Polysilicon« beschrieben ist (veröffentlicht in
IEEE Transactions On Electron Devices, Band ED-21, No. 11, November 1974, Seiten 712—720). Eine weitere
Beschreibung des Aufbaus von CCD-Schaltungen mit dreitägiger Polysiliziumstruktur geben W. J. Bertram,
A. M. Mohsen, F. J. Morris, D. A. Sealer, C. H. Sequin und M. F. Thompsett in ihrer Arbeit »A Three-Level
Metallization Three-Phase CCD« (erschienen in der nachfolgenden No. 12 des Bandes ED-21 der vorstehend
genannten Zeitschrift Dezember 1974. Seiten 758—767). Demgemäß wird in einem CCD-Bildfühler
vom Typ mit »verdecktem Kanal« ein p-Ieitendes SiIiziumsubstrat
60 verwendet, das an seiner Vorderfläche (die in F i g. 5 nach oben weisende Fläche) für n-Leitfähigkeit
dotiert ist, um einen Halbleiterübergang 61 zu bilden, der die Oberfläche des verdeckten Kanals definiert,
längs dessen die Ladungspakete übertragen werden. (Die Anfangsbehandlung des Siliziumsubstrats 60
umfaßt auch die Diffundierung von Source- und Draingebieten und die Implantation von Kanalbegrenzungen;
diese Einzelheiten sind jedoch in Fig.5 nicht dargestellt.)
■■- .
Auf der Vorderfläche des Substrats 60 wird durch thermisches Wachstum eine etwa 1500 Angström dicke
Schicht aus Siliziumdioxid (SiO2) gebildet, wovon Teile
62 unter langen Φ,\ i-Elektrodcn 63 bleiben. Die erste
Lage von Polysiüzium wird auf dieser ersten Gatc-Oxiclschicht
niedergeschlagen, zu ihrer Lcitcndmachung und zur Ermöglichung der Kontaktbildung mit Phosphor
s dotiert und dann einer Dampfoxidicrung unterworfen.
Die resultierende SiOrSchicht, die etwa 100 Angstrom
dick ist, bildet die Ätzmaske bei einer nachfolgenden Photoätzung, um eine erste Gruppe von Gatcelektroden
63 zu bilden. Es ist vorteilhaft, diese langen
ίο Φα i-Elektroden zuerst herzustellen, weil damit das Verhältnis
ihrer Länge zur Summe der Längen der kürzeren ΦΑ 7- und Φα j-Elektrodcn eingestellt wird, ohne daU
man auf die Perfektion der Deckung der beiden nachfolgenden Photomaskierungen bauen muß. Außerdem
wird die Kapazität zwischen der langen Elektrode und
den umgebenden Teilen minimal, wenn man diese Rick* trode in der ersten anstatt in der /.weiten oder drillen
neue Schicht von Gate-Oxidmaterial gebildet, wovon Teile 64 über den Φα i-Gateelektrodcn und unter
Φα2-Gateelektroden bleiben. Auf dieses /weite Gnie-Oxid
wird die zweite Lage von Polysiüzium niedergeschlagen, mit Phosphor dotiert und dampfoxidicrl. Die
Oxidschicht wird einer Photoätzung unterworfen, um eine zweite Gruppe von Gateelektrodcn 65 in der unterliegenden
zweiten Lage dotierten Polysiliziunis zu bilden. Dann wird durch thermisches Wachstum wiederum
eine neue Schicht von Gate-Oxidmatcrial aufgebracht, wovon Teile 66 unter Φα 2-Gateelcktrodcn und
unter Φα 3-Gateelektroden bleiben. Die dritte Lage von
Polysilizium wird niedergeschlagen, mit Phosphor dotiert und dampfoxidiert. Das Oxid und die unterliegende
dritte Lage dotierten Polysili/.iums werden phoiogciitzi.
um eine dritte Gruppe von Gateelektrodcn 67 zu definieren. Am Ende wird durch thermisches Wachstum ein
Deckoxid aufgebracht.
Das Substrat 60 wird durch Fortätzung seiner ursprünglichen Bodenfläche auf etwa 10 Mikron dünner
gemacht. In die neue Bodenfläche wird eine allmählich übergehende Diffusionszone eingebracht, um die Oberflächenrekombination
von Ladungsträgern zu unterdrücken. Das nun dünnere Substrat wird auf eine Tragplatte
aus Glas (nicht dargestellt) geschichtet. Dann werden an Teilen des CCD-Bildfühlcrs, die in Fig. 5
nicht dargestellt sind, Kontaktfenstcr zu den Polysili/.iumlagen
und zum Substrat geöffnet und obere Metallisierungen aufgebracht und geätzt, wodurch eine Anordnung
entsteht, die praktisch eine vierte Lage von Metall darstellt
Claims (2)
1. Bildaufnahmeeinrichtung, die aus empfangenen Abkürzung CCD steht für »ladungsgekoppcltc Bauele-Bildern
von Strahlungsenergie Videosignale in Teil- 5 mente«(engL: Charge Coupled Devices),
bildverschachtelung erzeugt und folgendes aufweist: In der US-Patentschrift 38 01 884 ist in; Verbindung einen mit Teilbildübertragung arbeitenden CCD- mit der dortigen Figur 5. eine Anordnung beschrieben, Bildfühler, der ein Bildregister mit einer ersten, einer die fündie Teilbildverschachtelung in solchen CCD-zweiteh und einer dritten Gruppe von Gateeiektro- Bildaufnahmeeinrichtungen sorgt Hierbei empfangen den enthält, die zyklisch abwechselnd parallel zuein- io das Bildregister (Α-Register) und ein nachgeschaltetes ander und senkrecht zu den Ladungsübertragungs- Teilbild-Speicherregister (B-Register) dreiphasige kanälen des Bildregisters angeordnet sind, und der CCD-Taktsignale während der Teilbiid-Obertragungs- * ferner ein erstes Speicherregister und' mindestens Intervalle, die in den Teilbild-Rücklaufperioden des Viein eine Parallel/Serien-Umsetzung der Daten be- deoausgangssignals des Bildfühlers liegen. Diese Teilwirkendes Ausleseregister enthält dem eine Stufe 15 bild-Oberiragungsintervalle liegen jeweils zwischen zur Umwandlung von Ladungsabfragewerden in ein aufeinanderfolgenden Bildintegrationszeiten während Videosignal nachgeschaltet ist: der Teilbild-Hinlaufzeiten des Videoausgangssignals eine Anordnung zum Abbilden der Strahlungsener- des Bildfühlers. Die Länge La ι derjenigen GateelektrogiebiideraufdasBiidregisier des CCD-Bildfühlers; den (SteuerclcktrodcR) des A-Registers, weiche-die einen signalbehandelnden Verstärker zum Empfang 20 Taktimpulse Φα\ der ersten Taktsignalphase ernpfandes Videosignals von jeder Um Wandlungsstufe, und gen, die Länge LA2 derjenigen Gateelektroden des A-eine Anordnung zum Liefern von Taktsignalen an Registers, welche die Taktimpulse Φα 2 der zweiten Phaden Verstärker und an das Bildregister, wobei das se empfangen, und die Länge La 3 derjenigen Gateelek-Bildregister femer folgendes enthält: troden des Α-Registers, welche die Taktimpuls«: der
bildverschachtelung erzeugt und folgendes aufweist: In der US-Patentschrift 38 01 884 ist in; Verbindung einen mit Teilbildübertragung arbeitenden CCD- mit der dortigen Figur 5. eine Anordnung beschrieben, Bildfühler, der ein Bildregister mit einer ersten, einer die fündie Teilbildverschachtelung in solchen CCD-zweiteh und einer dritten Gruppe von Gateeiektro- Bildaufnahmeeinrichtungen sorgt Hierbei empfangen den enthält, die zyklisch abwechselnd parallel zuein- io das Bildregister (Α-Register) und ein nachgeschaltetes ander und senkrecht zu den Ladungsübertragungs- Teilbild-Speicherregister (B-Register) dreiphasige kanälen des Bildregisters angeordnet sind, und der CCD-Taktsignale während der Teilbiid-Obertragungs- * ferner ein erstes Speicherregister und' mindestens Intervalle, die in den Teilbild-Rücklaufperioden des Viein eine Parallel/Serien-Umsetzung der Daten be- deoausgangssignals des Bildfühlers liegen. Diese Teilwirkendes Ausleseregister enthält dem eine Stufe 15 bild-Oberiragungsintervalle liegen jeweils zwischen zur Umwandlung von Ladungsabfragewerden in ein aufeinanderfolgenden Bildintegrationszeiten während Videosignal nachgeschaltet ist: der Teilbild-Hinlaufzeiten des Videoausgangssignals eine Anordnung zum Abbilden der Strahlungsener- des Bildfühlers. Die Länge La ι derjenigen GateelektrogiebiideraufdasBiidregisier des CCD-Bildfühlers; den (SteuerclcktrodcR) des A-Registers, weiche-die einen signalbehandelnden Verstärker zum Empfang 20 Taktimpulse Φα\ der ersten Taktsignalphase ernpfandes Videosignals von jeder Um Wandlungsstufe, und gen, die Länge LA2 derjenigen Gateelektroden des A-eine Anordnung zum Liefern von Taktsignalen an Registers, welche die Taktimpulse Φα 2 der zweiten Phaden Verstärker und an das Bildregister, wobei das se empfangen, und die Länge La 3 derjenigen Gateelek-Bildregister femer folgendes enthält: troden des Α-Registers, welche die Taktimpuls«: der
25 dritten Phase empfüagen, sind in der CCD-Bildaufnah-
a) eine Anordnung zur Lieferung der ersten, der meeinrichtung nach Fig.5 der erwähnten US-Paicntzweiten
und der dritten Phase dreiphasiger schrift alle gleich.
Taktsignale an die erste bzw. die zweite bzw. die Während der Bildintegrationszeiten der Teilbilder
dritte Gruppe von Gateelektroden im Bildregi- ungerader Ordnungszahl, d. h. während der Hinlaufzcister
des CCD-Bildfühlers während Teilbild- 30 ten der Teilbilder gerader Ordnungszahl, wird die drei-Übertragungszeiten,
die zwischen aufeinander- phasige Taktsteuerung des Bildregisters angehalten, so
folgenden Biidintegra'JonsT^iten liegen, die ent- daß sich Verarmungsgebiete nahe denjenigen Gatccleksprechend
ihrer Reihenfolge beginnend bei ei- troden bilden, welche die erste Taklimpulsphasc Φ λ ι
ner beliebig gewählten Bezugs-Bildintegra- " empfangen. In diesen Verarmungsgcbietcn werden
tionszeit mit fortlaufenden Zahlen numeriert 35 durch Photoumwandlung erzeugte Ladungsträger geseien;
sammelt, um die Ladungspakete zu bilden, welche die
b) eine Anordnung zum Anhalten der Dreiphasen- Abfragewerte des Bildes darstelle;-1? und während des
Taktsteuerung während jeder geradzahlig nu- nächstfolgenden Teilbild-Hinlaufintcrvalls an das Tcilmerierten
Bildintegrationszeit derart, daß La- bild-Speicherregister (B-Register) zu übertragen sind,
dungsintegration nur nahe den Gateelektroden 40 um dann während des nächsten Tcilbüd-Hinlaufinlcrder
ersten Gruppe stattfindet, und zum Anhal- valls Zeile für Zeile über ein Auslescregister (C-Regiten
der Dreiphasen-Taktsteuerung während je- ster) hinausgeschleust zu werden.
der ungeradzahlig numerierten Bildintegra- Während der Bildintegrationszeiten der Teilbilder getionszeit
derart, daß Ladungsintegration nur rader Ordnungszahl (»gerade« Teilbilder) wird die dreiunter
den Gateelektroden der zweiten und drit- 45 phasige Taktsteuerung so angehalten, daß Verarmungsten
Gruppe stattfindet, gebiete nahe denjenigen Gatcelcktrodcn gebildet werden,
welche die zweite Taktimpulsphase Φα ι und die
dadurch gekennzeichnet, daß zur wesent- dritte Taktimpulsphase ΦΛ 3 empfangen, und in diesen
liehen Reduzierung teilbildfrequenten Flimmerns Verarmungsgebieten werden Ladungsträger durch
die Länge (La i) jeder der zur ersten Gruppe gehö- 50 Photoumwandlung des Bildes gesammelt. Die resultierenden
Gateelektroden (31;34)des Bildregisters (30) renden, Abfragewerte des Bildes darstellenden Laim
wesentlichen gleich ist der Summe der Längen dungspakete werden während des nachfolgenden Teil-
(La 2 + La 3), welche die zur zweiten und zur dritten bild-Rücklaufs zum Teilbild-Speicherregister übertra-Gruppe
gehörenden Gateelektroden (32,33; 35,36) gen und dann während des anschließenden Teilbild-ITmjeweils
haben. 55 laufintervalls aus diesem Register Zeile für Zeile über
2. Bildaufnahmeeinrichtung nach Anspruch 1, da- das Ausleseregister hinausgeschlcusi, welches eine P.idurch
gekennzeichnet daß die Länge der zur zwei- rallel/Serien-Umsetzung durchführt.
ten Gruppe gehörenden Gateelektroden (32,35) im Eine CCD-Bildaufnahmeeinrichtung des in Fig. 5 der
wesentlichen gleich der Länge der zur dritten Grup- oben erwähnten US-Patentschrift dargestellten Typs
pe gehörenden Gateelektroden (33,36) ist. 60 bringt ein unerwünschtes teilbildfrcqucntes Flimmern.
In einem Aufsatz von C. H. Sequin »Interlacing in t'har-
gc Couplcd Imaging Devices«, erschienen in IKIiK
Transactions on Electron Devices. Band KD-20. No. b,
Juni 197J (Seiten 5J5—541). isi eine Methode beschric·
Die Erfindung betrifft CCD-Bililaufnahnieeinrichtun- b5 bcn. wie man die dreiphasige Steuerung der Λ- und
gen, in denen das gefühlte Bild in Form verschachtelter B-Register einer CCD-Bildaufmihmecinrichuing ilurch-
Tcilbildcr weitergegeben wird und die mil einem drei- führen kann, ohne daß es 7.11 dem ι c i 1 bi Id Γι cq nc π ι c η
phasig taktgesteuerten Bildregister arbeiten. Im einzel- Flimmern kommt. Bei dieser Methode crfolgi wahrem!
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/428,589 US4481538A (en) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | Overcoming flicker in field-interlaced CCD imagers with three-phase clocking of the image register |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3335681A1 DE3335681A1 (de) | 1984-04-05 |
DE3335681C2 true DE3335681C2 (de) | 1985-04-25 |
Family
ID=23699558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3335681A Expired DE3335681C2 (de) | 1982-09-30 | 1983-09-30 | Bildaufnahmeeinrichtung mit einem CCD-Bildfühler |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4481538A (de) |
JP (1) | JPS5983477A (de) |
DE (1) | DE3335681C2 (de) |
FR (1) | FR2534099B1 (de) |
GB (1) | GB2128052B (de) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59115678A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-04 | Canon Inc | 撮像装置 |
JPS61100080A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-19 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JPH0642723B2 (ja) * | 1984-11-13 | 1994-06-01 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子の駆動方法 |
US4580169A (en) * | 1984-12-12 | 1986-04-01 | Rca Corporation | CCD imager with photoconversion in an image register clocked with a reduced number of clock phases during image transfer |
US4574313A (en) * | 1984-12-12 | 1986-03-04 | Rca Corporation | Cascaded CCD shift registers having different numbers of clocking phases |
US5668364A (en) * | 1985-02-28 | 1997-09-16 | Symbol Technologies, Inc. | Target finder in electro-optical scanners |
FR2599920B1 (fr) * | 1985-08-02 | 1988-12-09 | Trt Telecom Radio Electr | Procede d'entrelacement electronique pour camera thermique a balayage horizontal |
US4794453A (en) * | 1986-09-09 | 1988-12-27 | Web Printing Controls Co. | Method and apparatus for stroboscopic video inspection of an asynchronous event |
DE69225846T2 (de) * | 1991-07-15 | 1998-12-24 | Philips Electronics N.V., Eindhoven | Ladungsgekoppelte Bildaufnahmeanordnung |
US5483090A (en) * | 1993-04-09 | 1996-01-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid-state image pickup device and method for manufacturing such device |
US5703642A (en) * | 1994-09-30 | 1997-12-30 | Eastman Kodak Company | Full depletion mode clocking of solid-state image sensors for improved MTF performance |
GB2297215A (en) * | 1995-01-18 | 1996-07-24 | Ball Corp | Method and apparatus providing image zooming with solid-state device |
US5880777A (en) * | 1996-04-15 | 1999-03-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low-light-level imaging and image processing |
JP2022129253A (ja) | 2021-02-24 | 2022-09-05 | キオクシア株式会社 | 記憶装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3801884A (en) * | 1972-12-18 | 1974-04-02 | Bell Telephone Labor Inc | Charge transfer imaging devices |
DE2813254C2 (de) * | 1978-03-28 | 1979-12-06 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Eindimensionaler CCD-Sensor mit Überlaufvorrichtung |
US4231149A (en) * | 1978-10-10 | 1980-11-04 | Texas Instruments Incorporated | Narrow band-gap semiconductor CCD imaging device and method of fabrication |
NL8000998A (nl) * | 1980-02-19 | 1981-09-16 | Philips Nv | Vaste stof opneemcamera met een halfgeleidende photogevoelige trefplaat. |
US4394675A (en) * | 1981-03-16 | 1983-07-19 | Eastman Kodak Company | Transparent asymmetric electrode structure for charge coupled device image sensor |
-
1982
- 1982-09-30 US US06/428,589 patent/US4481538A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-09-28 JP JP58181775A patent/JPS5983477A/ja active Pending
- 1983-09-29 GB GB08326060A patent/GB2128052B/en not_active Expired
- 1983-09-30 DE DE3335681A patent/DE3335681C2/de not_active Expired
- 1983-09-30 FR FR8315665A patent/FR2534099B1/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2534099B1 (fr) | 1987-03-20 |
JPS5983477A (ja) | 1984-05-14 |
FR2534099A1 (fr) | 1984-04-06 |
GB8326060D0 (en) | 1983-11-02 |
GB2128052A (en) | 1984-04-18 |
US4481538A (en) | 1984-11-06 |
GB2128052B (en) | 1986-08-06 |
DE3335681A1 (de) | 1984-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2551795C2 (de) | Ladungsübertragungseinrichtung zur Verwendung in einem Bildaufnahmegerät | |
DE2533405C3 (de) | Verfahren zum verschachtelten Auslesen einer Ladungsspeicheranordnung | |
DE3340338C2 (de) | Festkörper-Bilderzeuger | |
DE3856165T2 (de) | Photovoltaischer Wandler | |
EP0025168B1 (de) | Monolithisch integrierte Schaltung mit einem zweidimensionalen Bildsensor | |
DE3335681C2 (de) | Bildaufnahmeeinrichtung mit einem CCD-Bildfühler | |
DE3530222A1 (de) | Ladungsuebertragungs-bildaufnahmevorrichtung des zwischenzeilen-typs | |
DE2533404C3 (de) | Verfahren und Einrichtung zum Verschachteln zweier aufeinanderfolgender Teilbilder eines Ladungsmusters | |
DE69033565T2 (de) | Bildfächensensor vom Interline-Transfer-Typ mit einer Elektrodenstruktur für jeden Pixel | |
DE3446374C2 (de) | ||
DE68915930T2 (de) | CCD-Bildsensor mit vertikaler Überlauf-Senke. | |
DE2342684A1 (de) | Signaluebertragungssystem | |
DE3003992A1 (de) | Festkoerper-abbildungsvorrichtung | |
DE69110797T2 (de) | Bildsensor. | |
DE2833218A1 (de) | Festkoerper-abbildungsvorrichtung | |
DE2842346A1 (de) | Bildabtaster in festkoerpertechnik | |
DE2358672A1 (de) | Halbleiter-anordnung zur abbildung eines bestimmten gebietes und verfahren zur herstellung einer solchen anordnung | |
DE3408344C2 (de) | Verfahren zur Vorspannung der Gateelektroden eines Ladungsübertragungselementes und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE2939518C2 (de) | ||
DE2638976A1 (de) | Ladungsuebertragungsanordnung | |
DE4115227A1 (de) | Ccd-bildwandler | |
DE3506066A1 (de) | Festkoerper-abbildungsvorrichtung | |
DE4133748A1 (de) | Ladungsgekoppelter (ccd) bildsensor | |
DE2248423A1 (de) | Ladungsuebertragungsschaltung | |
DE69225846T2 (de) | Ladungsgekoppelte Bildaufnahmeanordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |