JPS60189966A - 電荷転送装置およびその駆動方法 - Google Patents
電荷転送装置およびその駆動方法Info
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- JPS60189966A JPS60189966A JP59047463A JP4746384A JPS60189966A JP S60189966 A JPS60189966 A JP S60189966A JP 59047463 A JP59047463 A JP 59047463A JP 4746384 A JP4746384 A JP 4746384A JP S60189966 A JPS60189966 A JP S60189966A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
- H01L29/765—Charge-coupled devices
- H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/76816—Output structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電荷転送装置およびその駆動方法に関するもの
である。
である。
従来例の構成とその問題点
固体撮像素子は撮像管と比較して多くの利点を有するた
め盛んに開発が進められているが、解像度についてはま
だ撮像管の方が優っているといえる。このため固体撮像
素子の解像度を向上さどる努力がなされている〇 以下にインターライン転送方式ｃａｎ撮像素子（以下Ｉ
Ｔ−ＣＯＤと略記する。）を例にとって説明する。
め盛んに開発が進められているが、解像度についてはま
だ撮像管の方が優っているといえる。このため固体撮像
素子の解像度を向上さどる努力がなされている〇 以下にインターライン転送方式ｃａｎ撮像素子（以下Ｉ
Ｔ−ＣＯＤと略記する。）を例にとって説明する。
まず、第１図にＩＴ−ＣＯＤ’の全体構成図を示す。光
電変換素子１に蓄積された信号電荷は垂直方向に転送す
るｃａｎ（以下ｖ−ｃＣＤと略記する）２に転送され、
それから水平方向に転送するｃａｎ （以下ＨＯＯＤと
略記する）３に転送される。更に、ＨＣＣＤ３の中を転
送され順次電荷検知部４に送ら゛れ検知出力される。
電変換素子１に蓄積された信号電荷は垂直方向に転送す
るｃａｎ（以下ｖ−ｃＣＤと略記する）２に転送され、
それから水平方向に転送するｃａｎ （以下ＨＯＯＤと
略記する）３に転送される。更に、ＨＣＣＤ３の中を転
送され順次電荷検知部４に送ら゛れ検知出力される。
従来例を第２図に示し、説明する。同図はＨｅＣＤ３と
電荷検知部付近を示している。信号電荷は、矢印６の方
向に従ってｖ’ｃｃｎからＨＯＯＤのチャンネル６に転
送される。ここに示してＨＣＣＤは埋め込みチャンネル
型で転送電極１１と１３の下の不純物濃度がそれぞれ転
送電極１２と１４の下の不純物濃度と異なるようにして
転送電極１１．１３より転送電極１２．１４の方がチャ
ンネルのポテンシャルが深くなっている。２相駆動ｃａ
ｎである。端子ア、８にはそれぞれの２相駆動パルスの
φＨ＋ ｒ φＨ２が印加される。ＨＯＯＤのチャンネ
ル６に入った信号電荷は順次転送され、アウトプット電
極９を経て浮遊拡散層（以下ＦＤと略記する）１０に送
られ、そこの電位変化をソースフォロワで端子１６から
出力される。それから次の信号電荷の入る前にリセット
電極１６をＯＮ状態にすることによってリセットドレイ
ン１７に印加されている電圧にＦＤｌｏを設定する。こ
の従来例のＨＣＯＤは１つの信号電荷につき４枚の転送
電極が必要である。前に述べた様に固体撮像素子の解像
度を向上させるために一水半期間内に読み出す信号電荷
の数が増す傾向にある。従来例の構造のままでこれに対
応しようとすると、転送電極を高密度に配置しなければ
ならない０これは微細加工技術上、難しさ全生じ、また
歩留を低下させる。また転送電極の駆動周波数が高くな
り消費電力が増大し、固体撮像素子の利点を著しく損う
。
電荷検知部付近を示している。信号電荷は、矢印６の方
向に従ってｖ’ｃｃｎからＨＯＯＤのチャンネル６に転
送される。ここに示してＨＣＣＤは埋め込みチャンネル
型で転送電極１１と１３の下の不純物濃度がそれぞれ転
送電極１２と１４の下の不純物濃度と異なるようにして
転送電極１１．１３より転送電極１２．１４の方がチャ
ンネルのポテンシャルが深くなっている。２相駆動ｃａ
ｎである。端子ア、８にはそれぞれの２相駆動パルスの
φＨ＋ ｒ φＨ２が印加される。ＨＯＯＤのチャンネ
ル６に入った信号電荷は順次転送され、アウトプット電
極９を経て浮遊拡散層（以下ＦＤと略記する）１０に送
られ、そこの電位変化をソースフォロワで端子１６から
出力される。それから次の信号電荷の入る前にリセット
電極１６をＯＮ状態にすることによってリセットドレイ
ン１７に印加されている電圧にＦＤｌｏを設定する。こ
の従来例のＨＣＯＤは１つの信号電荷につき４枚の転送
電極が必要である。前に述べた様に固体撮像素子の解像
度を向上させるために一水半期間内に読み出す信号電荷
の数が増す傾向にある。従来例の構造のままでこれに対
応しようとすると、転送電極を高密度に配置しなければ
ならない０これは微細加工技術上、難しさ全生じ、また
歩留を低下させる。また転送電極の駆動周波数が高くな
り消費電力が増大し、固体撮像素子の利点を著しく損う
。
発明の目的
本発明は上記従来技術の欠点に鑑み、転送周波数を高く
することなく、電荷転送素子で転送できる信号電荷の数
を増すことができる電荷転送装置およびその駆動方法を
提供するものである。
することなく、電荷転送素子で転送できる信号電荷の数
を増すことができる電荷転送装置およびその駆動方法を
提供するものである。
発明の構成
本発明は、第１のフロックパルスで被転送電荷を転送す
る複数本の電荷転送素子を第１の転送電極で形成し、前
記複数本の電荷転送素子の信号出力発生点を電荷検知器
へ共通接続するとともに、前記複数本の電荷転送素子の
異なる電荷転送素子を形成する前記第１の転送電極が、
第２の転送電極を介して接続され、異なる電荷転送素子
間で被転送電荷を転送する電荷転送装置およびその駆動
方法である。
る複数本の電荷転送素子を第１の転送電極で形成し、前
記複数本の電荷転送素子の信号出力発生点を電荷検知器
へ共通接続するとともに、前記複数本の電荷転送素子の
異なる電荷転送素子を形成する前記第１の転送電極が、
第２の転送電極を介して接続され、異なる電荷転送素子
間で被転送電荷を転送する電荷転送装置およびその駆動
方法である。
実施例の説明
本発明の第一の実施例を第３図に示して説明する。同図
ではｕｃｃｎチャン坏ルが２７と２８の二本例えられ、
その間にＨＯＯＤチャンネル２７から２８への信号電荷
の転送を制御する転送電極２９が設けられていること、
及び二本のＨＯＧＤチャンネル２７．２８が合成電極２
５．２６を経て、同一のＦＤ３０へ接続されている。こ
のＨ（３ＣＤ＠ｎチヤンネルであり、転送電極２１と２
２゜ζ３と２４の関係は、第２図に示した転送電極１１
と１２．２３と２４の関係と同じズやはり二相駆動ｃａ
ｎである。また合成電極２５と２６の関係も転送電極２
１と２２．２３と２４の関係と同じである。また転送電
極２９は、この図では、一層目のポリシリコンで形成さ
れており、転送電極２２と２４は二層目、２１と２３は
三層目のボリシリコンで形成されたものとする例を示す
。もちろんこれとは異なる組合わせも可能である。
ではｕｃｃｎチャン坏ルが２７と２８の二本例えられ、
その間にＨＯＯＤチャンネル２７から２８への信号電荷
の転送を制御する転送電極２９が設けられていること、
及び二本のＨＯＧＤチャンネル２７．２８が合成電極２
５．２６を経て、同一のＦＤ３０へ接続されている。こ
のＨ（３ＣＤ＠ｎチヤンネルであり、転送電極２１と２
２゜ζ３と２４の関係は、第２図に示した転送電極１１
と１２．２３と２４の関係と同じズやはり二相駆動ｃａ
ｎである。また合成電極２５と２６の関係も転送電極２
１と２２．２３と２４の関係と同じである。また転送電
極２９は、この図では、一層目のポリシリコンで形成さ
れており、転送電極２２と２４は二層目、２１と２３は
三層目のボリシリコンで形成されたものとする例を示す
。もちろんこれとは異なる組合わせも可能である。
本実施例における動作を説明する。まず矢印３１の方向
に従って信号電荷がａｃｃｎチャンネル２７０転送電極
２２と２４の下に転送されてくる０ ＨＣＣＤチャンネル２７の転送電極２４の下にある信号
電荷を転送電極２９を用−て、３６の矢印の如（ＨＧＣ
ｉＤチャンネル２８の転送電極２２の下に転送する。同
図で３８はチャンネルストツバ−１厚い酸化膜等による
分離領域である。このとき、ＨＣＣＤの転送電極には端
子３２からφＨ１□、端子３３からはφＨｊ２の駆動パ
ルスがそれぞれ印加される。それから信号電荷は二本の
ＨＣＯＤを転送されて合成電極２５，２６、アウトプッ
ト電極３４を経てＦＤ３０Ｖｃ転送される。このときの
駆動パルス例を第４図に示す。同図でφＶＧは転送電極
２９に印加され、φＡＧは端子３３がら合成電極２５、
．２６に印加され、φ、ハリャット電極。６に印加され
る駆動パルスである。
に従って信号電荷がａｃｃｎチャンネル２７０転送電極
２２と２４の下に転送されてくる０ ＨＣＣＤチャンネル２７の転送電極２４の下にある信号
電荷を転送電極２９を用−て、３６の矢印の如（ＨＧＣ
ｉＤチャンネル２８の転送電極２２の下に転送する。同
図で３８はチャンネルストツバ−１厚い酸化膜等による
分離領域である。このとき、ＨＣＣＤの転送電極には端
子３２からφＨ１□、端子３３からはφＨｊ２の駆動パ
ルスがそれぞれ印加される。それから信号電荷は二本の
ＨＣＯＤを転送されて合成電極２５，２６、アウトプッ
ト電極３４を経てＦＤ３０Ｖｃ転送される。このときの
駆動パルス例を第４図に示す。同図でφＶＧは転送電極
２９に印加され、φＡＧは端子３３がら合成電極２５、
．２６に印加され、φ、ハリャット電極。６に印加され
る駆動パルスである。
時刻ｔ。は、ｖｃａｎからＨＯＯＤへの転送が終了して
いる状態である。これかられかるように本発明によれは
、転送周波数φ５．とφ、２は電荷検知部からの出力の
周波数（φ８の周波数と等しい）の半分でよいため駆動
回路を作製する上でも、消費電力の上でも大きな利点が
ある。またＨＯＯＤは従来例の半分の密度でよめため、
加工上も極めて容易になる。また、二本のＣＯＤチャン
ネル２７と２８を転送されてきた信号電荷は、合成電極
２５．２６に印加苫れる駆動パルスφＡＧの立ち下がり
のタイミングでＦＤ３０に転送されるため、どちらのＨ
ＣＣＤチャンネル全転送されて来ても出力に差は生じな
い。
いる状態である。これかられかるように本発明によれは
、転送周波数φ５．とφ、２は電荷検知部からの出力の
周波数（φ８の周波数と等しい）の半分でよいため駆動
回路を作製する上でも、消費電力の上でも大きな利点が
ある。またＨＯＯＤは従来例の半分の密度でよめため、
加工上も極めて容易になる。また、二本のＣＯＤチャン
ネル２７と２８を転送されてきた信号電荷は、合成電極
２５．２６に印加苫れる駆動パルスφＡＧの立ち下がり
のタイミングでＦＤ３０に転送されるため、どちらのＨ
ＣＣＤチャンネル全転送されて来ても出力に差は生じな
い。
また第３図に示すよう［ＨＣＣＤチャンネル２７０転送
電極２４の垂直線上にＨＯＣＤチャンネル２８の転送電
極２２が配置されておれは、合成電極２５．２６で両チ
ャンネルを合成する際に対称性のよい合成ができるので
両チャンネルによる用層の差が一層生じにくい。
電極２４の垂直線上にＨＯＣＤチャンネル２８の転送電
極２２が配置されておれは、合成電極２５．２６で両チ
ャンネルを合成する際に対称性のよい合成ができるので
両チャンネルによる用層の差が一層生じにくい。
次に第二の実施例を第５図に示して説明する。
第一の実施例は一水千期間内［ＨＣＣＤで転送する信号
電荷が一度にａｃｃｎに転送される例であった。第二の
実施例はＨＯＯＤへの転送が二度にわけられる場合であ
る。第６図の構造が第３図と異なるのはｖｃｃｎから転
送されてくるのは矢印４ｏで示すようにＨＯＯＤチャン
ネ）し２７の転送電極２４の下へだけである０同図では
それ以外の構造は第３図と同一なので、同一番号をつけ
る。
電荷が一度にａｃｃｎに転送される例であった。第二の
実施例はＨＯＯＤへの転送が二度にわけられる場合であ
る。第６図の構造が第３図と異なるのはｖｃｃｎから転
送されてくるのは矢印４ｏで示すようにＨＯＯＤチャン
ネ）し２７の転送電極２４の下へだけである０同図では
それ以外の構造は第３図と同一なので、同一番号をつけ
る。
この場合の動作を説明する。まず矢印４０の方向に従っ
て一回目の信号電荷がＨ（、ＣＤチャンネル２７の転送
電極２４の下に転送される０その信号電荷を矢印４１に
示すようにＨＯＯＤチャンネル２７で転送する。それか
ら二回目の信号電荷がＨＣＧＤＣＤチャンネル２７電極
２４に転送されてくる。これを転送電極２９を開いてＨ
ＣＣＤチャンネル２８の転送電極２２に転送する。これ
で−回目の転送電荷が二回目の転送電荷よりも外股進ん
だ状態でＨｃｃｎに存在する。これ以後は、第一の実施
例と同じ（ＨＣＣＤの中を転送する〇このときの駆動パ
ルス例を第６図ａに示す。また次のように順序を逆にす
ることもできる。まず時刻ｔ１に矢印４０の方向に従っ
て一回目の信号電荷がＨＣ；ＣＤチャンネル２７の転送
電極２４の下に転送される。この信号電荷を矢印４２に
示すようにＨＣＯＤＣＤチャンネル２７する。それから
時刻ｔ２に二回目の信号電荷がＨＣＧＤＣＤチャンネル
２７電極２４に転送される。この電荷を矢印４１のよう
にＨＯＯＤチャン斥ル２アル２７電極２２の下に転送す
る。これで先程の実施例とは逆に二回目の信号電荷が一
回目の信号電荷よりＡ段進んだ状態でＨＯＯＤに存在す
る。これ以後は第一の実施例と同じ＜ＨｃｃｎＯ中を転
送する。このときの駆動パルス例を第６図すに示す。
て一回目の信号電荷がＨ（、ＣＤチャンネル２７の転送
電極２４の下に転送される０その信号電荷を矢印４１に
示すようにＨＯＯＤチャンネル２７で転送する。それか
ら二回目の信号電荷がＨＣＧＤＣＤチャンネル２７電極
２４に転送されてくる。これを転送電極２９を開いてＨ
ＣＣＤチャンネル２８の転送電極２２に転送する。これ
で−回目の転送電荷が二回目の転送電荷よりも外股進ん
だ状態でＨｃｃｎに存在する。これ以後は、第一の実施
例と同じ（ＨＣＣＤの中を転送する〇このときの駆動パ
ルス例を第６図ａに示す。また次のように順序を逆にす
ることもできる。まず時刻ｔ１に矢印４０の方向に従っ
て一回目の信号電荷がＨＣ；ＣＤチャンネル２７の転送
電極２４の下に転送される。この信号電荷を矢印４２に
示すようにＨＣＯＤＣＤチャンネル２７する。それから
時刻ｔ２に二回目の信号電荷がＨＣＧＤＣＤチャンネル
２７電極２４に転送される。この電荷を矢印４１のよう
にＨＯＯＤチャン斥ル２アル２７電極２２の下に転送す
る。これで先程の実施例とは逆に二回目の信号電荷が一
回目の信号電荷よりＡ段進んだ状態でＨＯＯＤに存在す
る。これ以後は第一の実施例と同じ＜ＨｃｃｎＯ中を転
送する。このときの駆動パルス例を第６図すに示す。
以上のように一回目と二回目の転送電荷のどちらでも棒
段進んだ状態にすることができる。固体撮像素子ではＡ
、Ｂの二つのフィールドによってインターレース駆動を
することが多いが、素子の構成によっては、フィールド
ごとに、Ａ段進んだ状態にするべき信号電荷が入れ替わ
ることがある。
段進んだ状態にすることができる。固体撮像素子ではＡ
、Ｂの二つのフィールドによってインターレース駆動を
することが多いが、素子の構成によっては、フィールド
ごとに、Ａ段進んだ状態にするべき信号電荷が入れ替わ
ることがある。
この場合には第二の実施の二つの駆動法をフィ−ルドご
とに使い分けることによって容易に実現できる。
とに使い分けることによって容易に実現できる。
以上述べた実施例は簡単のため三層ポリシリコン構造で
あったが、二層ポリシリコン構造でも可能である。また
ＩＴ−ＣＯＤを例にとったが説明でもわかるように垂直
転送手段に何を用いるかは無関係であＺｏしたがって、
ＭＯＳ型の撫像部とＣＯＤによる水平転送を組み合わせ
た、いわゆるＭＯＳ−ＣＯＤ、及びＧＰＤにももちろん
有効である。またＨＯＯＤとして二相駆動ｃａｎを例と
したが、もちろん四相、二相駆動も可能である。
あったが、二層ポリシリコン構造でも可能である。また
ＩＴ−ＣＯＤを例にとったが説明でもわかるように垂直
転送手段に何を用いるかは無関係であＺｏしたがって、
ＭＯＳ型の撫像部とＣＯＤによる水平転送を組み合わせ
た、いわゆるＭＯＳ−ＣＯＤ、及びＧＰＤにももちろん
有効である。またＨＯＯＤとして二相駆動ｃａｎを例と
したが、もちろん四相、二相駆動も可能である。
この場合は、それぞれの相数以下のＨＣｉＣＤチャンネ
ルを合成することができる。また二次元固体撮像素子金
側にとったが、−次元固体撮像素子や、メモリー等、他
の電荷転送素子にも、同じ効果があることはいうまでも
ない。またｎチャンネル埋め込みｃａｎｅ例にとったが
もちろんｐチャンネルも、表面ｃａｎも可能である。ま
た転送電極２゛９のチャンネルを埋め込みチャンネルと
してもよい。ただし、この場合には、駆動パルスφＶＧ
のローレベルとして負電圧を印加する必要があることが
ある。
ルを合成することができる。また二次元固体撮像素子金
側にとったが、−次元固体撮像素子や、メモリー等、他
の電荷転送素子にも、同じ効果があることはいうまでも
ない。またｎチャンネル埋め込みｃａｎｅ例にとったが
もちろんｐチャンネルも、表面ｃａｎも可能である。ま
た転送電極２゛９のチャンネルを埋め込みチャンネルと
してもよい。ただし、この場合には、駆動パルスφＶＧ
のローレベルとして負電圧を印加する必要があることが
ある。
また水平ｃａｎチャンネル２７゛の転送電極２１゜２２
．２３．２４と同じく２８の転送電極２１゜２２．２３
．２４の接続は、全て同じ方向に接続した例を挙げたが
、転送電極２１と２３の接続方向に対して転送電極２２
と２４を交差する方向に接続することも可能である。ま
た以上はｐ基板上に形成された素子を例にとったが、ｎ
基板上に設けられたいわゆるｐウェル内に形成された素
子にも同様に有効であることはもちろんである。
．２３．２４と同じく２８の転送電極２１゜２２．２３
．２４の接続は、全て同じ方向に接続した例を挙げたが
、転送電極２１と２３の接続方向に対して転送電極２２
と２４を交差する方向に接続することも可能である。ま
た以上はｐ基板上に形成された素子を例にとったが、ｎ
基板上に設けられたいわゆるｐウェル内に形成された素
子にも同様に有効であることはもちろんである。
発明の効果
以上のように、本発明は第１のクロックパルスで被転送
電荷を転送する複数本の電荷転送素子を第１の転送電極
で形成し、前記複数本の電荷転送素子の信号出力発生点
を電荷検知器へ共通接続するとともに、前記複数本の電
荷転送素子の異なる電荷転送素子を形成する前記第１の
転送電極が、第２の転送電極を介して接続され、異なる
電荷転送素子間で被転送電荷を転送することにより、転
送周波数が電荷検知からの信号出力周波数を電荷転送素
子の本数で除した周波数ですむため、消費電力も高くな
らず、駆動回路の作製も容易であり、電荷転送素子も低
密度で構成できるため、加工上も極めて容易であり、そ
の工業上の効果は極めて太々るものがある０
電荷を転送する複数本の電荷転送素子を第１の転送電極
で形成し、前記複数本の電荷転送素子の信号出力発生点
を電荷検知器へ共通接続するとともに、前記複数本の電
荷転送素子の異なる電荷転送素子を形成する前記第１の
転送電極が、第２の転送電極を介して接続され、異なる
電荷転送素子間で被転送電荷を転送することにより、転
送周波数が電荷検知からの信号出力周波数を電荷転送素
子の本数で除した周波数ですむため、消費電力も高くな
らず、駆動回路の作製も容易であり、電荷転送素子も低
密度で構成できるため、加工上も極めて容易であり、そ
の工業上の効果は極めて太々るものがある０
第１図はインターライン転送方式ＣＯＤの全体構成図、
第２図は従来例を説明するだめの部分拡大図、第３図は
本発明の第一の実施例を説明するための部分拡大図、第
４図は第一の実施例の駆動パルス図、第５図は本発明の
第二の実施例を説明するための部分拡大図、第６図は第
二の実施例の駆動パルス図である。゛ ２１．２２，２３．２４・・・・・・転送電極、２６゜
２６・・・・・・合成電極、２７，２８・・・・・・水
平ＧＣＤｆヤンネル、２９・・・・・・転送電極、３６
・・・・・・浮遊拡散層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名実
２ 図
第２図は従来例を説明するだめの部分拡大図、第３図は
本発明の第一の実施例を説明するための部分拡大図、第
４図は第一の実施例の駆動パルス図、第５図は本発明の
第二の実施例を説明するための部分拡大図、第６図は第
二の実施例の駆動パルス図である。゛ ２１．２２，２３．２４・・・・・・転送電極、２６゜
２６・・・・・・合成電極、２７，２８・・・・・・水
平ＧＣＤｆヤンネル、２９・・・・・・転送電極、３６
・・・・・・浮遊拡散層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名実
２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）第１のクロックパルスで被転送電荷を転送する複
数本の電荷転送素子を第１の転送電極で形成し、前記複
数本の電荷転送素子の信号出力発生点を電荷検知器へ共
通接続するとともに、前記複数本の電荷転送素子の異な
る電荷転送素子を形成する前記第１の転送電極が、第２
の転送電極を介して接続されることを特徴とする電荷転
送装置。 （２）共通接続線路上に前記検知器からの信号出力と同
一の周波数の第２のクロックパルス印加電極を設けたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電荷転送装
置。 （３）第１のクロックパルスで被転送電荷を転送する複
数本の電荷転送素子を第１の転送電極で形成し、前記複
数本の電荷転送する信号出力発生点を電荷検知器へ共通
接続するとともに、前記複数本の電荷転送素子の異なる
電荷転送素子を形成する前記第１の転送電極が、第２の
転送電極を介して接続される電荷転送装置で、前記複数
本の電荷転送素子に転送された被転送電荷を前記第２の
転送電極に印加する電圧を制御することによって、前記
複数本の電荷転送素子の異なる電荷転送素子に転送する
ことを特徴とする電荷転送装置の駆動方法。 （４）電荷転送素子に転送された第１の被転送電荷を電
荷転送素子内でＡ段転送した後、電荷転送素子に転送さ
れた第２の被転送電荷を、第２の転送電極に印加する電
圧を制御することによって異なる電荷転送素子に転送す
る特許請求の範囲第３項記載の電荷転送装置の駆動方法
。 （６）電荷転送素子に転送された第１の被転送電荷を、
第２の転送電極に印加する電圧を制御することによって
異なる電荷転送素子に転送した後、電荷転送素子に転送
された第２の被転送電荷を電荷転送素子内でμ段転送す
ることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の電荷転
送装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59047463A JPH06105719B2 (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 電荷転送装置およびその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59047463A JPH06105719B2 (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 電荷転送装置およびその駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189966A true JPS60189966A (ja) | 1985-09-27 |
| JPH06105719B2 JPH06105719B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=12775844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59047463A Expired - Lifetime JPH06105719B2 (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 電荷転送装置およびその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06105719B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5650644A (en) * | 1990-05-16 | 1997-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Charge transfer device having a plurality of vertical and horizontal charge-coupled devices with improved configurations for isolation regions and impurity implanted regions between the charge-coupled devices |
| JP2002208687A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56116373A (en) * | 1980-02-18 | 1981-09-12 | Fujitsu Ltd | Signal charge detection circuit for line sensor |
| JPS5856465A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Nec Corp | 電荷転送装置 |
| JPS5913369A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-24 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
-
1984
- 1984-03-12 JP JP59047463A patent/JPH06105719B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56116373A (en) * | 1980-02-18 | 1981-09-12 | Fujitsu Ltd | Signal charge detection circuit for line sensor |
| JPS5856465A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Nec Corp | 電荷転送装置 |
| JPS5913369A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-24 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5650644A (en) * | 1990-05-16 | 1997-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Charge transfer device having a plurality of vertical and horizontal charge-coupled devices with improved configurations for isolation regions and impurity implanted regions between the charge-coupled devices |
| JP2002208687A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06105719B2 (ja) | 1994-12-21 |
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