JPS5983477A - 撮像方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の背景〕 この発明はフィールド転送型、特にその画像レジスタの
３相クロツキングを用いるものの、フィ−ルド飛越５Ｃ
ＣＤ撮像器におけるフィールド周波数のフリッカ雑音の
問題を解消する方式（こ関する。

米国特許第３８０１８８４号明細占にはその第５図につ
いてこのようなＣＣＤ撮像器でフィールド飛越を行う方
式が記載されている。この方式では）画像レジスタ（ま
たはＡレジスタ）とこの後に縦続するフィールド蓄積レ
ジスタ（またはＢレジスタ）が１撮像器の映像出力信号
のフィールド帰線期間（こ生ずるフィールド転送期間中
通常の３相ＣＣＤクロック信号を供給する。このフィー
ルド転送期間はそれぞれ撮象器の映像出力信号のフィー
ルド掃引期間中において連発する画像集積期間の間にあ
る。第１のクロックパルスφＡ１を受ケルＡレジスタの
デー１−電極の畏さＬＡｌと、第２のクロックパルスφ
Ａ２を受けるＡレジスタのゲート電極の長さＴＪ　Ａ　
２と）第３のクロックパルヌφＡ３ヲ受ケるＡレジスタ
のゲート電極の長さＬＡ３は、上記米国特許第５図のＣ
ＣＤ撮像器ではすべて等しい。

奇数番目のフィールドの画像集積期間すなわち・（３） 偶数番口のフィール１−゛掃引期間中は画像レジスタの
３相クロツキングが停止するため、第１のクロックパル
スφＡ１を受けるゲート電極付近に空乏領域が誘起され
）光変換により生じた電荷坦体がこの空乏領域に集収さ
れて画像をサンプリングする電荷パケットを生じ１これ
が来るべきフィールド掃引期間中にフィールド蓄積レジ
スタ（すなわちＢレジスタ）に転送され、さらに次のフ
ィールド掃引期間中に読取レジスタ（またはＣレジスタ
）を介して各線ごとに読取られる。

偶数番目のフィールドの画像集積期間中は）３相クロツ
キジグが停止するため、第２および第３のクロックパル
スφＡ２’φＡ３を受けるゲート電極付近に空乏領域が
誘起され、ＦＩｉ像の光変換で生じた電荷坦体がその空
乏領域に集められる。これ番こよって生じた画像をサン
プリングする電荷パケットは次のフィールド帰線期間中
ｆこフィールド蓄積レジスタに転送され１さらに次のフ
ィールド掃引期間中に垂直データ変換を行う読取レジス
タを介して各線ごとにそのフィールド蓄積レジスタから
（４） 読取られる。

上記米国特許第５図の形式のＣＣＤ撮像器はフィールド
周波数のフリッカ雑音を示す。このフリッカ雑音を示さ
ずにＣＣＤ撮像器のＡ、Ｂレジヌクの３和動作を行わせ
る１つの方法は・１９７３年６月発行のアイ・イー・イ
ー・イー・トランザクションズ・オン壷エレクｌ−ロン
・デバイシーズ（Ｉ　　Ｅ　　Ｅ　　Ｅ　　　　Ｔｒａ
ｎｓａｃｔｉｏｎｓ　　ｏｎ　　ＦＥ上ｅｃｔｒｏｎ　
　Ｄｅｖｉｃｅｓ　）第ＥＤ−２０巻第６号第５３５〜
５４１頁掲載の士カン（Ｓｅｑｕｉｎ　）の綜合論文「
電荷結合撮像装置における飛越（工ｎｔｅｒｌａｃｊ−
ｎｇ　ｉｎ　Ｃｈａｒｇｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ工ｍａｇｊ
−ｎｇＩ’Ｊ）ｅＶＴＬ　Ｑ　ｅＳ）　Ｊに記載されて
いる。集積は奇数番目のフィールドの集積期間では第１
の位相の電極の下だけで、偶数番口のフィールドの集積
期間では第２および第３の位相の電極の下だけで行われ
る。

交番するフィールド期間中にその下で画像集積が行われ
るゲート電極の面積は連続する各フィールドにおいて等
しい。これらの電荷下に誘起されて電荷を集収する空乏
領域は各フィールドにおいて同大であるため）各フィー
ルドにおいて同量の暗電流が累積され、フィールド周波
数のフリッカ源を１つ実質的になくする。Ｂ、Ｃレジス
タのクロック信号を画像集積期間中Ａレジスタに結合す
ることは各レジスタのキャパシタンスを介して共通の基
板に行うのであるが、これは各フィールドにおいてさら
薯こ同様で、フィールド周波数のフリッカ源をさらに１
つなくする。しかしこの方法は比較的フリッカ雑音のな
い３和動作を与えるが・フィールド飛越が不完全でへテ
レビジョン放送用カメラのような条件の厳しい用途では
許容不能の対角線上のエーリアシングを生ずることがあ
る。

現在までフィールド飛越が良好で、しかも目障りなフィ
ールド周波数のフリッカ雑音のないフィールド転送型３
相動作式ＣＣＤ撮像器を作る問題は解決されていない。

上記米国特許第５図のＣＣＤ撮像器において木質的に完
全なフィールド飛越しを行う機構が）ＣＣＤ撮像器の設
計に極めて熟練した者でもそのような撮像器を生産し得
るほど充分に理解されていなかったことは明らかである
。

〔発明の概要〕

本願発明者は見掛けの予想に反して各フィールドにおい
てその丁で電荷集積が起るゲート電極の面積の不均等が
あるに拘らず上記の機構を用いて本質的に完全なフィー
ルド飛越を行うと同時にフィールド゛周波数のフリッカ
雑音の抑制が可能なことを発見した。その理由は次の解
析（こより判る。

３相ＣＣＤ撮像器で（４，１つおきの画像集積期間中に
φＡ１クロック位相を受けるゲート電極にの〃集積電位
が印加され、この１つおきの年債期間ごとにその電極の
下の空乏領域で発生した電荷坦体が次に起るフィールド
転送中にφＡ１位相で読取られるまでその領域に保持さ
れる。集積期間中この空乏領域間に発生した電荷坦体は
）統計学的平均でそれぞれの発生点に最も近い空乏領域
に移る。

スｆ、ｒ　ｈ　チこの各集積時間（こはそのφＡ１ゲー
ト電極の下に、そのゲート電極の中心のＬＡ１／２＋（
ＬＡ２＋ＬＡ３）７２以内の点で発生したのと実質的に
同数の電荷坦体が集められる。この結果、この各集積期
間中の各画素線の画素中心がフィールド伝送中クロツタ
信号φＡ、を受けるグーｌ−電極の長さの中点に来る。

本願発明者はとのφＡ１ゲート電極の中点に１つおきの
フィールド画素の中心を合わせる過程が長さＴＪＡｌ、
ＬＡ２、ＬＡ３の比に無関係で、その比が上記米国特許
に示さねたように１：１：］である必要がないことを認
めた。

交互の画像集積期間においてクロック位相φＡ２・φＡ
３を受けるゲート電極に集積電位を印加すると・障壁電
位でφＡ１ゲート電極の下に発生した電荷担体が統計学
的平均において（φ　、φ　の両ゲーＡ３　　　　　Ａ
２ ト電極が同量の集積電位を受けると仮定すると）前のφ
Ａ３ゲート電極の方に半分、後のφＡ２ゲート電極の方
に半分集まる。

本願発明者は各画素の端縁がＴ」Ａ、　、　：　Ｌ＋Ａ
２：　ＴＪＡ　３の比に関係なくφＡ１ゲート電極の中
点に来ることを認めた。クロッキングが再開されると、
各隣接φＡ２、φＡ３ゲート電極対の下の電荷が一緒に
なる従って本願発明者はこの電極対下の電荷をそれぞれ
の長さＬＡ２、ＬＡ３の関数として配分するとλフィー
ルド飛越に関する限り侮辱影響がないことを知った。こ
の解析から本願発明者は意外にもフィールド飛越はＬＡ
ｌ、ＬＡ２１ＬＡ３の相対値に関係なく木質的に完全で
あるという結論を得プζ。

前述のように、偶数番目のフィールドでその下に電荷累
積を生ずるゲート電極の面積が）奇数番目のフィールド
でその下に電荷累積を生ずるゲート電極の面積と等しい
ときフィールドフリッカ雑音が減少する。これらのフィ
ールド群の１つでφＡ１ゲート電極だけが集積電位を受
ける場合と、他のフィールド甫でφＡ２およびφＡ３ゲ
ート電極の双方が集積電位を受ける場合、本願発明者は
フィールドフリッカ抑制のために次の条件を与えた。

ＬＡ□−ＬＡ２＋ＬＡ３ しかし比ＴＪＡ　、　：　ＴＪＡ２　：　ＴＪＡ３には
さらに他の実際的制約がある。高い画像輝度レベルが得
られるまでプルーミング効果を防ぐ必要があれば、φＡ
２、φＡ３のゲート電極下に誘起された空乏領域に付随
する電位ウェルの容量が相等しいことを要することが認
められた。そうでなければ１組の領域が他より低い画像
輝度レベルでブルーミングに追いゃ（９） られろ、φ７．２とφＡ３のクロック電圧０）振幅が相
等しい場合、これはＴＪＡ、とＴＪＡ２を等しくするこ
とにより得られる。ＴＪＡ　、　＝　ＴＪｐ、、　２　
＋　ＬＡ３であるからブルーミングの効果は奇数番］］
と偶数番口のフィールドにおいて同じ輝度レベルで発揮
される。この追加の制限が加わると、プルーミング防止
用ドレンに過剰の電荷が浴出することによりフィールド
周波数のフリッカが誘起されなくなる。

この発明はＡレジスタに３相クロツキングを用いるとき
最良のフィールド飛越に必要な条件であるＬＡｌ−ＬＡ
２＋ＬＡ３に木質的にそのゲート電極の長さが適合する
ようなＡレジスタを持つフィールド転送型のＣＣＤ撮像
器に実施される。この発明の１形式では、１つおきの画
像集積期間中その下に画像の集積を生ずるφＡ１ゲート
電極の長さが、それと交番する画像集積期間中にその下
に画像の集積を生ずる等長のφＡ２およびφＡ３ゲート
電極のそれぞれの長さの２倍となっている。

〔詳細な説明〕

第１図においてはフィールド転送型ｃｃＤ撮像（１０） 器１０の画像レジスタすなわちＡレジスタ内部こ被写体
４の像３がレンズ構体５により結像されている。

ＣＣＤ撮像撮像器はＡレジスタの第１位相のゲート電極
の長さがその第２および第３位相のゲート電極の結合長
に等しい形式の従来法のＣＣＤ撮像器と異なる。ＣＣＤ
撮像撮像器はＡレジスタの他に輻射から遮蔽されたフィ
ールド蓄積レジスタすなわちＢレジスタと１輻射から遮
蔽され、並置データ変換を行う読取レジスタすなわちＣ
レジスタと１そのＣレジスタの端にある連続電荷ザンプ
ルヲ映像信号出力サンプルに変換する段とを有し、その
段からの映像出力信号は通常通り濾波およびクロック信
号抑圧を行う回路１１に送られる。回路１１からの信号
は通常の同期信号挿入のため処理増幅器１２に供給され
て同期情報を持つ映像出力信号を生成する。

タイミング発生器１５は内部または外部の親時計（図示
せず）により駆動されて（Ａｌフィールド転送期間中に
おけるＣＣＤ撮像撮像器のＡレジアタ用の３相りロック
信号・（５）その撮像器のＢおよびＣしく１Ｆ、） ジスタ用の適肖なりロック信号および（Ｃ）処理増幅器
１２が映像出力信号に入れる同期情報信号を発生する。

これらの信号は前記米国特許第３８０１８８４号第５図
の回路の動作（こ用いらねたものと実質的に同じである
。

第２図はタイミンク発生器］５からのクロック信号に応
じるＣ　ＣＩ）撮像器１０の動作の連続するフィールド
のタイミング図である。第３図は奇数番目と偶数番口の
フィールド（こ対する画像集積中１こＣＣＤ　撮像ＦＭ
　１０のＡレジスタ川の３相りロック信号が停止する様
子の違いを詳示するもので、その上半に奇数フィールド
の画像集積期間（時点ｔ。からｔｌまで）中の３相Δレ
ジスタクロック信号φＡ１・φＡ２・φＡ３を）下半（
こ偶数フィールドの画像集積期間（時点し、からｔ３才
で）中の３相Ａレジスタクロック信号を示す。

時点ｔ。からｔｌまでの偶数フィールド掃引期間はこれ
に続く奇数フィールドの画像集積期間である。

第２図で判るようにＡレジスタのクロッキングは停止し
ている。Ｂレジスタのクロッキングは線描（］、ど） 引期間中行われて新しい画素サンプルの線を（前の線描
引期間中に前の画素サンプルの線が画素走査クロック周
波数でＣレジスタから読取られた後）Ｃレジスタに送り
込む。Ｂレジスタのクロッキングは（正規のＡレジスフ
クロッキング同様）　３　相クロッキングでもよく、ま
た公知のように例えば？相や４相のクロッキンクでもよ
い。

第３図に示すように、Ａレジスタのクロッキングは偶数
フィールド掃引期間中停止していて位相φＡ１だけが高
く、この高レベル状態はＡレジスタのゲート電極が電位
を受けてその次の半導体材料中に電荷空乏領域を誘起す
るためである。従って・輻射エネルギ画像３の光変換で
発生した電荷担体がＡレジスタのφＡ１ゲー１〜電極の
次に誘起されたこの空乏領域に集まると、時点ｔ。から
ｔｌまでの期間中Ａレジスタの第１位相φＡ１を受ける
ゲート電極の次に電荷の集積が行われる。Ａレジスタの
φＡ１クロックを受けた各デー１−電極間の各領域に生
じた電荷は両側のｚつのφＡ１ゲート電極の接ぎ目に移
り、そのため画素の端がφＡ１電極の中心線（１３） の中間に来ることになる。

Ａレジスタのクロッキンクは時点ｔ１からｔ２までの奇
数フィールド転送期間中復活する。Ａ、Ｂ両しジヌタは
高速度てクロッキングされて画素を表わす集積電荷パケ
ットをそれが発生したＡレジスタからそれを蓄積するＢ
レジスタに転送する。Ｃレジスタは通常高速度でクロッ
キンクされて前のフィールド掃引期間中にＢレジスタに
累積された残留暗電流を集成する。このフィールド転送
期間の終りに奇数フィールドの画素を表わす電荷サンプ
ルが撮像器ｌＯのＢレジスタに蓄積されている。

この蓄積されたフィールＦは時点ｔ３からｔ４までの次
の奇数フィールド掃引期間の線帰線期間中に線１木ずつ
ＢレジスタからＣレジスタに転送される。線描引期間中
はその奇数フィールドの掃引をサンプリングする電荷パ
ケットが画素走査周波数でＣレジスタから読取られて映
像出力電圧または電流に変換される。

奇数フィールド掃引中は次の偶数フィールドを表わす電
荷サンプルを輻射エネルギ画像３により（１４） 累積し得るようにＡレジスタのクロッキングが停止され
るためＡ第３図の下半に示すように第２および第３のク
ロック位相φ　Ａφ　を受けるゲーＡ２　　　　　Ａ３ ト電（莫が高レベルになり＼この停止中にそのゲート電
極付近の半導体基板内に電荷空乏領域が誘起され、この
領域に電荷の集積が行われる。Ａレジスタのクロック信
号φＡ１を受ける各ゲート電極の下の領域に生じた電荷
はその前後のゲート電極の接ぎ目に移り、そのため画素
の端がφＡ１ゲート７ｆｆ。

極の中心線上に来る。この点についてはＡレジスタの異
なるクロック位相を受けるゲート？ｉ￥極の相対畏さは
問題にならない。（クロック位相φＡ７、φＡ２、φＡ
３のどれかの同じものを受けるＡレジスタのグー１〜電
極はすべて等長とする。）奇数フィールドでは画素の端
がφＡ１電極の中心線間にあり）偶数フィールドではＴ
、：Ｌ：ＡＩ　　　　　Ａ２ ＬＡ３の比に関係なくその中心線上にある。すなわち、
交互配置の隣接線の画素の端の間隔がフィールドを通じ
て一定で、従ってフィールド飛越が完全である。

（１５） 時点ｔ４は画像集積の全フレームサイクルの終点であっ
て、また上記同様の次のサイクルの始点ｔ。

である。前Ｊホのように」−記ＣＣＤ撮像器１０のクロ
ッキングは米国特許第３８０１８８４号明細書記載のも
のと同様であり、フィールド周波数のフリッカ雑音のな
いことはその撮像器１０のφΔ１ゲート電極の長さがφ
　１φ　のゲート電極の長さの和（こ等Ａ２　　　　　
Ａ３ しくなっていることによる。

第４図の撮像器の構成は撮像器１０と同様であるが、Ａ
ＸＢ両レジスタの行列の数を約２５６と５００からそれ
ぞれ（各列に３電極を持つ）２と９に減じて簡単になっ
ている。破線の輪郭で示すチャンネルス１−ツブ構体２
０は１それぞれＡレジスタ部３０の第１シフトレジスタ
構体とこれに続くＢレジスタ部４０の第２シフトレジス
タ構体を含む９列のＡ１Ｂレジヌタを画定している。こ
の各列２１〜２９のＡレジスタ部３０にはこれに交差す
るゲート電極構体３１）３２１３３１３４％　３５．３
６がある。第４図では明示のため各ゲート電極は重なっ
ていないが、実際には第５図に示すように重なるように
構成するのが（１６） 好ましい。

この発明により・φＡ１クロック位相の印加されるケー
ト電極構体３１．３４の長さは、φＡ２クロック位相の
印加されるゲート電極構体３２．３５およびり、クロッ
ク位相の印加されるゲート電極構体３３．３６の長さの
２倍である。

実際にはＡレジスタ３０の列２１〜２９を分離するチャ
ンネルヌトツプをＢレジスタ４０のそれより幅広くして
ブルーミング防止用ドレン構造に適応させることもでき
るが、第４図では明示のためこれを省略している。図で
はＢレジスタ４０が例として３相クロツキング構成にな
っていて、同じ幅の６個のゲート電極４１１４２）４３
．４４％　４５％　４６が列２１〜２９に直角に配列さ
れてそのレジアタの列を画定している。ゲート電１４１
１４４は第１クロック位相φｆ３　＋　Ｓゲート電極４
２．４５は第２クロック位相φＢ２％ゲート電極４３Ｎ
４６は第３クロック位相φＢ３をそれぞれ受ける。Ｃレ
ジスタ５０は垂直データ変換に用いられ１例として３相
りロッキング様式で示されている。線帰線期間中Ｃレジ
ヌタのクロッキングは停（１７） 止し、各列の終端でゲート電ｆｉｌこ印加されるφｃ１
クロック位札が高レベルとなって空乏領域を誘起し為そ
こに画素列を表わす電荷ザンプルがＢレジスタの出力か
ら送り込まれる。間に挾まっているφＣ２％φｃ３ゲー
ト電極は低レベルであるＯＣＣレジスタ３相クロツキン
グは線描引中に再開され、電荷ザンプルを１画素ずつそ
の撮像器の映像出力増幅器の金属酸化物半導体（ＭＯＳ
）電界効果トランジヌタ（ＦＥＴ）５２のゲート電極に
接続された浮動拡散域５１（こ移動する。ＦＥＴ５２の
ゲート電極からのリセットパルスを保持する緩衝器とし
ゲート電極５３の前に追加の直流バイアスゲート電極５
５を置くこともある。図にはＣレジスタの出力回路を例
示したが、他の形式の出力回路も公知である。

ＣＣＤ撮像器のＡレジスタのゲート電極の幅を約１０μ
以上にすると・その撮像器の映像出力信号から生成され
たテレビジョン画像にシンチレーション雑音が見えるよ
う番こなるが、これはこの発明を実施するときＡレジス
タのゲート電極のφＡ１り（１８） ロック位相の幅を１０μまたはそれより僅か小さくいそ
のφＡ２’φＡ３クロック位相の幅をそのイにすること
により防がれる。この幅はＣＣＤ撮像器の製造に用いら
れる通常の写真製版技術により実現することができる。

第５図はこの発明による比率の有効幅を持つＡレジスタ
のゲート群の断面を示す。この断面は撮像器のダイスを
チーヤンネルストップの間でゲート下の電荷転送方向と
直角に切ったものである。この構造は木質的に１９７４
年１１月発行のアイ・イー・イー・イー・トランザクシ
ョンズ・オン・エレクｌ−ロン、デバイシーズ（工Ｅ　
Ｅ　Ｅ　　Ｔｒａｎｓａｃｔ＝　ｏｎｓｏｎ　Ｅ工ｅｃ
ｔｒ’ｏｎ　Ｄｅｖｉ−ｃｅｓ　）等Ｅ　Ｄ　−２１巻
第１１号第７１２〜７２０頁掲載ノセカン等（Ｃ，Ｈｏ
Ｓｅｃｌｕｉｎ　。

Ｆ、Ｊ、Ｈｏｒｒｉｓ　　、Ｔ、Ａ、５ｈａｎｋｏｆｉ
　　、Ｍ、Ｆ、Ｔｏｙｎｐ−ｓｅｔｔ　、　Ｅ、　Ｊ、
　Ｚｉｍａｎｙ　）の報告「ボＩＪ　シリコンの３レベ
ルを用いた電荷結合面積画像感知器（Ｃｈａｒｇ＋ａ−
Ｃｏｕｐｌｅｄ　　Ａｒｅａ　　Ｉｍａｇｅ　　５ｅｙ
ｔｓｏｒ　　ＬＪｓｉｎｇ　　ＴｈｒｅｅＴＪＶｅｌＳ
　ｏｆ　Ｐｏ１ｙｓｉ工１ｃｏｎ　）　Ｊ　ニ記載され
＼また３重ポリシリコンＣＯＤの構造は１９７４年１２
月発行（１９） の同誌第ＥＤ−２１巻第１２号第７５８〜７６７頁掲載
のバートラム等（Ｗ、Ｊ、Ｂｅｒｔｒａｍ　、　Ａ、　
ＭｏＭｏｈｓｅｎ　。

Ｆ、　　Ｊ、　ＭＯＩ’ｒｉＳ　　、　　Ｄ、　　Ａ、
　Ｓｅａ上ｅｒ　　、　　Ｃ，Ｈ，５ｅｑｕｉｎ　　。

Ｍ、　Ｆ、　Ｔｈｏｍｐ、ｒｅｂｔ　）の報告「３レベ
ル金属化３相ＣＣＤ　　（Ｔｈｒｅｅ−ＴＪｅＶｅｌ　
　Ｍｅｔａｌｌｊ−Ｚａｔ’ｔＯｎ　　Ｔｈｒｅｅ−Ｐ
ｈａｓｅ　ＣＣＩ）　）　Ｊに記載されている。埋込み
チャンネルＣＣＤ撮像器のｐ型シリコン基板６０の表面
（第５図の上面）をドーピングしてｎ型にし）電荷パケ
ットを転送する埋込みチャンネルの表面を画定する接合
６１を形成する。（このシリコン基板６０の最初の処理
にはまたソースおよびドレン領域の拡散やチーンネルス
トップの注入が含まれているが、第５図にはこれらの領
域は示されていない。）基板６０の表面に厚さ約１５０
０人の２酸化シリコン（Ｓ、−０２）層を熱成長させる
。この一部６２は長いφＡ１電極６３の下に残る。この
第１のゲート酸化物層の上にポリシリコンの第ルベルを
被着し１燐でドーピングして導電性にし、接触を容易に
した後水蒸気で酸化させる。これによって生ずる厚さ約
１０００へのＳ−、−０２層が次の写真食刻で第１のゲ
（２０） 一ト電極構体群を画定するエツチングマスクとなる。ま
ず長いφＡ１電極を形成することが推奨される。これは
その長さと短い方のφＡ２、φＡ３電極の長さの和との
比は連続する２つのホ１−マスク段階のマヌク合せの不
完全に関係なく設定されるためである。また長い電極の
その周囲に対するキャパシタンヌもこれをポリシリコン
の第２、第３のレベルより第ルベルに置くことにより最
小になる。

次に新しいゲート酸化物層を熱成長させる。この一部６
４はφＡｌゲートの上とφＡ２ゲートの下に残る。この
第２のゲート酸化物層の上にポリシリコンの第２のレベ
ルを被着し、燐をドープして水蒸気で酸化する。この酸
化物層を写真食刻してドーピングされた下側のポリシリ
コンの第２レベルに第２のゲート電極構体群６５を画定
する。次に新しいゲート酸化物層を熱生長させる。この
一部６６はφＡ２の上とφＡ３ゲー１−の下に残る。さ
らにポリシリコンの第３のレベルを被着し、燐をドープ
して水蒸気で酸化させる。この酸化物と下側のドーピン
グポリシリコンの第３レベルを写真食刻して第（２１） ３のゲート電極構体群６７を画定し、表面保護酸化物を
熱生長させる。

基板６０をもとの底面からエツチングして厚さ約１０μ
にする。するとこの新しい底面には電荷担体の表面再結
合を防ぐ段付き拡散が行わねている。

この薄くした基板をガラ７、製裏打ち板（図示せず）に
張り付けた後、第５図に示されないＣＣＤ撮像器の各部
に１ポリシリコンレベルおよび基板に対する接触窓を開
け、頂面に金属化層を被着した後・エツチングにより実
際に金属の第４レベルとなるものを形成する。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明を実施したＣＣＤ撮像撮像器ラのブロ
ック図１第２図は第１図のＣＣＤ撮像器の電荷転送を表
わす一般タイミング図、第３図は奇数フィールドの画像
集積時と偶数フィールドの画像集積時に画像レジスタの
クロッキングを停止させる様式を示す第２図のタイミン
ク図の詳細図）第４図は第１図のＣＣＤ撮像器において
その画像レジスタの第１位相のゲート電極の長さをこの
発（２２） 明により第２および第３位イ°目のデー１−電極の長さ
の和に等しくしたものを示す平面図、第５図はこの発明
による畏さを持つＡレジスタのゲート電極群の３重ポリ
シリコン構造を示す断面図である。 ３・・・輻射エネルギ画像・５・・・輻射エネルギ画像
集束手段％］、Ｏ・・・ＣＣＤ撮像器、１２・・・処理
増幅器、１５・・・クロック信号供給手段Ｎ　３０す・
画像レジメタ１３〕−１３と一３３ｓ　３４．３５＼３
６・・・ゲート電極）４０・・・蓄積レジスタ１５０・
・・読取レジスタ。 特、ｆｆ　出ｉ　人　　　アールシーニー　コーポレー
ション代理人　清水　哲ほか２′８ （２３） Ｐ１拝月・Ｆ９’ｊｌ乏２〜　ν ｉ］刻象出カイ言号 手続補正書（自発） 昭和５８年１１月１日 特願昭５８−１８１７７５号 ２、発明の名称 撮像方式 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　　アメリカ合衆国　ニューヨーク州　１００２
０ニユーヨーク　ロックフェラー　フラサ３０５、　補
正の対象 明細書の「特許請求の範囲 細な説明」の各欄。 ６、　補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）　　明細書の記載を下記正誤表の通り訂正する。 詔 添付書類 特許請求の範囲 以　　　　」ニ 特許請求の範囲 縮型映像信号を発生する撮像方式であって、その電荷転
送チャンネルに垂直にかつ互いに平行に周期性をもって
配列された第１、第２および第３のゲーｌ・電極群を持
つ画像レジスタ、第１の蓄積レジスタ、および電荷サン
プルから映像信号への変換段が後続している少なくとも
１つの並置データ変換読取レジスタを有するフィールド
転送型ＣＣＤ撮像器と、この撮像器の画像レジスタ上に
輻則エネルギ画像を結像する手段と、−Ｉ−記電荷サン
プルから映像信号への変換段から映像信号を受入れる処
理増幅器と、ト記処Ｂ１ｉ増幅器とＣＣＤ撮像器の画像
レジスタにクロック信号を供給する手段とを含み、上記
クロック信号供給手段が、任意に選んだ基準画像集積時
間に対して連続番号を付した隣接画像集積時間の相互間
のフィールド転送時間の 中」二記ＣＣＤ撮穐器の画像レジスタ第１、第２お八 ■、第２および第３の位相をそれぞれ供給する手段と、
」二肥沃１のゲート電極群の近傍のみで電荷集積が起る
ように各偶数番口の画像集積時間中上記３相クロック信
号をｉｆ−め、」−記＠２および第３のゲート電極群の
下でのみ電荷集積が起るように各奇数番目の画像集積時
間中上記３相クロック信号を止める手段とを含み、上記
画像レジスタの第１のグーｌ−電極群中の各ゲート電極
の長さが、上記第２および第３のデー１〜電極群中の各
ゲート電極の長さの和に実質的に等しいことを特徴とす
る撮像方式。 （２）」−肥沃２および第３のゲート群中の各ゲート電
極の長さが実質的に相等しいことを特徴とする特許請求
の範囲（］）記載の撮像方式。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）実質的に少ない交番フィールドフリッカ雑音で、
   受信した輻射エネルギ画像に応じてフィールド飛越型映
   像信号を発生する撮像方式であって・その電荷転送チャ
   ンネルに垂直に互いに平行に周期性配列した第１、第２
   および第３のゲート電極群を持つ画像レジスタ・第１の
   蓄積レジスタ、および電荷サンプルから映像信号への変
   換段を従えた少なくとも１つの垂直データ変換読取レジ
   スタを有するフィールド転送型ＣＣＤ撮像器と・この撮
   像器の画像レジスタ上に輻射エネルギ画像を結像する手
   段と為上記電荷サンプルから映像信号への変換段から映
   像信号を受入れる処理増都器と・上記処理増幅器とＣＣ
   ＤＣＤ撮像ダレジメタロック信号を供給する手段とを含
   み、上記クロック信号供給手段が・任意に選んだ基準画
   像集積時間に対して連続番号を付した隣接画像集積時間
   の相互間のフィールド転送時間中上記ＣＣＩ）撮像器の
   画像レジスタの第１１第２および第３のゲー（・電極群
   にそれぞれ第１、第２および第３の位相の３相りロック
   信号を供給する手段と、上記第］−のゲート電極群の近
   傍のみで電荷集積が起るように各偶数番目の画像集積時
   間中上記３相クロック信号を止め・上記第２および第３
   のゲート電極群の下でのみ電荷集積が起るように各奇数
   番目の画像集積時間中上記３相クロック信号を止める手
   段とを含み、上記画像レジスタの第１のゲート電極群中
   の各ゲート電極の長さが１」：記第２および第３のゲー
   ト電極群中の各ゲート電極の長さの和に実質的に等しい
   ことを特徴とする撮像方式。
2. （２）上記第２および第３のゲート群中の各ゲート電極
   の長さが実質的に相等しいことを特徴とする特許請求の
   範囲（１１記載の撮像方式。