JP2590745B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JP2590745B2 JP2590745B2 JP6176383A JP17638394A JP2590745B2 JP 2590745 B2 JP2590745 B2 JP 2590745B2 JP 6176383 A JP6176383 A JP 6176383A JP 17638394 A JP17638394 A JP 17638394A JP 2590745 B2 JP2590745 B2 JP 2590745B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４（ａ）は従来の固体撮像素子の主要
部を示す平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＸ−Ｘ線断
面図、図４（ｃ）は図４（ａ）のＹ−Ｙ線に沿ったポテ
ンシャル図である。
部を示す平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＸ−Ｘ線断
面図、図４（ｃ）は図４（ａ）のＹ−Ｙ線に沿ったポテ
ンシャル図である。
【０００３】この固体撮像素子はＮ型シリコン基板１の
表面部のＰ型ウエル領域２の表面部に形成されたＮ型拡
散層５およびＮ型拡散層５の表面部に形成された表面暗
電流抑制用のＰ+ 型拡散層６を有する光電変換・電荷蓄
積領域が複数個列状に配置された光電変換素子列と、光
電変換・電荷蓄積領域（５）にそれぞれ近接したＰ型の
電荷読出し領域８と、電荷読出し領域８に近接し前述の
光電変換素子列と平行に配置された電荷転送領域（Ｎ型
拡散層４、底面にＰ型ウエル領域３が設けられている）
および電荷転送領域（４）とゲート絶縁膜９を介して交
差する読出兼転送ゲート電極１０−１（第２層目のポリ
シリコン膜よりなる。）と転送ゲート電極１０−２（第
１層目のポリシリコン膜よりなる。）との対を有する垂
直シフトレジスタとを含む画素列を複数個並列配置した
構成を有している。
表面部のＰ型ウエル領域２の表面部に形成されたＮ型拡
散層５およびＮ型拡散層５の表面部に形成された表面暗
電流抑制用のＰ+ 型拡散層６を有する光電変換・電荷蓄
積領域が複数個列状に配置された光電変換素子列と、光
電変換・電荷蓄積領域（５）にそれぞれ近接したＰ型の
電荷読出し領域８と、電荷読出し領域８に近接し前述の
光電変換素子列と平行に配置された電荷転送領域（Ｎ型
拡散層４、底面にＰ型ウエル領域３が設けられている）
および電荷転送領域（４）とゲート絶縁膜９を介して交
差する読出兼転送ゲート電極１０−１（第２層目のポリ
シリコン膜よりなる。）と転送ゲート電極１０−２（第
１層目のポリシリコン膜よりなる。）との対を有する垂
直シフトレジスタとを含む画素列を複数個並列配置した
構成を有している。
【０００４】各画素列の読出兼転送ゲート電極１０−１
は読出兼転送ゲート連結線１０−１ａ（第２層目のポリ
シリコン膜よりなる。）により行方向に連結されてい
る。同様に転送ゲート電極１０−２は転送ゲート連結線
１０−２ａ（第１層目のポリシリコン膜よりなる。）に
より行方向に連結されている。読出兼転送ゲート連結線
１０−１ａおよび転送ゲート連結線１０−２ａはＰ型素
子分離領域７（チャネルストッパ）の上部にオーバラッ
プして設けられている。
は読出兼転送ゲート連結線１０−１ａ（第２層目のポリ
シリコン膜よりなる。）により行方向に連結されてい
る。同様に転送ゲート電極１０−２は転送ゲート連結線
１０−２ａ（第１層目のポリシリコン膜よりなる。）に
より行方向に連結されている。読出兼転送ゲート連結線
１０−１ａおよび転送ゲート連結線１０−２ａはＰ型素
子分離領域７（チャネルストッパ）の上部にオーバラッ
プして設けられている。
【０００５】また、読出兼転送ゲート電極１０−１およ
び転送ゲート電極１０−２は、図５に模式的に示すよう
に、それぞれコンタクト孔Ｃ１およびＣ２により、列方
向に走るアルミニウム配線１２（遮光膜を兼ねているの
で実際にはもっと複雑な平面形状を有しているが、ここ
では単純化して図示してある。図１，図３においても同
様である。）に接続され転送パルスφ１，φ３およびφ
２，φ４が印加される。
び転送ゲート電極１０−２は、図５に模式的に示すよう
に、それぞれコンタクト孔Ｃ１およびＣ２により、列方
向に走るアルミニウム配線１２（遮光膜を兼ねているの
で実際にはもっと複雑な平面形状を有しているが、ここ
では単純化して図示してある。図１，図３においても同
様である。）に接続され転送パルスφ１，φ３およびφ
２，φ４が印加される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図４に示した従来の固
体撮像素子では光電変換・電荷蓄積領域（５）、電荷読
出し領域８および読出兼転送ゲート電極下の電荷転送領
域（４）がそれぞれの列方向寸法の中心（＋印Ａ１，Ａ
２およびＡ３で表示）が行方向に揃えて配置されていな
い。つまりこれらの３領域が真横に並んでいない。Ｎ型
拡散層（４）から電荷を電荷転送領域４へ読出す場合、
電荷Ｑを完全に読出すためには、光電変換・電荷蓄積領
域５と電荷読出し領域４に生じる電位バリアδが消える
まで、読出し兼転送ゲート電極１０−１に電圧を印加し
なければならないが光電変換・電荷蓄積領域５で電位の
最も深いところは、中心部Ａ１付近にあり、斜め横から
読出すため、真横から読出す場合（パンチスルーを起こ
さないも短チャネル効果がきいている）に比べて電位バ
リアが大きくなり、余分に電圧を印加する必要がある。
つまり、読出し電圧が高くなる。
体撮像素子では光電変換・電荷蓄積領域（５）、電荷読
出し領域８および読出兼転送ゲート電極下の電荷転送領
域（４）がそれぞれの列方向寸法の中心（＋印Ａ１，Ａ
２およびＡ３で表示）が行方向に揃えて配置されていな
い。つまりこれらの３領域が真横に並んでいない。Ｎ型
拡散層（４）から電荷を電荷転送領域４へ読出す場合、
電荷Ｑを完全に読出すためには、光電変換・電荷蓄積領
域５と電荷読出し領域４に生じる電位バリアδが消える
まで、読出し兼転送ゲート電極１０−１に電圧を印加し
なければならないが光電変換・電荷蓄積領域５で電位の
最も深いところは、中心部Ａ１付近にあり、斜め横から
読出すため、真横から読出す場合（パンチスルーを起こ
さないも短チャネル効果がきいている）に比べて電位バ
リアが大きくなり、余分に電圧を印加する必要がある。
つまり、読出し電圧が高くなる。
【０００７】これらの問題はＡ１，Ａ２およびＡ３を行
方向に揃えて配置すれば改善することができる。そのた
めには、読出兼転送ゲート電極１０−１の列方向寸法を
大きくし電荷読出し領域８の位置をずらせばよいが、そ
うすると転送ゲート電極１０−２が１０−２ａの両側へ
張り出した形状となり読出兼転送ゲート電極１０−１と
転送ゲート電極１０−２とがオーバラップする面積が大
きくなりこれらがオーバラップしていない部分（コンタ
クト孔Ｃ２を設ける部分）の面積が小さくなってしま
う。従って、単位セルの微細化、高密度化が進行すると
コンタクト孔Ｃ２を設けるのが、困難ないし不可能にな
り、転送ゲート電極配線の寄生抵抗が大きくなり、垂直
レジスタの高速動作が困難ないし不可能になる。
方向に揃えて配置すれば改善することができる。そのた
めには、読出兼転送ゲート電極１０−１の列方向寸法を
大きくし電荷読出し領域８の位置をずらせばよいが、そ
うすると転送ゲート電極１０−２が１０−２ａの両側へ
張り出した形状となり読出兼転送ゲート電極１０−１と
転送ゲート電極１０−２とがオーバラップする面積が大
きくなりこれらがオーバラップしていない部分（コンタ
クト孔Ｃ２を設ける部分）の面積が小さくなってしま
う。従って、単位セルの微細化、高密度化が進行すると
コンタクト孔Ｃ２を設けるのが、困難ないし不可能にな
り、転送ゲート電極配線の寄生抵抗が大きくなり、垂直
レジスタの高速動作が困難ないし不可能になる。
【０００８】本発明の目的は、高速動作およびより低い
電圧で電荷の読出しが可能な固体撮像素子を提供するこ
とにある。
電圧で電荷の読出しが可能な固体撮像素子を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板の
表面部の第１導電型領域の表面部に形成された第２導電
型拡散層および前記第２導電型拡散層の表面部に形成さ
れた高濃度第１導電型拡散層を有する光電変換・電荷蓄
積領域が複数個列状に配置された光電変換素子列と、前
記光電変換・電荷蓄積領域にそれぞれ近接した第１導電
型の電荷読出し領域と、前記電荷読出し領域に近接し前
記光電変換素子列と平行に配置された電荷転送領域およ
び前記電荷転送領域とゲート絶縁膜を介して交差する読
出兼転送ゲート電極と転送ゲート電極との対を有する垂
直シフトレジスタとを含む画素列を複数個並列配置した
固体撮像素子において、前記光電変換・電荷蓄積領域、
電荷読出し領域および読出兼転送ゲート電極下の電荷転
送領域がそれぞれの列方向寸法の中点を行方向に揃えて
配置され、前記読出兼転送ゲート電極を行方向に連結し
た読出兼転送ゲート電極線が前記光電変換・電荷蓄積領
域と交差しかつ透明導電膜からなるというものである。
表面部の第１導電型領域の表面部に形成された第２導電
型拡散層および前記第２導電型拡散層の表面部に形成さ
れた高濃度第１導電型拡散層を有する光電変換・電荷蓄
積領域が複数個列状に配置された光電変換素子列と、前
記光電変換・電荷蓄積領域にそれぞれ近接した第１導電
型の電荷読出し領域と、前記電荷読出し領域に近接し前
記光電変換素子列と平行に配置された電荷転送領域およ
び前記電荷転送領域とゲート絶縁膜を介して交差する読
出兼転送ゲート電極と転送ゲート電極との対を有する垂
直シフトレジスタとを含む画素列を複数個並列配置した
固体撮像素子において、前記光電変換・電荷蓄積領域、
電荷読出し領域および読出兼転送ゲート電極下の電荷転
送領域がそれぞれの列方向寸法の中点を行方向に揃えて
配置され、前記読出兼転送ゲート電極を行方向に連結し
た読出兼転送ゲート電極線が前記光電変換・電荷蓄積領
域と交差しかつ透明導電膜からなるというものである。
【００１０】光電変換・電荷蓄積領域がＰ型ウエル領域
に設けられたＮ型拡散層（ＰＮ接合ホトダイオード）の
場合、Ｎ型拡散層の表面部にＰ+ 型拡散層を設け、その
ピーク不純物濃度は少なくとも２×１０17ｃｍ-3にする
のが好ましい。
に設けられたＮ型拡散層（ＰＮ接合ホトダイオード）の
場合、Ｎ型拡散層の表面部にＰ+ 型拡散層を設け、その
ピーク不純物濃度は少なくとも２×１０17ｃｍ-3にする
のが好ましい。
【００１１】また、任意の画素列の光電変換・電荷蓄積
領域上部から隣接する画素列の電荷転送領域側へかけて
透明導電膜に開口を設けることも可能である。
領域上部から隣接する画素列の電荷転送領域側へかけて
透明導電膜に開口を設けることも可能である。
【００１２】
【作用】読出兼転送ゲート電極を行方向に連結した読出
兼転送ゲート電極が透明導電膜であるので光電変換・電
荷蓄積領域上を走らせることができ、転送ゲート電極と
大きくオーバラップさせなくても光電変換・電荷蓄積領
域、電荷読出し領域および読出兼転送ゲート電極下の電
荷転送領域を真横に並べることが可能となり、光電変換
・電荷蓄積領域の電位の最も深いところにある電荷を、
短チャネル効果の利いた電荷読出し領域の中央部を横断
して電荷転送領域へ効率よく読出すことができる。
兼転送ゲート電極が透明導電膜であるので光電変換・電
荷蓄積領域上を走らせることができ、転送ゲート電極と
大きくオーバラップさせなくても光電変換・電荷蓄積領
域、電荷読出し領域および読出兼転送ゲート電極下の電
荷転送領域を真横に並べることが可能となり、光電変換
・電荷蓄積領域の電位の最も深いところにある電荷を、
短チャネル効果の利いた電荷読出し領域の中央部を横断
して電荷転送領域へ効率よく読出すことができる。
【００１３】前述のＰ+ 型拡散層のピーク不純物濃度を
少なくとも２×１０17ｃｍ-3にすればＰ+ 型拡散層の電
位固定作用が確実になる。
少なくとも２×１０17ｃｍ-3にすればＰ+ 型拡散層の電
位固定作用が確実になる。
【００１４】また読出兼転送ゲート電極に前述の開口を
ければ、前述の電荷読出し効率および電位固定作用を一
層確実に確保できる。
ければ、前述の電荷読出し効率および電位固定作用を一
層確実に確保できる。
【００１５】
【実施例】図１（ａ）は本発明の第１の実施例の主要部
を示す平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ線断面
図である。
を示す平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ線断面
図である。
【００１６】この実施例は、Ｎ型シリコン基板１の表面
部のＰ型ウエル領域２の表面部に形成されたＮ型拡散層
５およびＮ型拡散層５の表面部に形成されたＰ+ 型拡散
層６を有する光電変換・電荷蓄積領域が複数個列状に配
置された光電変換素子列と、光電変換・電荷蓄積領域
（５）にそれぞれ近接したＰ型の電荷読出し領域８と、
電荷読出し領域８に近接し前記光電変換素子列と平行に
配置された電荷転送領域（Ｎ型拡散層４、底面にＰ型ウ
エル領域３が設けられている。）および電荷転送領域
（４）とゲート絶縁膜９を介して交差する読出兼転送ゲ
ート電極１０−１Ａと転送ゲート電極１０−２Ａとの対
を有する垂直シフトレジスタとを含む画素列を複数個並
列配置した固体撮像素子において、光電変換・電荷蓄積
領域（５）、電荷読出し領域８および読出兼転送ゲート
電極１０−１Ａ下の電荷転送領域４がそれぞれの列方向
寸法の中点Ａ１，Ａ２，Ａ３を行方向に揃えて配置さ
れ、読出兼転送ゲート電極１０−１Ａを行方向に連結し
た読出兼転送ゲート電極線（１０−１Ａと連結部１０−
１Ａａとを有している。）が光電変換・電荷蓄積領域５
と交差しかつＩＴＯ膜からなるというものである。転送
ゲート電極１０−２Ａおよび転送ゲート電極の連結部１
０−２Ａａはポリシリコン膜からなり、その表面は熱酸
化による酸化シリコン膜で被覆され読出兼転送ゲート電
極１０−１Ａなどとの間を絶縁する。
部のＰ型ウエル領域２の表面部に形成されたＮ型拡散層
５およびＮ型拡散層５の表面部に形成されたＰ+ 型拡散
層６を有する光電変換・電荷蓄積領域が複数個列状に配
置された光電変換素子列と、光電変換・電荷蓄積領域
（５）にそれぞれ近接したＰ型の電荷読出し領域８と、
電荷読出し領域８に近接し前記光電変換素子列と平行に
配置された電荷転送領域（Ｎ型拡散層４、底面にＰ型ウ
エル領域３が設けられている。）および電荷転送領域
（４）とゲート絶縁膜９を介して交差する読出兼転送ゲ
ート電極１０−１Ａと転送ゲート電極１０−２Ａとの対
を有する垂直シフトレジスタとを含む画素列を複数個並
列配置した固体撮像素子において、光電変換・電荷蓄積
領域（５）、電荷読出し領域８および読出兼転送ゲート
電極１０−１Ａ下の電荷転送領域４がそれぞれの列方向
寸法の中点Ａ１，Ａ２，Ａ３を行方向に揃えて配置さ
れ、読出兼転送ゲート電極１０−１Ａを行方向に連結し
た読出兼転送ゲート電極線（１０−１Ａと連結部１０−
１Ａａとを有している。）が光電変換・電荷蓄積領域５
と交差しかつＩＴＯ膜からなるというものである。転送
ゲート電極１０−２Ａおよび転送ゲート電極の連結部１
０−２Ａａはポリシリコン膜からなり、その表面は熱酸
化による酸化シリコン膜で被覆され読出兼転送ゲート電
極１０−１Ａなどとの間を絶縁する。
【００１７】読出兼転送ゲート電極１０−１Ａおよび転
送ゲート電極１０−２Ａは、図２に示すように、それぞ
れコンタクト孔Ｃ１およびＣ２を介してアルミニウム配
線１２に接続され転送パルスφ１，φ３およびφ２，φ
４が印加される。
送ゲート電極１０−２Ａは、図２に示すように、それぞ
れコンタクト孔Ｃ１およびＣ２を介してアルミニウム配
線１２に接続され転送パルスφ１，φ３およびφ２，φ
４が印加される。
【００１８】Ｐ+ 型拡散層６は、光電変換素子（ＰＮ接
合ダイオード）の暗電流を抑制するためのものである
が、Ｐ型素子分離領域７（チャネルストッパ）に接続さ
れ接地される。Ｐ+ 型拡散層６の濃度が十分高く例えば
ピーク不純物濃度で２×１０17ｃｍ-3以上あればその電
位は上方にある読出兼転送ゲート電極連結部（１０−１
Ａａ）の電位の影響を受けず常に接地電位に維持され
る。従って、電荷読出し電圧は一定になる。
合ダイオード）の暗電流を抑制するためのものである
が、Ｐ型素子分離領域７（チャネルストッパ）に接続さ
れ接地される。Ｐ+ 型拡散層６の濃度が十分高く例えば
ピーク不純物濃度で２×１０17ｃｍ-3以上あればその電
位は上方にある読出兼転送ゲート電極連結部（１０−１
Ａａ）の電位の影響を受けず常に接地電位に維持され
る。従って、電荷読出し電圧は一定になる。
【００１９】なお、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキ
サイド（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ））膜は、
例えば、スパッタ法で厚さ５０ｎｍ程度被着しリソグラ
フィー技術を利用してドライエッチング法でパターニン
グする。
サイド（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ））膜は、
例えば、スパッタ法で厚さ５０ｎｍ程度被着しリソグラ
フィー技術を利用してドライエッチング法でパターニン
グする。
【００２０】読出兼転送ゲート電極の連結部１０−１Ａ
ａはＮ型拡散層５の上方に設けられているので転送ゲー
ト電極１０−２Ａとアルミニウム配線１２とを結ぶコン
タクト孔Ｃ２を設ける場所の面積を圧迫することはな
い。従って、単位セルを微細化し、高密度化してもアル
ミニウム配線に接続できないことによる寄生抵抗の増大
を回避することができる。また、Ｎ型拡散層５の電位の
最も深いところ（Ａ１）にたまった電荷は最短距離でパ
ンチスルーを起さないまでも短チャネル効果の利いた領
域（Ａ２）を通って読み出すことができ、読出し電圧が
低くなる。
ａはＮ型拡散層５の上方に設けられているので転送ゲー
ト電極１０−２Ａとアルミニウム配線１２とを結ぶコン
タクト孔Ｃ２を設ける場所の面積を圧迫することはな
い。従って、単位セルを微細化し、高密度化してもアル
ミニウム配線に接続できないことによる寄生抵抗の増大
を回避することができる。また、Ｎ型拡散層５の電位の
最も深いところ（Ａ１）にたまった電荷は最短距離でパ
ンチスルーを起さないまでも短チャネル効果の利いた領
域（Ａ２）を通って読み出すことができ、読出し電圧が
低くなる。
【００２１】図３（ａ）は本発明の第２の実施例の主要
部を示す平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＸ−Ｘ線断
面図である。
部を示す平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＸ−Ｘ線断
面図である。
【００２２】この実施例は読出兼転送ゲート電極の連結
部１０−１Ａａに、開口１３が設けられている以外は第
１の実施例と同じである。開口１３はＮ型拡散層５の中
心（Ａ１）の上部とその近傍から隣接する画素列側のＰ
型素子分離領域７の上部へかけて設けられる。Ｐ+ 型拡
散層６の濃度が工程上のばらつきにより十分濃くなくて
もＮ型拡散層５の中央部（Ａ１とその近傍）の電位が読
出兼転送ゲート電極１０−１Ａの電位の影響をこうむる
のを避けることができ、低い読出し電圧を確実に実現で
きる効果がある。
部１０−１Ａａに、開口１３が設けられている以外は第
１の実施例と同じである。開口１３はＮ型拡散層５の中
心（Ａ１）の上部とその近傍から隣接する画素列側のＰ
型素子分離領域７の上部へかけて設けられる。Ｐ+ 型拡
散層６の濃度が工程上のばらつきにより十分濃くなくて
もＮ型拡散層５の中央部（Ａ１とその近傍）の電位が読
出兼転送ゲート電極１０−１Ａの電位の影響をこうむる
のを避けることができ、低い読出し電圧を確実に実現で
きる効果がある。
【００２３】以上透明導電膜としてＩＴＯ膜を用いた例
について説明したが、これに限らず、ＳｎＯ2 膜、金膜
もしくはポリシリコン膜などを用いてもよい。ポリシリ
コン膜の場合厚さを０．１μｍ以下にすれば、青色光に
対する感度を実用可能な程度にすることができる。ま
た、転送ゲート電極を形成してから読出兼転送ゲート電
極を形成する例について説明したが、順序は逆にしても
よい。その場合、透明導電膜を形成しパターニングした
後ＣＶＤ法で酸化シリコン膜を全面に堆積してからポリ
シリコン膜を形成しパターニングすればよい。更にま
た、転送ゲート電極も透明導電膜で形成してもよいがそ
の必要はない。
について説明したが、これに限らず、ＳｎＯ2 膜、金膜
もしくはポリシリコン膜などを用いてもよい。ポリシリ
コン膜の場合厚さを０．１μｍ以下にすれば、青色光に
対する感度を実用可能な程度にすることができる。ま
た、転送ゲート電極を形成してから読出兼転送ゲート電
極を形成する例について説明したが、順序は逆にしても
よい。その場合、透明導電膜を形成しパターニングした
後ＣＶＤ法で酸化シリコン膜を全面に堆積してからポリ
シリコン膜を形成しパターニングすればよい。更にま
た、転送ゲート電極も透明導電膜で形成してもよいがそ
の必要はない。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明の固体撮像素
子は、読出兼転送ゲート電極を透明導電膜で構成し行方
向に連結して光電変換・電荷蓄積領域の上方を走行させ
て、単位セル内で光電変換・電荷蓄積領域および電荷転
送領域を真横に並べて配置することにより、電荷読出し
電圧を低くでき駆動回路の低消費電力化を達成できる。
また、読出兼転送ゲート電極と転送ゲート電極とを単位
セル内で大きくオーバラップさせる必要がないのでアル
ミニウムなどの上層配線と接続することができ、垂直レ
ジスタの高速動作を阻害することがない。
子は、読出兼転送ゲート電極を透明導電膜で構成し行方
向に連結して光電変換・電荷蓄積領域の上方を走行させ
て、単位セル内で光電変換・電荷蓄積領域および電荷転
送領域を真横に並べて配置することにより、電荷読出し
電圧を低くでき駆動回路の低消費電力化を達成できる。
また、読出兼転送ゲート電極と転送ゲート電極とを単位
セル内で大きくオーバラップさせる必要がないのでアル
ミニウムなどの上層配線と接続することができ、垂直レ
ジスタの高速動作を阻害することがない。
【図１】本発明の第１の実施例の主要部を示す平面図
（図１（ａ））および図１（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図
１（ｂ））である。
（図１（ａ））および図１（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図
１（ｂ））である。
【図２】第１の実施例における転送ゲート電極等とアル
ミニウム配線との接続関係を示す平面模式図である。
ミニウム配線との接続関係を示す平面模式図である。
【図３】本発明の第２の実施例の主要部を示す平面図
（図３（ａ））および図３（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図
３（ｂ））である。
（図３（ａ））および図３（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図
３（ｂ））である。
【図４】従来例の主要部を示す平面図（図４（ａ）），
図４（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図４（ｂ））およびＹ−
Ｙ線に沿ったポテンシャル図（図４（ｃ））である。
図４（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図４（ｂ））およびＹ−
Ｙ線に沿ったポテンシャル図（図４（ｃ））である。
【図５】従来例における転送ゲート電極等とアルミニウ
ム配線との接続関係を示す平面模式図である。
ム配線との接続関係を示す平面模式図である。
【符号の説明】 １ Ｐ型シリコン基板 ２ Ｐ型ウエル領域 ３ Ｐ型ウエル領域 ４ Ｎ型拡散層 ５ Ｎ型拡散層 ６ Ｐ+ 型拡散層 ７ Ｐ型素子分離領域 ８ 電荷読出し領域 ９ ゲート絶縁膜 １０−１，１０−１Ａ 読出兼転送ゲート電極 １０−１ａ 読出兼転送ゲート電極連結線 １０−１Ａａ 読出兼転送ゲート電極の連結部 １０−２，１０−２Ａ 転送ゲート電極 １０−２ａ 転送ゲート電極連結線 １０−２Ａａ 転送ゲート電極の連結部 １１ 層間絶縁膜 １２ アルミニウム配線 １３ 開口 Ｃ１，Ｃ２ コンタクト孔 φ１，φ２，φ３，φ４ 転送パルス
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板の表面部の第１導電型領域の
表面部に形成された第２導電型拡散層および前記第２導
電型拡散層の表面部に形成された高濃度第１導電型拡散
層を有する光電変換・電荷蓄積領域が複数個列状に配置
された光電変換素子列と、前記光電変換・電荷蓄積領域
にそれぞれ近接した第１導電型の電荷読出し領域と、前
記電荷読出し領域に近接し前記光電変換素子列と平行に
配置された電荷転送領域および前記電荷転送領域とゲー
ト絶縁膜を介して交差する読出兼転送ゲート電極と転送
ゲート電極との対を有する垂直シフトレジスタとを含む
画素列を複数個並列配置した固体撮像素子において、前
記光電変換・電荷蓄積領域、電荷読出し領域および読出
兼転送ゲート電極下の電荷転送領域がそれぞれの列方向
寸法の中点を行方向に揃えて配置され、前記読出兼転送
ゲート電極を行方向に連結した読出兼転送ゲート電極線
が前記光電変換・電荷蓄積領域と交差しかつ透明導電膜
からなることを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 高濃度第１導電型拡散層のピーク不純物
濃度が少なくても２×１０17ｃｍ-3である請求項１記載
の固体撮像素子。 - 【請求項３】 任意の画素列の光電変換・電荷蓄積領域
上部から隣接する画素列の電荷転送領域側へかけて透明
導電膜に開口が設けられている請求項１または２記載の
固体撮像素子。 - 【請求項４】 透明導電膜がＩＴＯ膜である請求項１，
２または３記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6176383A JP2590745B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6176383A JP2590745B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846164A JPH0846164A (ja) | 1996-02-16 |
| JP2590745B2 true JP2590745B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=16012688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6176383A Expired - Fee Related JP2590745B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2590745B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002124659A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
-
1994
- 1994-07-28 JP JP6176383A patent/JP2590745B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0846164A (ja) | 1996-02-16 |
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