JP2980196B2 - 固体撮像素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子に関
し、特に電荷結合装置（ＣＣＤ）を用いたエリア型の固
体撮像素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】固体撮像素子は、従来一般的に使用され
てきた撮像管に比べ小型、軽量、高耐久性、低残像、低
焼き付き性等の特長を有し、イメージサイズの小さい民
生用ムービーカメラ分野においては、既に撮像管を凌駕
し、比較的イメージサイズの大きい業務用カメラ分野に
おいてもとって代わろうとしている。

【０００３】従来のＣＣＤ方式固体撮像素子の概略の平
面図を図９に示す。これは、固体撮像素子のうち、イン
ターライン転送方式と呼ばれるものであって、図９に示
すように、複数列の電荷転送装置からなる垂直電荷転送
部９０２と、垂直電荷転送部９０２の片側に隣接して配
置された光電変換部９０１と、各垂直電荷転送部９０２
の一端に電気的に結合して配置された水平電荷転送部９
０３と、水平電荷転送部９０３の一端に設けられた出力
部９０４から構成されている。

【０００４】図９に示す固体撮像素子の動作は次の通り
である。光電変換部９０１群に入射光量に応じて蓄積さ
れた信号電荷が映像信号のフレーム周期、もしくはフィ
ールド周期毎に対応して垂直電荷転送部９０２に読みだ
された後、映像信号の水平操作周期毎に垂直電荷転送部
９０２内を並列に下方向に順次転送される。垂直電荷転
送部９０２群の末端まで転送された信号電荷は、水平走
査周期毎に水平電荷転送部９０３へ並列に転送される。
水平電荷転送部９０３へ転送された信号電荷は、次の周
期で垂直電荷転送部９０２群から信号電荷が転送されて
くる間に、水平方向に順次転送され、出力部９０４から
映像信号として外部に取り出される。

【０００５】図１０（ａ）は、図９のＩ−Ｉ′線に沿う
電荷転送部の断面図であり、図１０（ｂ）はその断面で
の電位ポテンシャル図である。図１０（ａ）において、
１００１はＮ型半導体基板、１００３は図９に示す水平
電荷転送部９０３および垂直電荷転送部９０２の埋め込
みチャンネルを構成するＮ型半導体領域、１００２は図
９に示す水平電荷転送部９０３および垂直電荷転送部９
０２の埋め込みチャンネルを構成するＰ型ウェル層、１
００５は素子分離部のＰ⁺ 型半導体領域、１００６は導
電性電極、１００７はシリコン酸化膜、１００８は遮光
用の金属膜、１００９は保護シリコン酸化膜である。

【０００６】上述したように、従来の固体撮像素子で
は、垂直電荷転送部９０２と水平電荷転送部９０３とは
Ｐ型ウェル層１００２とＰ型ウェル層上に形成されたＮ
型半導体領域１００３とから構成される同一の構造とな
っている。次に、従来の固体撮像素子の製造方法を、工
程順断面図である図１１を参照して説明する。Ｎ型半導
体基板１００１上に素子分離部となるＰ⁺ 型半導体領域
１００５およびシリコン酸化膜１００７を形成する〔図
１１（ａ）〕。次に、薄いシリコン酸化膜を介したボロ
ンイオン１１１０の注入により、垂直電荷転送部と水平
電荷転送部を構成する領域にＰ型ウェル層１００２を形
成する〔図１１（ｂ）〕。次に、薄いシリコン酸化膜を
介したリンイオン１１１１の注入により、垂直電荷転送
部と水平電荷転送部を構成する領域にＮ型半導体領域１
００３を形成する〔図１１（ｃ）〕。その後、垂直電荷
転送部および水平電荷転送部の転送電極となる導電性電
極１００６形成し、導電性電極上に熱酸化またはＣＶＤ
（Chemical Vapor Deposition ）法等を用いて層間絶縁
膜を形成する。層間絶縁膜を形成した後にスパッタ法等
を用いて光電変換部にのみ光が入るように遮光用の金属
膜1 ００８を形成し、最後に金属膜１００８上にＣＶＤ
法等を用いて保護シリコン酸化膜１００９を形成する
〔図１１（ｄ）〕ことにより従来の固体撮像素子が得ら
れる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】固体撮像素子では高画
素化が進められており、それに伴って垂直電荷転送部９
０２のチャンネル幅が徐々に狭くなり、その電荷転送容
量が不足するようになってきている。従来、垂直電荷転
送部９０２を構成するＰ型ウェル層１００２とＮ型半導
体領域１００３との接合の深さを浅くすることにより、
垂直電荷転送部９０２の転送電荷容量の低下を抑制して
きたが、上述した従来の固体撮像素子では、水平電荷転
送部９０３と垂直電荷転送部９０２とが、Ｐ型ウェル層
１００２とＮ型半導体領域１００３とからなる同一の構
造であるため、垂直電荷転送部の接合深さを浅くした場
合には水平電荷転送部９０３における接合も浅くなり、
高画素化に伴う、より高速度の電荷転送に際して、特に
微少な信号電荷の転送効率が劣化するという問題が起こ
る。

【０００８】これに対する対策として、垂直電荷転送部
のＰ型ウェル層の不純物濃度を水平電荷転送部のＰ型ウ
ェル層の不純物濃度より高くする方法（特開平４−２２
５５６２号公報）、あるいは垂直電荷転送部のＰ型ウェ
ル層とＮ型半導体領域の不純物濃度を水平電荷転送部の
Ｐ型ウェル層とＮ型半導体領域の不純物濃度より高くす
る方法（特開平５−２９５９９号公報）が提案されてい
る。

【０００９】しかしながら、垂直電荷転送部のＰ型ウェ
ル層の不純物濃度を水平電荷転送部のＰ型ウェル層の不
純物濃度より高くする方法（特開平４−２２５５６２号
公報）においては、Ｐ型ウェル層の不純物濃度変化位置
が、フォトマスクの目合わせズレや不純物の横方向拡散
の影響により、垂直電荷転送部の電極と水平電荷転送部
の電極との境の位置よりもずれる可能性がある。不純物
濃度変化位置が垂直電荷転送部側にずれていると、水平
電荷転送部に隣接する垂直電荷転送部にポテンシャルの
窪みが生じる。垂直電荷転送部にポテンシャル窪みが生
じると、その分水平電荷転送部に蓄積できる信号電荷量
が少なくなり、水平電荷転送部の最大蓄積信号電荷量が
減少するという問題が起こる。

【００１０】また、垂直電荷転送部のＰ型ウェル層とＮ
型半導体領域の不純物濃度を水平電荷転送部のＰ型ウェ
ル層とＮ型半導体領域の不純物濃度より高くする方法
（特開平５−２９５９９号公報）においても、Ｐ型ウェ
ル層やＮ型半導体領域の不純物濃度変化位置が、フォト
マスクの目合わせズレや不純物の横方向拡散の影響で、
垂直電荷転送部の電極と水平電荷転送部の電極との境の
位置よりもずれる可能性がある。Ｐ型ウェル層とＮ型半
導体領域の両方の不純物濃度変化位置、あるいはＰ型ウ
ェル層の不純物濃度変化位置が垂直電荷転送部側にずれ
ると、水平電荷転送部に隣接する垂直電荷転送部にポテ
ンシャルの窪みが生じて、水平電荷転送部に蓄積できる
最大信号電荷量が減少する。また、Ｎ型半導体領域の不
純物濃度変化位置が、垂直電荷転送部側にずれると、水
平電荷転送部に隣接する垂直電荷転送部にポテンシャル
の障壁が生じ、垂直水平接続部の転送効率が劣化すると
いう問題が起こる。

【００１１】上述したような垂直水平接続部のポテンシ
ャルの障壁や窪みを防ぎ、チヤネル電位の整合をとるた
めに、垂直電荷転送部と水平電荷転送部の間に、垂直電
荷転送部や水平電荷転送部の駆動制約を受けない独立し
た転送電極を設ける方法（特開平５−２９５９９号公
報）も提案されているが、独立な転送電極の駆動パルス
とそのための配線が新たに必要になるという欠点があ
る。したがって、本発明の解決すべき課題は、浅接合化
によって垂直電荷転送部の転送電荷容量の低下を抑制し
た、高画素化された固体撮像素子において、垂直電荷転
送部の転送効率の低下や水平電荷転送部の最大蓄積電荷
量の低下を招くことなく水平電荷転送部の転送効率の向
上を図ることである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上述した課題は、複数の
垂直電荷転送部と各垂直電荷転送部の一端にそれらから
電荷の転送を受けるように配置された水平電荷転送部と
を備え、各電荷転送部が半導体基板の表面領域内に形成
された電荷転送領域となる第１導電型領域とその下に形
成された第２導電型領域とによって構成されている固体
撮像素子において、前記水平電荷転送部の電荷転送領域
が、少なくとも垂直電荷転送部と接する側の一部を除く
部分にポテンシャルの深い領域を有するようにすること
により解決することができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明による固体撮像素子は、複
数の垂直電荷転送部と各垂直電荷転送部の一端にそれら
から電荷の転送を受けるように配置された水平電荷転送
部とを備え、各電荷転送部が半導体基板の表面領域内に
形成された電荷転送領域となるＮ型半導体領域とその下
に形成されたＰ型ウェル層とを含んで構成され、前記水
平電荷転送部のＰ型ウェル層は、少なくとも垂直電荷転
送部と接する側の一部を除く領域の不純物濃度が他の領
域のそれより低く設定されている。あるいは、前記水平
電荷転送部のＮ型半導体領域は、少なくとも垂直電荷転
送部と接する側の一部を除く領域の不純物濃度が他の領
域のそれより高く設定されている。

【００１４】

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 ［第１の実施例］図１は、本発明の第１の実施例の概略
の平面図であり、図２（ａ）は、図１のＩ−Ｉ′線に沿
う電荷転送部の断面図、図２（ｂ）は、その断面での電
位ポテンシャル図である。図１において、１０１は光電
変換部、１０２は垂直電荷転送部、１０３は水平電荷転
送部、１０４は出力部であり、また、破線にて囲まれた
領域は、第２のＰ型ウェル層が形成されている電界増強
領域１０５を示しており、基本的な動作は前述した従来
例の場合と同様である。

【００１５】図２において、２０１はＮ型半導体基板、
２０２は図１に示す水平電荷転送部１０３の一部および
垂直電荷転送部１０２の埋め込みチャンネルを構成する
第１のＰ型ウェル層、２０３は図１に示す水平電荷転送
部１０３および垂直電荷転送部１０２の埋め込みチャン
ネルを構成するＮ型半導体領域、２０４は図１に示す水
平電荷転送部１０３の中央部の埋め込みチャンネルを構
成する第２のＰ型ウェル層、２０５は素子分離部のＰ⁺
型半導体領域、２０６は転送電極を構成する導電性電
極、２０７はシリコン酸化膜、２０８は遮光用の金属
膜、２０９は保護シリコン酸化膜である。

【００１６】上述した本発明の第１の実施例に係る固体
撮像素子では、水平電荷転送部１０３の両サイドおよび
垂直電荷転送部１０２に第１のＰ型ウェル層２０２が形
成され、水平電荷転送部１０３のチャンネル中央部に対
応する領域に第２のＰ型ウェル層２０４が形成され、さ
らに前記第１のＰ型ウェル層２０２および第２のＰ型ウ
ェル層２０４上に埋め込みチャンネルを構成するＮ型半
導体領域２０３が形成された構造となっている。

【００１７】次に、本発明の第１の実施例の固体撮像素
子の製造方法について、工程順断面図である図３を参照
して説明する。Ｎ型半導体基板２０1 上に素子分離部の
Ｐ⁺型半導体領域２０５およびシリコン酸化膜２０７を
形成する〔図３（ａ）〕。次に、薄いシリコン酸化膜を
介したボロンイオン３１０の注入により、垂直電荷転送
部と水平電荷転送部を構成する領域に不純物濃度の低い
Ｐ型ウェル層２０４ａを形成する〔図３（ｂ）〕。次
に、水平電荷転送部の第２のＰ型ウェル層を形成する領
域上にマスクとなるフォトレジスト３１２を形成する。

【００１８】フォトレジストマスクのない垂直電荷転送
部と水平電荷電送部の一部に選択的に追加のボロンイオ
ン３１０を注入する。これにより、追加ボロンイオンが
注入された領域が不純物濃度の高い第１のＰ型ウェル層
２０２に、フォトレジストマスクにより追加ボロンの注
入されなかった領域が不純物濃度の低い第２のＰ型ウェ
ル層２０４になる〔図３（ｃ）〕。次に、フォトレジス
ト３１２を除去し、薄いシリコン酸化膜を介したリンイ
オン３１１の注入により、垂直電荷転送部と水平電荷転
送部を構成する領域にＮ型半導体領域２０３を形成する
〔図３（ｄ）〕。その後、垂直電荷転送部および水平電
荷転送部の転送電極となる導電性電極２０６形成し、導
電性電極上に熱酸化またはＣＶＤ法等を用いて層間絶縁
膜を形成する。層間絶縁膜を形成した後にスパッタ法等
を用いて光電変換部にのみ光が入るように遮光用の金属
膜２０８を形成し、最後に金属膜２０８上にＣＶＤ法等
を用いて保護シリコン酸化膜２０９を形成する〔図３
（ｅ）〕ことにより、本発明の第１の実施例に係る固体
撮像素子が得られる。

【００１９】本発明の第１の実施例では、図１に示した
ように、水平電荷転送部１０３のチャンネル幅Ａより小
さいチャンネル幅Ｂの範囲で第２のＰ型ウェル層２０４
の形成された領域を持つ構造となっている。このような
構造とすることにより、水平電荷転送部に形成される空
乏層を従来例に比べ深さ方向に延ばすことができ、フリ
ンジ電界を増強することができるため、水平電荷転送部
の信号電荷の転送速度を上げることができ、信号電荷の
転送効率を改善することができる。

【００２０】尚、本発明の第１の実施例では、水平電荷
転送部の内部でのみ構造を変更しているため、従来例の
ようにフォトマスクの目合わせズレや不純物の横方向拡
散の影響で垂直水平接続部、垂直電荷転送部にポテンシ
ャルの窪みや障壁が生じることはない。たとえば 第１
のＰ型ウェル層２０２の不純物濃度を１×１０¹⁶ｃ
ｍ^-3、第２のＰ型ウェル層２０４の不純物濃度を５×１
０¹⁵ｃｍ^-3、Ｎ型半導体領域２０３の不純物濃度を５×
１０¹⁶ｃｍ^-3とした場合、水平電荷転送部の信号電荷の
転送速度を約１５％改善することができるため、信号電
荷の転送効率を改善することができる。ただし、この場
合、水平電荷転送部の第２のＰ型ウェル層を形成する領
域の幅Ｂが、４μｍより小さい範囲においては、ナロー
チャンネル効果により、従来例よりは勝るものの、第２
のＰ型ウェル層を形成する領域の幅Ｂが小さくなるにし
たがって、その効果は徐々に劣化する。したがって、第
２のＰ型ウェル層を形成する領域の幅Ｂは、４μｍ以上
かつ水平電荷転送部のチャンネル幅Ａ以下の範囲で設定
することが望ましい。

【００２１】さらに、水平電荷転送部に第１のＰ型ウェ
ル層が存在しない場合、あるいは第１のＰ型ウェル層の
幅が非常に小さい場合には、第１のＰ型ウェル層と第２
のＰ型ウェル層の境界位置が、フォトマスクの目合わせ
ズレの影響で、垂直電荷転送部側にずれて、垂直水平接
続部にポテンシャルの窪みが生じて水平電荷転送部に蓄
積できる最大信号電荷量が減少する可能性がでてくる。
したがって、第１のＰ型ウェル層を形成する領域の幅
は、目合わせズレに影響されない１μｍ以上に設定する
ことが望ましい。

【００２２】［第２の実施例］図４は、本発明の第２の
実施例の概略の平面図である。図４において、４０１は
光電変換部、４０２は垂直電荷転送部、４０３は水平電
荷転送部、４０４は出力部であり、また、破線にて囲ま
れている領域は、第２のＰ型ウェル層が形成されている
電界増強領域４０５を示しており、前述した本発明の第
１の実施例と異なる点は、第１のＰ型ウェル層が、垂直
電荷転送部４０２に接する水平電荷転送部４０３の片側
にのみ形成されている点である。基本的な動作は前述し
た従来例と同様である。

【００２３】この第２の実施例では、水平電荷転送部の
構造は第１の実施例と基本的に同じであるため、第１の
実施例の場合と同様に信号電荷の転送効率を改善するこ
とができる。更に、この第２の実施例では、水平電荷転
送部の第１のＰ型ウェル層が垂直電荷転送部に接する水
平電荷転送部の片側にのみ形成されているため、信号電
荷の転送効率の改善に寄与する水平電荷転送部の第２の
Ｐ型ウェル層の形成される領域の面積を増やすことがで
きる。

【００２４】［第３の実施例］図５は、本発明の第３の
実施例の概略の平面図であり、図６（ａ）は、図５のＩ
−Ｉ′線に沿う電荷転送部の断面図、図６（ｂ）は、そ
の断面での電位ポテンシャル図である。図５において、
５０１は光電変換部、５０２は垂直電荷転送部、５０３
は水平電荷転送部、５０４は出力部であり、また、破線
にて囲まれている領域は、第２のＮ型半導体領域が形成
されている電界増強領域５０５を示しており、基本的な
動作は前述した第１、第２の実施例の場合と同様であ
る。図６において、６０１はＮ型半導体基板、６０２は
図５に示す水平電荷転送部５０３および垂直電荷転送部
５０２の埋め込みチャンネルを構成するＰ型ウェル層、
６０３は図５に示す水平電荷転送部５０３の一部および
垂直電荷転送部５０２の埋め込みチャンネルを構成する
第１のＮ型半導体領域、６０４は図５に示す水平電荷転
送部５０３の中央部の埋め込みチャンネルを構成する第
２のＮ型半導体領域、６０５は素子分離部のＰ⁺ 型半導
体領域、６０６は導電性電極、６０７はシリコン酸化
膜、６０８は遮光用の金属膜、６０９は保護シリコン酸
化膜である。

【００２５】この第３の実施例の固体撮像素子では、水
平電荷転送部５０３のチャンネル部の両サイドおよび垂
直電荷転送部５０２に第１のＮ型半導体領域６０３が形
成され、水平電荷転送部５０３のチャンネル部の中央部
分に第２のＮ型半導体領域６０４が形成され、さらに埋
め込みチャンネルを構成する前記第１のＮ型半導体領域
６０３および第２のＮ型半導体領域６０４は、Ｐ型ウェ
ル層６０２上に形成された構造となっている。

【００２６】次に、本発明の第３の実施例の製造方法に
ついて、工程順断面図である図７を参照して説明する。
Ｎ型半導体基板６０１上に素子分離部のＰ⁺ 型半導体領
域６０５およびシリコン酸化膜６０７を形成する〔図７
（ａ）〕。次に、薄いシリコン酸化膜を介したボロンイ
オン７１０の注入により、垂直電荷転送部と水平電荷転
送部を構成する領域にＰ型ウェル層６０２を形成する
〔図７（ｂ）〕。次に、薄いシリコン酸化膜を介したリ
ンイオン７１１の注入により、垂直電荷転送部と水平電
荷転送部を構成する領域に不純物濃度の低いＮ型半導体
領域６０３ａを形成する〔図７（ｃ）〕。次に、水平電
荷転送部の第１のＮ型半導体領域を形成する領域にフォ
トレジスト７１２を形成し、これをマスクとしてリンイ
オン７１１をイオン注入する。これにより、フォトレジ
ストマスクによりリンイオンが注入されなかった領域が
不純物濃度の低い第１のＮ型半導体領域６０３に、リン
イオンが注入された領域が不純物濃度の高い第２のＮ型
半導体領域６０４となる〔図７（ｄ）〕。

【００２７】その後、フォトレジスト７１２を除去し、
垂直電荷転送部および水平電荷転送部の転送電極となる
導電性電極６０６形成し、導電性電極上に熱酸化または
ＣＶＤ法等を用いて層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜
を形成した後にスパッタ法等を用いて光電変換部にのみ
光が入るように遮光用の金属膜６０８を形成し、最後に
金属膜６０８上にＣＶＤ等を用いて保護シリコン酸化膜
６０９を形成する〔図７（ｅ）〕ことにより、本発明の
第３の実施例に係る固体撮像素子が得られる。

【００２８】この第３の実施例では、図５に示したよう
に水平電荷転送部５０３のチャンネル幅Ａより小さい幅
Ｂの範囲で第２のＮ型半導体領域６０４を形成する領域
を持つ構造となっている。埋め込みチャンネルのＮ型半
導体領域をこのように構成することにより、水平電荷転
送部に形成される空乏層を従来例に比べ深さ方向に延ば
すことができ、フリンジ電界を増強して、水平電荷転送
部の信号電荷の転送速度を上げることができるため、信
号電荷の転送効率を改善することができる。尚、この第
３の実施例も、水平電荷転送部の内部でのみ構造を変更
するものであるため、従来例の場合のようにフォトマス
クの目合わせズレや不純物の横方向拡散の影響で垂直水
平接続部、垂直電荷転送部にポテンシャルの窪みや障壁
が形成されることはない。

【００２９】［第４の実施例］図８は、本発明の第４の
実施例の概略の平面図である。図８において、８０１は
光電変換部、８０２は垂直電荷転送部、８０３は水平電
荷転送部、８０４は出力部である。また、破線にて囲ま
れた領域は、第２のＮ型半導体領域が形成されている電
界増強領域８０５を示しており、前述した第３の実施例
と異なる点は、垂直電荷転送部８０２に接する水平電荷
転送部８０３の片側にのみ第１のＮ型半導体領域が形成
されている点である。

【００３０】この第４の実施例では、水平電荷転送部の
構造は第３の実施例と基本的に同じであるため、第３の
実施例の場合と同様に信号電荷の転送効率を改善するこ
とができる。更に、この第４の実施例では、水平電荷転
送部の第１のＮ型半導体領域が垂直電荷転送部に接する
水平電荷転送部の側面にのみ形成されているため、信号
電荷の転送効率の改善に寄与する水平電荷転送部の第２
のＮ型半導体領域の形成される領域の面積を増やすこと
ができる。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
素子は、水平電荷転送部の埋め込みチャンネルの少なく
とも垂直電荷転送部寄りの部分を除く中央部にポテンシ
ャルの深い領域を形成するようにしたものであるので、
垂直水平接続部や垂直電荷転送部にポテンシャルの窪み
や障壁を生じさせることなく水平電荷転送部の転送効率
を向上させることができる。したがって、本発明によれ
ば、高画素化された場合にも、垂直電荷転送部での転送
電荷量を低下させることなく、水平電荷転送部の転送効
率を向上させることができるので、解像度が高く高画質
の固体撮像素子を提供するとが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の概略の平面図。

【図２】図１のＩ−Ｉ′線での断面図とその断面での電
位ポテンシャル図。

【図３】本発明の第１の実施例の製造方法を説明するた
めの工程順断面図。

【図４】本発明の第２の実施例の概略の平面図。

【図５】本発明の第３の実施例の概略の平面図。

【図６】図５のＩ−Ｉ′線での断面図とその断面での電
位ポテンシャル図。

【図７】本発明の第３の実施例の製造方法を説明するた
めの工程順断面図。

【図８】本発明の第４の実施例の概略の平面図。

【図９】従来の固体撮像素子の概略の平面図。

【図１０】図９のＩ−Ｉ′線での断面図とその断面での
電位ポテンシャル図。

【図１１】従来の固体撮像素子の製造方法を説明するた
めの工程順断面図。

【符号の説明】

１０１、４０１、５０１、８０１、９０１ 光電変換部 １０２、４０２、５０２、８０２、９０２ 垂直電荷転
送部 １０３、４０３、５０３、８０３、９０３ 水平電荷転
送部 １０４、４０４、５０４、８０４、９０４ 出力部 １０５、４０５、５０５、８０５ 電界増強領域 ２０１、６０１、１００１ Ｎ型半導体基板 ２０２ 第１のＰ型ウェル層 ２０３、６０３ａ、１００３ Ｎ型半導体領域 ６０３ 第１のＮ型半導体領域 ２０４ 第２のＰ型ウェル層 ２０４ａ、６０２、１００２ Ｐ型ウェル層 ６０４ 第２のＮ型半導体領域 ２０５、６０５、１００５ Ｐ⁺ 型半導体領域 ２０６、６０６、１００６ 導電性電極 ２０７、６０７、１００７ シリコン酸化膜 ２０８、６０８、１００８ 金属膜 ２０９、６０９、１００９ 保護シリコン酸化膜 ３１０、７１０、１１１０ ボロンイオン ３１１、７１１、１１１１ リンイオン ３１２、７１２ フォトレジスト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−125977（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−13470（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−29599（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−77453（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−244401（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−342901（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−231078（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−274293（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/339 H01L 27/14 - 27/148 H01L 29/762 - 29/768

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の垂直電荷転送部と各垂直電荷転送
   部の一端にそれらから電荷の転送を受けるように配置さ
   れた水平電荷転送部とを備え、各電荷転送部が半導体基
   板の表面領域内に形成された、電荷転送領域となる第１
   導電型領域とその下に形成された第２導電型領域とを有
   する固体撮像素子において、前記水平電荷転送部の前記
   第１導電型領域の一部の領域の不純物濃度は、前記第１
   導電型領域のそれ以外の領域の不純物濃度より高くなさ
   れ、かつ、該第１導電型の一部の領域は前記垂直電荷転
   送部に接していないことを特徴とする固体撮像素子。
2. 【請求項２】 他の第１導電型領域の領域より不純物濃
   度が高くなされた前記第１導電型領域の領域が、前記電
   荷転送領域の前記垂直電荷転送部に接する側と反対側の
   部分を除いた電荷転送領域の中央部に形成されているこ
   とを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
3. 【請求項３】 複数の垂直電荷転送部と各垂直電荷転送
   部の一端にそれらから電荷の転送を受けるように配置さ
   れた水平電荷転送部とを備え、各電荷転送部が半導体基
   板の表面領域内に形成された、電荷転送領域となる第１
   導電型領域とその下に形成された第２導電型領域とを有
   する固体撮像素子において、前記水平電荷転送部の前記
   第２導電型領域の一部の領域の不純物濃度は、前記第２
   導電型領域のそれ以外の領域の不純物濃度より低くなさ
   れ、かつ、該第２導電型の一部の領域は前記垂直電荷転
   送部に接していないことを特徴とする固体撮像素子。
4. 【請求項４】 他の第２導電型領域の領域より不純物濃
   度が低くなされた前記第２導電型領域の領域が、前記電
   荷転送領域の前記垂直電荷転送部に接する側と反対側の
   部分を除いた電荷転送領域の中央部に形成されているこ
   とを特徴とする請求項３記載の固体撮像素子。