JPH0828497B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH0828497B2 JPH0828497B2 JP2191282A JP19128290A JPH0828497B2 JP H0828497 B2 JPH0828497 B2 JP H0828497B2 JP 2191282 A JP2191282 A JP 2191282A JP 19128290 A JP19128290 A JP 19128290A JP H0828497 B2 JPH0828497 B2 JP H0828497B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は固体撮像装置に係り、特に微細化された構造
を有するものに関する。
を有するものに関する。
（従来の技術） 第５図に従来一般的な固体撮像装置の平面構成図を示
す。
す。
半導体基板の表面上に形成され、斜線部１で表わされ
た素子分離層１によってＸ方向およびＹ方向に分離され
た感光素子２および３が列状に配設されている。この複
数の感光素子からなる感光素子列に隣接して不純物層か
らなる電荷転送チャネル10が設けられており、その上に
は転送電極4,5,6,7が順次繰り返し形成されている。こ
れらは周知の重ね合わせ電極構造をなしており、転送電
極３および５は第１層電極、４および６は第２層電極で
ある。この転送電極には一般に４相の転送パルスφ１〜
φ４が印加されて転送動作を行なう。すなわち、転送電
極４にはφ１、５にはφ２、６にはφ３、７にはφ４パ
ルスがそれぞれ印加される。
た素子分離層１によってＸ方向およびＹ方向に分離され
た感光素子２および３が列状に配設されている。この複
数の感光素子からなる感光素子列に隣接して不純物層か
らなる電荷転送チャネル10が設けられており、その上に
は転送電極4,5,6,7が順次繰り返し形成されている。こ
れらは周知の重ね合わせ電極構造をなしており、転送電
極３および５は第１層電極、４および６は第２層電極で
ある。この転送電極には一般に４相の転送パルスφ１〜
φ４が印加されて転送動作を行なう。すなわち、転送電
極４にはφ１、５にはφ２、６にはφ３、７にはφ４パ
ルスがそれぞれ印加される。
感光部2,3と電荷転送チャネル10との間にはそれぞれ
電荷移送チャネル11および12がそれぞれ設けられてい
る。各感光部2,3の間には隣接する同一位相の電極を連
結する配線部24が形成されている。
電荷移送チャネル11および12がそれぞれ設けられてい
る。各感光部2,3の間には隣接する同一位相の電極を連
結する配線部24が形成されている。
このような構成の固体撮像装置の構成を次に説明す
る。
る。
電極４に高電圧読み出しパルスが印加されると、電荷
移送チャネル11がオン状態になり、感光素子２から電荷
転送チャネル10の対応する電極下に信号電荷が移送され
る。同様に、電極６に高電圧読み出しパルスが印加され
ると、電荷移送チャネル部分12がオン状態になり、感光
素子３から電荷転送チャネル10の対応する電極下に信号
電荷が移送される。この後、転送電極４〜７に公知の４
相パルスを印加することにより、信号電荷は紙面下方に
転送される。
移送チャネル11がオン状態になり、感光素子２から電荷
転送チャネル10の対応する電極下に信号電荷が移送され
る。同様に、電極６に高電圧読み出しパルスが印加され
ると、電荷移送チャネル部分12がオン状態になり、感光
素子３から電荷転送チャネル10の対応する電極下に信号
電荷が移送される。この後、転送電極４〜７に公知の４
相パルスを印加することにより、信号電荷は紙面下方に
転送される。
なお、通常の動作においては、周知のテレビ方式にお
けるインターレース動作にしたがって、第１フィールド
（第１の電荷読み出し）では、感光素子２と３の信号電
荷が加算され、第２フィールド（第２の電荷読み出し）
では感光素子３と次の感光素子２（第５図においては便
宜上２′として示されている）の信号電荷が加算されて
読み出される。このような読出し方式はフィールド蓄積
読出しモードとして一般的である。
けるインターレース動作にしたがって、第１フィールド
（第１の電荷読み出し）では、感光素子２と３の信号電
荷が加算され、第２フィールド（第２の電荷読み出し）
では感光素子３と次の感光素子２（第５図においては便
宜上２′として示されている）の信号電荷が加算されて
読み出される。このような読出し方式はフィールド蓄積
読出しモードとして一般的である。
第６図に第５図のX1-X2線に沿って切断した断面構成
を示す。ｎ形基板14上にｐウエル13が形成され、素子分
離層１により分離された領域にはｎ型不純物層２−ａと
その表面を覆うP+型不純物層２−ｂからなる感光素子
と、電荷移送チャネル11を挟んで電荷転送チャネル10が
形成されている。基板上には絶縁膜15が堆積され、電荷
転送チャネル10および電荷移送チャネル11の上方の絶縁
膜中には転送電極４が形成されている。
を示す。ｎ形基板14上にｐウエル13が形成され、素子分
離層１により分離された領域にはｎ型不純物層２−ａと
その表面を覆うP+型不純物層２−ｂからなる感光素子
と、電荷移送チャネル11を挟んで電荷転送チャネル10が
形成されている。基板上には絶縁膜15が堆積され、電荷
転送チャネル10および電荷移送チャネル11の上方の絶縁
膜中には転送電極４が形成されている。
第７図は感光素子のｎ形不純物層２−ａから電荷移送
チャネル11を経て電荷転送チャネル10に至るチャネル電
位分布図であり、23は素子分離層、22は電荷が空の状態
の感光素子、18は電荷移送チャネルがオンの状態、19は
同オフの状態、20,21は転送電極８がそれぞれオン、オ
フの状態における電位をそれぞれ示している。
チャネル11を経て電荷転送チャネル10に至るチャネル電
位分布図であり、23は素子分離層、22は電荷が空の状態
の感光素子、18は電荷移送チャネルがオンの状態、19は
同オフの状態、20,21は転送電極８がそれぞれオン、オ
フの状態における電位をそれぞれ示している。
ここで転送電極８の幅をＷ、感光素子２と電荷転送チ
ャネル10間の長さをＬとし、このＬが短い場合を考え
る。この場合、転送電極８のオフ状態において感光素子
と転送チャネル間の分離が特性が劣化する現象として良
く知られているショートチャネル効果によって感光素子
のｎ型不純物層２−ａに大量の電荷が蓄積されると、そ
の一部が電荷転送チャネル10へ溢れ出してしまうという
現象が発生する。この様子は第７図において、電荷移送
チャネルがオフでその電位が18であるときに、感光素子
２で発生した信号電荷が18の障壁を超えて電荷転送チャ
ネル10に流れ出る現象としてOFLで表わされている。
ャネル10間の長さをＬとし、このＬが短い場合を考え
る。この場合、転送電極８のオフ状態において感光素子
と転送チャネル間の分離が特性が劣化する現象として良
く知られているショートチャネル効果によって感光素子
のｎ型不純物層２−ａに大量の電荷が蓄積されると、そ
の一部が電荷転送チャネル10へ溢れ出してしまうという
現象が発生する。この様子は第７図において、電荷移送
チャネルがオフでその電位が18であるときに、感光素子
２で発生した信号電荷が18の障壁を超えて電荷転送チャ
ネル10に流れ出る現象としてOFLで表わされている。
（発明が解決しようとする課題） このような現象をなくすためには感光素子２と電荷転
送チャネル10間の距離Ｌを十分な値（例えば1.5μｍ）
以上に長くすることが必要となる。
送チャネル10間の距離Ｌを十分な値（例えば1.5μｍ）
以上に長くすることが必要となる。
一方、固体撮像装置製造上の誤差、例えば各種公差や
あわせずれなどによりＬは±ΔＬ（例えば±0.5μｍ）
だけ変動する。したがって、このような製造上の誤差を
考慮するとＬはＬ＋ΔＬに設定しなければならない。
あわせずれなどによりＬは±ΔＬ（例えば±0.5μｍ）
だけ変動する。したがって、このような製造上の誤差を
考慮するとＬはＬ＋ΔＬに設定しなければならない。
以上の状況から、電極８の幅Ｗは、本来転送に必要な
幅よりもはるかに大きく設定せざるを得ない。このこと
は十分な感光素子面積を確保することを困難にし、感度
の低下を招くだけでなく、素子微細化の上での障害にな
る。
幅よりもはるかに大きく設定せざるを得ない。このこと
は十分な感光素子面積を確保することを困難にし、感度
の低下を招くだけでなく、素子微細化の上での障害にな
る。
本発明は、従来技術における電荷移送チャネルの存在
による素子微細化の障害をなくし、素子の微細化及び高
感度化に適した新しい構造を有する固体撮像装置を提供
することを目的とする。
による素子微細化の障害をなくし、素子の微細化及び高
感度化に適した新しい構造を有する固体撮像装置を提供
することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 本発明は、少くとも一部が素子分離層により互いに分
離された複数の感光素子が列状に配設された感光素子列
が所定距離を隔てて並列に配設された感光素子アレイ
と、前記各感光素子列間に配設され、前記感光素子とは
素子分離層により分離された電荷転送チャネル層と前記
電荷転送チャネル層の上方に複数の転送電極を有する電
荷転送装置とを備えた固体撮像装置において、前記各感
光素子列中の隣接感光素子間の領域は、前記素子分離層
と、前記感光素子に隣接するとともに前記電荷転送チャ
ネル層と接続されたチャネル領域とからなり、これら素
子分離層および前記チャネル領域の上方に前記転送電極
のうちの同相のものを接続する配線層を設け、前記転送
電極および前記電荷転送装置の配線層に印加する電圧を
制御することにより前記感光素子間のチャネル領域を前
記感光素子で発生した信号電荷を前記電荷転送チャネル
に移送するための電荷移送チャネルとして使用すること
を特徴とするものである。
離された複数の感光素子が列状に配設された感光素子列
が所定距離を隔てて並列に配設された感光素子アレイ
と、前記各感光素子列間に配設され、前記感光素子とは
素子分離層により分離された電荷転送チャネル層と前記
電荷転送チャネル層の上方に複数の転送電極を有する電
荷転送装置とを備えた固体撮像装置において、前記各感
光素子列中の隣接感光素子間の領域は、前記素子分離層
と、前記感光素子に隣接するとともに前記電荷転送チャ
ネル層と接続されたチャネル領域とからなり、これら素
子分離層および前記チャネル領域の上方に前記転送電極
のうちの同相のものを接続する配線層を設け、前記転送
電極および前記電荷転送装置の配線層に印加する電圧を
制御することにより前記感光素子間のチャネル領域を前
記感光素子で発生した信号電荷を前記電荷転送チャネル
に移送するための電荷移送チャネルとして使用すること
を特徴とするものである。
前記各感光素子間には、各電荷転送装置の対応する転
送電極と一体に形成されてこれら転送電極に転送制御電
圧を供給する互いに絶縁された２層の導電層が形成され
ることにより、前記電荷移送チャネルが形成されると良
い。
送電極と一体に形成されてこれら転送電極に転送制御電
圧を供給する互いに絶縁された２層の導電層が形成され
ることにより、前記電荷移送チャネルが形成されると良
い。
また、前記電荷移送チャネルは、２つの感光素子の信
号電荷を同時に加算して移送すべく互いに隣接する２つ
の感光素子に接して形成されているものでも、１つの感
光素子からのみ電荷を移送すべく、前記感光素子間の領
域に面した感光素子の一面には信号電荷と逆導電型の高
濃度不純物層が形成されたものでも良い。
号電荷を同時に加算して移送すべく互いに隣接する２つ
の感光素子に接して形成されているものでも、１つの感
光素子からのみ電荷を移送すべく、前記感光素子間の領
域に面した感光素子の一面には信号電荷と逆導電型の高
濃度不純物層が形成されたものでも良い。
前記感光素子は、前記転送チャネル層を構成する不純
物層と同一導電型の不純物層と、その表面部分を覆う逆
導電型不純物層からなり、前記電荷転送装置と前記感光
素子との境界領域には前記逆導電型不純物層よりなる素
子分離層が形成されているものであると良い。
物層と同一導電型の不純物層と、その表面部分を覆う逆
導電型不純物層からなり、前記電荷転送装置と前記感光
素子との境界領域には前記逆導電型不純物層よりなる素
子分離層が形成されているものであると良い。
（作用） 本発明は、従来単に配線領域として素子特性上無効部
分として使用されていた感光素子間分離層に、電荷移送
チャネルを形成しているので、転送電極の幅を縮小する
ための制限を取り除き、素子の高感度化および微細化を
可能とする。
分として使用されていた感光素子間分離層に、電荷移送
チャネルを形成しているので、転送電極の幅を縮小する
ための制限を取り除き、素子の高感度化および微細化を
可能とする。
以下、図面を参照して本願発明の実施例を詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の第１の実施例を平面構成を示す平面
図、第２図はそのX3-X4線で切断した様子を示す断面
図、第３図はそのX5-X6線で切断した様子を示す断面図
である。これらはマトリクス状に設けられた感光素子お
よび電荷転送のための構成の一部が示されている。
図、第２図はそのX3-X4線で切断した様子を示す断面
図、第３図はそのX5-X6線で切断した様子を示す断面図
である。これらはマトリクス状に設けられた感光素子お
よび電荷転送のための構成の一部が示されている。
第１図および第２図には２つの電荷転送チャネル30,3
1が示されており、これらの電荷転送チャネル層の上に
は転送電極32〜38が設けられ、これらの転送電極にはこ
の実施例の場合φ１〜φ４の４相転送パルスが印加され
る。すなわち、転送電極33,37にはφ１、転送電極34,38
にはφ２、転送電極35はφ３、転送電極36〜32にはφ４
が印加される。これらの転送電極33,35,37は第１層の導
電材料、例えばポリシリコンからなり、転送電極32,34,
36,38は第２層の導電材料、例えばポリシリコンからな
り、周知の重ね合わせ電極構造をなしている。各列の対
応する行に属する電極は配線部48によって共通に接続さ
れている。
1が示されており、これらの電荷転送チャネル層の上に
は転送電極32〜38が設けられ、これらの転送電極にはこ
の実施例の場合φ１〜φ４の４相転送パルスが印加され
る。すなわち、転送電極33,37にはφ１、転送電極34,38
にはφ２、転送電極35はφ３、転送電極36〜32にはφ４
が印加される。これらの転送電極33,35,37は第１層の導
電材料、例えばポリシリコンからなり、転送電極32,34,
36,38は第２層の導電材料、例えばポリシリコンからな
り、周知の重ね合わせ電極構造をなしている。各列の対
応する行に属する電極は配線部48によって共通に接続さ
れている。
電荷転送チャネル間には感光素子列が形成されてい
る。各感光素子列は感光素子40および41が交互に形成さ
れており、これら感光素子40,41と転送チャネル層30,31
間にはこれらを互いに分離するための素子分離層42が形
成されている。なお、第１図において、感光素子40′が
示されているが、これは後の説明において最初の感光素
子40と区別するために便宜上記号を付けたもので、感光
素子40と全く同じものである。
る。各感光素子列は感光素子40および41が交互に形成さ
れており、これら感光素子40,41と転送チャネル層30,31
間にはこれらを互いに分離するための素子分離層42が形
成されている。なお、第１図において、感光素子40′が
示されているが、これは後の説明において最初の感光素
子40と区別するために便宜上記号を付けたもので、感光
素子40と全く同じものである。
この素子分離層42は感光素子間の領域には形成されて
いない。そしてこの領域は前述した配線部48が形成され
る配線領域となっている。
いない。そしてこの領域は前述した配線部48が形成され
る配線領域となっている。
第２図を参照すると、ｎ型基板45の表面にｐウエル46
が形成され、その表面に形成された２つの電荷転送チャ
ネル30、31間には感光素子41が形成されている。この感
光素子41はｎ型層41-aと、その上に形成された表面部分
をなす高濃度Ｐ型層41-bを有しており、この高濃度ｐ型
層の延在部が素子分離層42をなしている。この素子分離
層場合は、転送電極35をマスクとする自己整合方式によ
りイオン注入されたものであるので、転送電極35の端部
と素子分離層42の端部は略一致し、また、電荷転送チャ
ネル幅と転送電極幅Ｗもほぼ一致している。
が形成され、その表面に形成された２つの電荷転送チャ
ネル30、31間には感光素子41が形成されている。この感
光素子41はｎ型層41-aと、その上に形成された表面部分
をなす高濃度Ｐ型層41-bを有しており、この高濃度ｐ型
層の延在部が素子分離層42をなしている。この素子分離
層場合は、転送電極35をマスクとする自己整合方式によ
りイオン注入されたものであるので、転送電極35の端部
と素子分離層42の端部は略一致し、また、電荷転送チャ
ネル幅と転送電極幅Ｗもほぼ一致している。
第３図から明らかなように配線部48は第１層電極の配
線部39およびその上に絶縁膜47を介して形成された第２
層電極の配線部44よりなり、の半導体基板上に絶縁膜を
介して形成されているが、第１図における上下方向に隣
接する感光素子間の配線領域のほぼ左半分の半導体基板
表面部にはｐ形素子分離層43が形成されている。
線部39およびその上に絶縁膜47を介して形成された第２
層電極の配線部44よりなり、の半導体基板上に絶縁膜を
介して形成されているが、第１図における上下方向に隣
接する感光素子間の配線領域のほぼ左半分の半導体基板
表面部にはｐ形素子分離層43が形成されている。
この第１の実施例においては、第１層電極の配線部39
に対向する半導体部分にはｐ型素子分離層43が形成され
た領域を除き素子分離層が形成されておらず、また、第
２層電極の配線部44が絶縁膜を介して第１層電極の配線
部39上にはみ出すことなく形成されている特徴がある。
に対向する半導体部分にはｐ型素子分離層43が形成され
た領域を除き素子分離層が形成されておらず、また、第
２層電極の配線部44が絶縁膜を介して第１層電極の配線
部39上にはみ出すことなく形成されている特徴がある。
このような構成において、φ１として高電圧読み出し
パルスを印加すると第１層電極の配線部39に対向する半
導体表面にチャネルが形成され、感光素子40,41に蓄積
された信号電荷は第１層電極の配線部39の下に移送さ
れ、さらに転送電極33で制御される31の部分に移送され
る。したがって、従来有効に活用されていなかった感光
素子間の配線領域を電荷移送チャネルとして利用するこ
とになる。
パルスを印加すると第１層電極の配線部39に対向する半
導体表面にチャネルが形成され、感光素子40,41に蓄積
された信号電荷は第１層電極の配線部39の下に移送さ
れ、さらに転送電極33で制御される31の部分に移送され
る。したがって、従来有効に活用されていなかった感光
素子間の配線領域を電荷移送チャネルとして利用するこ
とになる。
第３図を参照すると、第１層電極の配線部39の下の半
導体基板表面領域50が電荷移送チャネル部分となる。前
述したように、転送電極35の幅Ｗが転送チャネル層31の
幅と一致しているため、転送部分を面積的に最も効率良
く形成することが可能となっている。
導体基板表面領域50が電荷移送チャネル部分となる。前
述したように、転送電極35の幅Ｗが転送チャネル層31の
幅と一致しているため、転送部分を面積的に最も効率良
く形成することが可能となっている。
そして、読み出された信号電荷は４相転送パルスを各
電極に印加することにより、紙面上方から下方に転送さ
れる。この場合、転送電極33,37に高電圧の読出しパル
スを印加することにより感光素子40,41で発生した信号
電荷を加算して読み出し、これを第１のフィールド読み
出しとすれば、転送電極35に読み出しパルスを印加して
感光素子41,40′で発生した信号電荷を加算して読出す
ことで、第２のフィールド読出しが形成されることにな
る。
電極に印加することにより、紙面上方から下方に転送さ
れる。この場合、転送電極33,37に高電圧の読出しパル
スを印加することにより感光素子40,41で発生した信号
電荷を加算して読み出し、これを第１のフィールド読み
出しとすれば、転送電極35に読み出しパルスを印加して
感光素子41,40′で発生した信号電荷を加算して読出す
ことで、第２のフィールド読出しが形成されることにな
る。
このように本発明によれば、電荷転送装置と感光素子
の間に、移送チャネルを形成することなく、従来無効領
域であった部分を利用して、移送チャネルを形成するよ
うにしているため、素子面積を移送チャネルが占有して
いた面積分だけ減少させることができる。したがって、
素子寸法を小さくして微細化を効率良く行なうことがで
きるばかりでなく、全体面積を変えずに移送チャネルの
面積減少分だけ感光素子の面積を拡大して高感化するこ
ともできる。
の間に、移送チャネルを形成することなく、従来無効領
域であった部分を利用して、移送チャネルを形成するよ
うにしているため、素子面積を移送チャネルが占有して
いた面積分だけ減少させることができる。したがって、
素子寸法を小さくして微細化を効率良く行なうことがで
きるばかりでなく、全体面積を変えずに移送チャネルの
面積減少分だけ感光素子の面積を拡大して高感化するこ
ともできる。
第４図に本発明の第２の実施例を示す。この実施例では
第１の実施例と類似した構成を有しているが、第４図に
おける感光素子41の上側の境界部にも素子分離層51が形
成され、電荷読み出しチャネルの電極となる39が素子分
離層51によって分離されている点が第１の実施例と異な
る。これによって、転送電極33に読み出しパルス電圧を
印加しても感光素子41で発生した信号電荷は移送され
ず、感光40で発生した信号電荷のみを単独に読み出すこ
とができる。
第１の実施例と類似した構成を有しているが、第４図に
おける感光素子41の上側の境界部にも素子分離層51が形
成され、電荷読み出しチャネルの電極となる39が素子分
離層51によって分離されている点が第１の実施例と異な
る。これによって、転送電極33に読み出しパルス電圧を
印加しても感光素子41で発生した信号電荷は移送され
ず、感光40で発生した信号電荷のみを単独に読み出すこ
とができる。
本発明は以上の実施例に限られるものではなく、従来
の感光素子列をなす感光素子間配線部分を移送チャネル
として使用する構造であれば良い。
の感光素子列をなす感光素子間配線部分を移送チャネル
として使用する構造であれば良い。
また感光素子として、単なるｎ型構造あるいはMOS型
電極構造であっても良く、さらに配線部分において移送
チャネルとなる基板領域50に所定濃度のｐ形あるいはｎ
形不純物層が形成されていてもよい。この場合、分離の
ためのｐ型領域43よりは低濃度で且つｐウエル46より高
濃度であるｐ型不純物層を形成し、素子間クロストーク
を減少させることができる。
電極構造であっても良く、さらに配線部分において移送
チャネルとなる基板領域50に所定濃度のｐ形あるいはｎ
形不純物層が形成されていてもよい。この場合、分離の
ためのｐ型領域43よりは低濃度で且つｐウエル46より高
濃度であるｐ型不純物層を形成し、素子間クロストーク
を減少させることができる。
第４図に示した実施例においては、図の上側の感光素
子からのみ信号電荷を取り出すようにしたが、素子分離
層51を感光素子の反対側の境界部に形成して下側の感光
素子からの信号電荷のみを取り出すようにすることもで
きる。
子からのみ信号電荷を取り出すようにしたが、素子分離
層51を感光素子の反対側の境界部に形成して下側の感光
素子からの信号電荷のみを取り出すようにすることもで
きる。
［発明の効果］ 以上のように、本発明によれば、感光素子列中の隣接
感光素子間に設けられたチャネル領域を電荷移送チャネ
ルとして使用するようにしているので、転送電極の幅を
縮小することができ、高感度化および微細化が可能とな
る。
感光素子間に設けられたチャネル領域を電荷移送チャネ
ルとして使用するようにしているので、転送電極の幅を
縮小することができ、高感度化および微細化が可能とな
る。
第１図は本発明の第１の実施例の固体撮像装置の平面構
造図、第２図および第３図は本発明の第１の実施例の固
体撮像装置の断面構造図、第４図は本発明の第２の実施
例の固体撮像装置の平面構造図、第５図は従来の固体撮
像装置の平面構造図、第６図は従来の固体撮像装置の断
面構造図、第７図は第６図の構造における電位分布図で
ある。 30,31……電荷転送チャネル層、32〜38……電荷転送電
極、39……移送チャネル電極、40,40′,41……感光素
子、42,43……素子分離層、50……移送チャネル。
造図、第２図および第３図は本発明の第１の実施例の固
体撮像装置の断面構造図、第４図は本発明の第２の実施
例の固体撮像装置の平面構造図、第５図は従来の固体撮
像装置の平面構造図、第６図は従来の固体撮像装置の断
面構造図、第７図は第６図の構造における電位分布図で
ある。 30,31……電荷転送チャネル層、32〜38……電荷転送電
極、39……移送チャネル電極、40,40′,41……感光素
子、42,43……素子分離層、50……移送チャネル。
Claims (5)
- 【請求項１】少くとも一部が素子分離層により互いに分
離された複数の感光素子が列状に配設された感光素子列
が所定距離を隔てて並列に配設された感光素子アレイ
と、 前記各感光素子列間に配設され、前記感光素子とは素子
分離層により分離された電荷転送チャネル層と前記電荷
転送チャネル層の上方に複数の転送電極を有する電荷転
送装置とを備えた固体撮像装置において、 前記各感光素子列中の隣接感光素子間の領域は、前記素
子分離層と、前記感光素子に隣接するとともに前記電荷
転送チャネル層と接続されたチャネル領域とからなり、
これら素子分離層および前記チャネル領域の上方に前記
転送電極のうちの同相のものを接続する配線層を設け、 前記転送電極および前記電荷転送装置の配線層に印加す
る電圧を制御することにより前記感光素子間のチャネル
領域を前記感光素子で発生した信号電荷を前記電荷転送
チャネルに移送するための電荷移送チャネルとして使用
することを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】前記各感光素子間には、各電荷転送装置の
対応する転送電極と一体に形成されてこれら転送電極に
転送制御電圧を供給する互いに絶縁された２層の導電層
が形成されることにより、前記電荷移送チャネルを形成
することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。 - 【請求項３】前記電荷移送チャネルは、２つの感光素子
の信号電荷を同時に加算して移送すべく互いに隣接する
２つの感光素子に接して形成されていることを特徴とす
る請求項１に記載の固体撮像装置。 - 【請求項４】電荷移送チャネルは１つの感光素子からの
み電荷を移送すべく、前記感光素子間の領域に面した感
光素子の一面には信号電荷と逆導電型の高濃度不純物層
が形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の固
体撮像装置。 - 【請求項５】前記感光素子は、前記転送チャネル層を構
成する不純物層と同一導電型の不純物層と、その表面部
分を覆う逆導電型不純物層からなり、前記電荷転送装置
と前記感光素子との境界領域には前記逆導電型不純物層
よりなる素子分離層が形成されていることを特徴とする
請求項１ないし４のいずれかに記載の固体撮像装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2191282A JPH0828497B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 固体撮像装置 |
| KR1019910012188A KR950001762B1 (ko) | 1990-07-19 | 1991-07-16 | 고체촬상장치 |
| US07/732,093 US5313081A (en) | 1990-07-19 | 1991-07-18 | Solid-state imaging device with transport channels between photosensitive elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2191282A JPH0828497B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0476952A JPH0476952A (ja) | 1992-03-11 |
| JPH0828497B2 true JPH0828497B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=16271968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2191282A Expired - Fee Related JPH0828497B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 固体撮像装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5313081A (ja) |
| JP (1) | JPH0828497B2 (ja) |
| KR (1) | KR950001762B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5492852A (en) * | 1993-10-07 | 1996-02-20 | Nec Corporation | Method for fabricating a solid imaging device having improved smear and breakdown voltage characteristics |
| JP3272941B2 (ja) | 1996-04-01 | 2002-04-08 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| KR100215864B1 (ko) * | 1996-06-10 | 1999-08-16 | 구본준 | 씨씨디 영상소자 |
| JP3280288B2 (ja) | 1996-09-12 | 2002-04-30 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法、およびその駆動方法 |
| US6346722B1 (en) | 1998-06-26 | 2002-02-12 | Nec Corporation | Solid state imaging device and method for manufacturing the same |
| JP3885769B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2007-02-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5635466A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-08 | Nec Corp | Charge-coupled device |
| US4291239A (en) * | 1980-02-25 | 1981-09-22 | Rca Corporation | Architecture line-transfer CCD imagers |
| JPS5748260A (en) * | 1980-09-05 | 1982-03-19 | Nec Corp | Interline ccd sensor and driving method thereof |
| JPS5838081A (ja) * | 1981-08-29 | 1983-03-05 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| NL8301629A (nl) * | 1983-05-09 | 1984-12-03 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting. |
| JPH061829B2 (ja) * | 1983-08-11 | 1994-01-05 | 日本電気株式会社 | 二次元ｃｃｄイメージセンサ |
| JPS62126667A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
| US4805026A (en) * | 1986-02-18 | 1989-02-14 | Nec Corporation | Method for driving a CCD area image sensor in a non-interlace scanning and a structure of the CCD area image sensor for driving in the same method |
| JPS6318665A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPS63177460A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-21 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| EP0277016B1 (en) * | 1987-01-29 | 1998-04-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus |
| US5111263A (en) * | 1991-02-08 | 1992-05-05 | Eastman Kodak Company | Charge-coupled device (CCD) image sensor operable in either interlace or non-interlace mode |
-
1990
- 1990-07-19 JP JP2191282A patent/JPH0828497B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-07-16 KR KR1019910012188A patent/KR950001762B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-07-18 US US07/732,093 patent/US5313081A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920003538A (ko) | 1992-02-29 |
| KR950001762B1 (ko) | 1995-02-28 |
| US5313081A (en) | 1994-05-17 |
| JPH0476952A (ja) | 1992-03-11 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |