JPH0291954A - 電荷転送装置 - Google Patents
電荷転送装置Info
- Publication number
- JPH0291954A JPH0291954A JP24522588A JP24522588A JPH0291954A JP H0291954 A JPH0291954 A JP H0291954A JP 24522588 A JP24522588 A JP 24522588A JP 24522588 A JP24522588 A JP 24522588A JP H0291954 A JPH0291954 A JP H0291954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transferred
- registers
- floating diffusion
- ccd
- charges
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims abstract description 40
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- IGRCWJPBLWGNPX-UHFFFAOYSA-N 3-(2-chlorophenyl)-n-(4-chlorophenyl)-n,5-dimethyl-1,2-oxazole-4-carboxamide Chemical compound C=1C=C(Cl)C=CC=1N(C)C(=O)C1=C(C)ON=C1C1=CC=CC=C1Cl IGRCWJPBLWGNPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電荷転送装置に関し、特に、その出力部の構
成に関する。
成に関する。
本発明の電荷転送装置は、第１及び第２のレジスタと、
フローティング・ディフュージョン型増幅器を構成する
出力部とを有し、上記第１及び第２のレジスタはそれら
の一端で合流し、この合流部に隣接して単一のフローテ
ィング・ディフュージョンが形成され、上記合流部にお
ける信号電荷の転送は合流前の上記第１及び第２のレジ
スタにおける信号電荷の転送用のクロックパルスの周波
数よりも高い周波数のクロックパルスにより行われ、上
記第１及び第・２のレジスタのそれぞれにより転送され
る信号電荷は上記フローティング・ディフュージョンに
交互に注入されるように構成されている。これによって
、出力後の信号処理を簡単にすることができるとともに
、高い感度を得ることができる。
フローティング・ディフュージョン型増幅器を構成する
出力部とを有し、上記第１及び第２のレジスタはそれら
の一端で合流し、この合流部に隣接して単一のフローテ
ィング・ディフュージョンが形成され、上記合流部にお
ける信号電荷の転送は合流前の上記第１及び第２のレジ
スタにおける信号電荷の転送用のクロックパルスの周波
数よりも高い周波数のクロックパルスにより行われ、上
記第１及び第・２のレジスタのそれぞれにより転送され
る信号電荷は上記フローティング・ディフュージョンに
交互に注入されるように構成されている。これによって
、出力後の信号処理を簡単にすることができるとともに
、高い感度を得ることができる。
電荷結合型ラインセンサー（以下、ＣＣＤラインセンサ
ーという）は電荷転送装置の一種である。
ーという）は電荷転送装置の一種である。
第３図は従来のＣＣＤラインセンサーを示す、第３図に
示すように、このＣＣＤラインセンサーにおいては、２
列のＣＣＤレジスタ１０１．１０２の間に多数のセンサ
ーから成るセンサ一部１０３が形成されている。そして
、このセンサ一部１０３のうちの奇数ビットのセンサー
に発生する電荷は例えばＣＣＤレジスタ１０１に、また
偶数ビットのセンサーに発生する電荷は例えばＣＣＤレ
ジスタ１０２に矢印で示すように転送される。これらの
電荷は、ＣＯＤレジスタＩＯＬ １０２の転送電極１
０４に印加される２相のクロックパルスφ鳳、φ冨によ
る駆動でこれらのＣＣＤレジスタ１０１．１０２により
信号電荷として出力側にそれぞれ転送される。
示すように、このＣＣＤラインセンサーにおいては、２
列のＣＣＤレジスタ１０１．１０２の間に多数のセンサ
ーから成るセンサ一部１０３が形成されている。そして
、このセンサ一部１０３のうちの奇数ビットのセンサー
に発生する電荷は例えばＣＣＤレジスタ１０１に、また
偶数ビットのセンサーに発生する電荷は例えばＣＣＤレ
ジスタ１０２に矢印で示すように転送される。これらの
電荷は、ＣＯＤレジスタＩＯＬ １０２の転送電極１
０４に印加される２相のクロックパルスφ鳳、φ冨によ
る駆動でこれらのＣＣＤレジスタ１０１．１０２により
信号電荷として出力側にそれぞれ転送される。
上述のように２列のＣＣＤレジスタ１０１．１０２が存
在する場合に信号電荷を電圧に変換する方法としては、
第４図に示すように、これらのＣＣＤレジスタ１０１．
１０２の出力側の一端にそれぞれフローティング・ディ
フュージョン１０５．１０６を形成し、ＣＣＤレジスタ
１０１，１０２によりそれぞれ転送される信号電荷をこ
れらのフローティング・ディフュージョン１０５．１０
６にそれぞれ注入して電圧変換する方法がある。また、
第５図に示すように、ＣＣＤレジスタ１０１．１０２の
出力側の一端部を折り曲げ、それらの間に単一のフロー
ティング・ディフュージョン１０７を形成し、これらの
ＣＣＤレジスタ１０１．１０２によりそれぞれ転送され
る信号電荷をこのフローティング・ディフュージョン１
０７に注入して電圧変換する方法もある。
在する場合に信号電荷を電圧に変換する方法としては、
第４図に示すように、これらのＣＣＤレジスタ１０１．
１０２の出力側の一端にそれぞれフローティング・ディ
フュージョン１０５．１０６を形成し、ＣＣＤレジスタ
１０１，１０２によりそれぞれ転送される信号電荷をこ
れらのフローティング・ディフュージョン１０５．１０
６にそれぞれ注入して電圧変換する方法がある。また、
第５図に示すように、ＣＣＤレジスタ１０１．１０２の
出力側の一端部を折り曲げ、それらの間に単一のフロー
ティング・ディフュージョン１０７を形成し、これらの
ＣＣＤレジスタ１０１．１０２によりそれぞれ転送され
る信号電荷をこのフローティング・ディフュージョン１
０７に注入して電圧変換する方法もある。
なお、電荷転送装置の出力部の構成に関する先行技術文
献として特開昭６１−１８０４７５号公報が挙げられる
。
献として特開昭６１−１８０４７５号公報が挙げられる
。
上述の第４図に示す例においては、フローティング・デ
ィフュージョン１０５．１０６間でカップリング容量等
の容量が異なってしまうのを避けることが難しいため、
結果的にセンサ一部１０３の奇数ビットと偶数ビットと
で出力電圧にＤＣ段差が生じてしまう、このため、ＣＣ
Ｄレジスタ１０１．１０２からの出力後の信号処理によ
ってこのＤＣ段差分だけ電圧のオフセットをかける必要
が生じ、出力後の信号処理が複雑になってしまう。
ィフュージョン１０５．１０６間でカップリング容量等
の容量が異なってしまうのを避けることが難しいため、
結果的にセンサ一部１０３の奇数ビットと偶数ビットと
で出力電圧にＤＣ段差が生じてしまう、このため、ＣＣ
Ｄレジスタ１０１．１０２からの出力後の信号処理によ
ってこのＤＣ段差分だけ電圧のオフセットをかける必要
が生じ、出力後の信号処理が複雑になってしまう。
一方、第５図に示す例の場合には、フローティング・デ
ィフュージョン１０７の周辺の容量が増加してしまうた
め、ＣＣＤラインセンサーの感度が悪くなアてしまう。
ィフュージョン１０７の周辺の容量が増加してしまうた
め、ＣＣＤラインセンサーの感度が悪くなアてしまう。
従って本発明の目的は、出力後の信号処理が簡単な電荷
転送装置を提供することにある。
転送装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、感度の高い電荷転送装置を提供す
ることにある。
ることにある。
上記課題を解決するため、本発明の電荷転送装置は、第
１及び第２のレジスタ（Ｒｔ 、Ｒｚ ）と、フローテ
ィング・ディフュージョン型増幅器を構成する出力部と
を有し、第１及び第２のレジスタ（Ｒ１、Ｒｔ ）はそ
れらの一端で合流し、この合流部（Ｘ）に隣接して単一
のフローティング・ディフュージョン（９）が形成され
、合流部（Ｘ）における信号電荷の転送は合流前の第１
及び第２のレジスタ（Ｒｔ 、Ｒｚ ）における信号電
荷の転送用のクロックパルスの周波数よりも高い周波数
のクロックパルスにより行われ、第１及び第２のレジス
タ（Ｒｔ 、Ｒｚ ）のそれぞれにより転送される信号
電荷はフローティング・ディフュージョン（９）に交互
に注入されるように構成されている。
１及び第２のレジスタ（Ｒｔ 、Ｒｚ ）と、フローテ
ィング・ディフュージョン型増幅器を構成する出力部と
を有し、第１及び第２のレジスタ（Ｒ１、Ｒｔ ）はそ
れらの一端で合流し、この合流部（Ｘ）に隣接して単一
のフローティング・ディフュージョン（９）が形成され
、合流部（Ｘ）における信号電荷の転送は合流前の第１
及び第２のレジスタ（Ｒｔ 、Ｒｚ ）における信号電
荷の転送用のクロックパルスの周波数よりも高い周波数
のクロックパルスにより行われ、第１及び第２のレジス
タ（Ｒｔ 、Ｒｚ ）のそれぞれにより転送される信号
電荷はフローティング・ディフュージョン（９）に交互
に注入されるように構成されている。
上記した手段によれば、第１及び第２のレジスタ（Ｒ，
、Ｒｔ ）によりそれぞれ転送される信号電荷を単一の
フローティング・ディフュージョン（９）で電圧変換す
ることができるので、第４図に示した例の場合のように
出力後の信号処理によってＤＣ段差分だけ電圧のオフセ
ットをかける必要がなくなる。これによって、出力後の
信号処理を簡単にすることができる。また、このフロー
ティング・ディフュージヨン（９）は第１及び第２のレ
ジスタ（Ｒ＋ 、、Ｒ１）の合流部（Ｘ）に隣接して形
成されているので、第５図に示した例の場合のようにこ
のフローティング・ディフユージョン（９）の周辺の容
量が増加することもない、これによって、電荷転送装置
の感度を高くすることができる。
、Ｒｔ ）によりそれぞれ転送される信号電荷を単一の
フローティング・ディフュージョン（９）で電圧変換す
ることができるので、第４図に示した例の場合のように
出力後の信号処理によってＤＣ段差分だけ電圧のオフセ
ットをかける必要がなくなる。これによって、出力後の
信号処理を簡単にすることができる。また、このフロー
ティング・ディフュージヨン（９）は第１及び第２のレ
ジスタ（Ｒ＋ 、、Ｒ１）の合流部（Ｘ）に隣接して形
成されているので、第５図に示した例の場合のようにこ
のフローティング・ディフユージョン（９）の周辺の容
量が増加することもない、これによって、電荷転送装置
の感度を高くすることができる。
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。この実施例は、ＣＣＤラインセンサーに本発明
を適用した実施例である。
明する。この実施例は、ＣＣＤラインセンサーに本発明
を適用した実施例である。
第１図Ａは本発明の一実施例によるＣＣＤラインセンサ
ーの要部の平面形状を示し、第１図Ｂは第１図へのＢ−
Ｂ線に沿っての拡大断面を示す。
ーの要部の平面形状を示し、第１図Ｂは第１図へのＢ−
Ｂ線に沿っての拡大断面を示す。
第１図Ａ及び第１図Ｂに示すように、本実施例によるＣ
ＣＤラインセンサーにおいては、例えばｎ型シリコン（
Ｓｉ）基板のような半導体基板１中に形成されたｐウェ
ル２中に例えばｎ型の半導体領域３．４が互いに平行に
形成されている。これらの半導体領域３．４の上には、
例えばＳｉ０ｇ膜のようなゲート絶縁膜５を介して多数
の転送電極６が形成されている。この転送電極６には２
相のクロックパルスφ１、φ８が印加される。そして、
例えば半導体領域３と転送電極６とによって後述のセン
サ一部Ｓの奇数ビット用のＣＣＤレジスタ（水平レジス
タ）Ｒｓが構成され、例えば半導体領域４と転送電極６
とによって偶数ビット用のＣＣＤレジスタ（水平レジス
タ）Ｒ１が構成されている。
ＣＤラインセンサーにおいては、例えばｎ型シリコン（
Ｓｉ）基板のような半導体基板１中に形成されたｐウェ
ル２中に例えばｎ型の半導体領域３．４が互いに平行に
形成されている。これらの半導体領域３．４の上には、
例えばＳｉ０ｇ膜のようなゲート絶縁膜５を介して多数
の転送電極６が形成されている。この転送電極６には２
相のクロックパルスφ１、φ８が印加される。そして、
例えば半導体領域３と転送電極６とによって後述のセン
サ一部Ｓの奇数ビット用のＣＣＤレジスタ（水平レジス
タ）Ｒｓが構成され、例えば半導体領域４と転送電極６
とによって偶数ビット用のＣＣＤレジスタ（水平レジス
タ）Ｒ１が構成されている。
本実施例においては、上述の半導体領域３．４の出力側
の一端は折・り曲げられて合流している。
の一端は折・り曲げられて合流している。
この合流部Ｘの上には、ゲート絶縁膜５を介して転送電
極７が形成されている。この転送電極７には２相のクロ
ックパルスφ１、φ４が印加される。
極７が形成されている。この転送電極７には２相のクロ
ックパルスφ１、φ４が印加される。
符号８は出力ゲート電極を示し、上記合流部Ｘの先端部
の上に形成されている。この出力ゲート電極８にはＤＣ
電圧が常時印加される。また、この合流部Ｘの先端には
、この合流部Ｘの先端に接して例えばｎ０型の単一のフ
ローティング・ディフュージヨン９が形成されている。
の上に形成されている。この出力ゲート電極８にはＤＣ
電圧が常時印加される。また、この合流部Ｘの先端には
、この合流部Ｘの先端に接して例えばｎ０型の単一のフ
ローティング・ディフュージヨン９が形成されている。
このフローティング・ディフュージヨン９は、四角形の
形状を有している。また、このフローティング・ディフ
ュージヨン９は、出力増幅器を構成するＭＯＳ）ランジ
スタのゲート電極（図示せず）に接続されている。符号
１０はプリチャージゲート電極を示す。
形状を有している。また、このフローティング・ディフ
ュージヨン９は、出力増幅器を構成するＭＯＳ）ランジ
スタのゲート電極（図示せず）に接続されている。符号
１０はプリチャージゲート電極を示す。
この場合、このプリチャージゲート電極１０とフローテ
ィング・ディフュージヨン９の一辺とは例えば４５°の
角度をなしている。符号１１は例えばｎ０型のプリチャ
ージドレイン領域を示す、このプリチャージドレイン領
域１１は、フローティング・ディフェージッン９の一つ
の角部に対向して形成されている。なお、ＰＣはプリチ
ャージゲート端子、ＰＤはプリチャーシトレイン端子、
ＯＧは出力ゲート端子を示す。
ィング・ディフュージヨン９の一辺とは例えば４５°の
角度をなしている。符号１１は例えばｎ０型のプリチャ
ージドレイン領域を示す、このプリチャージドレイン領
域１１は、フローティング・ディフェージッン９の一つ
の角部に対向して形成されている。なお、ＰＣはプリチ
ャージゲート端子、ＰＤはプリチャーシトレイン端子、
ＯＧは出力ゲート端子を示す。
一方、上述の２列のＣＯＤレジスタＲ＋ 、ＲｇＯ間に
はセンサ一部Ｓが形成されている。このセンサ一部Ｓに
は、例えばフォトダイオードのようなセンサーＳ！
（ｉ禦１．２．３、−・・・・）がＣＣＤラインセンサ
ーのビット数（画素数）に応じた数だけ形成されている
。符号１２は、センサ一部Ｓへの光の入射によりこれら
のセンサーＳ！に発生した電荷をＣＣＤレジスタＲ，、
Ｒ１に転送するための転送ゲートを示す。
はセンサ一部Ｓが形成されている。このセンサ一部Ｓに
は、例えばフォトダイオードのようなセンサーＳ！
（ｉ禦１．２．３、−・・・・）がＣＣＤラインセンサ
ーのビット数（画素数）に応じた数だけ形成されている
。符号１２は、センサ一部Ｓへの光の入射によりこれら
のセンサーＳ！に発生した電荷をＣＣＤレジスタＲ，、
Ｒ１に転送するための転送ゲートを示す。
本実施例においては、合流前のＣＣＤＣＣレジスタ、Ｒ
ｇにおける信号電荷の転送用クロックパルスφ１、φ、
の周波数としてｆｃＬａ（例えば、１０ＭＨｚ）を用い
、一方、合流部Ｘにおける信号電荷の転送用クロックパ
ルスφ１、φ４の周波数としてはクロックパルスφ１、
φ２の周波数の２倍の周波数、すなわち２ｆｃＬｘ（例
えば、２０ＭＨｚ）を用いる。・これらのクロックパル
スφ１、φ寡、φ３、φ４のタイミングをプリチャージ
ゲート電極１０に印加されるパルスとともに第２図に示
す。
ｇにおける信号電荷の転送用クロックパルスφ１、φ、
の周波数としてｆｃＬａ（例えば、１０ＭＨｚ）を用い
、一方、合流部Ｘにおける信号電荷の転送用クロックパ
ルスφ１、φ４の周波数としてはクロックパルスφ１、
φ２の周波数の２倍の周波数、すなわち２ｆｃＬｘ（例
えば、２０ＭＨｚ）を用いる。・これらのクロックパル
スφ１、φ寡、φ３、φ４のタイミングをプリチャージ
ゲート電極１０に印加されるパルスとともに第２図に示
す。
次に、上述のように構成された本実施例によるＣＣＤラ
インセンサーの動作について説明する。
インセンサーの動作について説明する。
センサ一部Ｓに光が入射すると、奇数ビットのセンサー
Ｓｔ％３！ 、ｓｓ 、’−・に発生した電荷及び偶数
ビットのセンサーＳｚ 、Ｓ４．３６ 、・−・−・に
発生した電荷は、転送ゲート１２によりそれぞれＣＣＤ
レジスタＲ，、Ｒ，に矢印で示すように転送される０次
に、ＣＣＤレジスタＲ＋、、Ｒｘにそれぞれ転送された
これらの電荷は、周波数ｆ ｅＬＩＩの２相のクロック
パルスφ皿、φ冨による駆動でこれらのＣＣＤＣＣレジ
スタ、Ｒｚにより出力側に信号電荷としてそれぞれ転送
される。このようにしてＣＣＤレジスタＲ，、Ｒ，によ
りそれぞれ転送される信号電荷は、互いに半周期ずれて
合流部Ｘに到達する０次に、これらの信号電荷は、この
合流部Ｘを周波数２ｆｃＬｘの２相クロツクパルスφ３
、φ４による駆動で互いに混じり合うことなく転送され
てフローティング・ディフュージョン９に交互に注入さ
れる。そして、このフローティング・ディフュージョン
９に注入された信号電荷は、出力増幅器を構成するＭＯ
Ｓ）ランジスタのゲートで電圧変化として出力される。
Ｓｔ％３！ 、ｓｓ 、’−・に発生した電荷及び偶数
ビットのセンサーＳｚ 、Ｓ４．３６ 、・−・−・に
発生した電荷は、転送ゲート１２によりそれぞれＣＣＤ
レジスタＲ，、Ｒ，に矢印で示すように転送される０次
に、ＣＣＤレジスタＲ＋、、Ｒｘにそれぞれ転送された
これらの電荷は、周波数ｆ ｅＬＩＩの２相のクロック
パルスφ皿、φ冨による駆動でこれらのＣＣＤＣＣレジ
スタ、Ｒｚにより出力側に信号電荷としてそれぞれ転送
される。このようにしてＣＣＤレジスタＲ，、Ｒ，によ
りそれぞれ転送される信号電荷は、互いに半周期ずれて
合流部Ｘに到達する０次に、これらの信号電荷は、この
合流部Ｘを周波数２ｆｃＬｘの２相クロツクパルスφ３
、φ４による駆動で互いに混じり合うことなく転送され
てフローティング・ディフュージョン９に交互に注入さ
れる。そして、このフローティング・ディフュージョン
９に注入された信号電荷は、出力増幅器を構成するＭＯ
Ｓ）ランジスタのゲートで電圧変化として出力される。
以上のように、本実施例によれば、２列のＣＣＤレジス
タＲ，、Ｒｓの一端の合流部Ｘの先端に単一のフローテ
ィング・ディフュージョン９を形成し、ＣＯＤレジスタ
Ｒ，、Ｒｔのそれぞれにより転送される信号電荷をこの
フローティング・ディフュージョン９で電圧変換してい
るので、第４図のように２列のＣＣＤレジスタのそれぞ
れの一端にフローティング・ディフュージョンを形成す
る場合に生じるＤＣ段差の問題を解消することができる
。これによって、出力後の信号処理を簡単にすることが
できる。また、ＣＣＤレジスタＲ＋、Ｒ８のそれぞれの
一端の間ではなく、それらの合流部Ｘに隣接してフロー
ティング・ディフュージョン９を形成しているので、こ
のフローティング・ディフェージョ・ン９の周辺の容量
が増加する問題がな（、従ってＣＯＤラインセンサーの
感度を高（することができる。
タＲ，、Ｒｓの一端の合流部Ｘの先端に単一のフローテ
ィング・ディフュージョン９を形成し、ＣＯＤレジスタ
Ｒ，、Ｒｔのそれぞれにより転送される信号電荷をこの
フローティング・ディフュージョン９で電圧変換してい
るので、第４図のように２列のＣＣＤレジスタのそれぞ
れの一端にフローティング・ディフュージョンを形成す
る場合に生じるＤＣ段差の問題を解消することができる
。これによって、出力後の信号処理を簡単にすることが
できる。また、ＣＣＤレジスタＲ＋、Ｒ８のそれぞれの
一端の間ではなく、それらの合流部Ｘに隣接してフロー
ティング・ディフュージョン９を形成しているので、こ
のフローティング・ディフェージョ・ン９の周辺の容量
が増加する問題がな（、従ってＣＯＤラインセンサーの
感度を高（することができる。
さらに、フローティング・ディフュージョン９の角部と
プリチャージドレイン領域１１との間にチャネルが形成
されるようにプリチャージゲート電極１０が配置されて
いるので、フローティング・ディフュージョン９とプリ
チャージゲート電極１０との接触長を十分に小さくする
ことができるとともに、プリチャージゲート電極１０と
フローティング・ディフュージョン９に接続される出力
増幅器を構成するＭＯＳ）ランジスタのゲート配線（図
示せず）との対向間隔を大きくすることができる。この
ため、フローティング・ディフュージョン９とプリチャ
ージゲート電極１０との間の容量及びプリチャージゲー
ト電極ｌＯと出力増幅器を構成するＭＯＳ）ランジスタ
のゲート配線との間の容量をともに最小にすることがで
きる。これによって、フローティング・ディフュージョ
ン型増幅器の出力利得の向上を図ることができ、出力信
号のＳ／Ｎ比の改善を図ることができる。
プリチャージドレイン領域１１との間にチャネルが形成
されるようにプリチャージゲート電極１０が配置されて
いるので、フローティング・ディフュージョン９とプリ
チャージゲート電極１０との接触長を十分に小さくする
ことができるとともに、プリチャージゲート電極１０と
フローティング・ディフュージョン９に接続される出力
増幅器を構成するＭＯＳ）ランジスタのゲート配線（図
示せず）との対向間隔を大きくすることができる。この
ため、フローティング・ディフュージョン９とプリチャ
ージゲート電極１０との間の容量及びプリチャージゲー
ト電極ｌＯと出力増幅器を構成するＭＯＳ）ランジスタ
のゲート配線との間の容量をともに最小にすることがで
きる。これによって、フローティング・ディフュージョ
ン型増幅器の出力利得の向上を図ることができ、出力信
号のＳ／Ｎ比の改善を図ることができる。
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発
明は、上述の実施例に限定されるものではな（、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
明は、上述の実施例に限定されるものではな（、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施例においては、本発明をＣＯＤライ
ンセンサーに適用した場合について説明したが、本発明
は、例えばＣＯＤエリアセンサーに適用することも可能
である。
ンセンサーに適用した場合について説明したが、本発明
は、例えばＣＯＤエリアセンサーに適用することも可能
である。
なお、例えば３列のＣＣＤレジスタの出力側の一端を合
流させ、この合流部に隣接してフローティング・ディフ
ュージョンを形成し、これらの３列のＣＣＤレジスタに
よりそれぞれ転送される信号電荷をこのフローティング
・ディフュージョンで電圧変換することも可能である。
流させ、この合流部に隣接してフローティング・ディフ
ュージョンを形成し、これらの３列のＣＣＤレジスタに
よりそれぞれ転送される信号電荷をこのフローティング
・ディフュージョンで電圧変換することも可能である。
この場合には、合流部における信号電荷の転送用クロッ
クパルスの周波数は、合流前の各ＣＣＤレジスタにおけ
る信号電荷の転送用クロックパルスの周波数の３倍にす
ればよい。
クパルスの周波数は、合流前の各ＣＣＤレジスタにおけ
る信号電荷の転送用クロックパルスの周波数の３倍にす
ればよい。
以上述べたように、本発明によれば、出力信号の信号処
理を簡単にすることができるとともに、感度を高くする
ことができる。
理を簡単にすることができるとともに、感度を高くする
ことができる。
第１図Ａは本発明の一実施例によるＣＯＤラインセンサ
ーの要部を示す平面図、第１図Ｂは第１図ＡのＢ−Ｂ線
に沿っての拡大断面図、第２図は第１図Ａ及び第１図已
に示すＣＣＤラインセンサーの電荷転送用のクロックパ
ルスのタイミングを示すタイミングチャート、第３図は
従来のＣＣＤラインセンサーを説明するための概略構成
図、第４図及び第５図は従来のＣＣＤラインセンサーに
おける出力部の構成を説明するための概略構成図である
。 図面における主要な符号の説明 １：半導体基板、 ３．４：半導体領域、 Ｒ４、Ｒ，
：ＣＣＤｔ、ジスタ、 Ｘ ： ＣＣＤ１ｚジスタノ合
流部、 ６．７：転送電極、 ８：出力ゲート電極、
９：フローティング・ディフユージョン、１０ニブリチ
ヤージゲート電極、 １１ニブリチヤージドレイン領
域、 Ｓ：センサ一部。 代理人 弁理士 杉 浦 正 知 タイミング￥ヤード 第２図 第３図 第４図 第５図
ーの要部を示す平面図、第１図Ｂは第１図ＡのＢ−Ｂ線
に沿っての拡大断面図、第２図は第１図Ａ及び第１図已
に示すＣＣＤラインセンサーの電荷転送用のクロックパ
ルスのタイミングを示すタイミングチャート、第３図は
従来のＣＣＤラインセンサーを説明するための概略構成
図、第４図及び第５図は従来のＣＣＤラインセンサーに
おける出力部の構成を説明するための概略構成図である
。 図面における主要な符号の説明 １：半導体基板、 ３．４：半導体領域、 Ｒ４、Ｒ，
：ＣＣＤｔ、ジスタ、 Ｘ ： ＣＣＤ１ｚジスタノ合
流部、 ６．７：転送電極、 ８：出力ゲート電極、
９：フローティング・ディフユージョン、１０ニブリチ
ヤージゲート電極、 １１ニブリチヤージドレイン領
域、 Ｓ：センサ一部。 代理人 弁理士 杉 浦 正 知 タイミング￥ヤード 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１及び第２のレジスタと、フローティング・ディフュ
ージョン型増幅器を構成する出力部とを有し、 上記第１及び第２のレジスタはそれらの一端で合流し、
この合流部に隣接して単一のフローティング・ディフュ
ージョンが形成され、 上記合流部における信号電荷の転送は合流前の上記第１
及び第２のレジスタにおける信号電荷の転送用のクロッ
クパルスの周波数よりも高い周波数のクロックパルスに
より行われ、 上記第１及び第２のレジスタのそれぞれにより転送され
る信号電荷は上記フローティング・ディフュージョンに
交互に注入されるように構成されていることを特徴とす
る電荷転送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24522588A JPH0291954A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 電荷転送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24522588A JPH0291954A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 電荷転送装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0291954A true JPH0291954A (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=17130509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24522588A Pending JPH0291954A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 電荷転送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0291954A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08107201A (ja) * | 1994-10-04 | 1996-04-23 | Nec Corp | 電荷転送素子 |
| US7808018B2 (en) | 2006-12-12 | 2010-10-05 | Nec Electronics Corporation | Solid-state imaging apparatus |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5384486A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electric charge coupled element |
| JPS6098673A (ja) * | 1983-11-02 | 1985-06-01 | Nec Corp | 電荷結合素子 |
| JPS60187054A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-24 | Matsushita Electronics Corp | 電荷転送装置およびその駆動方法 |
| JPS61289665A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| JPS63204765A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Nec Corp | 電荷結合装置 |
| JPH01248665A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Toshiba Corp | 電荷転送装置 |
-
1988
- 1988-09-29 JP JP24522588A patent/JPH0291954A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5384486A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electric charge coupled element |
| JPS6098673A (ja) * | 1983-11-02 | 1985-06-01 | Nec Corp | 電荷結合素子 |
| JPS60187054A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-24 | Matsushita Electronics Corp | 電荷転送装置およびその駆動方法 |
| JPS61289665A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| JPS63204765A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Nec Corp | 電荷結合装置 |
| JPH01248665A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Toshiba Corp | 電荷転送装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08107201A (ja) * | 1994-10-04 | 1996-04-23 | Nec Corp | 電荷転送素子 |
| US7808018B2 (en) | 2006-12-12 | 2010-10-05 | Nec Electronics Corporation | Solid-state imaging apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4805026A (en) | Method for driving a CCD area image sensor in a non-interlace scanning and a structure of the CCD area image sensor for driving in the same method | |
| JPH01106676A (ja) | 固体イメージセンサ | |
| JPH05283670A (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の電荷読出し方法 | |
| US4777519A (en) | Charge transfer device | |
| JPH0291954A (ja) | 電荷転送装置 | |
| JP2871185B2 (ja) | 電荷結合装置 | |
| US20080135885A1 (en) | Solid-state imaging apparatus | |
| KR100196817B1 (ko) | 고체촬상장치 및 그 전하전송방법 | |
| JPH03123278A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS5897971A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH06105719B2 (ja) | 電荷転送装置およびその駆動方法 | |
| JP3122562B2 (ja) | 電荷転送素子の駆動用回路 | |
| JPS6316670A (ja) | 電荷結合素子を用いた遅延素子 | |
| JPH03171771A (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法 | |
| JPS63184363A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2000152091A (ja) | 固体撮像素子およびその駆動方法 | |
| JP2951672B2 (ja) | インターライン型固体撮像装置 | |
| JPS63234677A (ja) | 電荷結合素子の駆動方法 | |
| JPS62245872A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6135750B2 (ja) | ||
| JPH01196175A (ja) | 電荷結合素子 | |
| JPH02192371A (ja) | 電荷結合型固体撮像装置 | |
| JPS61127163A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS636960A (ja) | 密着型イメ−ジセンサの信号読出し装置 | |
| JPH04343587A (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 |