JPH0476952A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH0476952A JPH0476952A JP2191282A JP19128290A JPH0476952A JP H0476952 A JPH0476952 A JP H0476952A JP 2191282 A JP2191282 A JP 2191282A JP 19128290 A JP19128290 A JP 19128290A JP H0476952 A JPH0476952 A JP H0476952A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/14831—Area CCD imagers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は固体撮像装置に係り、特に微細化された構造を
有するものに関する。
有するものに関する。
(従来の技術)
第5図に従来一般的な固体撮像装置の平面構成図を示す
。
。
半導体基板の表面上に形成され、斜線部1で表わされた
素子分離層1によってX方向およびY方向に分離された
感光素子2および3か列状に配設されている。この複数
の感光素子からなる感光素子列に隣接して不純物層から
なる電荷転送チャネル10が設けられており、その上に
は転送電極4゜5.6.7が順次繰り返し形成されてい
る。これらは周知の重ね合わせ電極構造をなしており、
転送電極3および5は第1層電極、4および6は第2層
電極である。この転送電極には一般に4相の転送パルス
φl〜φ4が印加されて転送動作を行なう。すなわち、
転送電極4にはφ1.5にはφ2.6にはφ3.7には
φ4パルスがそれぞれ印加される。
素子分離層1によってX方向およびY方向に分離された
感光素子2および3か列状に配設されている。この複数
の感光素子からなる感光素子列に隣接して不純物層から
なる電荷転送チャネル10が設けられており、その上に
は転送電極4゜5.6.7が順次繰り返し形成されてい
る。これらは周知の重ね合わせ電極構造をなしており、
転送電極3および5は第1層電極、4および6は第2層
電極である。この転送電極には一般に4相の転送パルス
φl〜φ4が印加されて転送動作を行なう。すなわち、
転送電極4にはφ1.5にはφ2.6にはφ3.7には
φ4パルスがそれぞれ印加される。
感光部2,3と電荷転送チャネル10との間にはそれぞ
れ電荷移送チャネル11および12がそれぞれ設けられ
ている。各感光部2.3の間には隣接する同一位相の電
極を連結する配線部24か形成されている。
れ電荷移送チャネル11および12がそれぞれ設けられ
ている。各感光部2.3の間には隣接する同一位相の電
極を連結する配線部24か形成されている。
このような構成の固体撮像装置の構成を次に説明する。
電極4に高電圧読み出しパルスが印加されると、電荷移
送チャネル11がオン状態になり、感光素子2から電荷
転送チャネル10の対応する電極下に信号電荷が移送さ
れる。同様に、電極6に高電圧読み出しパルスが印加さ
れると、電荷移送チャネル部分12がオン状態になり、
感光素子3から電荷転送チャネル10の対応する電極下
に信号電荷が移送される。この後、転送電極4〜7に公
知の4相パルスを印加することにより、信号電荷は紙面
下方に転送される。
送チャネル11がオン状態になり、感光素子2から電荷
転送チャネル10の対応する電極下に信号電荷が移送さ
れる。同様に、電極6に高電圧読み出しパルスが印加さ
れると、電荷移送チャネル部分12がオン状態になり、
感光素子3から電荷転送チャネル10の対応する電極下
に信号電荷が移送される。この後、転送電極4〜7に公
知の4相パルスを印加することにより、信号電荷は紙面
下方に転送される。
なお、通常の動作においては、周知のテレビ方式におけ
るインターレース動作にしたがって、第1フイールド(
第1の電荷読み出し)では、感光素子2と3の信号電荷
が加算され、第2フイールド(第2の電荷読み出し)で
は感光素子3と次の感光素子2(第5図においては便宜
上2′として示されている)の信号電荷が加算されて読
み出される。このような読出し方式は蓄積読出しモード
として一般的である。
るインターレース動作にしたがって、第1フイールド(
第1の電荷読み出し)では、感光素子2と3の信号電荷
が加算され、第2フイールド(第2の電荷読み出し)で
は感光素子3と次の感光素子2(第5図においては便宜
上2′として示されている)の信号電荷が加算されて読
み出される。このような読出し方式は蓄積読出しモード
として一般的である。
第6図に第5図のXI −X2線に沿って切断した断面
構成を示す。n 形基板14上にpウェル13が形成さ
れ、素子分離層1により分離された領域にはn型不純物
層2−aとその表面を覆うp+型不純物層2−bからな
る感光素子と、電荷移送チャネル11を挟んで電荷転送
チャネル10が形成されている。基板上には絶縁膜15
か堆積され、電荷転送チャネル10および電荷移送チャ
ネル11の上方の絶縁膜中には転送電極4が形成されて
いる。
構成を示す。n 形基板14上にpウェル13が形成さ
れ、素子分離層1により分離された領域にはn型不純物
層2−aとその表面を覆うp+型不純物層2−bからな
る感光素子と、電荷移送チャネル11を挟んで電荷転送
チャネル10が形成されている。基板上には絶縁膜15
か堆積され、電荷転送チャネル10および電荷移送チャ
ネル11の上方の絶縁膜中には転送電極4が形成されて
いる。
第7図は感光素子のn形不純物層2−aから電荷移送チ
ャネル11を経て電荷転送チャネル10に至るチャネル
電位分布図であり、23は素子分離層、22は電荷が空
の状態の感光素子、18は電荷移送チャネルがオンの状
態、19は同オフの状態、20.21は転送電極8がそ
れぞれオン、オフの状態における電位をそれぞれ示して
いる。
ャネル11を経て電荷転送チャネル10に至るチャネル
電位分布図であり、23は素子分離層、22は電荷が空
の状態の感光素子、18は電荷移送チャネルがオンの状
態、19は同オフの状態、20.21は転送電極8がそ
れぞれオン、オフの状態における電位をそれぞれ示して
いる。
ここで転送電極8の幅をW、感光素子2と電荷転送チャ
ネル10間の長さをLとし、このしが短い場合を考える
。この場合、転送電極8のオフ状態において感光素子と
転送チャネル間の分離が特性が劣化する現象として良く
知られているショートチャネル効果によって感光素子の
n型不純物層2−aに大量の電荷が蓄積されると、その
一部が電荷転送チャネル10へ溢れ出してしまうという
現象が発生する。この様子は第7図において、電荷移送
チャネルがオフでその電位が18であるときに、感光素
子2で発生した信号電荷が18の障壁を超えて電荷転送
チャネル10に流れ出る現象としてOFして表わされて
いる。
ネル10間の長さをLとし、このしが短い場合を考える
。この場合、転送電極8のオフ状態において感光素子と
転送チャネル間の分離が特性が劣化する現象として良く
知られているショートチャネル効果によって感光素子の
n型不純物層2−aに大量の電荷が蓄積されると、その
一部が電荷転送チャネル10へ溢れ出してしまうという
現象が発生する。この様子は第7図において、電荷移送
チャネルがオフでその電位が18であるときに、感光素
子2で発生した信号電荷が18の障壁を超えて電荷転送
チャネル10に流れ出る現象としてOFして表わされて
いる。
(発明が解決しようとする課題)
このような現象をなくすためには感光素子2と電荷転送
チャネル10間の距離りを十分な値(例えば1.5μm
)以上に長くすることが必要となる。
チャネル10間の距離りを十分な値(例えば1.5μm
)以上に長くすることが必要となる。
一方、固体撮像装置製造上の誤差、例えば各種公差やあ
わせずれなどによりLは±ΔL(例えば±0.5μm)
だけ変動する。したがって、このような製造上の誤差を
考慮するとLはL十へりに設定しなければならない。
わせずれなどによりLは±ΔL(例えば±0.5μm)
だけ変動する。したがって、このような製造上の誤差を
考慮するとLはL十へりに設定しなければならない。
以上の状況から、電極8の幅Wは、本来転送に必要な幅
よりもはるかに大きく設定せざるを得ない。このことは
十分な感光素子面積を確保することを困難にし、感度の
低下を招くだけでなく、素子微細化の上での障害になる
。
よりもはるかに大きく設定せざるを得ない。このことは
十分な感光素子面積を確保することを困難にし、感度の
低下を招くだけでなく、素子微細化の上での障害になる
。
本発明は、従来技術における電荷移送チャネルの存在に
よる素子微細化の障害をなくし、素子の微細化及び高感
度化に適した新しい構造を有する固体撮像装置を提供す
ることを目的とする。
よる素子微細化の障害をなくし、素子の微細化及び高感
度化に適した新しい構造を有する固体撮像装置を提供す
ることを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は少なくとも一部か素子分離層により互いに分離
された複数の感光素子が列状に配設された感光素子列が
所定距離を隔てて並列に配設された感光素子アレイと、
前記各感光素子列間に配設され、少なくとも前記感光素
子アレイに隣接する部分とは素子分離層により分離され
た、電荷転送チャネル層とその上方にインターライン状
に複数の転送電極を有する電荷転送装置とを偏えた固体
撮像装置において、前記感光素子間の領域は前記素子分
離層とこれに隣接するとともに前記電荷転送チャネル層
と接続されたチャネル領域とし、これら素子分離層およ
びチャネル領域の上方に前記転送電極のうちの同相のも
のを接続する配線層を設け、前記転送電極および前記電
荷転送装置の転送電極に印加する電圧を制御することに
より前記感光素子間のチャネル領域を前記感光素子で発
生した信号電荷を前記電荷転送チャネルに移送するだめ
の電荷移送チャネルとして使用することを特徴とするも
のである。
された複数の感光素子が列状に配設された感光素子列が
所定距離を隔てて並列に配設された感光素子アレイと、
前記各感光素子列間に配設され、少なくとも前記感光素
子アレイに隣接する部分とは素子分離層により分離され
た、電荷転送チャネル層とその上方にインターライン状
に複数の転送電極を有する電荷転送装置とを偏えた固体
撮像装置において、前記感光素子間の領域は前記素子分
離層とこれに隣接するとともに前記電荷転送チャネル層
と接続されたチャネル領域とし、これら素子分離層およ
びチャネル領域の上方に前記転送電極のうちの同相のも
のを接続する配線層を設け、前記転送電極および前記電
荷転送装置の転送電極に印加する電圧を制御することに
より前記感光素子間のチャネル領域を前記感光素子で発
生した信号電荷を前記電荷転送チャネルに移送するだめ
の電荷移送チャネルとして使用することを特徴とするも
のである。
前記各感光素子間には、各電荷転送装置の対応する転送
電極と一体に形成され、これら転送電極に転送制御電圧
を供給する、互いに絶縁された2層の導電層が形成され
、絶縁膜を介して半導体表面に最も近接した第1層電圧
供給電極下で素子分離層を欠いた半導体基板内に、前記
電荷移送チャネルが形成されると良い。
電極と一体に形成され、これら転送電極に転送制御電圧
を供給する、互いに絶縁された2層の導電層が形成され
、絶縁膜を介して半導体表面に最も近接した第1層電圧
供給電極下で素子分離層を欠いた半導体基板内に、前記
電荷移送チャネルが形成されると良い。
また、前記電荷移送チャネルは、2つの感光素子の信号
電荷を同時に加算して移送すべく互いに隣接する2つの
感光素子に接して形成されているものでも、1つの感光
素子からのみ電荷を移送すべく、素子間の領域に面した
感光素子の一面には信号電荷と逆導電型の高濃度不純物
層が形成されたものでも良い。
電荷を同時に加算して移送すべく互いに隣接する2つの
感光素子に接して形成されているものでも、1つの感光
素子からのみ電荷を移送すべく、素子間の領域に面した
感光素子の一面には信号電荷と逆導電型の高濃度不純物
層が形成されたものでも良い。
感光素子は、信号電荷と同一導電型の不純物層と、その
表面部分を覆う逆導電型不純物層からなり、前記電荷転
送装置と前記感光素子との境界領域には前記逆導電型不
純物層よりなる素子分離層が形成されているものである
と良い。
表面部分を覆う逆導電型不純物層からなり、前記電荷転
送装置と前記感光素子との境界領域には前記逆導電型不
純物層よりなる素子分離層が形成されているものである
と良い。
(作 用)
本発明は、従来単に配線領域として素子特性上無効部分
として使用されていた感光素子間分離層に、電荷移送チ
ャネルを形成しているので、転送電極の幅を縮小するた
めの制限を取り除き、素子の高感度化および微細化を可
能とする。
として使用されていた感光素子間分離層に、電荷移送チ
ャネルを形成しているので、転送電極の幅を縮小するた
めの制限を取り除き、素子の高感度化および微細化を可
能とする。
以下、図面を参照して本願発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
第1図は本発明の第1の実施例を平面構成を示す平面図
、第2図はそのX3−X4線で切断した様子を示す断面
図、第3図はそのX5−X1li線で切断した様子を示
す断面図である。これらはマトリクス状に設けられた感
光素子および電荷転送のための構成の一部が示されてい
る。
、第2図はそのX3−X4線で切断した様子を示す断面
図、第3図はそのX5−X1li線で切断した様子を示
す断面図である。これらはマトリクス状に設けられた感
光素子および電荷転送のための構成の一部が示されてい
る。
第1図および第2図には2つの電荷転送チャネル30.
31が示されており、これらの電荷転送チャネル層の上
には転送電極32〜38が設けられ、これらの転送電極
にはこの実施例の場合φ1〜φ4の4相転送パルスが印
加される。すなわち、転送電極33.37にはφ1、転
送電極34゜38にはφ2、転送電極35はφ3、転送
電極36〜32にはφ4が印加される。これらの転送電
極3B、35.37は第1層の導電材料、例えばポリシ
リコンからなり、転送電極32.34゜36.38は第
2層の導電材料、例えばポリシリコンからなり、周知の
重ね合わせ電極構造をなしている。各列の対応する行に
属する電極は配線部48によって共通に接続されている
。
31が示されており、これらの電荷転送チャネル層の上
には転送電極32〜38が設けられ、これらの転送電極
にはこの実施例の場合φ1〜φ4の4相転送パルスが印
加される。すなわち、転送電極33.37にはφ1、転
送電極34゜38にはφ2、転送電極35はφ3、転送
電極36〜32にはφ4が印加される。これらの転送電
極3B、35.37は第1層の導電材料、例えばポリシ
リコンからなり、転送電極32.34゜36.38は第
2層の導電材料、例えばポリシリコンからなり、周知の
重ね合わせ電極構造をなしている。各列の対応する行に
属する電極は配線部48によって共通に接続されている
。
電荷転送チャネル間には感光素子列が形成されている。
各感光素子列は感光素子40および41が交互に形成さ
れており、これら感光素子40゜41と転送チャネル層
30.31間にはこれらを互いに分離するための素子分
離層42が形成されている。なお、第1図において、感
光素子40′が示されているが、これは後の説明におい
て最初の感光素子40と区別するために便宜上記号を付
けたもので、感光素子40と全く同じものである。
れており、これら感光素子40゜41と転送チャネル層
30.31間にはこれらを互いに分離するための素子分
離層42が形成されている。なお、第1図において、感
光素子40′が示されているが、これは後の説明におい
て最初の感光素子40と区別するために便宜上記号を付
けたもので、感光素子40と全く同じものである。
この素子分離層42は感光素子間の領域には形成されて
いない。そしてこの領域は前述した配線部48が形成さ
れる配線領域となっている。
いない。そしてこの領域は前述した配線部48が形成さ
れる配線領域となっている。
第2図を参照すると、n型基板45の表面にpウェル4
6か形成され、その表面に形成された2つの電荷転送チ
ャネル30.31間には感光素子41が形成されている
。この感光素子41はn型層41−aと、その上に形成
された表面部分をなす高濃度p型層41−bを有してお
り、このて、高濃度p型層の延在部か素子分離層42を
なしている。この素子分離層場合は、転送電極35をマ
スクとする自己整合方式によりイオン注入されたもので
あるので、転送電極35の端部と素子分離層42の端部
は略一致し、また、電荷転送チャネル幅と転送電極幅W
もほぼ一致している。
6か形成され、その表面に形成された2つの電荷転送チ
ャネル30.31間には感光素子41が形成されている
。この感光素子41はn型層41−aと、その上に形成
された表面部分をなす高濃度p型層41−bを有してお
り、このて、高濃度p型層の延在部か素子分離層42を
なしている。この素子分離層場合は、転送電極35をマ
スクとする自己整合方式によりイオン注入されたもので
あるので、転送電極35の端部と素子分離層42の端部
は略一致し、また、電荷転送チャネル幅と転送電極幅W
もほぼ一致している。
第3図から明らかなように配線部48は第1層電極の配
線部39およびその上に絶縁膜47を介して形成された
第2層電極の配線部44よりなり、の半導体基板上に絶
縁膜を介して形成されているが、第1図における上下方
向に隣接する感光素子間の配線領域のほぼ左半分の半導
体基板表面部にはp形素子分離層43が形成されている
。
線部39およびその上に絶縁膜47を介して形成された
第2層電極の配線部44よりなり、の半導体基板上に絶
縁膜を介して形成されているが、第1図における上下方
向に隣接する感光素子間の配線領域のほぼ左半分の半導
体基板表面部にはp形素子分離層43が形成されている
。
この第1の実施例においては、第1層電極の配線部39
に対向する半導体部分にはp型素子分離層43が形成さ
れた領域を除き素子分離層か形成されておらず、また、
第2層電極の配線部44が絶縁膜を介して第1層電極の
配線部39上にはみ出すことなく形成されている特徴が
ある。゛このような構成において、φ1゛として高電圧
読み出しパルスを印加すると第1層電極の配線部39に
対向する半導体表面にチャネルが形成され、感光素子4
0.41に蓄積された信号電荷は第1層電極の配線部3
9の下に移送され、さらに転送電極33で制御される3
1の部分に移送される。
に対向する半導体部分にはp型素子分離層43が形成さ
れた領域を除き素子分離層か形成されておらず、また、
第2層電極の配線部44が絶縁膜を介して第1層電極の
配線部39上にはみ出すことなく形成されている特徴が
ある。゛このような構成において、φ1゛として高電圧
読み出しパルスを印加すると第1層電極の配線部39に
対向する半導体表面にチャネルが形成され、感光素子4
0.41に蓄積された信号電荷は第1層電極の配線部3
9の下に移送され、さらに転送電極33で制御される3
1の部分に移送される。
したがって、従来有効に活用されていなかった感光素子
間の配線領域を電荷移送チャネルとして利用することに
なる。
間の配線領域を電荷移送チャネルとして利用することに
なる。
第3図を参照すると、第1層電極の配線部39の下の半
導体基板表面領域50が電荷移送チャネル部分となる。
導体基板表面領域50が電荷移送チャネル部分となる。
前述したように、転送電極35の幅Wが転送チャネル層
31の幅と一致しているため、転送部分を面積的に最も
効率良く形成することが可能となっている。
31の幅と一致しているため、転送部分を面積的に最も
効率良く形成することが可能となっている。
そして、読み出された信号電荷は4相転送パルスを各電
極に印加することにより、紙面上方から下方に転送され
る。この場合、転送電極33゜37に高電圧の読出しパ
ルスを印加することにより感光素子40.41で発生し
た信号電荷を加算して読み出し、これを第1のフィール
ド読み出しとすれば、転送電極35に読み出しパルスを
印加して感光素子41.40’で発生した信号電荷を加
算して読出すことで、第2のフィールド読出しが形成さ
れることになる。
極に印加することにより、紙面上方から下方に転送され
る。この場合、転送電極33゜37に高電圧の読出しパ
ルスを印加することにより感光素子40.41で発生し
た信号電荷を加算して読み出し、これを第1のフィール
ド読み出しとすれば、転送電極35に読み出しパルスを
印加して感光素子41.40’で発生した信号電荷を加
算して読出すことで、第2のフィールド読出しが形成さ
れることになる。
このように本発明によれば、電荷転送装置と感光素子の
間に、移送チャネルを形成することなく、従来無効領域
であった部分を利用して、移送チャネルを形成するよう
にしているため、素子面積を移送チャネルが占有してい
た面積骨だけ減少させることができる。したがって、素
子寸法を小さくして微細化を効率良く行なうことができ
るばかりでなく、全体面積を変えずに移送チャネルの面
積減少分だけ感光素子の面積を拡大して高感化すること
もできる。
間に、移送チャネルを形成することなく、従来無効領域
であった部分を利用して、移送チャネルを形成するよう
にしているため、素子面積を移送チャネルが占有してい
た面積骨だけ減少させることができる。したがって、素
子寸法を小さくして微細化を効率良く行なうことができ
るばかりでなく、全体面積を変えずに移送チャネルの面
積減少分だけ感光素子の面積を拡大して高感化すること
もできる。
第4図に本発明の第2の実施例を示す。この実施例では
第1の実施例と類似した構成を有しているが、第4図に
おける感光素子41の上側の境界部にも素子分離層51
か形成され、電荷読み出しチャネルの電極となる39が
素子分離層51によって分離されている点が第1の実施
例と異なる。
第1の実施例と類似した構成を有しているが、第4図に
おける感光素子41の上側の境界部にも素子分離層51
か形成され、電荷読み出しチャネルの電極となる39が
素子分離層51によって分離されている点が第1の実施
例と異なる。
これによって、転送電極33に読み出しパルス電圧を印
加しても感光素子41で発生した信号電荷は移送されず
、感光40て発生した信号電荷のみを単独に読み出すこ
とができる。
加しても感光素子41で発生した信号電荷は移送されず
、感光40て発生した信号電荷のみを単独に読み出すこ
とができる。
本発明は以上の実施例に限られるものではなく、従来の
感光素子列をなす感光素子間配線部分を移送チャネルと
して使用する構造であれば良い。
感光素子列をなす感光素子間配線部分を移送チャネルと
して使用する構造であれば良い。
また感光素子として、単なるn型構造あるいはMO3型
電極構造であっても良く、さらに配線部分において移送
チャネルとなる基板領域50に所定濃度のp形あるいは
n形不純物層か形成されていてもよい。この場合、分離
のためのp型頭域43よりは低濃度て且つpウェル46
より高りa度であるp型不純物層を形成し、素子間クロ
ストークを減少させることができる。
電極構造であっても良く、さらに配線部分において移送
チャネルとなる基板領域50に所定濃度のp形あるいは
n形不純物層か形成されていてもよい。この場合、分離
のためのp型頭域43よりは低濃度て且つpウェル46
より高りa度であるp型不純物層を形成し、素子間クロ
ストークを減少させることができる。
第4図に示した実施例においては、図の上側の感光素子
からのみ信号電荷を取り出すようにしたが、素子分離層
51を感光素子の反対側の境界部に形成して下側の感光
素子からの信号電荷のみを取り出すようにすることもて
きる。
からのみ信号電荷を取り出すようにしたが、素子分離層
51を感光素子の反対側の境界部に形成して下側の感光
素子からの信号電荷のみを取り出すようにすることもて
きる。
第1図は本発明の第1の実施例の固体撮像装置の平面構
造図、第2図および第3図は本発明の第1の実施例の固
体撮像装置の断面構造図、第4図は本発明の第2の実施
例の固体撮像装置の平面構造図、第5図は従来の固体撮
像装置の平面構造図、第6図は従来の固体撮像装置の断
面構造図、第7図は第6図の構造における電位分布図で
ある。 30.31・・・電荷転送チャネル層、32〜38・・
・電荷転送電極、39・・移送チャネル電極、4040
’、41・・感光素子、42.43・・・素子分離層、
50・・・移送チャネル。
造図、第2図および第3図は本発明の第1の実施例の固
体撮像装置の断面構造図、第4図は本発明の第2の実施
例の固体撮像装置の平面構造図、第5図は従来の固体撮
像装置の平面構造図、第6図は従来の固体撮像装置の断
面構造図、第7図は第6図の構造における電位分布図で
ある。 30.31・・・電荷転送チャネル層、32〜38・・
・電荷転送電極、39・・移送チャネル電極、4040
’、41・・感光素子、42.43・・・素子分離層、
50・・・移送チャネル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、少くとも一部が素子分離層により互いに分離された
複数の感光素子が列状に配設された感光素子列が所定距
離を隔てて並列に配設された感光素子アレイと、 前記各感光素子列間に配設され、少なくとも前記感光素
子アレイに隣接する部分とは素子分離層により分離され
た、電荷転送チャネル層とその上方にインターライン状
に複数の転送電極を有する電荷転送装置とを備えた固体
撮像装置において、前記感光素子間の領域は前記素子分
離層とこれに隣接するとともに前記電荷転送チャネル層
と接続されたチャネル領域とし、これら素子分離層およ
びチャネル領域の上方に前記転送電極のうちの同相のも
のを接続する配線層を設け、 前記転送電極および前記電荷転送装置の転送電極に印加
する電圧を制御することにより前記感光素子間のチャネ
ル領域を前記感光素子で発生した信号電荷を前記電荷転
送チャネルに移送するための電荷移送チャネルとして使
用することを特徴とする固体撮像装置。 2、前記各感光素子間には、各電荷転送装置の対応する
転送電極と一体に形成され、これら転送電極に転送制御
電圧を供給する、互いに絶縁された2層の導電層が形成
され、絶縁膜を介して半導体表面に最も近接した第1層
電圧供給電極下で素子分離層を欠いた半導体基板内に、
前記電荷移送チャネルを形成することを特徴とする請求
項1に記載の固体撮像装置。 3、前記電荷移送チャネルは、2つの感光素子の信号電
荷を同時に加算して移送すべく互いに隣接する2つの感
光素子に接して形成されていることを特徴とする請求項
2に記載の固体撮像装置。 4、電荷移送チャネルは1つの感光素子からのみ電荷を
移送すべく、素子間の領域に面した感光素子の一面には
信号電荷と逆導電型の高濃度不純物層が形成されてなる
ことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。 5、前記感光素子は、信号電荷と同一導電型の不純物層
と、その表面部分を覆う逆導電型不純物層からなり、前
記電荷転送装置と前記感光素子との境界領域には前記逆
導電型不純物層よりなる素子分離層が形成されているこ
とを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の固
体撮像装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2191282A JPH0828497B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 固体撮像装置 |
KR1019910012188A KR950001762B1 (ko) | 1990-07-19 | 1991-07-16 | 고체촬상장치 |
US07/732,093 US5313081A (en) | 1990-07-19 | 1991-07-18 | Solid-state imaging device with transport channels between photosensitive elements |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2191282A JPH0828497B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0476952A true JPH0476952A (ja) | 1992-03-11 |
JPH0828497B2 JPH0828497B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=16271968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2191282A Expired - Fee Related JPH0828497B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 固体撮像装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JPH0828497B2 (ja) |
KR (1) | KR950001762B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100279961B1 (ko) * | 1996-09-12 | 2001-02-01 | 마찌다 가쯔히꼬 | 고체촬상장치, 그의 제조방법 및 그의 구동방법 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2788388B2 (ja) * | 1993-03-30 | 1998-08-20 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
US5492852A (en) * | 1993-10-07 | 1996-02-20 | Nec Corporation | Method for fabricating a solid imaging device having improved smear and breakdown voltage characteristics |
JP3272941B2 (ja) * | 1996-04-01 | 2002-04-08 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
KR100215864B1 (ko) * | 1996-06-10 | 1999-08-16 | 구본준 | 씨씨디 영상소자 |
US6346722B1 (en) * | 1998-06-26 | 2002-02-12 | Nec Corporation | Solid state imaging device and method for manufacturing the same |
JP3885769B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2007-02-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5635466A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-08 | Nec Corp | Charge-coupled device |
US4291239A (en) * | 1980-02-25 | 1981-09-22 | Rca Corporation | Architecture line-transfer CCD imagers |
JPS5748260A (en) * | 1980-09-05 | 1982-03-19 | Nec Corp | Interline ccd sensor and driving method thereof |
JPS5838081A (ja) * | 1981-08-29 | 1983-03-05 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
NL8301629A (nl) * | 1983-05-09 | 1984-12-03 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting. |
JPH061829B2 (ja) * | 1983-08-11 | 1994-01-05 | 日本電気株式会社 | 二次元ccdイメージセンサ |
JPS62126667A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
US4805026A (en) * | 1986-02-18 | 1989-02-14 | Nec Corporation | Method for driving a CCD area image sensor in a non-interlace scanning and a structure of the CCD area image sensor for driving in the same method |
JPS6318665A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPS63177460A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-21 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
DE3856165T2 (de) * | 1987-01-29 | 1998-08-27 | Canon Kk | Photovoltaischer Wandler |
US5111263A (en) * | 1991-02-08 | 1992-05-05 | Eastman Kodak Company | Charge-coupled device (CCD) image sensor operable in either interlace or non-interlace mode |
-
1990
- 1990-07-19 JP JP2191282A patent/JPH0828497B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-07-16 KR KR1019910012188A patent/KR950001762B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-07-18 US US07/732,093 patent/US5313081A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100279961B1 (ko) * | 1996-09-12 | 2001-02-01 | 마찌다 가쯔히꼬 | 고체촬상장치, 그의 제조방법 및 그의 구동방법 |
US6222586B1 (en) | 1996-09-12 | 2001-04-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging device having partially covered conversion region, and method for producing and method for driving the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0828497B2 (ja) | 1996-03-21 |
KR920003538A (ko) | 1992-02-29 |
KR950001762B1 (ko) | 1995-02-28 |
US5313081A (en) | 1994-05-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |