JPH03114236A

JPH03114236A - 電荷転送装置

Info

Publication number: JPH03114236A
Application number: JP1250530A
Authority: JP
Inventors: Hideo Kanbe; 秀夫神戸
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1989-09-28
Filing date: 1989-09-28
Publication date: 1991-05-15
Also published as: EP0420764A2; US5075747A; DE69030227T2; EP0420764B1; EP0420764A3; DE69030227D1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は複数の電荷転送部が並列して配置され、それら
電荷転送部の間で電荷が転送されるような電荷転送装置
に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、並列して配置され不複数の電荷転送部を有す
る電荷転送装置において、互いに転送方向に位置関係が
ずれるように複数の第１．第２蓄積部を対向させるよう
に第１領域、第２領域を形成し、チャンネルストッパー
領域を各蓄積部が電荷転送路以外で分離されるように形
成し、各領域上に形成された各電極とそれぞれ接続する
各転送電極をその電荷転送路上に形成すると共に、電荷
転送部間ではチャンネルストッパー領域を第１゜第２蓄
積部を対応させるように配置して、そのチャンネルスト
ッパー領域に挟まれたチャンネル領域上に転送部間転送
電極を形成し、その転送部間転送電極を制御して転送部
間の転送を行う時だけ上記チャンネル領域を導通状態に
させることにより、電荷転送部間の転送効率を高め、高
解像度化を図った場合でも十分に電荷を転送できるよう
にしたものである。

〔従来の技術〕

ＣＯＤイメージ中等の固体撮像装置においては、通常、
マトリクス状に配列される受光領域を有し、その受光領
域で発生した信号電荷は垂直レジスタを介し、１ライン
毎に水平レジスタに転送され、その水平レジスフから出
力部を介して出力信号が得られるようになっている。

ところで、最近の映像技術の発達に伴い、モニター画面
の高画質化やノンインターレース化等が進められており
、ＣＯＤイメージヤでは、水平方向の受光領域の数を増
大させて水平解像度を高くすることや、全画素読み出し
方式等が検討されている。

例えば、全画素読み出し方式で読み出しを行う場合では
、水平レジスタを１本で構成すると、通常のインターレ
ース方式の２倍のクロック周波数で水平レジスタを駆動
しなければならず、その転送を良好に行うことができな
い。

そこで、水平レジスタを２本や３本の複数にする技術が
あり、水平レジスタの本数を多くすることで、駆動用の
クロック周波数を低減することが可能となる。

〔発明が解決しようとする課題〕

一般に、水平レジスタは、転送方向に垂直な転送電極を
ゲート絶縁膜上に多数並べて構成されている。

ところが、このような構造の水平レジスタを有するＣＯ
Ｄイメージ十の水平解像度を高くした時では、水平方向
のピッチが狭くなり、水平レジスタ上の転送電極も水平
方向に短く、垂直方向に長いパターンに形成される。そ
して、水平レジスタ間の転送は、その長いパターンの方
向である垂直方向に行われることから、垂直方向にフリ
ンジング電界がつきにくくなる。このために水平レジス
タ間の転送を効率良く行うことができない。

本願に先行する技術として、特開昭５９−７８５７２号
公報に記載されるように、電荷転送通路をジグザクパタ
ーンにした所謂ミアンダチャンネル型のＣＣＤが知られ
る。このミアンダチャンネル型のＣＯＤは、水平解像度
の高解像度化に対して、１ビット分のピッチ幅を広く採
ることができるが、水平レジスタ間の転送の効率につい
ては、何ら問題点として挙げられていない。

そこで、本発明は、上述の技術的な課題に鑑み、水平レ
ジスタ等の電荷転送部間の転送効率を高くし、水平解像
度の高解像度化にも対応し得る電荷転送装置の提供を目
的とする。

〔課題を解決するための手段゛〕

上述の目的を達成する本発明の電荷転送装置は、並列し
て配置される複数の電荷転送部を有している。電荷転送
装置はフォトセンサー等の受光のための領域を有する固
体撮像装置であっても良く、その受光のための領域はラ
イン状、エリア状であることを問わない。

上記各電荷転送部は、複数の第１蓄積部が電荷の転送方
向に配列された第１　ｊＮ域と、該第１領域と対向し上
記第１蓄積部と互いに上記転送方向に関してずれた位置
関係の複数の第２蓄積部が上記転送方向に沿って配列さ
れた第２ｗｉ域と、上記第１及び第２蓄積部の各々を互
いに分離すると共に上記第１及び第２蓄積部の間に電荷
転送路となる欠除部を有したチャンネルストッパー領域
とを有している。そして、上記第１１ｉｊｌ域及び第２
ｗｉ域上には各々絶縁膜を介して第１電極及び第２電極
が設けられ、それら第１電極及び第２電極と電気的に接
続された第１及び第２転送電極が上記第１及び第２蓄積
部間の上記欠除部上に各々絶縁膜を介して配設されてい
る。

次に、並列した上記電荷転送部の間では、一方の上記電
荷転送部の上記第２　ｆｉｉ域の１つの上記第２蓄積部
が他方の上記電荷転送部の上記第１　？＋ｉ域の１つの
上記第１蓄積部に対応するように上記チャンネルストッ
パー領域が延在され、そのチャンネルストッパー領域に
挟まれた上記電荷転送部の間のチャンネル領域上には、
転送部間転送電極が形成される。

このような構造を有する本発明の電荷転送装置において
、各電荷転送部での電荷の転送を行う場合には、上記転
送部間転送電極の下部の上記チャンネル領域が遮断状態
とされ、且つ上記第１．第２領域が交互に深いポテンシ
ャルとなるように転送信号が与えられる。また、電荷転
送部間で電荷の転送を行う場合には、上記転送部間転送
電極の下部の上記チャンネル領域が導通状態となるよう
に信号が与えられる。

〔作用〕

各電荷転送部は、電荷転送路以外で分断された第１領域
と第２ｆｉＪＩ域からなり、各領域のそれぞれ蓄積部は
チャンネルストッパー領域で分離されると共に転送方向
に関して互いにずれた位置関係であるために、第１．第
２領域が交互に深いポテンシャルとなるように転送信号
が与えられることで、電荷が電荷転送部中をミアンダ状
に転送されて行く、上記転送信号は、第１電極、第２電
極に与えれるが、第１電極、第２電極は各々第１転送電
極。

第２転送電極に電気的に接続することから、欠除部にお
いても電荷が転送され、その欠除部は電荷転送路となる
。

このような電荷転送部内の転送動作を行うのみならず、
本発明の電荷転送装置は、並列した電荷転送部間で、各
蓄積部がチャンネルス）７バー領域によって一対一に対
応し、その間にトランスファーゲートとしての転送部間
転送電極が形成されている。このため転送部間転送電極
に信号を与えて、転送部間転送電極の下部のチャンネル
領域を導通状態にすることで、電荷転送部間の転送が可
能となる。

ここで、第１ｖＩＩ域と第２領域は対向して配置される
ことから、第１電極と第２電極も対向して配置され、水
平解像度等のビット数とこれら電極のパターンが関係な
くなって、ピント数に応じて蓄積部の数を増加させれば
良くなる。さらに、転送電極間のチャンネルストッパー
領域は、単に蓄積部の一対一の対応を図れば良いために
、細い形状で十分であり、従って、チャンネル領域を幅
広く採ることが可能となって、転送効率を向上させるこ
とが実現される。

〔実施例〕

本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明する。

本実施例は、インターライン転送型のＣＣＤの例であり
、並列する複数の電荷転送部として２本の水平レジスタ
が形成される例である。

いま第３図を参照して、その全体の構成について簡単に
説明する。本実施例のＣＣＤ１は、並列した２本の水平
レジスタ２．３を有しており、これら水平レジスタ２．
３の終端部には、それぞれ出力部６，６が設けられてい
る。水平レジスタ２の水平レジスタ３の反対側の側部に
は、マトリクス状に配列された受光部４が設けられてお
り、その垂直列毎に受光部４に隣接して垂直レジスタ５
が設けられている。この構成のＣＣＤＩは、各受光部４
で、入射した光が光電変換されて信号電荷とされ、その
信号電荷が垂直レジスタ５に転送される。その垂直レジ
スタ５からは、−水平ライン毎に、水平レジスタ２，３
に信号電荷が転送され、二本の水平レジスタ２．３の出
力部６．６から出力信号が取り出される。

このような構成のＣＧＤ　Ｉの二本の水平レジスタ２，
３の平面形状を第１図に示し、第１図の■−■線断面を
第２図に示す。

第１図及び第２図に示すように、水平レジスタ２は、そ
の水平方向（図中Ｈ方向）を長平方向とするそれぞれ線
幅Ｗの直線状の第１電極１１と第２電極１２を有してい
る。これら第１電極１１と第２電極１２は、第１層目の
ポリシリコン層をパターニングして形成され、第１電極
１１と第２電極１２の間は寸法Ｓだけ離間されている。

この第１電極１１の下部には、シリコン酸化膜３１を介
してｐ型のシリコン基板３０が存在し、その第１電極１
１の下部のｐ型のシリコン基板３０の表面には、第１領
域としてのｎ゛型の不純物領域３２とされている。第２
電極１２の下部のシリコン基板３０の表面にも同様に、
シリコン酸化膜３１を介して第２ｆＩＩ域としてのｎ３
型の不純物領域３３が形成されている。シリコン酸化膜
３１はゲート酸化膜として機能する。

第゛１電極１１の下部のｎ゛型の不純物領域３２は、チ
ャンネルストッパー領域１６によりＨ方向に各ビット毎
に区切られている。チャンネルストッパー領域１６は、
シリコン基板３０の表面に形成されたｐ゛型の不純物領
域からなり、複数のそれぞれＶ方向を長平方向とする細
い線状のパターンとされる。このチャンネルストッパー
領域１６は、垂直レジスタのチャンネルストッパー領域
と連続し第２電極１２に至るところで終端している。

チャンネルストッパー領域１６の各パターン間の距離１
０は、垂直レジスタのピッチに等しく、各ビットで同じ
間隔！。とされる、このようにチャンネルストッパー領
域１６により区切られたｎ４型の不純物領域３２は、Ｈ
方向に並んだ複数の第■蓄積部とされる。

第２電極１２の下部のｎ“型の不純物領域３３は、チャ
ンネルストッパー領域２２によりＨ方向に各ビット毎に
区切られている。チャンネルストッパー領Ｍ２２は、チ
ャンネルストッパー５Ｉ３ｊｌｆ１６と同様に、シリコ
ン基板３０の表面に形成されたｐ゛型の不純物領域から
なり、複数のそれぞれＶ方向を長平方向とする細い線状
のパターンとされる。このチャンネルストッパー領域２
２は、チャンネルストッパー領域１６と、電荷の転送方
向であるＨ方向に半ビット分、すなわちＨ方向に距離１
０／２だけずれた位置関係となっている。このチャンネ
ルストッパー領域２２は、■方向で第１電極１１の側部
から始まり、後述するように水平レジスタ３の第２電極
１４の側部で終端するパターンとなっている。チャンネ
ルストッパー領域２２の各パターン間の距離！、も各ビ
ットで等間隔とされる。このようにチャンネルストッパ
ー領域２２により区切られたｎ４型の不純物領域３３は
、Ｈ方向に並んだ複数の第２蓄積部とされ、この第２蓄
積部と第１蓄積部は半ビット分だけＨ方向にずれて対向
している。

このような第１電極１１と第２電極１２の間の領域は、
チャンネルストッパー領域の欠除部とされ、電荷転送路
として機能する。すなわち、この電極１１．１２間の間
隔Ｓの領域は、半ビットの間隔でチャンネルストッパー
領域１６とチャンネルストッパー領域２２が交互にＶ方
向に延在されており、各チャンネルストッパー領域Ｉ６
とチャンネルストッパー領域２２の間を隙間無く覆うよ
うに、第１転送電極１８と第２転送電極１９が交互に形
成されている。これら第１転送電極１８及び第２転送電
極１９は第２層目のポリシリコン層からなり、それぞれ
矩形状のパターンを有している。第１転送電極１８は、
第１層目のポリシリコン層と第２層目のポリシリコン層
の眉間の酸化膜３９に形成されたコンタクトホール１７
を介し、第１電極１１に接続される。第２転送電極１９
は同じく酸化膜３９に形成されたコンタクトホール１７
を介して第２電極１２に接続される。第１転送電極１８
のＶ方向の端部は第２電極１２上に重なり、第２転送電
極１９の■方向の端部は第１電極１１上に重なる。第１
転送電極１８．第２転送電極１９の下部には、シリコン
酸化膜３１を介してｎ−型の不純物領域３４が形成され
る。従って、第１転送電極１８．第２転送電掻１９の下
部は、電荷転送部のトランスファ一部として機能し、第
１転送電極１８の下部のポテンシャルは第１蓄積部と連
動し、第２転送電掻１９の下部のポテンシャルは第２蓄
積部と連動する。なお、第１電極１１と第２を極１２の
間の領域におけるチャンネルストッパー領域は、第２層
目のポリシリコン層を形成した後に、セルファラインで
形成することが可能である。

次に、水平レジスタ３は、水平レジスタ２と略同様の構
造を有している。すなわち、第１層目のポリシリコン層
をパターニングした図中Ｈ方向を長手方向とするそれぞ
れ線幅Ｗの直線状の第１電極１３と第２電極１３を有し
ており、第１電極１３と第２電極１４の間も寸法Ｓだけ
離間されている。この第１電極１３の下部には、ｐ型の
シリコン基板３０の表面に形成される第１　ｅｌｌ域と
してのｎ０型の不純物領域３５が存在する。第２電極１
４の下部のシリコン基板３０の表面にも同様に、シリコ
ン酸化膜３１を介して第２領域としてのｎ゛型の不純物
領域３６が形成されている。

第１電極１３の下部のｎ゛型の不純物領域′３５第２電
極１４の下部のｎ゛型の不純物領域３６は、それぞれチ
ャンネルストッパー領域２２．チャンネルストッパー領
域２３によりＨ方向に各ピント毎に区切られている。チ
ャンネルストッパー領域２２．２３は、シリコン基板３
０の表面に形成されたｐ゛型の不純物領域からなり、複
数のそれぞれＶ方向を長手方向とする細い線状のパター
ンとされる。また、各チャンネルストッパー領域２２゜
２３のＨ方向のピッチは各ビットで同じ間隔１０とされ
る。チャンネルストッパー領域２２は、前述のように、
■方向で水平レジスタ２の第１電極１１の側部から水平
レジスタ３の第２電極１４の側部まで延在されている。

また、チャンネルストッパー９Ｉ域２３は、第１電極１
３の側部から始まって第２を極１４の外側の素子分Ｍ９
Ｍ域２４に連続している。このチャンネルストッパー領
域２２は、チャンネルストッパー領域２３と、電荷の転
送方向であるＨ方向に距離１．／２だけずれた位置関係
となっている。従って、ｎ゛型の不純物領域３５．３６
は、それぞれチャンネルストンバー領域２２．２３に区
切られて第１蓄積部、第２蓄積部を形成しているが、水
平レジスタ２の場合と同様に、これら第１蓄積部と第２
蓄積部は半ピント分だけＨ方向にずれて対向することに
なる。

水平レジスタ３の第１電極１３と第２電極１４の間の領
域も、水平レジスタ２の場合と同じように構成される。

すなわち、これら電極１１．１２間の間隔Ｓの領域は、
半ビットの間隔でチャンネルストツバ−ｆＪＨｄｆ２２
とチャンネルストッパー領域２３が交互にＶ方向に延在
され、そのチャンネルストッパー領域の欠除部が電荷転
送路となる。

この電荷転送路となる各チャンネルストッパー領域２２
．２３の間を隙間無く覆うように、矩形状のパターンの
第２層目のポリシリコン層からなる第１転送電８ｉ２０
と第２転送電極２１が交互に形成される。第１転送電極
２０は眉間の酸化膜３９に形成されたコンタクトホール
１７を介して第１電極１３に接続され、第２転送電極２
１は同じく眉間の酸化膜３９に形成されたコンタクトホ
ール１７を介して第２電極１４に接続される。第１転送
電極２０のＶ方向の端部は第２電極１４上に重なり、第
２転送電極２１のＶ方向の端部は第１電極１３上に重な
る。第１転送電極２０．第２転送電極２１の下部には、
シリコン酸化膜３１を介してｎ−型の不純物領域３７が
形成される。第１転送電極２０．第２転送電極２１．ｎ
−型の不純物領域３７の機能は、それぞれ第１転送電極
１８第２転送電極１９．ｎ−型の不純物領域３４と同様
であり、Ｈ方向の電荷転送の際にｎ−型の不純物領域３
７がストレージ部として機能する。なお、第１電極１３
と第２電極１４の間の領域におけるチャンネルストッパ
ー領域も同様に第２Ｎ目のポリシリコン層を形成した後
に、セルファラインで形成することが可能である。

次に、水平レジスタ２と水平レジスタ３の間の電荷転送
部間の幅Ｉｎの領域については、転送部間転送電極であ
るトランスファーゲート１５が形成される。このトラン
スファーゲート１５は、第２層目のポリシリコン層から
なり、Ｈ方向を長手方向として形成される。このトラン
スファーゲート１５のＶ方向の端部は水平レジスタ２の
第２電極１２と水平レジスタ３の第１電極１３に層間絶
縁層である酸化膜３９を介して重なっている。そのトラ
ン不ファーゲート１５の下部の幅Ｉｎの領域では、前述
のように、Ｈ方向に間隔１０でチャンネルストッパー領
域２２が複数形成され、各チャンネルストッパー領域２
２はそれぞれ幅Ｉｎを横断するように形成されている。

一対のチャンネルストッパー領域２２に挟まれた領域が
、ｎ−型の不純物領域からなるチャンネル領域３８であ
って、水平レジスタ間の転送を行う時の電荷転送路とな
る。このようにチャンネルストッパー領域２２が設けら
れる結果、水平レジスタ２の１つの第２蓄積部が水平レ
ジスタ３の１つの第１蓄積部に、トランスファーゲート
１５の下部のチャンネル領域３８を介して対応する。

このような構造を有する水平レジスタ２，３は、Ｈ方向
の電荷転送が行なえると共にＶ方向の転送すなわち水平
レジスタ２から水平レジスタ３への電荷転送が可能とさ
れる。

そこで、まず第４図及び第６図を参照して、本実施例の
ＣＣＤ　１の水平レジスタ２，３の間の垂直転送につい
て説明する。

まず、第６図の時刻ｔ、で、水平レジスタ２の第１電極
１１に供給される信号Ｈ１Φ、が高レベルとされ、垂直
レジスタ５から水平レジスタ２の第１領域への信号電荷
が行われる。すなわち、受光部４で光電変換により発生
した信号電荷は、垂直レジスタ５から各チャンネルスト
ッパー領域１６の間を通って、水平レジスタ２の第１？
ｉ極１１の下部のｎ゛型の不純物領域３２に蓄積される
。

このｎ“型の不純物領域３２は、チャンネルストッパー
領域１６により各ビット毎に区切られており、コンタク
トホール１７を介して電気的に接続するために信号Ｈ１
Φ１が与えられる第１転送電極１８の下部のｎ−型の不
純物領域３４がトランスファ一部とされ、第２転送電極
１９と第２電極１２に供給される信号Ｈ＋　Φ、が時刻
ｔ１で低レベルであるために、信号電荷は第１電極１１
の下部だけに蓄積される。

次に、時刻ｔよで、信号Ｈ３Φ１が低レベルに変化し、
信号Ｈ１Φ２が低レベルから高レベルに変化する。する
と、第１電極１１及び第１転送電槻１８の下部のポテン
シャル井戸が浅（なり、第２電極１２及び第２転送電極
１９の下部のポテンシャル井戸が深くなる。すると、ｎ
型の不純物領域３２に蓄積されていた信号電荷が第２転
送電極１９の下部を介して第２電極１２の下部のｎ゛型
の不純物領域３３に蓄積される。この転送において、第
１転送電極１８の下部は常に第１電極１１の下部よりも
ポテンシャル井戸が浅いために、隣接するビットへの信
号電荷の流失は避けられ、必ず第４図中破線で示す方向
への電荷の転送が行われる。

このように第２電極１２の下部の第２蓄積部に電荷が転
送されたところで、時刻ｔ３でトランスファーゲー）１
５に供給される信号ΦＴＧが低レベルから高レベルに変
化する。この（ｉΦＴＧによりトランスファーゲート１
５の下部のチャンネル領域３日は、導通状態となり、信
号電荷がトランスファーゲート１５の下部まで転送され
る。

次に、時刻ｔ４で、水平レジスタ３の第１電極１３に供
給されている信号Ｈ２Φ１が低レベルから高レベルに変
化する。また同時に水平レジスタ２の第２電極１２に供
給されている信号Ｈ５Φ２が高レベルから低レベルに変
化する。すると、水平レジスタ２の第２電極１２の下部
のｎ３型の不純物領域３３に蓄積されていた電荷が、導
通状態とされているトランスファーゲート１５の下部の
チャンネル領域３８を介して、水平レジスタ３の第１ｉ
ｔ極１３の下部のｎ゛型の不純物領域３５に転送される
。そして、時刻ｔ、でトランスファーゲート１５に供給
されている信号ΦＴＧが低レベルに変化し、チャンネル
領域３８は遮断状態となる。この時、信号電荷は水平レ
ジスタ３の第１電極１３の下部のｎ゛型の不純物領域３
５に蓄積される。

時刻１にでは、水平レジスタ３の第１電極１３に供給さ
れる信号■Ｉ２Φ１が高レベルから再び低レベルにされ
、今度は同じ水平レジスタ３の第２電極１４に供給され
る信号Ｈ８Φ２が低レベルから高レベルに変化する。こ
れらの信号の変化によって、信号電荷は、第１電極１３
の下部のｎ゛型の不純物領域３５から、第２転送電極２
１の下部のｎ−型の不純物領域３７を通過して、第２電
極１４の下部のｎ゛型の不純物領域３６に蓄積される。

このような第６図の時刻ｔ、〜ｔ６における各信号の変
化によって、第４図中、破線で示す経路に沿って■〜■
の順に信号電荷が転送される。

次に、水平転送について、第５図及び第７図を参照しな
がら説明する。

この水平転送時では、第７図に示すように、トランスフ
ァーゲート１５に供給される信号ΦＴＧは、定常的に低
レベルにされる。従って、トランスファーゲート１５の
下部のチャンネル領域３８は遮断状態のままとされ、水
平レジスタ２．３の間での電荷の転送は起こらない。

各水平レジスタ２．３において、第１電極１１゜１３と
、第２電極１２．１４には、それぞれクロック信号が供
給される。水平レジスタ２の第１電極１１に供給される
信号Ｈ１Φ、と第２電極１２に供給される信号Ｈ１Φ２
は相補的なりロック信号であり、水平レジスタ３の第１
電極１３に供給される信号Ｈ２Φ１と第２電極１２に供
給される信号ＨｔΦ２も相補的なりロック信号であって
、周波数は全て同じである。

第７図の時刻ｔ１で、信号Ｈ１Φ１及び信号Ｈ２Φ１が
高レベルになり、信号Ｈ０Φア及び信号Ｈ！Φ８が低レ
ベルになる。すると、水平レジスタ２．３のそれぞれで
、第１転送電極１８．２０の下部のｎ−型の不純物領域
３４．３７を介して第１電極１１．１３の下部の第１蓄
積部とされるｎ゛型の不純物領域３２．３５に電荷が転
送される。

次に、時刻ｔｈで、信号Ｈ１φ１及び信号Ｈ！Φ１が低
レベルになり、信号Ｈ１Φ２及び信号Ｈ２φ２が高レベ
ルになる。すると、第１電極１１゜１３の下部の第１蓄
積部に蓄積されていた信号電荷が、第２転送電極１９．
２１の下部のｎ−型の不純物領域３４．３７を介して第
２電極１２．１４の下部の第２蓄積部とされるｎ°型の
不純物領域３３．３６に電荷が転送される。そして、以
下、時刻ｔａｒ　　ｔｂの動作が繰り返されて、第５図
中破線で示すように、各クロックで半ビットずつ第１蓄
積部と第２蓄積部を交互に転送されてＨ方向に転送され
て行く。

以上のように水平方向の転送と垂直方向の転送の両方が
行われる本実施例のＣＣＤＩは、その垂直方向の水平レ
ジスタ間の転送が、細いチャンネルストッパー領域２２
に区切られて１ピント分の幅１０を有する第２蓄積部か
らトランスファーゲート１５の下部のチャンネル領域３
８を介して第１蓄積部に対して行われる。特にこの水平
レジスタ間の転送の幅１０は、ミアンダ状でない２相の
従来の方式の２倍の幅とされ、また、水平レジスタ２．
３間の転送は、二本骨の電極の幅２Ｗとトランスファー
ゲートの幅ＩｎであるＶ方向に短い幅（２Ｗ＋　Ｉ　ｎ
）だけで行われるため、フリンジング電界をつけ易く橿
めて転送効率が高いものとされる。

また、チャンネルストッパー領域２２等のパターンも細
い直線状のパターンで良いため、チャンネル領域３８を
広い面積にさせることができ、さらに加工にも便利であ
って、微細化を図る場合に有利である。

なお、本実施例では、ＣＯＤイメージヤについて説明し
たが、これに限定されず、本発明は並列した電荷転送部
を有するものについて適用することが可能である。また
、本実施例で水平レジスタを二本にする例を説明したが
、これに限定されず、三本やそれ以上のレジスタを有す
るものであっても良い。

〔発明の効果〕

本発明の電荷転送装置は、各電荷転送部で転送方向にず
れた第１蓄積部と第２蓄積部が対向しチャンネルストッ
パー領域に分離されて配置され、トランスファ一部とし
て機能する領域は、第１領域と第２領域に挟まれた領域
にしか存在しない。

このため各蓄積部は、それぞれ転送方向に１ビット分の
寸法を有するようにすることができ、レジスタ間の転送
の転送路の幅を広く採ることができる。さらに、そのレ
ジスタ間の転送の方向では、第２領域、転送部間転送電
極、第１領域に亘る短い寸法でレジスタ間の転送が進め
られ、複数のレジスタの端部から端部までを転送に用い
るものでないために、フリンジング電界をつけ易く、転
送効率を高めることができる。

また、チャンネルストッパー領域の形状から微細な加工
にも有利であり、特に固体撮像装置等において水平解像
度の向上等を図る場合に好適である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電荷転送装置の一例の要部平面図、第
２図は第１図の■−■線断面図、第３図は上記−例の全
体の構造を示すブロック図、第４図は上記−例における
垂直転送時の電荷の流れ方向を示す平面図、第５図は上
記−例における水平転送時の電荷の流れ方向を示す平面
図、第６図は上記−例における垂直転送時の各信号を示
す波形図、第７図は上記−例における水平転送時の各信
号を示す波形図である。１・・・Ｃ０Ｄ２．３・・・水平レジスタ１１．１３・・・第１電極１２．１４・・・第２電極１５・・・トランスファーゲート１６．２２．２３・・・チャンネルス１８．２０・・・第１転送電極１９．２１・・・第２転送電極トラバー領域３２゜３３゜３５゜３６・・・ｎ゛型の不純物領域３８・・・チャンネル領域

Claims

【特許請求の範囲】並列して配置される複数の電荷転送部を有する電荷転送
装置であって、上記各電荷転送部は、複数の第１蓄積部が電荷の転送方
向に配列された第１領域と、該第１領域と対向し上記第
１蓄積部と互いに上記転送方向に関してずれた位置関係
の複数の第２蓄積部が上記転送方向に沿って配列された
第２領域と、上記第１及び第２蓄積部の各々を互いに分
離すると共に上記第１及び第２蓄積部の間に電荷転送路
となる欠除部を有したチャンネルストッパー領域とを有
し、上記第１領域及び第２領域上には各々絶縁膜を介し
て第１電極及び第２電極が設けられ、それら第１電極及
び第２電極と電気的に接続された第１及び第２転送電極
が上記第１及び第２蓄積部間の上記欠除部上に各々絶縁
膜を介して配設されてなり、並列した上記電荷転送部の間では、一方の上記電荷転送
部の上記第２領域の１つの上記第２蓄積部が他方の上記
電荷転送部の上記第１領域の１つの上記第１蓄積部に対
応するように上記チャンネルストッパー領域が延在され
、そのチャンネルストッパー領域に挟まれた上記電荷転
送部の間のチャンネル領域上には、転送部間転送電極が
形成されてなり、各電荷転送部での電荷の転送を行う場合には、上記転送
部間転送電極の下部の上記チャンネル領域が遮断状態と
され、且つ上記第１、第２領域が交互に深いポテンシャ
ルとなるように転送信号が与えられ、電荷転送部間で電荷の転送を行う場合には、上記転送部
間転送電極の下部の上記チャンネル領域が導通状態とな
るように信号が与えられることを特徴とする電荷転送装
置。