JPH0436469B2 - - Google Patents

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JPH0436469B2
JPH0436469B2 JP57071613A JP7161382A JPH0436469B2 JP H0436469 B2 JPH0436469 B2 JP H0436469B2 JP 57071613 A JP57071613 A JP 57071613A JP 7161382 A JP7161382 A JP 7161382A JP H0436469 B2 JPH0436469 B2 JP H0436469B2
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Pendoruton Joan
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Fairchild Camera and Instrument Corp
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14825—Linear CCD imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
    • H01L29/1062—Channel region of field-effect devices of charge coupled devices

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  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路に関するものであつて、更に
詳細には、電荷結合型リニア画像装置に適応可能
な電荷転送装置に関するものである。
電荷結合装置は集積化した電子装置の１つのタ
イプとして広く知られており、且つ市販のリニア
（直線型）画像装置、面画像装置、及びメモリ装
置の１部として広く使用されている。従来の典型
的なリニア画像装置に於いては、１組の光画素が
入射光条件又はその他の刺激源に応答して電荷を
蓄積する。このようにして蓄積された電荷は、光
画素から電荷転送レジスタのウエル内に転送さ
れ、蓄積された電荷はセンス増幅器又はその他の
装置に転送されて検知又は使用される。多くの市
販されているリニア画像装置に於いては、光画素
からの電荷は、直線的に配設された光画素に隣接
しそれと平行して設けられた電荷転送レジスタの
１つおきのウエル内にクロツク動作されて導入さ
れる。この場合に、光画素に隣接する全ての電荷
転送ウエル内に電荷を導入させることは不可能で
ある。何故ならば、何れかの電荷パケツトが隣接
する転送ウエルに移動した場合には、その電荷パ
ケツトはその隣接するウエル内に既に存在する電
荷と混合されて、両方のウエル内の情報内容を破
壊する事となる。
全てのウエルを使用することを可能とする公知
の１技術に於いては、電荷転送レジスタに於いて
リプルクロツク動作を使用する事である。リプル
クロツク動作を使用する場合には、第１ウエル内
に存在する電荷パケツトは隣接する空のウエルに
転送され、次いで第２のウエル内の電荷パケツト
を現在空の状態になつている第１ウエルに転送
し、第３ウエルからの電荷パケツトを現在空の状
態になつている第２ウエルに転送し、以下同様の
動作が続けられる。しかしながら、この様なリプ
ルクロツク動作を発生させることは困難であり、
且つ正確に制御する事が困難であつて、そのこと
は特に長いレジスタの場合に言えることであり、
且つ長尺のリニア電荷転送レジスタを空にするの
に比較的長時間を必要とする。例えば、5000個の
ウエルを有する電荷転送装置であつて、その第１
ウエルが空であるとした場合に、貯蔵されている
全ての電荷をそれぞれのウエルから隣接するウエ
ルへ進めるのに5000クロツクサイクルを必要とす
る。この場合に、付加的な空のウエルを転送レジ
スタの全体に渡つて周期的に分布させたとして
も、なお多数のクロツクサイクルを必要とする。
従つて、高速度を必要とする場合には、この様な
遅いクロツク動作は不向きである。
従つて、従来の典型的なリニア画像装置に於い
ては、光画素からの電荷は１つおきごとの転送ウ
エル内にのみ転送されるものである。この様な構
成に於いては、空のウエルが電荷を貯蔵している
各対のウエルを離隔させている。２個のクロツク
サイクル（２相電荷結合装置に於いて）のみを使
用して、各ウエル内の電荷は１つのウエルからそ
の隣接する空のウエルに進行される。従つて、空
のウエルが常に電荷パケツトを貯蔵する為に使用
されている各ウエルを離隔させるので、ウエル内
の内容は互いに混合する事がなく、従つて電荷パ
ケツトによつて表わされる情報の独立性が維持さ
れる。ゆえに、5000ユニツトの長さを有するリニ
ア画像装置に於いては、5000クロツクサイクルの
周期で装置内の全てのウエルが空にされる。
１つおきごとの電荷転送ウエルのみを使用する
従来装置の本質的な欠点としては、リニア画像装
置の解像度が低下されるということである。例え
ば、電荷転送レジスタ内のウエルが高々13μm離
して製造可能であるという場合に、電荷転送ウエ
ルの所定のレジスタへ電荷を転送させる光画素は
互いに26μm離隔して設けられなければならない
ことになる。電荷が転送されてくる光画素は
26μm離隔されているので画像装置の解像度は減
少されることとなる。この様な欠点を解消し、且
つリニア画像装置の解像度を倍加させるとともに
同一速度で動作させることを可能とした装置は従
来存在しない。
しかしながら、リニア画像センサに関連して電
荷転送ウエルを蛇行型配置とした従来技術が、
“曲がりくねつたチヤンネルCCDリニア画像セン
サ（Ａ Meander Channel CCD Linear Image
Sensor）”、H.セイ等著、IEEEジヤーナル・オ
ブ・ソリツドステート・サーキツツ、Sc−13巻、
No.１、1978年２月版、66乃至70p.に記載されてい
る。この文献に於いては、ここで第５図に例示し
た構造について記載されている。しかしながら、
この構造は電荷結合装置の単位長さ当たりの電荷
転送ウエルの数を何等実質的に増加させることを
可能とする物ではない。
本発明は以上の点に鑑み成されたものであつ
て、シーケンシヤルな電荷転送ウエルを蛇行型パ
ターンに配設した電荷転送装置を提供する事を目
的とするものである。
本発明の１特徴によれば、電荷転送装置に於い
て、第１組の電荷転送ウエルを連続的に配設して
あり、前記第１の組に於ける１つおきごとのウエ
ルは第１の電気的に制御可能なバリヤ手段によつ
てその後に設けられたウエルから分離されるとと
もにチヤンネルストツプ手段によつてその前に設
けられているウエルから分離され、第２組の電荷
転送ウエルが連続的に配設されるとともに前記第
１の組と隣接し且つ第２の電気的に制御可能なバ
リヤ手段によつて前記第１の組から分離されて設
けられており、前記第２の組における１つおきご
とのウエルは前記チヤンネルストツプ手段によつ
てその後のウエルから分離されるとともに前記第
１の電気的に制御可能なバリヤ手段によつてその
前に設けられているウエルから分離される構成を
有するものである。
以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実
施の態様について詳細に説明する。本発明電荷転
送装置１０の好適実施例の平面図を第１図に示し
てある。電荷転送装置１０は、１組の光画素
（photosite）１５と、それと関連する転送ゲート
１８及びチヤンネルストツプ２１とを有するリニ
ア画像装置２０とともに示してある。本発明の電
荷転送装置１０は、典型的に、図示したようなリ
ニア画像装置とともに使用されるものである。も
ちろん、その他の適用も可能であり、例えば、信
号処理に使用する事も可能であり、又はシフトレ
ジスタとして使用する事も可能である。
電荷転送装置１０は第１の組の電荷転送ウエル
３０と、第２の組の電荷転送ウエル４０と、各複
数個の電気的に制御可能なバリヤ５０及び６０と
を有している。第１組の電荷転送ウエル３０内に
於ける個々のウエルは３０ａ，３０ｂ等で示して
あり、第２の組４０内に於ける個々のウエルは４
０ａ，４０ｂ等で示してある。個々のチヤンネル
ストツプは２１ａ，２１ｂ等で示してあり、個々
のバリヤは５０ａ，５０ｂ等、及び６０ａ，６０
ｂ等で示してある。端部に存在するウエルを除い
て、第１組の電荷転送ウエル３０内に於ける１つ
おきごとのウエルは複数個の第１の電気的に制御
可能なバリヤ５０の１つによつてその後続のウエ
ルから離隔乃至は分離されており、且つ複数個の
チヤンネルストツプ２１の１つによつてその先行
するウエルから離隔乃至は分離されている。例え
ば、ウエル３０ｂは、電気的に制御可能なバリヤ
５０ｃによつてウエル３０ｃから離隔されてい
る。ウエル３０ｂはチヤンネルストツプ２１ｂに
よつてウエル３０ａから離隔されている。次ぎの
１つおきのウエル３０ｄについても同様の離隔配
置がなされている。通常の印加される電圧状態に
於いては、チヤンネルストツプ２１の一端側から
他端側へ電荷が流れる事はない。しかしながら、
十分大きな正の電圧が上方に存在する電極に印加
された場合にはバリヤ領域５０を介して電荷が移
動する。同様に、第２の組の電荷転送ウエル４０
に於いて、１つおきのウエルは、チヤンネルスト
ツプによつて後続のウエルから離隔されており、
且つ電気的に制御可能なバリヤによつて先行する
ウエルから離隔されている。例えばウエル４０ｂ
はチヤンネルストツプ２１ｄによつてウエル４０
ｃから離隔されており、且つウエル４０ｂは電気
的に制御可能なバリヤ５０ｂによつてウエル４０
ａから離隔されている。又、複数個の第２の電気
的に制御可能なバリヤ６０は、第１組のウエル３
０を第２の組のウエル４０から離隔させている。
第１組３０及び第２組４０に於いて対応するウエ
ル、すなわち同一の縦列に存在するウエルは、チ
ヤンネルストツプ２１とバリヤ５０をそれぞれ反
対側に有している。例えば、バリヤ５０ｃはウエ
ル３０ｃの左側に存在しているが、バリヤ５０ｄ
は対応するウエル４０ｃの右側に存在している。
第１図に於いては、参照番号とともに、各ウエ
ル３０又は４０及び各電気的に制御可能なバリヤ
５０及び６０はそれに印加されるクロツク信号の
表示を付してある。例えば、ウエル３０ａはφ2
で示してあり、ウエル４０ｃはφ1、バリヤ６０
ａはφ1、又バリヤ５０ｃはφ2で示してある。ク
ロツク信号の動作に付いては、第３図及び第４図
に参考に説明する。大略、第１図に示した電荷転
送装置１０は２つのモードの何れかのモードで動
作する。第１のモードに於いては、転送ゲート１
８は低電位に維持されて、光画素１５から第１組
の電荷転送ウエル３０への電荷の転送を阻止す
る。この動作モードに於いて、本電荷転送装置は
基本的にシフトレジスタとして機能する。この様
な動作に於いて、電荷パケツトが装置１０の左側
端に存在する他のウエル（不図示）から本装置１
０内に進入する。例えば、第１図に於いて、“電
荷入”を付した矢印で示した箇所から電荷パケツ
トが進入する。次いで、その電荷パケツトは矢印
で示した如く装置１０に沿つて蛇行型にシフト動
作され、ウエル３０ｄから所望の外部回路又は付
加的なウエルへ流出される。この動作モードに於
いて、電荷は、ウエル３０ａからウエル４０ａへ
更にウエル４０ｂ、ウエル３０ｂ、ウエル３０
ｃ、ウエル４０ｃ、ウエル４０ｂ、ウエル３０ｄ
を通つてシーケンシヤルに転送され、そこから流
出される。後述する如く、ウエルからウエルへの
電荷の転送は、第１図に示したバリヤ及びウエル
に印加されるクロツク信号φ1及びφ2によつて行
なわれる。
第２の動作モードに於いて、本電荷転送装置１
０は、リニア画像装置２０から電荷パケツトを受
け取る。このモードに於いて、転送ゲート１８の
電位が増加されると、リニア画像装置２０の全て
の電荷パケツトが空にされる。第４ａ図及び第４
ｂ図に関連して後述する如く、一層高い電位を与
える事によつて光画素１５から第１組の電荷転送
ウエル３０への電荷の流れを起こさせる。次い
で、転送ゲート１８が低電位に復帰され、最初に
光画素１５内に蓄積された電荷パケツトが転送装
置１０内にストア（貯蔵）される。クロツクφ2
を低状態とし、クロツクφ1を高状態に保持する
事によつて、第１組内のφ2ウエルからの電荷が
第２組のφ1ウエル内への移動する。従つて、こ
の時点に於いて、第１組３０及び第２組４０の
各々に於けるφ1ウエルのみでその全てのウエル
に電荷がストアされる。従つて、転送装置１０か
ら電荷をシフト動作させて補助増幅器又はその他
の装置に送り出すことが可能である。
第２図は第１図に示した構造の断面を示してい
る。第２図に示した如く、好適実施形態に於いて
は、本発明の電荷転送装置１０を公知の半導体技
術を使用してシリコン基板７０内に形成する。本
明細書に於いて、基板という用語は、その導電型
にかかわらずバリヤ及びチヤンネルストツプが形
成される物質７０の事を意味する。基板７０の上
表面にゲート酸化物層７１を形成し、次いで二酸
化シリコン層７２を形成する。次いで、イオン注
入によつて基板７０内に砒素又はその他のＮ導電
型ドーパントを導入し、図示した如く、上部Ｎ型
領域７５を画定する。例えば、イオン注入技術を
使用して、基板７０をボロンで軽くドープする事
によつてバリヤ領域５０ｂ及び５０ｄを形成する
事が可能である。このＰ導電型ボロンは、Ｎドー
パントの幾つかを補償し、従つてこれらのバリヤ
領域はウエルよりもＮ型のドーピングの度合が弱
いものとされる。次いで、チヤンネルストツプ２
１を設けるべき基板の箇所に一層強くボロンでド
ーピンングを行なう。公知の集積回路製造技術を
使用して、通常、ポリシリコンによつて、ウエル
３０及び４０に対する電極Wφ1及びWφ2を形成
する。絶縁物質層７３を形成し、適当にパターン
形成してウエル電極Wφ1及びWφ2を爾後に形成
されるバリヤ電極Bφ2（これも通常ポリシリコン
で形成される）から電気的に分離させる。所望に
より、第２図に示した如く、電荷転送装置の上表
面に公知のパツシベーシヨン物質層７４を付加的
に付着形成させることが可能である。
第３ａ図、第３ｂ図及び第３ｃ図は、第１図に
示した構造に印加されるクロツク信号を示したタ
イミング線図である。第３ａ図は、典型的な転送
ゲートクロツク信号φxを示している。クロツク
信号φxを印加する事により、光画素１５内に蓄
積された電荷を第１組の電荷転送ウエル３０内に
転送させることが可能である。第３ｂ図及び第３
ｃ図は、ウエル３０及び４０とバリヤ５０及び６
０とに印加されるクロツク信号φ1及びφ2を示し
ている。クロツク信号φ1及びφ2は、ポリシリコ
ン電極と共に従来の２相技術を使用して図示した
装置に印加される。図示した如く、クロツクφ1
が低の場合には、クロツクφ2が高であり、又そ
の逆も真である。このように、第１図に於いて矢
印で示した如く、電荷転送装置１０に沿つて電荷
がシーケンシヤルにシフト動作される。
第４ａ図乃至第４ｃ図は、光画素１５に蓄積さ
れた電荷パケツトQ1が転送ゲート１８によつて
光画素１５から転送される状態を図示している。
第４ａ図に於いて、電荷パケツトQ1は光画素１
５内に蓄積されている。クロツク信号φxが低電
位の場合には、電荷Q1は光画素１５から電荷転
送装置１０内に流入することが阻止される。クロ
ツク信号φ1及びφ2を受ける電極を図示してある。
第４ｂ図に於いて、転送ゲートφxの電位が、
クロツク信号φ1の電位と共に増加されている。
このように、電荷パケツトQ1は、下降して、ク
ロツク信号φ1高状態を有する隣接した電極の下
方に移動する。同様な方法で、この光画素に隣接
するφ2ウエル内に電荷が流入する（不図示）。φ1
及びφ2の間のバリヤは、電荷パケツトQ1が更に
移動する事を阻止する。
次いで、第４ｃ図に示した如く、転送ゲート１
８上のクロツク信号が減少され、新しく電荷パケ
ツトQ2が蓄積され始める。次いで、クロツク信
号φ1が高状態のままで、クロツク信号φ2が低状
態となり、電荷パケツトQ1がクロツク信号φ1が
印加されている電荷の下方に転送される。その
後、クロツク信号φ1及びφ2は、第３ｂ図及び第
３ｃ図に示した如く、上昇および低下されて、電
荷転送装置１０を横切つて電荷パケツトQ1を移
動させる。
低周波数に適用する場合には、例えば2.5メガ
ヘルツで動作するクロツクの場合には、クロツク
φxの状態に関係なくクロツク信号φ1及びφ2は一
様なサイクルで動作させることが可能である。こ
の様な一様なサイクルは、第３ｂ図及び第３ｃ図
の右側部分に示してある。
以上の説明から明らかな如く、本発明のパター
ンによれば、従来のリニア画像装置と比べて与え
られた長さに於いて２倍の数のウエルを設ける事
が可能である。従つて、本発明を使用したリニア
画像装置の解像度は、同一の水平方向のウエル間
隔を使用して製造された従来のリニア画像装置の
ものと比べて２倍向上されている。従つて、本発
明は、設計レイアウト基準を改善したりアライメ
ント公差を必要とすることなしに解像度を２倍に
向上させ且つ操作速度に悪影響を与えることのな
い構成を提供するものである。また、本電荷転送
レジスタに於いては２相のクロツク方式が必要と
されるにすぎない。
以上、本発明の具体的構成について詳細に説明
したが、本発明はこれら具体的に限定されるべき
ものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱するこ
となしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。例えば、本発明の蛇行型電荷転送装置を制御
する為に他のクロツク方式を使用することも可能
である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に基づいて構成された電荷転送
装置の平面を示した説明図、第２図は第１図に示
した構成の断面図、第３ａ図は第１図に示した光
画素を空にする為のクロツク信号を示したタイミ
ング線図、第３ｂ図は第１図に示したバリヤ及び
ウエルに印加されるクロツク信号φ1に示したタ
イミング線図、第３ｃ図は第１図に示したバリヤ
及びウエルに印加されるクロツク信号φ1を示し
たタイミング線図、第４図は第１図の１部を示し
た断面図、第４ａ図は転送ゲートの電位を低状態
に維持した状態で光画素内に電荷を蓄積する状態
を示した説明図、第４ｂ図は転送ゲートの電位を
増加させて光画素からの電荷の転送状態を示した
説明図、第４ｃ図はφ1電極の下方からφ1電極の
下方へ電荷を転送する状態を示した説明図、第５
図は従来技術の曲がりくねつたチヤンネルの
CCD構成を示した説明図、である。 （符号の説明）、１０：電荷転送装置、１５：
光画素、１８：転送ゲート、２０：リニア画像装
置、２１：チヤンネルストツプ、３０：第１組の
電荷転送ウエル、４０：第２組の電荷転送ウエ
ル、５０，６０：電気的に制御可能なバリヤ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 電荷転送装置において、第１の組の電荷転送
    ウエルが各光画素手段に対応して１個づつ連続的
    に配設されており、この第１の組における１つお
    きのウエルは第１の電気的に制御可能なバリヤ手
    段によつてその後にあるウエルから離隔されてお
    り且つチヤンネルストツプ手段によつてその前に
    あるウエルから離隔されており、第２の組の電荷
    転送ウエルが連続的に配設されると共に前記第１
    の組のウエルと隣接し且つ第２の電気的に制御可
    能なバリヤ手段によつて前記第１の組のウエルか
    ら離隔して設けられており、前記第２の組におけ
    る１つおきのウエルは前記チヤンネルストツプ手
    段によつてその後のウエルから離隔されると共
    に、前記第１の電気的に制御可能なバリヤ手段に
    よつてその前のウエルから離隔されており、第１
    のクロツク信号が前記第１の組及び前記第２の組
    の電荷転送ウエルの各々の組の１つおきのウエル
    を制御すると共に前記第２の電気的に制御可能な
    バリヤ手段を制御し、一方前記第１のクロツク信
    号と異なる第２のクロツク信号が前記第１の組及
    び前記第２の組の電荷転送ウエルの各々の組の残
    りのウエルを制御すると共に前記第１の電気的に
    制御可能なバリヤ手段を制御することを特徴とす
    る電荷転送装置。 ２ 特許請求の範囲第１項において、前記第１の
    組と前記第２の組における対応するウエルは互い
    に反対側にチヤンネルストツプ手段を有すること
    を特徴とする電荷転送装置。 ３ 特許請求の範囲第１項又は第２項において、
    前記第１の組及び前記第２の組の各々は同数の電
    荷転送ウエルを有することを特徴とする電荷転送
    装置。 ４ 特許請求の範囲第１項乃至第３項の内のいず
    れか１項において、前記第１の組及び前記第２の
    組の電荷転送ウエルの各ウエルが半導体基板内に
    おける領域を有することを特徴とする電荷転送装
    置。 ５ 特許請求の範囲第４項において、前記チヤン
    ネルストツプ手段と前記第１及び第２の各バリヤ
    手段が不純物を導入した半導体基板の領域を有す
    ることを特徴とする電荷転送装置。 ６ 特許請求の範囲第１項乃至第４項の内のいず
    れか１項において、前記第１の組の電荷転送ウエ
    ルが直線的に配列し電荷転送ウエルで構成される
    ことを特徴とする電荷転送装置。 ７ 特許請求の範囲第１項乃至第６項の内のいず
    れか１項において、前記第２の組の電荷転送ウエ
    ルが、前記第１の組の電荷転送ウエルと平行に直
    線的配列とされた電荷転送ウエルで構成されるこ
    とを特徴とする電荷転送装置。 ８ 特許請求の範囲第１項乃至第７項の内のいず
    れか１項において、入射光に応答して電荷を蓄積
    する複数個の光画素手段が設けられており、前記
    複数個の光画素手段を前記第１組の電荷転送ウエ
    ルから離隔する転送ゲート手段が設けられてお
    り、前記転送ゲート手段に印加される電気信号に
    応答して蓄積された電荷が前記光画素手段から前
    記第１組の電荷転送ウエルに転送されることを特
    徴とする電荷転送装置。 ９ 特許請求の範囲第８項において、前記光画素
    手段が前記第１組の電荷転送ウエルと平行して直
    線的に配列されていることを特徴とする電荷転送
    装置。 １０ 特許請求の範囲第４項乃至第９項の内のい
    ずれか１項において、本電荷転送装置に沿つて転
    送される電荷パケツトが、順次、第１組の第１ウ
    エル、第１複数個の電気的に制御されるバリヤの
    第１バリヤ、前記第２組の第１ウエル、前記第２
    複数個の第１バリヤ、前記第２組の第２ウエル、
    前記第１複数個の第２バリヤ、前記第１組の第２
    ウエル、及び前記第２複数個の第２バリヤを通つ
    て通過するように前記電荷転送ウエル、前記第１
    複数個の電気的に制御されるバリヤ及び前記第２
    複数個の電気的に制御されるバリヤ、及び複数個
    のチヤンネルストツプが配設されていることを特
    徴とする電荷転送装置。 １１ 特許請求の範囲第４項乃至第１０項の内の
    いずれか１項において、前記第１クロツク信号及
    び第２クロツク信号を前記ウエル及びバリヤ手段
    に印加させるための複数個の電極が設けられてい
    ることを特徴とする電荷転送装置。
JP57071613A 1981-04-30 1982-04-30 Zigzag type charge transfer device Granted JPS57197856A (en)

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US06/258,866 US4446473A (en) 1981-04-30 1981-04-30 Serpentine charge transfer device

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JPS57197856A JPS57197856A (en) 1982-12-04
JPH0436469B2 true JPH0436469B2 (ja) 1992-06-16

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EP (1) EP0065438B1 (ja)
JP (1) JPS57197856A (ja)
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DE (1) DE3279820D1 (ja)

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EP0065438B1 (en) 1989-07-12
EP0065438A3 (en) 1984-11-21
JPS57197856A (en) 1982-12-04
DE3279820D1 (en) 1989-08-17
CA1201204A (en) 1986-02-25
US4446473A (en) 1984-05-01
EP0065438A2 (en) 1982-11-24

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