JPH06505596A

JPH06505596A - 電荷結合素子（ｃｃｄ）イメージセンサ

Info

Publication number: JPH06505596A
Application number: JP4507021A
Authority: JP
Inventors: エリックゴードンスティーブンス
Original assignee: イーストマンコダックカンパニー
Priority date: 1991-02-08
Filing date: 1992-02-03
Publication date: 1994-06-23
Also published as: US5111263A; WO1992014265A2; WO1992014265A3; EP0573555A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】電荷結合素子（ＣＣＤ）イメージセンサ産業上の利用分野この発明は、電荷結合素子（ＣＣＤ）イメージセンサに関連し、より詳細には、インターレースモード又は非インターレースモードで作動可能なＣＣＤイメージセンサに関連する。

発明の詳細な説明ＣＣＤイメージセンサは、一般的に、フォトダイオードのような複数の光検出器を持つ半導体材料の基板を含む。当該光検出器は、行列に配列されて、個々の垂直ＣＣＤシフトレジスタが光検出器の各列に沿って延びている。水平ＣＣＤシフトレジスタが（これらの垂直ＣＣＤシフトレジスタを）横切るように延びて、垂直ＣＣＤシフトレジスタの各端に電気的に接続している。各垂直ＣＣＤシフトレジスタは、基板内で光検出器の列の間を光検出器の列に平行に延びているチャネル地域と、光検出器の行にほぼ平行でチャネル領域を横切って延びる導電ゲートを含む。各光検出器は、イメージセンサのビクセルを形成する。

イメージセンサを作動させると、光検出器は、シーン取り込みの間に感知した画像から光を受け取り、光を電荷キャリヤに変換する。電荷キャリヤは一時的に光検出器に保管される。垂直ＣＣＤシフトレジスタのゲートに正しくパルスを印加すると、電荷キャリヤは、光検出器から垂直ＣＣＤシフトレジスタのチャネル領域に移動する。次に、ゲートに正しくパルスを印加すると、電荷キャリヤは、垂直ＣＣＤシフトレジスタのチャネル領域に沿って、水平ＣＣＤシフトレジスタに移動する。水平ＣＣＤシフトレジスタは、電荷キャリヤを出力回路に運ぶ。

イメージセンサの様々な使用に対して、垂直ＣＣＤシフトレジスタは、インターレースモードか非インターレースモードで作動可能である。インターレースモードでは、移動の間、各列で１つおきの光検出器のゲート、つまり例えば奇数番号の光検出器のゲートのような第１集合のゲートに一回パルスが発生させられて、電荷キャリヤが奇数番号の光検出器から垂直ＣＣＤシフトレジスタのチャネル領域に移動する。次にこれらの電荷キャリヤは垂直ＣＣＤシフトレジスタに沿って、平行ＣＣＤシフトレジスタに移動する。次に、各列で１つおきの残りの光検出器のゲート、つまり例えば偶数番号の光検出器のゲートのような残りの１集合のゲートにパルスを印加する。すると、電荷キャリヤが偶数番号の光検出器から垂直ＣＣＤシフトレジスタのチャネル領域に移動する。次にこれらの電荷キャリヤは垂直ＣＣＤシフトレジスタに沿って、平行ＣＣＤシフトレジスタに移動する。

インターレースモードはテレビの動作と互換性があるため、テレビカメラにおいて、主に用いられている。

非インターレースモードでは、各列の全部の光検出器のゲートに同時にパルスが印加される。これによって、各列の全部の光検出器に対する電荷キャリヤが同時に垂直ＣＣＤシフトレジスタのチャネル領域に移動して、次に全ての電荷キャリヤか水平ＣＣＤシフトレジスタに移動する。このモードでは、感知された画像の解像度が高く、スチールカメラ等にも使用される。

柔軟性が高く、様々な目的に使用されるＣＣＤイメージセンサのためには、インターレースモードと、非インターレースモードとの両方のモードで作動するイメージセンサが必要である。現在まで、そのようなイメージセンサを製造する試みで完全に満足出来るものはない。例えば、合衆国特許第４，８１６，９１６号（１，ＡｋＬｙａＩｌａ　１９８９年３月２８日発行）　−ＣＣＤ　Ａｒｅａ　Ｉｍａｇｅ　５ｅｎｓｏｒ　０ｐｅｒａｂｌｅＩｎ　Ｂｏｔｈ　ｏ「Ｌｉｎｅ−８ｅｑｕｅｎｔｉａｌ　ａｎｄ　Ｉｎｔｅｒｌａｃｅ　Ｓｃａｎｎｊｎｇｓ　ａｎｄ　ａ　Ｍｅｔｈｏｄ　■盾秩@Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ　ｔｈｅ　Ｓａｍｅ−は、両方のモードでの作動が可能なように、追加の記憶領域び電極を持ったイメージセンサについて説明している。これによりイメージセンサがより複雑になり、そのために製造コストが高くなる。合衆国特許第４，８０５．０２６号（Ｅ、　Ｏｄａ　１９　ｇ　９年２月１４日発行）　Ｍｅｔｈｏｄ　ｆｏｒ　Ｄｒｉｖｉｎｇ　ａ　ＣＣＤ　Ａｒｅａ　Ｉｍａｇｅ　５ｅｎｓｏｒ　ｉｎ　ａ　Ｎｏｎ−１ｎｔｅｒｌａｃｅ　Ｓｃａｎｎｉｎｇ　ａｎｄ　ａ　５ｔｒｕｃｔｕｒｅ@ｏｒｔｈｅ　ＣＣＤ　Ａｒｅａ　Ｉｍａｇｅ　５ｅｎｓｏｒ　ｆｏｒ　Ｄｒｉｖｉｎｇ　ｉｎ　ｔｈｅ　Ｓａｇｅ　Ｍｅｔｈｏｄ”　及び米国出願番号第４７８．８５７号（Ｄ、　Ｌ、　Ｌｏｓｅｅその他１９９０年２月１２日出願）　５ｅｌｅｃｔｉｖｅＯｐｅｒａｔｉｏｎ　ｉｎ　Ｉｎｔｅｒｌａｃｅｄ　ａｎｄ　Ｎｏｎ−１ｎｔｅｒｌａｃｅｄ　Ｍｏｄｅｓ　ｏｆ　Ｉｎｔｅｒｌｉｎｅ　Ｔ窒≠獅唐■■■ ＣＣＤ　Ｉｍａｇｅ　Ｓｅｎｓｉｎｇ　Ｄｅｖｉｃｅ”のそれぞれは、インターレースモード又は非インターレースモードにおけるＣＣＤイメージセンサの方法を説明している。しかし、これらのデバイスは、追加のゲート電極、クロックトライバ、ＣＣＤシフトレジスタのゲートの特別なりロッキング、クロッキングを実行する特別な回路を必要とする。従って、比較的簡単な構造を持ち、特別なりロッキング回路がなくてもインターレースモード又は非インターレースモードで作動可能で、簡単な構造のＣＣＤイメージセンサが望まれている。

発明の概要ある−面から見ると、この発明は、１列以上の配列に並べられた複数の光検出器と、光検出器の列に沿って延びているＣＣＤシフトレジスタとを備えたＣＣＤイメージセンサを指向するものである。シフトレジスタは、各光検出器に対して２つの電導ゲートを含む。列に沿って１つ置きに並んだ光検出器の１集合に対しては、ゲートのうちの１つが、光検出器とＣＣＤシフトレジスタの間にある移動領域を横切って延びる。列に沿って１つ置きに並んだ光検出器の残り（他の）１集合に対しては、他のゲートが移動領域を横切って延びている。このようにして、最初に各光検出器の１つのゲートにパスルを印加し、それからもう１つのゲートにパルスを印加することによってイメージセンサをインターレースモードで作動させる。一方で、全てのゲートに同時にパルスを印加することで、イメージセンサを非インターレースモードで作動させる。インターレースモードの動作では、フレームの半分が最初のパルスで読み取られる。それから第２ゲートにパルスを発生させ、残り半分のフレームが読み取られる。非インターレースモードでは、フレーム全体が同時に読み取られる。

更に詳細には、この発明のＣＣＤイメージセンサは、表面を持った半導体材料の基板を備える。複数の光検出器が基板の表面にあり、列に並べられている。ＣＣＤシフトレジスタは基板内にあり、光検出器の列に沿って延びている。移動領域は、各光検出器の一部分と、隣接するＣＣＤシフトレジスタの間に延びている。

第１ゲートと第２ゲートのそれぞれの集合が、各光検出器においてＣＣＤシフトレジスタを横切って延びている。列の１つ置きの光検出器の各移動領域は、それぞれのゲート集合の第１ゲートの下に延びて、残りの光検出器の各移動領域は、それぞれのゲート集合の第２ゲートの下に延びている。

この発明のもう一面から見ると、この発明は、電荷結合素子（ＣＣＤ）イメージセンサに指向されている。ＣＣＤイメージセンサは、表面のある半導体材料の基板と、前記基板内の前記表面に、表面のある複数の光検出器と、第１、第２集合の導電ゲートと、前記基板内の前記表面に、列に配列された光検出器に沿って延びるＣＣＤシフトレジスタとを含む。別々の移動領域が、基板内で、前記光検出器のそれぞれの一部分とＣＣＤシフトレジスタの間に存在する。第１集合の導電ゲートはＣＣＤシフトレジスタを横切って延びており、各第１ゲートは、別の１つの光検出器の一部分まで延びている。第２集合の導電ゲートは、ＣＣＤシフトレジスタを横切って延びており、各第２ゲートは、別の１つの光検出器の残りの部分に延びている。列内で１つ置きの光検出器の移動領域は、別の第１ゲートの１つの下に延びており、列内の他の光検出器の移動領域は、別の第２ゲートの１つの下に延びている。この発明は、添付の図面と下記の詳細説明によって、より良く理解出来るであろう。

図面の簡単な説明図１は、この発明によるＣＣＤイメージセンサの部分平面断面図である。

図２は、１集合のゲートが取り除かれた、図１と同様の平面断面図である。

図３は、両方の集合のゲートが取り除かれた、図１と同様の平面断面図である。

図４は、図１の破線４−４についての断面図である。

図５は、図１の破１ｉ１５−５についての断面図である。

図６は、図１の破線６−６についての断面図である。

図７は、図１の破線７−７についての断面図である。

図面は、必ずしも一定の割合の縮尺ではない。

発明の詳細な説明図１は、この発明による電荷結合素子（ＣＣＤ）イメージセンサ１０の平面断面図である。イメージセンサ１０は、行列の配列に並べられた複数の光検出器１２を備える。光検出器１２の各列に沿って、垂直ＣＣＤシフトレジスタ１４がある。垂直ＣＣＤシフトレジスタ１４は、図示されていない水平ＣＣＤシフトレジスタに接続されており、水平ＣＣＤシフトレジスタは、図示されている出力回路に接続されている。図４．５．６．７は、それぞれ、図１のＣＣＤイメージセンサ１０の破線４−４．５−５．６−６．７−７についての断面図である。

イメージセンサ１０は、向かい合う表面１８．２０を持った単一結晶シリコンのような、半導体材料の基板１６内に形成されている。基板１６は、ドーピング濃度が約１０１５不純物／ｃＩ３　であるｐ−タイプの導電度のものであることが望まい。光検出器１２は、合衆国特許第４，５２７，１８２号（Ｙ、ｌ５ｈｉｈａｒａその他１９８５年７月２発行）　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ　Ｍａｋｉｎｇ　Ｅｘｅｅｓｓｉｖｅ　Ｃｈａｒｇｅｓ　Ｐｌｏｗ　Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ”に説明されているビンダイオードであることか望ましい。図４に示されているように、ビンダイオードは、基板１６内で表面１８に隣接した、ｎ−タイプの導電型（一般的には、ドーピング密度が約１０１７不純物／ｃａｂ”　）の領域２２を含む。導電率の高いｐ −タイプ導電度（一般的にｐタイプ導電型と呼ばれ、ドーピング１度が約１０１８不純物７ｃｍ３）の領域２４ｎ−タイプ領域２２の中にあり、基板の表面１８まで延びている。

図３でより明確に示されているが、障壁領域２６が光検出器１２の回りにある。

図４．６．７が示すように、障壁領域２６は、基板１６内にあり、表面１８まで延びている。障壁領域２６は、導電度が高いｐ−タイプ導電度（通常ｐ十導電度と呼ばれ、一般的にはドーピング濃度が約１０１８不純物／ｃｍ”　）である。

各ＣＤシフトレジスタ１４に隣接している各光検出器１２の側面に沿って、障壁領域２６が、光検出器１２の約半分の長さに延びている。これによって、障壁領域２６を通る開口２８が、光検出器１２とＣＣＤシフトレジスタ１４の間に出来る。

この開口は、移動領域３０ａと３０ｂの役目を果たす。図３がら理解されるように、列内で一つ置きの光検出器１２（つまり、−行置きの光検出器）の移動領域３０ａは、光検出器１２の下半分に沿っており、列内の残りの光検出器１２（つまり、残りの行の光検出器）の移動領域３０ｂは、光検出器１２の上半分に沿っている。

各垂直ＣＣＤシフトレジスタ１４は、基板１６内てｎ−タイプ導電型（一般的には、ドーピング濃度が約１０　不純物／ｃｓ３）のチャネル領域３２を含み、列の光検出器１２の間にある表面１８に接して又それに沿って延びている。チャネル領域３２と隣接する光検出器１２の列の間には、障壁領域２６がある。絶縁材の層３４は、一般的には二酸化シリコンであるが、基板表面１８の上にあり、チャネル領域３２と光検出器１２を横切って延びている。各チャネル領域３２に沿って一定の間隔て存在するのは、複数のチャネル移動領域３６であり、当該チャネル移動領域は、チャネル領域３２を横切って延びている。チャネル移動領域３６は、ｐ−タイプ導電型の不純物で軽くドーピングされているので、当該チャネル移動領域は低いｎ−タイプの導電型（一般的にはｎ／タイプの導電型と呼ばれている）である。チャネル移動領域３６は、各光検出器１２に２つのチャネル移動領域３６があるように位置している。

別々の第１集合の導電ゲート３８（複数）は、絶縁材の層３４の上にあり、チャネル領域３２と光検出器１２を横切って延びている。第１ゲート３８は、同じ幅で、各行の光検出器１２の下半分を横切って延びる位置にある。第１ゲート３８は、光検出器１２が露出するように、各光検出器１２の上に、貫通する開口４０を持っている。光検出器１２の下の部分が移動領域３０ｂを持っている、一つ置きの光検出器１２の行では、第１ゲート３８は移動領域３０ｂを横切って延びている。第１ゲート３８は又、光検出器１２の半分の長さに沿っているチャネル移動領域３６を横切って延びている。当該移動領域３６のそれぞれは、各第１ゲート３８の近位の端と一直線になるように自動的に揃えられる。第１ゲート３８の材料は、金属、ドーピングされた多結晶シリコンなどのようないかなる導電材でも良い。第１ゲート３８は、一般的には二酸化シリコンの絶縁材の層４２でコーティングされている。

別々の第２集合の導電ゲート４４（複数）は、絶縁材の層３４の上にあり、チャネル領域３２と光検出器１２を横切って延びている。各第２ゲートは、光検出器１２の行を横切り、１組の第１ゲート３８の間を延びている。こうして、各第２ゲート４４は、移動領域３０ａか光検出器１２の上の部分にある光検出器１２の一つ置きの行において、各行の光検出器１２の上半分の部分を横切って延びるため、移動領域３０ａを横切って延びる。第２ゲート４４は、光検出器１２か露出するように、光検出器１２の上に、貫通する開口４６を持っている。又第２ゲート４４は、チャネル移動領域３６を横切って延びている。チャネル移動領域３６は、光検出器１２の端にあり、各チャネル移動領域３６は、各第２ゲート４４の近位の端と一直線になるように自動的に揃えられる。図６が示すように、第２ゲート４４は、障壁領域２６の部分の上で、第１ゲート３８と重なっている。障壁領域２６は、各列の光検出器１２の間にある。ゲート３８と４４は、絶縁材の層３４によって、互いから絶縁されている。第２ゲート４４の材料も、金属又はドーピングされた二酸化シリコンのようないがなる導電材でも良い。ゲート３８と４４の２つの集合は、２相ＣＣＤシフトレジスタを形成する。

シーンを取り込む間のイメージセンサ１ｏの動作において、光検出器１６への入射光は、電荷キャリヤに変換される。移動の間に、ゲート３８と４４に電位が印加される。移動領域３０ａと３０ｂの上に延びるゲート３８と４４とに対して、ゲート３８と４４に印加される電位は、各移動領域３０ａと３０ｂに電位の井戸を作る。この井戸は、光検出器１６内の電位レベルより深い。これによって、光検出器１６内の電荷キャリヤが移動領域３０ａと３０ｂとを横切って、隣接するＣＣＤシフトレジスタ１４のチャネル領域３２の中に流れ込む。それからゲート３８と４４とに交互にパルスを発生させて、電荷キャリヤを、垂直ＣＣＤシフトレジスタ１４の端にある、水平ＣＣＤシフトレジスタまで、チャネル移動領域３２に沿って移動させる（水平ＣＣＤシフトレジスタは図示されていない）。それから水平シフトレジスタが作動して、出力回路まで電荷キャリヤが運ばれる。

インターレースモードでイメージセンサ１ｏを作動させるには、最初に電位を第１集合のゲート３８のような１集合のゲートに印加する。第１集合のゲート３８は、列内の１つ置きの光検出器１６の移動領域３０ａ上を延びているだけなので、各列の１つ置きの光検出器１６のみからの電荷キャリヤが、各ＣＣＤシフトレジスタ１４のチャネル領域３２に移動する。次にこれらの電荷キャリヤは垂直ＣＣＤシフトレジスタ１４に沿って水平シフトレジスタまで移動する。このようにして、半分のフレームか読み取られる。次に電位が第２集合のゲート４４に加えられる。第２集合のゲート４４は、各列の一つ置きの光検出器１６の移動領域３０ｂを各行ごとに横切って延びている。一方、第１集合のゲート４２は、各移動領域３０ｂの上で、かつその移動領域３０ｂの間を伸展している。こうして、残りの一つ置きの光検出器からの電荷キャリヤは、各ＣＣＤシフトレジスタ１４のチャネル領域３２に移動する。次にこれらの電荷キャリヤは垂直ＣＣＤシフトレジスタ１４に沿って水平シフトレジスタまで移動する。このようにして、残り半分のフレームが読み取られる。このように、第１集合と第２集合のゲート３８と４４とに交互にパルスを印加する（クロッキングする）ことによって、各列の１つ置きの光検出器１６の最初の１集合からの電荷キャリヤ、そして次に１つ置きの光検出器１６の残りの１集合からの電荷キャリヤが垂直ＣＣＤシフトレジスタ１４に移動して、イメージセンサがインターレースモードで作動する。

非インターレースモードでイメージセンサ１０を作動させるには、ゲート３８と４４の両方に電位を同時に印加するだけで良い。これによって、各列の全部の光検出器１６の移動領域３０ａと移動領域３０ｂに電位が印加され、全ての移動領域３０ａと移動領域３０ｂとの電位の井戸が深くなる。このようにして、各列の全部の光検出器１６からの電荷キャリヤが、各画［ＣＣＤシフトレジスタ１４のチャネル領域３２に移動する。それから、ゲート３８と４４との２つの集合に、交互にパルスを発生させる（クロッキングさせる）ことによって、電荷キャリヤをチャネル領域３２に沿って水平ＣＣＤシフトレジスタまで移動させる。

このようにして、この発明は、ゲート３８と４４とにパルスを印加させる方法を変えるだけで、インターレースモードでも非インターレースモードでも作動するイメージセンサ１０を提供する。インターレースモードでは、ゲート３８と４４とには交互にパルスを印加し、非インターレースモードでは、全てのゲート３８と４４とに同時にパルスを印加する。ゲートにパルスを印加する方法を変えることは、タイミングだけを変える単一の駆動回路で達成出来るので、ＣＣＤセンサｌＯの動作に必要な回路素子は大幅に単純化出来る。これは又、単に光検出器１６に対して移動領域３０ａと移動領域３０ｂの位置を変えるだけで、イメージセンサ１０の構造内で達成出来る。そうするためには、障壁領域２６を形成するために使用されるマスクの設計を変えるだけで良く、追加の処理ステップは必要ない。このようにして、この発明のイメージセンサ１０は、インターレースモードでも非インターレースモードでも作動可能であり、標準ＣＣＤイメージセンサとほぼ同じコストで製造出来る。

発明の特定の実施態様は、単にこの発明の一般的な原則を示しているたけであることは理解されるであろう。記載の原則にもとらない様々な改造が可能である。

例えば、イメージセンサはビンダイオード先検出器として説明されているか、広く知られたいかなるタイプの光検出器でも使用出来る。又、ＣＣＤシフトレジスタか埋設チャネルタイプであると説明されているが、２集合のゲートを持っているその他のいかなる設計のＣＣＤシフトレジスタでも使用出来る。更に、基板は、イメージセンサに使用される他の適切な半導体材料のものでも良い。

ＦＩＧ、ｉＬ、６　ニ、５ＦＩＧ、２ ■ ＦＩＧ、３ＦＩＧ、４垣宝訟捌審１１ｉｉ失国際調査報告

Claims

【特許請求の範囲】

１．ＣＣＤイメージセンサであって、表面を持った半導体材料の基板と、前記基板内で前記表面に、列状に配列され複数の光検出器と、前記基板内で前記表面に、前記光検出器の列に沿ったＣＣＤシフトレジスタと、前記基板内で前記光検出器の一部とＣＣＤシフトレジスタの間にある、別々の移動領域と、前記光検出器のそれぞれにおいて、ＣＣＤシフトレジスタを横切って延びる第１導電ゲート群及び第２導電ゲート群の集合と、各集合のゲートの第１ゲートの下に延びる、列内で１つ置きの光検出器の各移動領域と、各集合のゲートの第２ゲートの下に延びる、列内の残りの光検出器の移動領域と、を有することを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
２．請求項１記載のＣＣＤイメージセンサであって、前記ＣＣＤシフトレジスタが、光検出器の列から間隔を置いて隣接している基板の表面に沿ったチャネル領域と、チャネル領域まで延びる移動領域を有し、前記ゲートがチャネル領域を横切ることを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
３．請求項２記載のＣＣＤイメージセンサであって、基板は所定のある導電型のものであり、一方、チャネル領域はそれとは反対の導電型の基板内にある領域であることを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
４．請求項２記載のＣＣＤイメージセンサは更に、前記光検出器のそれぞれの回りに障壁領域を有し、前記障壁領域は開口を持ち、前記開口は、前記光検出器の一部に沿って、ＣＣＤシフトレジスタのチャネル領域に隣接した貫通する開口を持ち、前記開口内の基板の一部が、光検出器とチャネル領域の間に移動領域を形成していることを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
５．請求項４記載のＣＣＤイメージセンサであって、基板は所定の導電型のものであり、障壁領域は前記基板と同一の導電型の基板内にある領域であるが、その導電度は、前記表面のところの基板内の基板より高いことを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
６．請求項４記載のＣＣＤイメージセンサであって、各集合の第１ゲートが、各光検出器の一部を横切って延び、各集合の第２ゲートが、各光検出器の残りの部分を横切って延び、列内で１つ置きの光検出器の障壁領域にある開口は、各光検出器の第１ゲートの下にあり、列内の他の光検出器の障壁領域にある開口は、各光検出器の第２ゲートの下にあることを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
７．請求項６記載のＣＣＤイメージセンサであって、各ゲートが、各光検出器の上に、貫通する開口を持つことを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
８．請求項７記載のＣＣＤイメージセンサは更に、基板の前記表面上に絶縁材の層を有し、ゲートが当該絶縁層の上にあることを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
９．請求項８記載のＣＣＤイメージセンサであって、各光検出器は１つのダイオードを備え、当該ダイオードは、基板内で前記表面において、所定の導電型の第１領域を持ち、前記第１領域内で、前記表面において、反対の導電型の第２領域を有することを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
１０．請求項８記載のＣＣＤイメージセンサであって、表面を持った半導体材料の基板と、前記基板内で前記表面のところに、間隔をあけた行列の配列に並べられた、複数の光検出器と、前記基板内に、それぞれが光検出器の別々の列に沿った延びた、複数のＣＣＤシフトレジスタと、前記光検出器のそれぞれの一部とそれに隣接するＣＣＤシフトレジスタ間にある移動領域と、ＣＣＤシフトレジスタと各行の光検出器を横切る、第１と第２電導ゲートの別々の集合と、各ゲート集合の第１ゲートの下で延びている、各行で１つ置きの光検出器の移動領域と、各ゲート集合の第２ゲートの下で延びている、各行の他の光検出器の移動領域とを有することを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
１１．請求項１０記載のＣＣＤイメージセンサであって、各ＣＣＤシフトレジスタは、基板の表面に沿って延びて光検出器の列に間隔をあけて隣接しているチャネル領域を有し、移動領域がチャネル領域まで延びていることを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
１２．請求項１１記載のＣＣＤイメージセンサであって、基板は所定の導電型であり、チャネル領域は、基板内に設けられ、このチャネル領域は前記の表面のところとは反対の導電型の領域であることを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
１３．請求項１１記載のＣＣＤイメージセンサは更に、各列の光検出器の回りに別々の障壁領域を有し、前記障壁領域は、隣接するＣＣＤシフトレジスタのチャネル領域に隣接して各光検出器の一部に沿って、貫通する開口を持ち、前記開口内の基板の部分は、光検出器とチャネル領域の間に移動領域を形成することを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
１４．請求項１４記載のＣＣＤイメージセンサであって、基板は所定の導電型であり、障壁領域は同じ導電型の基板内にある領域であるが、その導電度は、前記表面のところの基板内の基板より高いことを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
１５．請求項１３記載のＣＣＤイメージセンサであって、各集合の第１ゲートのそれぞれは、各行の光検出器の一部を横切って延び、各集合の第２ゲートは、各行の光検出器の残りの部分を横切って延び、各列内の１つおきの光検出器に沿った障壁領域の各開口は、各第１ゲートの下にあり、各列内の残りの光検出器に沿った障壁領域の各開口は、第２ゲートの下にあることを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
１６．請求項１５記載のＣＣＤイメージセンサであって、前記ゲートのそれぞれが、各行の各光検出器の上に、貫通する開口を持つことを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
１７．請求項１６記載のＣＣＤイメージセンサは更に、前記基板の表面上に絶縁材の層を有し、ゲートが前記絶縁層上にあることを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。
１８．請求項１７記載のＣＣＤイメージセンサであって、各光検出器は１つのダイオードを備え、当該ダイオードは、基板内で前記表面において、所定の導電型の第１領域を持ち、前記第１領域内で、前記表面において、反対の導電型の第２領域を有することを特徴とするＣＣＤイメージセンサ。