JP2608959B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JP2608959B2
JP2608959B2 JP1301750A JP30175089A JP2608959B2 JP 2608959 B2 JP2608959 B2 JP 2608959B2 JP 1301750 A JP1301750 A JP 1301750A JP 30175089 A JP30175089 A JP 30175089A JP 2608959 B2 JP2608959 B2 JP 2608959B2
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type region
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俊寛 栗山
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松下電子工業株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、固体撮像装置特に2次元撮像装置に関する
ものである。
従来の技術 従来、インターライン形CCD撮像装置(以下、IT−CCD
と呼ぶ)において、フォトダイオード(以下、PDと呼
ぶ)と垂直CCD(以下、VCCDと呼ぶ)との分離領域を拡
散層で形成しているものは、第2図に示す構成をしてい
た。21はPDのN形領域24とVCCDのN形領域23の分離領域
となる第1のP形領域、22はPDのN形領域24からVCCDの
N形領域23への信号読出し領域および分離領域となる第
2のP形領域、5はPDのN形領域24間の分離領域となる
第3のP形領域であり、これは工程の簡略化により、第
1のP形領域21と同時形成することも可能である。通
常、第2のP形領域22は読出し部のしきい値電圧を制御
することもあり、第1のP形領域の不純物濃度より低濃
度の設定になっている。
発明が解決しようとする課題 しかしながらこのような構成では、PD間の分離領域5
の影響で、図中aの部分で、VCCDのN形領域23が狭めら
れて、信号電荷に対するバリアを発生させて転送効率を
劣化させる。また、それらを回避するために、第3のP
形領域5のVCCD間の長さを減少するあるいはP形不純物
の濃度を下げると、PD間の分離の能力が低下するという
問題点があった。本発明は、このような問題点を解決す
るもので、転送効率を劣化させることなく、分離の能力
を十分期待できる構造を提供することを目的とするもの
である。
課題を解決するための手段 この課題を解決するために本発明は、PDとVCCDの分離
およびPD間分離が同時に連続領域として形成され、かつ
PDからVCCDへの読出領域およびPD間分離が同時に連続領
域として形成され、しかも、前記2つのPD間分離が一部
重複するように形成されるものである。
作用 この構成により、VCCDに接する各々の側のP形領域の
濃度は同一領域内で一定となるため、信号電荷に対する
バリアは発生せず、しかも、PD間の分離領域のP形濃度
は2つの領域の濃度が合計されたものとなり、分離能力
は向上することとなる。
実施例 第1図は本発明の一実施例によるIT−CCDの平面図であ
る。
1は、PDとなるN形領域4の間およびPD4とVCCDとな
るN形領域3の間を分離する第1のP形領域であり、2
は、PDとなるN形領域4の間の分離およびPD4からVCCD3
へ信号を読み出すしきい値電圧を制御する第2のP形領
域である。このように、PD4とVCCD3の分離領域および信
号読出し領域のP形不純物濃度を独立に制御可能とな
り、IT−CCD動作範囲が拡大し、より最適な設計を行な
うことができる。
そして、第1および第2のP形領域の形状は、第1図
に示すように、くし形が互いに線対称で重なっており、
図に示した、aおよびbはP形領域における張出し部
と、他方Pの形領域の直線部との距離を表している。こ
のaおよびbは張出し部のP形領域が拡大して、VCCD3
のN形領域を狭めないような距離に保たれている。一
方、PD4の間の分離領域においては、P形領域1,2が重な
りを持って形成されているため、マスク合せの変動によ
る影響はなく、しかも、素子特性上重要であるPD間分離
は、第1のP形領域1と第2のP形領域2の和で形成さ
れるため、より完全なものとなる。
なお実施例では、PDおよびVCCDはN形領域としたが、
P形のものにおいても、また実施例とは反対導電形のも
のにおいても同様の効果が得られる。
発明の効果 以上のように本発明によれば、IT−CCDの転送効率お
よび信号読出し特性を劣化させることなく、単位画素間
の分離を行えることができ、単位画素の縮小化にも十分
対応することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による固体撮像装置の平面
図、第2図は従来の固定撮像装置の平面図である。 1,21……第1のP形領域、2,22……第2のP形領域、3,
4,23,24……N形領域、5……第3のP形領域。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体基板上に、行列状に複数の光電変換
    素子が形成され、各光電変換素子から信号電荷を読出し
    転送する複数列の垂直走査用CCDシフトレジスタが設け
    られ、前記光電変換素子と行方向の一方で隣接する前記
    CCDシフトレジスタとの間には第1の分離領域が設けら
    れ、前記第1の分離領域は列方向に隣接する前記光電変
    換素子の間の素子間領域に延長して設けられ、前記光電
    変換素子と行方向の他方で隣接する前記CCDシフトレジ
    スタとの間には第2の分離領域が設けられ、前記第2の
    分離領域は前記素子間領域に延長して設けられ、前記第
    1の分離領域と前記第2の分離領域は、前記素子間領域
    で一部重複することを特徴とする固体撮像装置。
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