JPS6314467A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPS6314467A JPS6314467A JP61157595A JP15759586A JPS6314467A JP S6314467 A JPS6314467 A JP S6314467A JP 61157595 A JP61157595 A JP 61157595A JP 15759586 A JP15759586 A JP 15759586A JP S6314467 A JPS6314467 A JP S6314467A
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- transfer
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、固体撮像素子特にインターライン型ＣＯＤ固
体撮像素子に関する。
体撮像素子に関する。
本発明は、インターライン型固体撮＠！素子において、
その垂直転送レジスタの水平転送レジスタに接する最終
部のチャンネル幅を広く形成するごとによって、畢直転
送レジスタの最終段における転送効率を改善するように
したものである。
その垂直転送レジスタの水平転送レジスタに接する最終
部のチャンネル幅を広く形成するごとによって、畢直転
送レジスタの最終段における転送効率を改善するように
したものである。
インターライン型ＣＣＤ固体撮＠素子は、第４図の原理
的構成図に示すように、水平及び垂直方向に所定ピンチ
で配列した絵素となる複数の受光部＋１）と、各列の受
光部［１）の−側に設けた垂直方向に延びるＣＯＤ構造
の垂直転送レジスタ（２）と、各垂直転送レジスタ（２
）の一端に設けたＣＣＤＪｌ造の水平転送レジスタ（３
）とを有し、各受光部＋１）にその受光量に応じて生じ
た信号電荷を夫々対応する垂直転送レジスタ（２）に転
送し、これら各Ｊ３：直転送レジスタ（２）の信号電荷
を水平転送レジスタ（３）へと転送し、水平転送レジス
タ（３）の出力端より１水平ライン毎の信号電荷を読み
出すように構成される。
的構成図に示すように、水平及び垂直方向に所定ピンチ
で配列した絵素となる複数の受光部＋１）と、各列の受
光部［１）の−側に設けた垂直方向に延びるＣＯＤ構造
の垂直転送レジスタ（２）と、各垂直転送レジスタ（２
）の一端に設けたＣＣＤＪｌ造の水平転送レジスタ（３
）とを有し、各受光部＋１）にその受光量に応じて生じ
た信号電荷を夫々対応する垂直転送レジスタ（２）に転
送し、これら各Ｊ３：直転送レジスタ（２）の信号電荷
を水平転送レジスタ（３）へと転送し、水平転送レジス
タ（３）の出力端より１水平ライン毎の信号電荷を読み
出すように構成される。
垂直転送レジスタ（２）のチャンネル１福は一定であり
、そのまま水平転送レジスタ（３）に接するように構成
される。また、水平転送レジスタ（３）に最も近い受光
部（即ち最終の受光部）（１）から垂直転送レジスタ（
２）に転送された電荷が、水平転送レジスタ（３）の塩
４’＋ｉｊ転送中に水平転送レジスタ（３）に入らない
ようにするために、最終の受光部（１）と水平転送レジ
スタ（３）間には最低１〜２つの転送電極が設けられる
。
、そのまま水平転送レジスタ（３）に接するように構成
される。また、水平転送レジスタ（３）に最も近い受光
部（即ち最終の受光部）（１）から垂直転送レジスタ（
２）に転送された電荷が、水平転送レジスタ（３）の塩
４’＋ｉｊ転送中に水平転送レジスタ（３）に入らない
ようにするために、最終の受光部（１）と水平転送レジ
スタ（３）間には最低１〜２つの転送電極が設けられる
。
上述したインターライン型ＣＯＤ固体撮像素子において
は、高解像度化のためにパターンを微細化したときに、
ホトリソグラフィーの近接効果によって出来上りの垂直
転送レジスタ（２）（例えばその埋込みチャンネル領域
）のパターンが第５図にボずようにきれいに形成されず
、即ち垂直転送レジスタ（２）の最終部のコーナ部で膨
出部（４ｆが形成され”ζチャンネル幅がより狭くなる
。このため、垂直転送レジスタ（２）の最終段で電荷の
とり残しが生じ転送劣化が生じるものであった。
は、高解像度化のためにパターンを微細化したときに、
ホトリソグラフィーの近接効果によって出来上りの垂直
転送レジスタ（２）（例えばその埋込みチャンネル領域
）のパターンが第５図にボずようにきれいに形成されず
、即ち垂直転送レジスタ（２）の最終部のコーナ部で膨
出部（４ｆが形成され”ζチャンネル幅がより狭くなる
。このため、垂直転送レジスタ（２）の最終段で電荷の
とり残しが生じ転送劣化が生じるものであった。
このことは、例えばｒｔｌｉｉ感度化のために受光部（
１１の面積を広げ、その結果、垂直転送レジスタ（２）
の幅を狭くしたような場合にも同じような現象が生じる
。
１１の面積を広げ、その結果、垂直転送レジスタ（２）
の幅を狭くしたような場合にも同じような現象が生じる
。
本発明は、上述の点に鑑み、垂直転送レジスタを微細化
した場合においても、垂直転送レジスタの最終段での転
送効率を改善することができる固体撮像素子を提供する
ものである。
した場合においても、垂直転送レジスタの最終段での転
送効率を改善することができる固体撮像素子を提供する
ものである。
［問題点を解決するための手段〕
本発明の固体撮像素子は、水平及び垂直方向に配列され
た複数の受光部（１）と、垂直方向に延びる複数の垂直
転送レジスタ（２）と、各垂直転送レジスタ（２）の端
部に接続された水平転送レジスタ（３）を有し、垂直転
送レジスタ（２）の水平転送レジスタ（３）に接する最
終部のチャンネル幅Ｗ２をそれ以前のチャンネル幅Ｗ１
より広く形成して成るものでｃｂる。
た複数の受光部（１）と、垂直方向に延びる複数の垂直
転送レジスタ（２）と、各垂直転送レジスタ（２）の端
部に接続された水平転送レジスタ（３）を有し、垂直転
送レジスタ（２）の水平転送レジスタ（３）に接する最
終部のチャンネル幅Ｗ２をそれ以前のチャンネル幅Ｗ１
より広く形成して成るものでｃｂる。
垂直転送レジスタ（２）の最終部のチャンネル幅〜ｖ２
を広くしたことにより、チャンネル形成時におけるホト
リソグラフィーの近接効果の影響が減り、出来上りのパ
ターンは良好となり、垂直転送レジスタ（２）の最終段
での転送劣化が防止される。したがって、垂直転送レジ
スタ（２）のより微細化が可能となる。また、垂直転送
レジスタ（２）において、その最終部のチャンネル幅Ｗ
２が広いために、最終部の転送電極の電―長を短かくす
ることができ、最終転送部のフリンジング電界が強くな
り、さらに転送効率が向上する。
を広くしたことにより、チャンネル形成時におけるホト
リソグラフィーの近接効果の影響が減り、出来上りのパ
ターンは良好となり、垂直転送レジスタ（２）の最終段
での転送劣化が防止される。したがって、垂直転送レジ
スタ（２）のより微細化が可能となる。また、垂直転送
レジスタ（２）において、その最終部のチャンネル幅Ｗ
２が広いために、最終部の転送電極の電―長を短かくす
ることができ、最終転送部のフリンジング電界が強くな
り、さらに転送効率が向上する。
以下、図面を参照し″ζ本発明によるインターライン型
ＣＯＤ固体撮像素子の実施例を説明する。
ＣＯＤ固体撮像素子の実施例を説明する。
第１図はインターライン型ＣＯＤ固体撮像素子の要部を
示すもので、水平及び垂直方向に所定ピッチをもって絵
素となる複数の受光部（１）が配列形成され、各列の受
光部（１）の−例に受光部（１１の信号電荷を垂直方向
に転送するための垂直転送レジスタ（２）が夫々配され
、さらに、各垂直転送レジスタ（２）の端部に接して垂
直転送レジスタ（２）からの信号電極を水平方向に転送
する水平転送レジスタ（３）が配される。垂直転送レジ
スタ（２）は例えば第１導電形の半導体基体に第２導電
形の埋込みチャンネル領域を形成し、この上に絶縁膜を
介して垂直方向に沿って複数の転送電極（４）を被着し
、ＣＣＩ）構造の複数の転送部を形成して構成される。
示すもので、水平及び垂直方向に所定ピッチをもって絵
素となる複数の受光部（１）が配列形成され、各列の受
光部（１）の−例に受光部（１１の信号電荷を垂直方向
に転送するための垂直転送レジスタ（２）が夫々配され
、さらに、各垂直転送レジスタ（２）の端部に接して垂
直転送レジスタ（２）からの信号電極を水平方向に転送
する水平転送レジスタ（３）が配される。垂直転送レジ
スタ（２）は例えば第１導電形の半導体基体に第２導電
形の埋込みチャンネル領域を形成し、この上に絶縁膜を
介して垂直方向に沿って複数の転送電極（４）を被着し
、ＣＣＩ）構造の複数の転送部を形成して構成される。
この場合、垂直転送レジスタ（２）は例えばクロック信
号φ１゜φフ、φ３及びφ今による４相駆動を採用して
いる。水平転送レジスタ（３）は図示せざるも、例えば
垂直転送レジスタ（２）と同様に半導体基体に埋込みチ
ャンネル領域を形成し、その上に絶縁膜を介して水平方
向に沿って複数の転送電極を被着してＣＣＤ構造に構成
される。各受光部＋１１はチャンネルストップ領域（５
）にて区分され、受光部（１）と垂直転送レジスタ（２
）間に読み出しゲート部（６）が形成される。この読み
出しゲート部（６）は、例えばチャンネルストップ領域
（５）より低不純物濃度とした領域上に絶縁膜を介して
転送電極（４）を延長し′ζ構成される。そして、本例
では特に垂直転送レジスタ（２）の水平転送レジスタ（
３）に接する最終転送部のチャンネル幅Ｗ２がそれ以前
の転送部のチャンネル幅Ｗ１より人（Ｗ２ ＞Ｗｔ ）
に形成される。この場合、最終転送部従ってその転送電
極は、チャンネル幅Ｗ２を広くした分、電極長１２をそ
れ以前の転送電極の電極長１１より短かくして形成され
る。
号φ１゜φフ、φ３及びφ今による４相駆動を採用して
いる。水平転送レジスタ（３）は図示せざるも、例えば
垂直転送レジスタ（２）と同様に半導体基体に埋込みチ
ャンネル領域を形成し、その上に絶縁膜を介して水平方
向に沿って複数の転送電極を被着してＣＣＤ構造に構成
される。各受光部＋１１はチャンネルストップ領域（５
）にて区分され、受光部（１）と垂直転送レジスタ（２
）間に読み出しゲート部（６）が形成される。この読み
出しゲート部（６）は、例えばチャンネルストップ領域
（５）より低不純物濃度とした領域上に絶縁膜を介して
転送電極（４）を延長し′ζ構成される。そして、本例
では特に垂直転送レジスタ（２）の水平転送レジスタ（
３）に接する最終転送部のチャンネル幅Ｗ２がそれ以前
の転送部のチャンネル幅Ｗ１より人（Ｗ２ ＞Ｗｔ ）
に形成される。この場合、最終転送部従ってその転送電
極は、チャンネル幅Ｗ２を広くした分、電極長１２をそ
れ以前の転送電極の電極長１１より短かくして形成され
る。
かかる構成によれば、垂直転送レジスタ（２）の最終転
送部のチャンネル幅Ｗ２を広くしたので、狭いチャンネ
ル領域の形成時にホトリソグラフィーの近接効果の影響
が回避され、最終転送部でのチャンネル幅の縮小が防止
される。このため、最終転送部での電荷の転送劣化を防
止することができ、垂直転送レジスタ（２）の微細化が
容易となる。また、垂直転送レジスタ（２）の最終転送
部のチャンネル幅Ｗ２が広いために、最終転送部の転送
電極（４）の電極長β２を短かくすることができ、従っ
て、最終転送部におけるフリンジング電界が強くなり、
更に転送効率を大きくすることができる。
送部のチャンネル幅Ｗ２を広くしたので、狭いチャンネ
ル領域の形成時にホトリソグラフィーの近接効果の影響
が回避され、最終転送部でのチャンネル幅の縮小が防止
される。このため、最終転送部での電荷の転送劣化を防
止することができ、垂直転送レジスタ（２）の微細化が
容易となる。また、垂直転送レジスタ（２）の最終転送
部のチャンネル幅Ｗ２が広いために、最終転送部の転送
電極（４）の電極長β２を短かくすることができ、従っ
て、最終転送部におけるフリンジング電界が強くなり、
更に転送効率を大きくすることができる。
第１図の例では垂直転送レジスタの最終転送部のチャン
ネル領域を直角に広げてチャンネル幅を一様に広くした
構成としたが、その他、例えば第２図に承すように最終
転送部のチャンネル領域をゆるやかにテーパ状に広げて
チャンネル幅を漸次広（した構成としてもよい、この場
合にはホトリソグラフィーの近接効果の影響を除き最終
転送部での転送劣化を防止できる。
ネル領域を直角に広げてチャンネル幅を一様に広くした
構成としたが、その他、例えば第２図に承すように最終
転送部のチャンネル領域をゆるやかにテーパ状に広げて
チャンネル幅を漸次広（した構成としてもよい、この場
合にはホトリソグラフィーの近接効果の影響を除き最終
転送部での転送劣化を防止できる。
又、第３し１にネオように垂直転送レジスタ（２）の最
終転送部のチャンネル領域を前半をテーバ状に広げ後半
を同一幅とするように構成することもできる。この場合
には、第１図と同様に、ホトリソグラフィーの近接効果
の影響を除くことができ、且つ電極長を矩かくできるこ
とによって、より転送効率の向上が期待できる。
終転送部のチャンネル領域を前半をテーバ状に広げ後半
を同一幅とするように構成することもできる。この場合
には、第１図と同様に、ホトリソグラフィーの近接効果
の影響を除くことができ、且つ電極長を矩かくできるこ
とによって、より転送効率の向上が期待できる。
本発明によれば、垂直転送レジスタの最終転送部のチャ
ンネル幅を広げたことにより、特に狭い幅の垂直転送レ
ジスタの場合、チャンネル形成時のホトリソグラフィー
の近接効果が回避され、チャンネル幅の縮小が防止され
る。したがって、垂直転送レジスタの幅を狭くしても最
終転送部での転送劣化が防止できる。又、最終転送部の
電極長を短かくできるので、転送時のフリンジング電界
を大きくすることができ、より転送効率を改善できる。
ンネル幅を広げたことにより、特に狭い幅の垂直転送レ
ジスタの場合、チャンネル形成時のホトリソグラフィー
の近接効果が回避され、チャンネル幅の縮小が防止され
る。したがって、垂直転送レジスタの幅を狭くしても最
終転送部での転送劣化が防止できる。又、最終転送部の
電極長を短かくできるので、転送時のフリンジング電界
を大きくすることができ、より転送効率を改善できる。
従って、インターライン型ＣＣＤ固体撮像素子の高解像
度化、商感度化のための微細化を可能にする。
度化、商感度化のための微細化を可能にする。
第１図は本発明による固体撮像素子の一例を示す要部の
平面図、第２図及び第３図は夫々本発明の他の例を示す
要部の平面図、第４図はインターライン型ＣＣＤ固体撮
像素子の原理的構成図、第５図は従来の固体撮像素子の
要部の平面図である。 （１１は受光部、（２）は垂直転送レジスタ、（３）は
水平転送レジスタ、（４）は転送電極、（５）はチャン
ネルストップ領域、（６）は読み出しゲート部である。
平面図、第２図及び第３図は夫々本発明の他の例を示す
要部の平面図、第４図はインターライン型ＣＣＤ固体撮
像素子の原理的構成図、第５図は従来の固体撮像素子の
要部の平面図である。 （１１は受光部、（２）は垂直転送レジスタ、（３）は
水平転送レジスタ、（４）は転送電極、（５）はチャン
ネルストップ領域、（６）は読み出しゲート部である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 水平及び垂直方向に配列された複数の受光部と、垂直方
向に延びる複数の垂直転送レジスタと、各垂直転送レジ
スタの端部に接続された水平転送レジスタを有し、 上記垂直転送レジスタの水平転送レジスタに接する最終
部のチャンネル幅が広く形成されて成る固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61157595A JP2545801B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61157595A JP2545801B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6314467A true JPS6314467A (ja) | 1988-01-21 |
| JP2545801B2 JP2545801B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=15653144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61157595A Expired - Lifetime JP2545801B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2545801B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0396093A2 (en) * | 1989-05-02 | 1990-11-07 | Sony Corporation | Charge transfer device having multiple registers |
| US5206530A (en) * | 1989-05-02 | 1993-04-27 | Sony Corporation | Charge transfer device having multiple registers |
| US5349215A (en) * | 1993-07-23 | 1994-09-20 | Eastman Kodak Company | Antiblooming structure for solid-state image sensor |
| US5589698A (en) * | 1993-12-10 | 1996-12-31 | Nec Corporation | Solid state imaging device having sliding potential gradient |
| KR100236051B1 (ko) * | 1996-12-09 | 1999-12-15 | 김영환 | 고체 촬상 소자 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100671139B1 (ko) * | 1999-08-18 | 2007-01-17 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 고체 촬상 소자 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56152267A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Toshiba Corp | Charge transfer device |
| JPS61105866A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電荷移送装置 |
| JPS61194870A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
-
1986
- 1986-07-04 JP JP61157595A patent/JP2545801B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56152267A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Toshiba Corp | Charge transfer device |
| JPS61105866A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電荷移送装置 |
| JPS61194870A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
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| EP0396093A2 (en) * | 1989-05-02 | 1990-11-07 | Sony Corporation | Charge transfer device having multiple registers |
| US5206530A (en) * | 1989-05-02 | 1993-04-27 | Sony Corporation | Charge transfer device having multiple registers |
| US5349215A (en) * | 1993-07-23 | 1994-09-20 | Eastman Kodak Company | Antiblooming structure for solid-state image sensor |
| US5589698A (en) * | 1993-12-10 | 1996-12-31 | Nec Corporation | Solid state imaging device having sliding potential gradient |
| KR100236051B1 (ko) * | 1996-12-09 | 1999-12-15 | 김영환 | 고체 촬상 소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2545801B2 (ja) | 1996-10-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |