JPH01106676A - 固体イメージセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は固体イメージセンサに関し、特に垂直および
水平転送部を有するインターライン転送方式よりなる固
体イメージセンサに関するものである。

［従来の技術］ 一般に固体撮像素子はシリコンのような半導体材料上に
光検出器と走査機構を設けたものであり、光検出器に適
当なものを選べば可視から赤外領域までの撮像が可能と
なる。そして固体撮像索子は従来の撮像管に比べて小型
・軽量・高信頼性である上、撮像装置を製作する上で調
整箇所が非常に少なくなるという利点を持っており、広
い分野から注目を集めている。

さて、倣体撮像素子の走査機構としては従来ＭＯＳスイ
ッチを用いたものやＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ　　Ｃｏｕｐ
ｌｅｄ　　Ｄｅｖｉｃｅ）を用いたものが主であったが
、前者のＭＯＳスイッチを用いたものの場合、信号を読
出すときに用いるＭＯＳスイッチに起因したスパイク雑
音が信号に混入し、Ｓ／Ｎ比を低下させるとともに、こ
のスパイク雑音は読出す列間で異なっており、これが固
定パターン雑音と呼ばれる雑音となって、Ｓ／Ｎ比をさ
らに低下させるという欠点を有し、高いＳ／Ｎ比が要求
される微弱な信号検出には用いることができないという
問題を有していた。また、後者のＣＣＤを用いたもの、
特に前者のＭＯＳ方式と同様に光検出器を自由に選択で
きるため最近広く用いられているインターライン方式の
ＣＣＤ方式では、検出器列と検出器列との間にＣＯＤが
配列されるため、検出器の有効面積を大きくするために
ＣＣＤの面積はできるだけ小さく設計することが望まし
い。一方ＣＣＤの電荷転送能力は構造を同一とすれば、
ＣＣＤ１段あたりの蓄積ゲート面積に比例する。したが
ってＣＣＤ部の面積を小さくすることは取扱える電６Ｉ
の最大値が制限されることになる。こうした問題は、特
に赤外線固体撮像素子のように大きな背景中の小さな信
号を検出する際には大きな問題となる。

これに対して垂直電荷転送素子の１垂直分を１つの電位
井戸として駆動し、低雑音化、高ダイナミツクレンジ化
を図った固体撮像素子が考案された。第５図ないし第７
図はこの種の固体撮像索子の一例の動作を説明する図で
ある。以下図に従って説明する。

第５図は上記固体撮像素子のブロック図である。

図において、３列×４行に配列された光検出部１ａ〜Ｉ
Ｃにそれぞれ転送ゲート２ａ〜２Ｃが接続され、光検出
器１ａ〜ＩＣにて光信号が変換された電気信号を垂直転
送部３ａ〜３Ｃに転送する。

垂直転送部３ａ〜３Ｃにはインターフェイス部４ａ〜４
Ｃが接続され、その転送電荷を水平転送部５に転送する
。水平転送部５の端部にはプリアンプ６を介して出力端
子７が接続される。

このように構成された固体撮像素子において、垂直方向
の電荷転送に関する部分、つまり垂直電荷転送素子３ａ
およびインターフェイス部４ａの構造および動作を第６
図（ａ）ないしくｊ）を用いて説明する。

まず、電荷転送素子よりなる垂直転送部３ａおよびイン
ターフェイス部４ａの部分の構造について第６図（ａ）
を用いて説明する。他の垂直転送部３ｂ、３ｃ、インタ
ーフェイス部４　ｂ　ｓ　４　ｃも同様である。第６図
（ａ）は第５図の■−■線断面を示したものであり、垂
直転送部３ａは４つのゲート電極３−１ないし３−４で
構成され、インターフェイス部４ａは２つのゲート電極
４−１゜４−２から構成されており、インターフェイス
部４ａの端は水平転送部５の１つのゲート電極５−１に
接している。また各々のゲート電極下のシリコン基板８
にはチャンネルが形成されるものである。このチャンネ
ルは表面チャンネルであっても、埋込チャンネルであっ
ても差し支えない。なお、第６図（ａ）においては各々
のゲート電極がギャップを持った構造となっているが、
多層のゲート電極構造を用いてゲート電極間にオーバラ
ップ部を設けたものであってもよい。一方、各ゲート電
極３−１ないし３−４．４−１．４−２には第７図に示
したようなりロック信号φＶ、ないしφ■６．φＳ、φ
Ｔが印加される。但しこの例においてはＮチャンネルの
場合であり、Ｐチャンネルの場合にはクロック信号の極
性を反転したものとすればよい。

次に第６図（ａ）に示したものの垂直方向の電荷転送に
ついて第６図（ｂ）ないしくｊ）に基づいて説明すると
、第６図（ｂ）ないしくｊ）はそれぞれのタイミングに
おける第６図（ａ）の位置に対応したチャンネルのポテ
ンシャルの状態を示し、第６図（ｂ）は第７図において
Ｔ、のタイミングに相当するときのポテンシャルの状態
である。

このときクロック信号φＶ、ないしφｖ４はすべて“Ｈ
２レベルになっているので、ゲート電極３−１ないし３
−４下には大きな電位井戸（以下ポテンシャルウェルと
称す）が形成されており、またクロック信号φＳはクロ
ック信号φＶ、ないしφｖ４より高い“Ｈ°レベルにな
っているので、ゲート電極４−１下にはより深いポテン
シャル、ウェルが形成されている。また、クロック信号
φＴは”Ｌ”レベルとなっているのでゲート電極４−２
の下には浅いポテンシャルウェルが形成されている。一
方水平転送部５はこの状態のときに電荷転送を行なって
おり、図中点線で示したようなポテンシャル状態の間を
往復している。

そしてこの状態において垂直方向に任意の１つのトラン
スファゲート２ａのいずれかをＯＮして垂直転送部３ａ
中に検出器１の内容を読出すと、ゲー［極３−１〜３−
４下の所定位置に信号電荷Ｑｓｉｇが存在することにな
る。

次に第７図に示すＴ２のタイミング、つまりクロック信
号φ■、が“Ｌ”レベルにされると、第６図（Ｃ）に示
すごとくゲート電極３−１下のポテンシャルウェルか浅
くなるため信号電荷Ｑｓｉｇは空間的に拡がりながら第
６図中の矢印Ａ方向へ押されることになる。さらに第７
図に示すようにＴ３．Ｔ４．Ｔ、のタイミングにクロッ
ク信号φｖ２〜φｖ４が順次“Ｌ”レベルにされ、第６
図（−ｄ）〜（ｆ）に示すごとくゲート電極３−２〜３
−４下のポテンシャルが順次浅くなり信号電荷Ｑｓｉｇ
が図中矢印Ａ方向へ押出されてゆき、クロック信号φｖ
４が“Ｌ”となった時点では信号電荷Ｑｓｉｇはゲート
電極４−１の下のポテンシャルウェルに蓄えられること
になる。なお、ゲート電極４−１は信号電荷Ｑｓｉｇを
充分蓄えるだけの大きさが必要であるが、上記実施例に
示すごとくクロック信号φＳが“Ｈ＃時のポテンシャル
がゲート電極３−１〜３−４の下のポテンシャルより深
くする必要は必ずしもない。

このようにして信号電荷Ｑｓｉｇがゲート電極４−１下
に集められ、水平転送部５の１水平線分の走査が終わっ
た後、第７図に示すＴ、のタイミングにゲート電極４−
２に接する水平転送部５のゲート電極５−１のクロック
信号φＨを、“Ｈ。

レベルとするとともにゲート電極４−２のクロック信号
φＴを“Ｈ“レベルにするとそれぞれのゲート下のポテ
ンシャルは第６図（ｇ）に示すごとくなる。なお、この
ときゲート電極４−２下のポテンシャルがゲート電極４
−１およびゲート電極５−１下のポテンシャルより高く
なるようにしているが、必ずしも高くする必要はない。

次に第７図に示すＴ７のタイミングにクロック信号φＳ
か“Ｌ”レベルとされると第６図（ｈ）に示すごとく、
ゲート電極４−１下のポテンシャルが浅くなるために信
号電荷Ｑｓｉｇは、ゲート電極５−１下のポテンシャル
ウェル内に移動させられることになる。その後第７図に
示すＴ８のタイミングにてクロック信号φＴが“Ｌ°レ
ベルとなり第６図（ｊ）に示すごとくゲート電極４−２
下のポテンシャルは浅くなり、信号電荷Ｑｓｉｇは水平
転送部５により転送されることになる。信号（信号電荷
Ｑｓｉｇ）を受取った水平転送部５は順次出力用のプリ
アンプ６に信号転送する。このようにこの信号が水平転
送部５に転送されると第７図に示すＴ９のタイミングで
クロック信号φＶ、〜φＶ４、φＳは再び“Ｈルベルと
なり、Ｔ、のタイミングのときと同じ条件になり上記で
述べたサイクルを繰返すことになる。

なお、上記動作説明では、１つの垂直転送部３ａにある
検出器１ａのいずれかの内容を読出した場合について説
明したが、それぞれの垂直転送部３ｂ、３ｃも同時に上
記で述べたと同様の動作を行なっているものである。

このようにしたことにより、電荷の転送は従来のＣＣＤ
方式と同様にポテンシャルウニル内を通して行なわれる
のでＭＯＳ方式のようなスパイク雑音は全くない。また
取扱える信号電荷量は垂直転送部３ａ〜３ｃの１垂直面
積全体のポテンシャルウェルで決まるため非常に大きく
することができ、しかも垂直信号線を形成するチャンネ
ルの幅を小さくしても充分大きくとることができる。ま
た、インターフェイス部４ａと水平転送部５は光検出部
１ａ〜ＩＣアレイの外側に形成できるので、大きさの制
約が少なくなるため必要な電荷量に従ってインターフェ
イス部４ａ〜４ｃあるいは水平転送部５を大きくするこ
とが容易となる。一方、上記の例においては垂直転送部
３ａが１水平期間中に走査され（通常最も長いものは１
フレーム時間近くの期間をかけて垂直転送部を転送され
る。）、信号電荷Ｑｓｉｇがチャンネル内に存在する時
間が短くなるため、チャンネルリーク電流を低減でき、
さらには光検出部１ａ〜ＩＣを通らずに直接ＣＣＤに混
入した信号電荷の蓄積によって生じる正常な画像のしみ
出し部分（スミャ）をも低減できる効果を有する。

第８図（ａ）は第６図（ａ）に対応する断面図で、第８
図（ｂ）〜（ｊ）はこの構造の素子のチャンネルのポテ
ンシャルを各タイミングについて示してたものである。

駆動のクロックのタイミング関係は前述の第７図と全く
同様である。

第８図（ａ）で第６図（ａ）と異なる点は各ゲート［極
下に９−１〜９−４で示した小さなポテンシャルバリア
領域を形成したことで、これは通常の２相駆動ＣＣＤと
同じ構造であり、全く同一の方法で形成することができ
る。すなわち埋込チャンネルであれば各ポテンシャルバ
リア領域９−１〜９−４を形成すべき部分の不純物濃度
を他の部分より薄くすることによって作ることができる
。

駆動方法は従来の場合と同じであるが第８図（ｂ）〜（
ｊ）に示したように、チャンネル内に小さなポテンシャ
ルバリアが形成されるため、電荷Ｑｓｉｇはチャンネル
内に広く分布せず、ポテンシャルバリアによって分けら
れたそれぞれのウェルの容はに従って、信号の注入され
た領域近くに分割されて収納される。このため、信号の
転送は電荷の固まりとして行なわれ、自己誘導ドリフト
の効果が多くなり転送効率が向上する。

第９図は第５図の水平転送部を構成する４相駆動方式よ
りなるＣＣＤの転送方向に沿った断面とポテンシャルと
の関係を示した図であり、第１０図はその転送電極に印
加されるクロックパルスを示したタイミングチャート図
である。

以下、両図を参照して水平転送部におけるＣＯＤの転送
動作について簡単に説明する。

まず、第１０図に示されるクロックパルスに従って水・
１乞転送部５のゲート電極１１に接続される端子のうち
φＡ、に“ＨＨ“レベルの電圧が印加され、φＡ２〜φ
Ａ４に“Ｈ”レベルの電圧が印加されると、シリコン基
板１０のゲート電極下のポテンシャル井戸は時刻ｔＱに
示す状態に３段（５−１，５−２，５−３）に分割され
て形成される。このとき垂直転送部３８〜３Ｃによって
転送されてきた電荷ＱＡ、Ｑａ、Ｑｃがインターフェイ
ス部４ａ〜４Ｃを介してこのポテンシャル井戸内にそれ
ぞれ転送されて一旦蓄えられる。蓄えられた電６ｆは時
刻ｔ、〜ｔ３にて示されるようにそのポテンシャル井戸
をクロックパルスに基づいて移動させることによって、
順次プリアンプ６の方向に転送される。以ド同様のクロ
ックパルスの繰返しによって垂直転送部３ａ〜３Ｃから
転送されてきた電荷を次々と出力側へ転送するものであ
る。

［発明が解決しようとする問題点］ 」−記のような従来の固体イメージセンサでは、画素サ
イズの微細化が進むにつれて、垂直転送部については上
記転送方法によって対処できるが、水平転送部に問題が
生じるのである。画素の微細化によって水平転送部の転
送方向長さに対して受入れる垂直転送部の数がさらに増
大することから、水平転送部の転送ゲート１段のゲート
長さがさらに短くなるのである。たとえば第９図におい
ては受入れる垂直転送部の数が３であるからポテンシャ
ル井がとして５−１．５−２．５−３の３段の分割が必
要となり、ＣＣＤは４相駆動であるから転送ゲートの数
としては３Ｘ４−１２必要となる。

この数は画素の微細化が進むにつれて同じ長さの水平転
送部に接続する垂直転送部の数が増加するので比例的に
増加することになる。このため、ゲート長の短縮化から
生じる短チャンネル効果や微細加工技術の限界から画素
の微細化の制限を余儀なくされるという問題点があった
。さらに、水平転送部の転送ゲートの数が増加するので
水平転送部の電荷転送素子としての動作周波数が高くな
るという問題点もあった。

この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、画素サイズの微細化に対して水平転送部の転送ゲー
トのゲート長の長さを短くすることなく、また動作周波
数の増大を抑制する固体イメージセンサを提供すること
を目的とする。

［問題点を解決するための手段］ この発明に係る固体イメージセンサは、少なくとも２以
］二の電荷転送素子よりなる水平転送手段を倚し、各列
ごとに配列された光電変換手段によって変換された電気
信号を列ごとにいずれかの水平転送手段に転送するもで
ある。

［作用］ この発明においては、少なくとも２つの水平転送手段を
設けたので、その転送方向長さに対して受入れる水平転
送手段としてのＣＣＤを構成するゲート電極の数が画素
の微細化にかかわらず増加しない。

［実施例］ 第１図はこの発明の一実施例を示すブロック図である。

図を参照して以下構成について説明する。

４列×３行に配列されたフォトダイオード等よりなる光
検出器１ａ〜１ｄに、それぞれ転送ゲート２ａ〜２ｄを
介して電荷転送素子よりなる垂直転送部３ａ〜３ｄが接
続する。垂直転送部３ａ。

３Ｃの転送方向端部はインターフェイス部４ａ。

４ｃを介して電荷転送素子よりなる水平転送部５ａに接
続し、一方垂直転送部３ｂ、３ｄの転送方向端部はイン
ターフェイス部４ｂ、４ｄを介して電荷転送素子よりな
る水平転送部５ｂに接続する。

水平転送部５ａ、５ｂの転送方向端部にはそれぞれプリ
アンプ６ａ、ｂｂを介して接続端子７ａ。

７ｂが接続される。

以」二のように構成された固体イメージセンサの動作に
ついて以下説明する。

光検出部１８〜１ｄに入力された光信号は、そこで電気
信号に変換され転送ゲート２８〜２ｄのオンによって次
々と垂直転送部３ａ〜３ｄに読出される。垂直転送部３
ａ、３ｃに読出された信号はその電荷結合素子によって
本図においては下側に転送され、インターフェイス部１
ａ、４ｃを介して水平転送部５ａの５ａ−１，５ａ−２
の２段に分割されたポテンシャル井戸に転送される。−
方垂直転送部３ｂ、３ｄに読出された信号はその電荷結
合索子ｉこよって本図においては上側に転送され、イン
ターフェイス部４ｃ、４ｄを介して水手軽送部５ｂの５
ｂ−１，５ｂ−２の２段に分割されたポテンシャル井戸
に転送される。水平転送部５ａ、５ｂにそれぞれ読出さ
れた信号電荷はさらにその電荷結合素子によって伝送さ
れ、プリアンプ６、ａ、６ｂによって転送電荷を電気信
号に増幅して出力端子７ａ、７ｂから次々と光検出部１
ａ〜１ｄの光入力情報として取出される。この−連の変
換、転送および出力動作からなるサイクルを連続的に繰
返すことによって画像処理を行なうのである。

本実施例において水・１疋転送部５ａ、５ｂに使用され
るＣＣＤを従来例のごとく４相駆動のものとすると各Ｃ
ＯＤとして必要なゲート電極数はポテンシャル井戸が２
段であることから２Ｘ４−８となる。従来の方式であれ
ばポテンシャル井戸は４段必要であるので、必要なゲー
ト電極数は４×４−１６となる。すなわち本実施例によ
れば同一長さの水平転送部のＣＣＤとしてゲート電極数
は２分の１でよく、これは画素の微細化が進み長さ方向
で画素が２倍の密度になっても、ゲート電極１枚あたり
のゲート長は従来と変わらないことを意味する。またゲ
ート電極数が従来の２分の１となればそのＣＣＤの動作
周波数も従来の２分の１ということなる。

第２図はこの発明の一実施例における出力信号の取扱い
を示すブロック図であり、第３図は第２図における転送
電極のクロックパルスを示すタイミングチャート図であ
る。

この発明の一実施例においては、従来装置と異なり水平
転送部が２個あるのでこれらの水平転送部から出力され
る出力信号の２Ｊ整が必要となる。

本図はその調整を水平転送部内で行なう例としたもので
、説明の便宜上ＣＯＤを２相駆動力式として以下簡単に
説明する−０ 図において、水平転送部５ａ、５ｂに２を目のクロック
パルスφＨ４，φＨ２が印加されるが、これらのクロッ
クパルスφＨ７，φＨ２は相補パルスであり、また水平
転送部５ａの転送方向末端のゲートに印加されるクロッ
クパルスはφＨ７に対して水平転送部５ｂの末端のゲー
トに印加されるクロックパルスはφＨ２とされている。

出力端子７ａ、７ｂの出力は一体となりサンプル／ホー
ルド回路１２に接続される。２相駆動のＣＯＤであるの
で水平転送部５ａ、５ｂからの出力はクロックパルスφ
Ｈ７，φＨ２の１周期ごとに行なわれるが、前述の構成
によって水平転送部５ａ、５ｂの出力端部からのデータ
出力期間１３は半周期ずれて交互に発生する。すなわち
、第１図に示すように水平転送部５ａ、５ｂはそれぞれ
交互の画素列群からの１８号電荷を受は持つので、サン
プル／ホールド回路１２から最終的に出力される信号は
、従来装置の出力信号と何ら変わらずに処理できるもの
となる。

第４図はこの発明の他の実施例における出力信号の取扱
いを示すブロック図であって、出力信号の調整を水平転
送部外で行なう例を示すものである。

本図において水平転送部５ａ、５ｂの出力端子７ａ、７
ｂにそれぞれ第１ゲート１４ａおよび第２ゲート１４ｂ
が接続され、それ゛らの出力は一体となってサンプル／
ホールド回路１２に接続される。この場合、第１ゲート
１４ａと第２ゲート１４ｂの開閉タイミングを水平転送
部５ａ、５ｂを構成するＣＯＤの駆動周期の半周切分だ
けずらすことによって、水平転送部５ａから出力される
データの間を補間するように水平転送部５ｂから出力さ
れたデータが出力される。したがって、サンプル／ホー
ルド回路１２から最終的に出力される信号は、従来装置
の出力信号と変わらず処理できるものである。

なお、上記実施例では、垂直転送部の転送方式を特定し
ていないが、従来例で示した第６図や第８図の方式であ
ってもよいし、また他のＣＯＤの転送方式を用いてもよ
い。第８図の方式によって転送する場合は各ゲート電極
下方のシリコン基板の一部にポテンシャルバリアとなる
不純物領域が形成されるが、このバリアは転送方向の」
−流側に設けられることから第１図において隣接した垂
直転送部のＣＣＤにおけるバリアの位置は横一線になら
ず干、Ｑ状となる。

また、上記実施例では、水平転送部を上下に各々１つず
つ設けたが、上下台々２つずつ設けそれぞれに垂直転送
部の転送を行なえば水平転送部のゲート電極数はさらに
２分の１に減少することから、さらにより多くの水平転
送部を設けることも宵月である。

さらに、−に記実施例では、垂直転送部は１列ごとに転
送方向が異なっているが、１列ごとでなくても列群を別
けてそれぞれ転送方向を異ならせたりしても良いことは
言うまでもない。

［発明の効果］ この発明は以上説明したとおり、少なくとも２つの水平
転送手段を設けたのでそのＣＣＤを構成するゲート電極
の画素密度に対する必要数を減少することができて画素
の微細化に貢献し、またＣＣＤの動作周波数の増加を抑
えるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示すブロック図、第２図
はこの発明の一実施例における出力信号の取扱いを示す
ブロック図、第３図は第２図における転送電極のクロッ
クパルスを示すタイミングチャート図、第４図はこの発
明の他の実施例における出力信号の取扱いを示すブロッ
ク図、第５図は従来の固体撮像索子のブロック図、第６
図は第５図の水平転送部の断面とそのポテンシャル井戸
の状態とを示す図、第７図は第６図における転送電極の
クロックパルスを示すタイミングチャート図、第８図は
第５図の垂直転送部の他の例による断面とそのポテンシ
ャル井戸の状態とを示す図、第９図は第５図の水・ト転
送部の断面とポテンシャル井戸の状態とを示す図、第１
０図は第９図における転送電極のクロックパルスを示す
タイミングチャート図である。 図において、１ａ〜１ｄは光検出部、２ａ〜２ｄは転送
ゲート、３ａ〜３ｄは垂直転送部、４ａ〜４ｄはインタ
ーフェイス部、５　ａ　、５　ｂは水平転送部、６ａ、
６ｂはプリアンプ、７ａ、７ｂは出力端子である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも第１の列群と第２の列群とからなる列
   群に配列され、受光した光信号を電気信号に変換する複
   数の光電変換手段と、前記第１の列群に配列された光電
   変換手段によって変換された第１の電気信号を読出し、
   転送する第１の垂直転送手段と、前記第１の垂直転送手
   段によって転送された前記第１の電気信号を読出し、転
   送する第１の電荷転送素子よりなる第１の水平転送手段
   と、前記第１の水平転送手段よって転送された前記第１
   の電気信号を外部へ出力する第１の出力手段と、前記第
   ２の列群に配列された光電変換手段によって変換された
   第２の電気信号を読出し、転送する第２の垂直転送手段
   と、前記第２の垂直転送手段によって転送された前記第
   ２の電気信号を読出し、転送する第２の電荷転送素子よ
   りなる第２の水平転送手段と、前記第２の水平転送手段
   によって転送された前記第２の電気信号を外部へ出力す
   る第２の出力手段とを備えた、固体イメージセンサ。
2. （２）前記第１の列群に属する列と前記第２の列群に属
   する列とは交互に配列される、特許請求の範囲第１項記
   載の固体イメージセンサ。
3. （３）前記第１の垂直転送手段の前記第１の信号の転送
   方向と前記第２の垂直転送手段の前記第２の信号の転送
   方向とは逆方向である、特許請求の範第１項または第２
   項記載の固体イメージセンサ。
4. （４）前記第１および第２の垂直転送手段は、第３およ
   び第４の電荷転送素子を含む、特許請求の範囲第１項、
   第２項または第３項記載の固体イメージセンサ。
5. （５）前記列群は、さらに第３の列群を有し、前記第３
   の列群に配列された光電変換手段によって変換された第
   ３の電気信号を読出し、転送する第３の垂直転送手段と
   、 前記第３の垂直転送手段によって転送された前記第３の
   電気信号を読出し、転送する第５の電荷転送素子よりな
   る第３の水平転送手段と、 前記第３の水平転送手段によって転送された前記第３の
   電気信号を外部へ出力する第３の出力手段とを備える、
   特許請求の範囲第１項記載の固体イメージセンサ。
6. （６）前記第３および第４の電荷転送素子はそれぞれ、
   前記第１または第２の電気信号を転送する転送領域を有
   する半導体基板と、前記半導体基板の前記転送領域上方
   であって、前記第１または第２の電気信号を転送する方
   向に配列された複数のゲート電極とを含み、前記ゲート
   電極下方の前記転送領域であって、前記転送方向の上流
   側にポテンシャルバリアが形成される、特許請求の範囲
   第４項記載の固体イメージセンサ。
7. （７）前記ポテンシャルバリアは、前記半導体基板の前
   記転送領域の不純物濃度より低い濃度の不純物領域であ
   る、特許請求の範囲第６項記載の固体イメージセンサ。