JP3772920B6 - 固体撮像素子の受光部製造方法 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は固体撮像素子、特に、たとえば受光部を備えたCCD撮像素子に有利に適用される固体撮像素子の受光部構造とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、ビデオカメラなどに使われる固体撮像素子としてCCD撮像素子が多種多様な映像機器に用いられ、たとえば特開平6−97411号公報等にはこの種の従来技術が開示されている。図6はこのような従来技術における固体撮像素子のフォトセルの構造とその製造方法を説明するための一部断面図を示したものである。また、図7は、図6に示した従来技術において、表面における深さと濃度(A)、電位分布(B)との関係を示すグラフである。
【0003】
まず、この従来技術における製造方法を説明すれば、N型基板(N−sub)11にP型ウェル(P−well)12を形成し、チャネルストップ13と垂直CCD(VCCD)14を形成する。そして、表面にゲ−ト絶縁膜15を形成した後、電荷転送用ゲ−ト電極16を形成し、受光部となる部分にN型不純物を注入してフォトダイオ−ド(PD)17を形成する。受光部の表面にP型不純物を注入して高濃度のP+ 層18を形成し、その後、絶縁酸化膜19、遮光用金属膜20及び保護膜21を順次積層形成する。
【0004】
このように、受光部表面には、N型のフォトダイオ−ド17の表面にP型不純物をイオン注入したP+ 層18が形成されているこのP+ 層18は、ダングリングボンドに結合された水素イオンや温度エネルギ−により発生したノイズ電荷がフォトダイオ−ド17に流入した際、撮像したい光信号による電荷と共にこのノイズ電荷が信号電荷として処理されることを防いでいた。すなわち、N型のフォトダイオ−ド17の表面から発生したノイズ電荷がフォトダイオ−ド17に流入されることをフォトダイオ−ド17の表面に形成されたP+ 層18が障壁の役割を果たして遮断していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来技術における固体撮像素子において、P+ 層18は中立(neutral)領域が存するように、N型のフォトダイオ−ド領域の濃度より1次数(order)以上の濃度を高く保たなければ効率的な障壁の役割を果たせない。
【0006】
図7(A)は従来技術における受光部の表面からの深さと不純物濃度との関係を示しているが、表面からP+ 、N、P、N- の順に濃度が低くなるように設計される。このように不純物濃度が分布されれば、図7(B)に示したように、表面の電位を零電位としたときN領域は負電位となり、P領域は表面よりやや負電位となることがわかる。
【0007】
このように、従来の受光部構造では、P+ −N−P−N- となって表面のノイズ電位をP+ 領域と表面との間の中立領域に溜める役割を果たすが、この中立領域の深さが大きくなれば入射光の短波長を撮像する能力が劣化するので、無制限に深く形成することはできない。そこで、短波長での撮像能力が劣化しない程度の適正深さに形成すれば、P+ 層の障壁を越えるノイズ電荷が多く発生してホワイトノイズを生じるという問題が生じた。
【0008】
したがって、従来技術における固体撮像素子では、ホワイトノイズを減少させること、すなわちCCD受光部の表面状態がノイズ電荷として作用することを防ぐことが非常に困難であり、高品位の固体撮像素子を提供することができないという問題があった。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明はこのような課題を解決するために、第1導電型の基板上に形成された第2導電型のウェル内に、チャネルストップ部と垂直CCD部とを形成し、第2導電型ウェル表面にゲ−ト絶縁膜を形成した後、このゲート絶縁膜上に電荷転送用ゲ−ト電極を形成し、第1導電型不純物を注入して受光部用のフォトダイオ−ドを形成する。そして、この受光部の表面に第2導電型不純物を注入して高濃度の第2導電層を形成した後、受光部表面のゲ−ト絶縁膜を取り除く。その後、第1導電型不純物を含む絶縁膜を表面に蒸着し、この絶縁膜を熱処理してこの膜内にある第1導電型不純物を受光部の表面にド−ピングし表面に薄い第1導電部と第2導電部の接合面を形成する。この後、受光部を除く絶縁膜上に遮光用金属膜を形成し、この遮光用金属膜を含む表面に保護膜を形成する。
【0010】
また、本発明による他の製造方法では、第1導電型の基板上に形成された第2導電型のウェル内に、チャネルストップ部と垂直CCD部を形成し、第2導電型ウェル表面にゲ−ト絶縁膜を形成した後、このゲート絶縁膜上に電荷転送用ゲ−ト電極を形成し、第1導電型不純物を注入して受光部用のフォトダイオ−ドを形成する。そして、この受光部の表面に第2導電型不純物を注入して高濃度の第2導電層を形成した後、受光部表面のゲ−ト絶縁膜を取り除く。その後、第1導電型不純物でド−ピングされたポリシリコン層を形成した後、熱処理して受光部の表面に薄い第1導電部と第2導電部の接合面を形成した後、ポリシリコン層を取り除く。この後、表面に絶縁層と遮光用金属膜と保護膜とを順次積層形成する。さらに本発明による製造方法は、第1導電型の基板上に形成された第2導電型のウェル内に、チャネルストップ部と垂直CCD部とを形成し、第2導電型ウェル表面にゲ−ト絶縁膜を形成した後、このゲート絶縁膜上に電荷転送用ゲ−ト電極を形成し、第1導電型不純物を注入して受光部用のフォトダイオ−ドを形成する。そして、受光部の表面に第2導電型不純物を注入して高濃度の第2導電層を形成した後、受光部表面のゲ−ト絶縁膜を取り除く。その後、第1導電型不純物イオンをイオン注入し、その後熱処理して受光部の表面に薄い第1導電部と第2導電部との接合面を形成する。この後、表面に絶縁層と遮光用金属膜と保護膜とを順次積層して形成する。
【0011】
また、本発明によれば、第1導電型の半導体基板上に形成された第2導電型のウエルと、前記第2導電型のウエル内に形成された受光部とを備えた固体撮像素子は、受光部の垂直構造が光が入射する表面から高濃度第1導電型層−高濃度第2導電型層−第1導電型層−第2導電型層−低濃度第1導電型層により形成される。
【0012】
【発明の実施の形態】
次に添付図面を参照して本発明による固体撮像素子の受光部の構造およびその製造方法の実施の形態を詳細に説明する。
図1〜図3は本発明による固体撮像素子の受光部の製造過程を示す断面図であり、図4はこの固体撮像素子の受光部の概略的なレイアウトを示した説明図である。
【0013】
図1において、N型基板(N−sub)21にP型ウェル(P−well)22を形成し、チャネルストップ23と、一方がこれに隣接した垂直CCD(VCCD)24を形成する。そして、表面にゲ−ト絶縁膜25を形成した後、垂直CCD24上にこのゲ−ト絶縁膜25を介して電荷転送用ゲ−ト電極26を形成する。その後、受光部となる部分にN型不純物を注入してフォトダイオ−ド27を形成する。このときの概略的なレイアウトが図4(A)であり、ここまでの工程は従来技術と同じである。
【0014】
次に、図2に示すように、図1で形成された受光部の表面にP型不純物を注入してP+ 層28を形成する。その後、写真食刻工程で受光部27の上部のゲ−ト絶縁膜25を取り除いて受光部窓29を開く。この際、湿式食刻工程を用いる。このときの概略的なレイアウトを示したものが図4(B)である。次に、受光部窓29を含む表面にN型不純物を含めた絶縁物質よりなる絶縁膜35を蒸着する。この際、絶縁膜35はPSGを用いて蒸着すれば良い。
【0015】
この後、絶縁膜35がゲ−ト電極26を形成したとき生じた段差をある程度平坦化するように熱処理を施す。この熱処理により、絶縁膜35内にあるN型不純物が受光部の表面にド−ピングされ、表面に薄い接合層30が形成される。このようにしてN領域(N+ またはN)の接合層30が形成されることで、受光部の垂直構造は光が入射される表面からN(またはN+ ) −P +−N−P−N+ より形成される。その後、図3に示すように、受光部が形成された部分以外の表面に遮光用金属膜31が形成され、その上に保護膜32が形成される。
【0016】
図5(A)は本実施の形態における受光部の表面からの深さによる不純物濃度を示しているが、最も表面に近いN+ (またはN)層の除けばその他は従来技術と同様に、表面からP+ 、N、P、N- の順に濃度が低くなるように設計される。このように本実施の形態では、P+ 層の上にN+ (またはN)層を形成したため、図5(B)に示すように、表面の電位が従来技術のように零電位とならずに負電位となる。したがって、N−P接合層が形成する障壁により表面のノイズ電荷が受光部に流入されるのをほぼ完璧に遮断することが可能となる。
【0017】
以上、本発明による固体撮像素子の受光部の構造およびその製造方法について説明したが、本発明は特にこれに限定されるものではない。すなわち、他の実施の形態として、絶縁膜35を蒸着して自動ド−ピングさせる工程の代わりに、N型にド−ピングされたポリシリコン層を形成した後、これを熱処理して自動ド−ピングさせた後、このポリシリコン層を取り除けいても良い。
【0018】
さらに、他の実施例として、絶縁膜35を通じて自動ド−ピングする代わりに、N型不純物を表面にのみイオン注入してN型表面層を形成しても良い。なお、これら他の実施の形態においても、勿論、このようにN型を表面に形成した後は図3に示したように、絶縁酸化膜35、遮光用金属膜31及び保護膜32を形成する。
【0019】
以上、詳細に説明した本実施の形態における撮像素子の受光部の構造では、表面にNまたはN+ 型の不純物が自動ド−ピングされることにより、受光部は光が入射する表面から深さ方向へN(またはN+ )−P+ −N−P−N- の構造としたが、本発明はこれらに限定されるものではなく、勿論、P型とN型を互いに変えて形成しても同じ効果を期待できる。
【0020】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように本発明による撮像素子の受光部の構造では、従来技術のように受光部の表面をP+ 層のみで保護するのでは無く、P+ 表面にN(またはN+ )層をさらに形成する。このような構造にすることにより、N−P接合層が形成する障壁が大きくなるので、表面のノイズ電荷が受光部に流入されるのをほぼ完璧に遮断する。よって、ホワイト欠陥(White defect)を効率よく抑制し、CCD撮像素子の収率を向上させうることが期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による固体撮像素子の受光部構造の実施の形態における製造過程のを示す断面図。
【図2】図1に示した製造過程に続く受光部構造の断面を示す断面図。
【図3】図2に示した製造過程に続く受光部構造の断面を示す断面図。
【図4】本発明による固体撮像素子の受光部の概略的なレイアウトを示したレイアウト図。
【図5】本発明による固体撮像素子の受光部の垂直深さと不純物濃度との関係を示すグラフ(A)と、受光部の垂直深さと電位分布との関係を示すグラフ(B)。
【図6】従来技術における固体撮像素子の受光部構造を示す断面図。
【図7】図6に示した固体撮像素子の受光部の垂直深さと不純物濃度との関係を示すグラフ(A)と、受光部の垂直深さと電位分布との関係を示すグラフ(B)。
【符号の説明】
21 N型基板
22 P型ウェル
23 チャネルストップ層
24 垂直CCD
25 ゲ−ト絶縁膜
26 ゲ−ト電極
27 フォトダイオ−ド
28 P+ 層
29 受光部窓
30 接合層
35 絶縁膜
【発明の属する技術分野】
本発明は固体撮像素子、特に、たとえば受光部を備えたCCD撮像素子に有利に適用される固体撮像素子の受光部構造とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、ビデオカメラなどに使われる固体撮像素子としてCCD撮像素子が多種多様な映像機器に用いられ、たとえば特開平6−97411号公報等にはこの種の従来技術が開示されている。図6はこのような従来技術における固体撮像素子のフォトセルの構造とその製造方法を説明するための一部断面図を示したものである。また、図7は、図6に示した従来技術において、表面における深さと濃度(A)、電位分布(B)との関係を示すグラフである。
【0003】
まず、この従来技術における製造方法を説明すれば、N型基板(N−sub)11にP型ウェル(P−well)12を形成し、チャネルストップ13と垂直CCD(VCCD)14を形成する。そして、表面にゲ−ト絶縁膜15を形成した後、電荷転送用ゲ−ト電極16を形成し、受光部となる部分にN型不純物を注入してフォトダイオ−ド(PD)17を形成する。受光部の表面にP型不純物を注入して高濃度のP+ 層18を形成し、その後、絶縁酸化膜19、遮光用金属膜20及び保護膜21を順次積層形成する。
【0004】
このように、受光部表面には、N型のフォトダイオ−ド17の表面にP型不純物をイオン注入したP+ 層18が形成されているこのP+ 層18は、ダングリングボンドに結合された水素イオンや温度エネルギ−により発生したノイズ電荷がフォトダイオ−ド17に流入した際、撮像したい光信号による電荷と共にこのノイズ電荷が信号電荷として処理されることを防いでいた。すなわち、N型のフォトダイオ−ド17の表面から発生したノイズ電荷がフォトダイオ−ド17に流入されることをフォトダイオ−ド17の表面に形成されたP+ 層18が障壁の役割を果たして遮断していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来技術における固体撮像素子において、P+ 層18は中立(neutral)領域が存するように、N型のフォトダイオ−ド領域の濃度より1次数(order)以上の濃度を高く保たなければ効率的な障壁の役割を果たせない。
【0006】
図7(A)は従来技術における受光部の表面からの深さと不純物濃度との関係を示しているが、表面からP+ 、N、P、N- の順に濃度が低くなるように設計される。このように不純物濃度が分布されれば、図7(B)に示したように、表面の電位を零電位としたときN領域は負電位となり、P領域は表面よりやや負電位となることがわかる。
【0007】
このように、従来の受光部構造では、P+ −N−P−N- となって表面のノイズ電位をP+ 領域と表面との間の中立領域に溜める役割を果たすが、この中立領域の深さが大きくなれば入射光の短波長を撮像する能力が劣化するので、無制限に深く形成することはできない。そこで、短波長での撮像能力が劣化しない程度の適正深さに形成すれば、P+ 層の障壁を越えるノイズ電荷が多く発生してホワイトノイズを生じるという問題が生じた。
【0008】
したがって、従来技術における固体撮像素子では、ホワイトノイズを減少させること、すなわちCCD受光部の表面状態がノイズ電荷として作用することを防ぐことが非常に困難であり、高品位の固体撮像素子を提供することができないという問題があった。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明はこのような課題を解決するために、第1導電型の基板上に形成された第2導電型のウェル内に、チャネルストップ部と垂直CCD部とを形成し、第2導電型ウェル表面にゲ−ト絶縁膜を形成した後、このゲート絶縁膜上に電荷転送用ゲ−ト電極を形成し、第1導電型不純物を注入して受光部用のフォトダイオ−ドを形成する。そして、この受光部の表面に第2導電型不純物を注入して高濃度の第2導電層を形成した後、受光部表面のゲ−ト絶縁膜を取り除く。その後、第1導電型不純物を含む絶縁膜を表面に蒸着し、この絶縁膜を熱処理してこの膜内にある第1導電型不純物を受光部の表面にド−ピングし表面に薄い第1導電部と第2導電部の接合面を形成する。この後、受光部を除く絶縁膜上に遮光用金属膜を形成し、この遮光用金属膜を含む表面に保護膜を形成する。
【0010】
また、本発明による他の製造方法では、第1導電型の基板上に形成された第2導電型のウェル内に、チャネルストップ部と垂直CCD部を形成し、第2導電型ウェル表面にゲ−ト絶縁膜を形成した後、このゲート絶縁膜上に電荷転送用ゲ−ト電極を形成し、第1導電型不純物を注入して受光部用のフォトダイオ−ドを形成する。そして、この受光部の表面に第2導電型不純物を注入して高濃度の第2導電層を形成した後、受光部表面のゲ−ト絶縁膜を取り除く。その後、第1導電型不純物でド−ピングされたポリシリコン層を形成した後、熱処理して受光部の表面に薄い第1導電部と第2導電部の接合面を形成した後、ポリシリコン層を取り除く。この後、表面に絶縁層と遮光用金属膜と保護膜とを順次積層形成する。さらに本発明による製造方法は、第1導電型の基板上に形成された第2導電型のウェル内に、チャネルストップ部と垂直CCD部とを形成し、第2導電型ウェル表面にゲ−ト絶縁膜を形成した後、このゲート絶縁膜上に電荷転送用ゲ−ト電極を形成し、第1導電型不純物を注入して受光部用のフォトダイオ−ドを形成する。そして、受光部の表面に第2導電型不純物を注入して高濃度の第2導電層を形成した後、受光部表面のゲ−ト絶縁膜を取り除く。その後、第1導電型不純物イオンをイオン注入し、その後熱処理して受光部の表面に薄い第1導電部と第2導電部との接合面を形成する。この後、表面に絶縁層と遮光用金属膜と保護膜とを順次積層して形成する。
【0011】
また、本発明によれば、第1導電型の半導体基板上に形成された第2導電型のウエルと、前記第2導電型のウエル内に形成された受光部とを備えた固体撮像素子は、受光部の垂直構造が光が入射する表面から高濃度第1導電型層−高濃度第2導電型層−第1導電型層−第2導電型層−低濃度第1導電型層により形成される。
【0012】
【発明の実施の形態】
次に添付図面を参照して本発明による固体撮像素子の受光部の構造およびその製造方法の実施の形態を詳細に説明する。
図1〜図3は本発明による固体撮像素子の受光部の製造過程を示す断面図であり、図4はこの固体撮像素子の受光部の概略的なレイアウトを示した説明図である。
【0013】
図1において、N型基板(N−sub)21にP型ウェル(P−well)22を形成し、チャネルストップ23と、一方がこれに隣接した垂直CCD(VCCD)24を形成する。そして、表面にゲ−ト絶縁膜25を形成した後、垂直CCD24上にこのゲ−ト絶縁膜25を介して電荷転送用ゲ−ト電極26を形成する。その後、受光部となる部分にN型不純物を注入してフォトダイオ−ド27を形成する。このときの概略的なレイアウトが図4(A)であり、ここまでの工程は従来技術と同じである。
【0014】
次に、図2に示すように、図1で形成された受光部の表面にP型不純物を注入してP+ 層28を形成する。その後、写真食刻工程で受光部27の上部のゲ−ト絶縁膜25を取り除いて受光部窓29を開く。この際、湿式食刻工程を用いる。このときの概略的なレイアウトを示したものが図4(B)である。次に、受光部窓29を含む表面にN型不純物を含めた絶縁物質よりなる絶縁膜35を蒸着する。この際、絶縁膜35はPSGを用いて蒸着すれば良い。
【0015】
この後、絶縁膜35がゲ−ト電極26を形成したとき生じた段差をある程度平坦化するように熱処理を施す。この熱処理により、絶縁膜35内にあるN型不純物が受光部の表面にド−ピングされ、表面に薄い接合層30が形成される。このようにしてN領域(N+ またはN)の接合層30が形成されることで、受光部の垂直構造は光が入射される表面からN(またはN+ ) −P +−N−P−N+ より形成される。その後、図3に示すように、受光部が形成された部分以外の表面に遮光用金属膜31が形成され、その上に保護膜32が形成される。
【0016】
図5(A)は本実施の形態における受光部の表面からの深さによる不純物濃度を示しているが、最も表面に近いN+ (またはN)層の除けばその他は従来技術と同様に、表面からP+ 、N、P、N- の順に濃度が低くなるように設計される。このように本実施の形態では、P+ 層の上にN+ (またはN)層を形成したため、図5(B)に示すように、表面の電位が従来技術のように零電位とならずに負電位となる。したがって、N−P接合層が形成する障壁により表面のノイズ電荷が受光部に流入されるのをほぼ完璧に遮断することが可能となる。
【0017】
以上、本発明による固体撮像素子の受光部の構造およびその製造方法について説明したが、本発明は特にこれに限定されるものではない。すなわち、他の実施の形態として、絶縁膜35を蒸着して自動ド−ピングさせる工程の代わりに、N型にド−ピングされたポリシリコン層を形成した後、これを熱処理して自動ド−ピングさせた後、このポリシリコン層を取り除けいても良い。
【0018】
さらに、他の実施例として、絶縁膜35を通じて自動ド−ピングする代わりに、N型不純物を表面にのみイオン注入してN型表面層を形成しても良い。なお、これら他の実施の形態においても、勿論、このようにN型を表面に形成した後は図3に示したように、絶縁酸化膜35、遮光用金属膜31及び保護膜32を形成する。
【0019】
以上、詳細に説明した本実施の形態における撮像素子の受光部の構造では、表面にNまたはN+ 型の不純物が自動ド−ピングされることにより、受光部は光が入射する表面から深さ方向へN(またはN+ )−P+ −N−P−N- の構造としたが、本発明はこれらに限定されるものではなく、勿論、P型とN型を互いに変えて形成しても同じ効果を期待できる。
【0020】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように本発明による撮像素子の受光部の構造では、従来技術のように受光部の表面をP+ 層のみで保護するのでは無く、P+ 表面にN(またはN+ )層をさらに形成する。このような構造にすることにより、N−P接合層が形成する障壁が大きくなるので、表面のノイズ電荷が受光部に流入されるのをほぼ完璧に遮断する。よって、ホワイト欠陥(White defect)を効率よく抑制し、CCD撮像素子の収率を向上させうることが期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による固体撮像素子の受光部構造の実施の形態における製造過程のを示す断面図。
【図2】図1に示した製造過程に続く受光部構造の断面を示す断面図。
【図3】図2に示した製造過程に続く受光部構造の断面を示す断面図。
【図4】本発明による固体撮像素子の受光部の概略的なレイアウトを示したレイアウト図。
【図5】本発明による固体撮像素子の受光部の垂直深さと不純物濃度との関係を示すグラフ(A)と、受光部の垂直深さと電位分布との関係を示すグラフ(B)。
【図6】従来技術における固体撮像素子の受光部構造を示す断面図。
【図7】図6に示した固体撮像素子の受光部の垂直深さと不純物濃度との関係を示すグラフ(A)と、受光部の垂直深さと電位分布との関係を示すグラフ(B)。
【符号の説明】
21 N型基板
22 P型ウェル
23 チャネルストップ層
24 垂直CCD
25 ゲ−ト絶縁膜
26 ゲ−ト電極
27 フォトダイオ−ド
28 P+ 層
29 受光部窓
30 接合層
35 絶縁膜
Claims (2)
- 固体撮像素子の受光部製造方法において、
第1導電型の基板上に形成された第2導電型のウェル内に、チャネルストップ部と垂直CCD部とを形成し、前記第2導電型ウェル表面にゲート絶縁膜を形成した後、このゲート絶縁膜上に電荷転送用ゲート電極を形成し、第1導電型不純物を注入して受光部用のフォトダイオードを形成する第1の工程と、
前記第1の工程で形成された受光部の表面に、第2導電型不純物を注入して高濃度の第2導電層を形成した後、前記受光部表面のゲート絶縁膜を取り除く第2の工程と、
前記第2の工程で露出した表面に第1導電型不純物を含む絶縁膜を蒸着し、この絶縁膜を熱処理してこの膜内にある第1導電型不純物を前記受光部の表面にドーピングし表面に薄い第1導電部と第2導電部の接合面を形成する第3の工程と、
前記受光部を除く前記絶縁膜上に遮光用金属膜を形成し、この遮光用金属膜を含む表面に保護膜を形成する第4の工程とを有することを特徴とする固体撮像素子の受光部製造方法。 - 請求項1に記載の製造方法において、前記受光部の表面のゲート絶縁膜を取り除く領域は、前記受光部の表面に形成された前記高濃度の第2導電層の領域内であることを特徴とする固体撮像素子の受光部製造方法。
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