DE2608521A1

DE2608521A1 - Schaltungsplatte fuer elektronische schaltungen

Info

Publication number: DE2608521A1
Application number: DE19762608521
Authority: DE
Inventors: Leonard A Doucet
Original assignee: Augat Inc
Current assignee: Augat Inc
Priority date: 1975-04-24
Filing date: 1976-03-02
Publication date: 1976-11-04
Also published as: JPS5726362B2; JPS51131220A; US4004196A; GB1514355A; CA1047637A

Description

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Augsburg, den 25. Februar 1976

Augat Inco, 33 Perry Avenue, Attleboro, Massachusetts 02703,

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Schaltungsplatte für elektronische Schaltungen

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsplatte für elektronische Schaltungen, mit drei jeweils durch eine Isolierschicht voneinander getrennten, verschiedenen Potentialen zugeordneten Leiterschichten_β

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Bei Schaltungsplatten für schnelle Logikschaltungen wie beispielsweise Transistor-Transistor-Logikschaltungen (TTL) werden weitgehend Drahtwickeltechniken zur Herstellung von Zwischenverbindungen in den logischen Schaltungen angewandt» Wegen des Auftretens verschiedener Probleme haben sich diese Drahtwickelverbindungen bei schnelleren Logikschaltungen im Frequenzbereich von 125 MHz bis 500 MHz oder darüber im allgemeinen als nicht befriedigend herausgestellt. Ein Beispiel derartiger sehr schneller Logikschaltungen ist die emittergekoppelte Logikschaltung, Eines der bei Schaltungsplatten mit emittergekoppelter Logik, die mit normalen TTL-Techniken verdrahtet ist, auftretenden Probleme ist die große Zahl von auftretenden unechten oder fehlerhaften Signalen. Die Induktivitäten und Kapazitäten der zufällig verlaufenden gewickelten Drähte tragen dazu bei, daß die schnellen übergänge an andere Stellen in der Schaltung angekoppelt werden als an diejenigen, zu denen sie tatsächlich gelangen sollten» Die Logikimpulse werden oftmals durch die Blindkomponenten der Verdrahtung verzögert und verzerrt.

Es sind bereits Versuche unternommen worden, gedruckte Schaltungsplatten mit ihrer in hohem Maße beherrschten und reproduzierbaren Führung der Signalleitungen zur Beseitigung der Verdrahtungsprobleme bei emittergekoppelten Logikschaltungen heranzuziehen. Jedoch haben sich auch hier

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Schwierigkeiten gezeigt. Gedruckte Schaltungsplatten erfordern eine peinlich genaue Ausarbeitung der Leiteranordnungen, damit bestimmte, zur Ausschaltung fehlerhafter Signale beitragende Verdrahtungsimpedanzen erzielt werden· Dazu müssen stets mehrere Schaltungsplattenprototypen entworfen, geprüft und sorgfältig von Fehlern befreit werden, bevor in die Mengenfertigung eingetreten werden kann_o Nach Abschluß der Schaltungsplattenkonstruktion kann die Platte nicht mehr einfach zwecks Durchführung kleinerer Variationen geändert werden, und die Zeit zwischen Modelländerungen muß daher so lange wie möglich ausgedehnt werden, damit die ursprünglichen Entwicklungskosten wieder eingebracht werden können.

Ein bei der Anwendung von gedruckten Schaltungsplatten für emittergekoppelte Logikschaltungen oft übersehenes Problem ist die zur Herstellung bestimmter Impedanzen benötigte vergrößerte Leiteroberfläche bzw. -querschnittsfläche» Es wird mehr Plattenoberfläche verbraucht, wenn die Abstände zwischen den ebenen gedruckten Leitern vergrößert werden, um Raum für Masseleitungen oder Signalrückleitungen zu schaffen« Dadurch können weniger Bausteine auf einer Schaltungsplatte gegebener Größe untergebracht werden und es sind folglich mehr Schaltungsplatten und Schaltungsaufwand erforderlich, wodurch die Gesamtgröße eines Geräts beträchtlich vergrößert

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wirdo Außerdem werden die Verbindungsleitungen länger und die Entkopplung schwieriger,,

Eine weitere Technik, die zur Herstellung gesteuerter Verdrahtungsimpedanzen bei emittergekoppelten Logikschaltungen unter Vermeidung der bei gedruckten Schaltungsplatten auftretenden Probleme und unter Vermeidung einiger der mit Drahtwickelverbindungen verbundenen Schwierigkeiten bereits versucht worden ist, sieht die Verwendung von Schaltungsplatten mit drei Leiterschichten vor, welche eingebaute gedruckte Verdrahtungsbezugsebenen und besondere Signalanschlußstifte für Wiekelverbindungen aufweisen. Diese Anschlußstifte sind nur so lang, daß zwei Wickelverbindungen angebracht werden können, während bei den meisten üblichen Schaltungsplatten drei Wicke!verbindungen angebracht werden können. Dies vermindert Impedanzunstetigkeiten oder Blindlei tungse ff ekte, die durch die unbenutzte Stiftlänge verursacht werdenβ

Es hat sich jedoch gezeigt, daß allein durch Verwendung von Schaltungsplatten mit drei Leiterschichten für emittergekoppelte Logikschaltungen die genannten Probleme noch nicht gelöst werden können. Die Verdrahtung muß als spezialisiertes Energieübertragungssystem und nicht nur als

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einfache Leitung betrachtet werden, wie sie in einem schematischen Diagramm einfach als Hinweis dafür dient, wohin ein Signal fließen soll. Das gesamte übertragungssystem muß sämtliche von der Quelle an den Verbraucher abgegebene Energie absorbieren und darf nichts an die Quelle zurückreflektieren, was Schwingungen und Spitzen verursachen würde» Diese vorgeplante Energieabsorption macht den Unterschied zwischen einer erfolgreichen und einer nicht erfolgreichen Anwendung der Wickelverbindungstechniken bei emittergekoppelten Logikschaltungen aus. Ein Teil des Leiterplanes ist für eine gedruckte Anschlußleiste oder eine Speisespannungsebene erforderlich, die in die Schaltungsplatte eingebaut ist. Durch diese ausgebreitete Speisespannungsebene werden ungünstige Anordnungsstellen von Anschlußnetzwerk und Ableitungswiderständen vermieden und höhere Packungsdichten der Bausteine ermöglicht. Diese größere Packungsdichte wirkt sich wiederum auf eine Verkürzung der Verb in dungs leitungen und eine Verringerung der LeitungsVerzögerungen aus„

Die Ableitungs- bzw. Abschlußwiderstände, die bei Schaltungsplatten für emittergekoppelte Logikschaltungen benötigt werden, stellen keine äußeren Komponenten dar, die

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zur Herstellung der Systemverdrahtung benötigt werden, sondern es handelt sich um bereits in der emittergekoppelten Logikschaltung benötigte Komponenten. Dazu wurden bisher diskrete Kohlewiderstände verwendet, deren Anschlußdrähte mittels Wickelverbindungstechniken mit den Kontaktstiften der Schaltungsplatten verbunden wurden. Dies kann zwar bei Entwicklungsprototypen und Versuchsschaltungen zweckmäßig sein, jedoch ist es verhältnismäßig schwierig, eine große Anzahl solcher Bauelemente in den verfügbaren kleinen Räumen zu montieren und es ergeben sich hohe Produktionskosten,,

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsplatte der eingangs dargelegten Art auf wirtschaftliche Weise im Sinne einer verbesserung der Übertragungseigenschaften der Schaltung zu verbessern«,

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß die Schaltungsplatte eine Vielzahl von regelmäßig parallel nebeneinander und fluchtend hintereinander angeordneten zweizeiligen Sockelstiftanordnungen und eine Vielzahl von jeweils neben den zweizeiligen Anordnungen vorgesehenen einzeiligen Sockelstiftanordnungen enthält, deren in entsprechend angeordnete Bohrungen der Schaltungsplatte eingesetzte Sockelstifte jeweils einen von einer Plattenseite

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aus in die Platte hineinragenden Buchsenteil und einen über die andere Plattenseite hinausragenden Anschlußstift aufweisen, und daß die einzeiligen SockeIstiftanordnungen zur Aufnahme der Kontaktstifte von elektronischen Bausteinen mit einzeiliger Kontaktanordnung dienen_e

Die mit den Versuchen zur Anwendung von TTL-Wicke1— Verbindungstechniken bei emittergekoppelten Logikschaltungen verbundenen Probleme werden durch die erfindungsgemäße Anordnung im wesentlichen beseitigte Die Erfindung sieht eine mehrschichtige Schaltungsplatte mit drei Potentialebenen in Verbindung mit einem oder mehreren, als Bausteine mit einzeiliger Anschlußanordnung ausgebildeten Abschlußwiderstandsnetzwerken vor_o Eine allen Widerständen dieses Netzwerks gemeinsame Leitung ist elektrisch mit derjenigen der Potentialebenen verbunden, die als Speisespannungsverteiler dient« Die Pertigungs- und Handhabungsprobleme, die bei der Verwendung diskreter Widerstände auftreten, werden durch diese Anordnung der Abschlußwiderstände in Form eines elektronischen Bauteils mit einzeiliger Anschlußanordnung vermieden» Der allen Widerständen des Bausteins gemeinsame Anschluß ist mit der mittleren Potentialebene (VTT) verbunden· Diese Ebene ist zwischen den beiden äußeren Potentialebenen (VCC und VEE) gelegen, welche ihrerseits ebenfalls Leistungsverteilungs-

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ebenen mit niedriger Impedanz darstellen.

Die erfindungsgemäße Schaltungsplatte weist jeweils neben einer zweizeiligen Sockelstiftanordnung oder zwischen zwei zweizeiligen Sockelstiftanordnungen, die normalerweise zur Aufnahme von elektronischen Bausteinen mit doppelzeiliger Anschlußanordnung dienen, gelegene einzeilige Sockelstiftanordnungen auf. Einer der Sockelstifte jeder einzeiligen SockeIstiftanordnung ist elektrisch mit der mittleren Potentialebene (VTT) verbunden, während die übrigen dieser Sockelstifte an keine der Leiterschichten angeschlossen sind, sondern je nach Bedarf mittels herkömmlicher Wickelverbindungstechniken anschließbar sind.

Ein weiteres Merkmal der Erfindung liegt darin, daß die Menge des in der Nähe der zweizeiligen Sockelstiftanordnungen weggeätzten Leiterschichtmaterials um etwa 20 % verringert ist, was verbesserte Übertragungseigenschaften für die Schaltsignale ergibt.

Die Erfindung wird nachstehend mit Bezug auf die anliegenden Zeichnungen mehr im einzelnen beschrieben. Es zeigen:

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Die Fig. 1 und 2 eine zweizeilige Sockelstiftanordnung mit einer dazwischenliegenden Sockelstiftzeile bei einer drei Leiterschichten aufweisenden Schaltungsplatte,

Fig« 3 eine perspektivische Teilansicht

einer Schaltungsplatte nach der Erfindung, bei welcher elektronische Bausteine mit zweireihiger und einreihiger Anschlußanordnung in einige der Sockelstiftanordnungen eingesteckt sind,

Pig. 4 einen vergrößerten Schnitt längs

der Ebene 4-4 in Fig. 3, und

Fig. 5 eine schematische Darstellung des

in einem Baustein mit einreihiger Anschlußanordnung zusammengefaßten Widerstandsnetzwerks und dessen mechanische und elektrische Verbindung mit der Schaltungsplatte.

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In den Fig. 1 und 2 ist eine bekannte Anordnung dargestellt. Eine Schaltungsplatte 11 mit drei Leiterschichten enthält eine dicke Isolierschicht 12 und eine dünne Isolierschicht 13 aus üblichem Isolierplattenwerkstoff wie beispielsweise Glasfaserepoxidharz. Auf der Bausteinseite der Schaltungsplatte befindet sich eine leitende Metallschicht 14 (VCC), welche die Massepotentialebene darstellen kann. Auf der Anschlußstiftseite der Schaltungsplatte befindet sich eine Leiterschicht 15 (VEE), die typischerweise auf einem Potential von -5>2 V liegt. Eine zwischen den beiden Isolierschichten befindliche Leiterschicht 16 (VTT) liegt beispielsweise auf einem Potential von -2 V.

Auf der Schaltungsplatte sind in der üblichen doppelzeiligen Anordnung Sockelstifte 17 angeordnet. Zwischen den beiden Sockelstiftreihen jeder Sockelstiftanordnung liegen blinde Sockelstifte 21, von denen einige elektrisch mit der mittleren Potentialebene 16 verbunden sein können, wie bei angedeutet ist. Der betreffende Sockelstift 21 ist mittels einer Lötverbindung 23 mit dieser mittleren Potentialebene verbunden, wobei eine Bohrung 24 in der Isolierschicht 13 diese Verbindungsstelle zugänglich macht,. Es ist folglich möglich, mehrere unabhängige Verbindungen mit der Potentialebene 16 mit Hilfe von Wickelverbindungen an den Sockelstiften 21 herzustellen. In Verbindung mit den Sockelstiften

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sind Anschlüsse an äußere Schaltungsteile mit Hilfe von Wiekelverbindungen 25 dargestellte Zwischen blinden Sockelstiften 21 und Sockelstiften 17 sind diskrete Widerstände geschaltet, die mit ihren Anschlußdrähten 26 an die Sockelstifte angeschlossen sind. Diese Bauart wird bisher für schnelle Rechnerlogikschaltungen und deren Zwischenverbindungen verwendete

In Mg. 2 ist zu bemerken, daß zwei der Sockelstifte der zweizeiligen Sockelstiftanordnung 18 elektrisch mit der Potentialebene 14 verbunden sind, welche den größten Teil der Bausteinseite der Schaltungsplatte bedeckt, während die übrigen Sockelstifte 17 und die blinden Sockelstifte 21 elektrisch .von dieser Potentialebene I¹J isoliert sind. Ein Sockelstift ist elektrisch mit der Potentialebene 15 verbunden und die übrigen Sockelstifte 17 sind elektrisch von den Potentialebenen 15 und 16 isoliert, so daß sie nach Bedarf mit Hilfe von Wickelverbindungstechniken anschließbar sind. Einige der Sockelstifte 21 können gleitend, d_eh. an keine Potentialebene angeschlossen bleiben und nach Bedarf als Zwischenverbindungsstelle in der Schaltung benützt werden.

In den Fig. 3 und 4 ist die erfindungsgemäße Anordnung im einzelnen dargestellt.

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Eine Schaltungsplatte 31 weist ebenso wie die in den Fig. 1 und 2 dargestellte Schaltungsplatte drei Leiterschichten auf und ist mit einer Vielzahl von zweizeiligen SockeIstiftanordnungen 32 versehen, deren Sockelstifte 33 jeweils einen Buchsenteil und einen von der vom Buchsenteil abgewandten Plattenseite wegragenden Anschlußstift 34 für Wickelverbindungen aufweisen,, In eine Sockelstiftanordnung ist ein üblicher integrierter Baustein 35 mit zweireihiger Anschlußanordnung eingesetzt, dessen Kontaktstifte 36 fest in den Sockelstiften 33 sitzen. Zwischen den zweizeiligen Sockelstiftanordnungen 33 ist jeweils eine einzeilige Sockelstift anordnung 37 vorgesehen, deren Sockelstifte 33 ebenfalls von der vom Buchsenteil abgewandten Plattenseite wegragende Wickelverbindungsanschlußstifte aufweisen. Diese einzeilige SockeIstiftanordnung dient der Aufnahme eines Abschlußwiderstandsbausteins 41 mit einreihiger Anschlußanordnung, der vorzugsweise ein Parallelwiderstandsnetzwerk enthält,, Von diesem Baustein 41 nach unten ragende Kontaktstifte 42 (Fig. 5) sitzen fest in den Sockelstiften 33 der Sockelstiftreihe 37.

Die Schaltungsplatte 31 ist, wie aus Fig. 4 ersichtlich ist, eine vielschichtige Platte mit einer Isolierschicht 43 und einer Isolierschicht 44, welche von einer Leiterschicht 45 (VTT) voneinander getrennt sind, welche eine auf einem Potential

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von -2 V liegende Potentialebene darstellt. Diese Potentialebene 45 stellt eine gemeinsame Rückleitung niedriger Impedanz für die logischen Impulse dar. Auf der Bausteinseite der Schaltungsplatte 31 befindet sich eine Leiterschicht 46 (VCC), welche die Bezugspotentialebene darstellt und auf einem Potential von 0 V liegt, und auf der Anschlußstiftseite der Platte befindet sich eine Leiterschicht 47 (VEE), welche auf einem Potential von -5,2 V liegt. Es ist klar, daß jeder der jeweils einen Kontaktstift 36 des Bausteins 35 aufnehmenden Sockelstifte 33 der doppelzeiligen Sockelstiftanordnung mit einem Wickelverbindungsanschlußstift 34 versehen ist. In gleicher Weise sind die jeweils einen Kontaktstift 42 des Bausteins 41 aufnehmenden Sockelstifte 33 jeweils mit einem Wickelverbindungsanschlußstift 34 versehen. Diese Anschlußstifte können jeweils mit Hilfe von DrahtwickelVerbindungstechniken angeschlossen werden; einige Wickelanschlüsse sind mit 51 bezeichnet.

Es ist ersichtlich, daß einige Sockelstifte 33 der doppelzeiligen Anordnung und der einzeiligen Anordnung normalerweise potentialmäßig gleitend sind. Die Figo 4 und 5 zeigen jedoch, daß der am Ende der Reihe 37 befindliche Sockelstift 52 beispielsweise mittels einer Lötstelle 53 mit der Potentialebene 45 verbunden ist. Bei dieser Verbindung handelt es sich um den gemeinsamen Anschluß für die Wider-

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stände 54 des Bausteins 4l, die alle über einen gemeinsamen Leiterpfad 55 mit dem an einem Ende des Bausteins befindlichen Anschluß 56 verbunden sind. Dadurch ist also jeweils das eine Ende der Widerstände 54 mit der auf -2 V liegenden Potentialebene 45 verbunden und das andere Ende jedes Widerstands kann mittels Drahtwickelverbindungen mit einer anderen Stelle der Schaltungsplatte verbunden werden, normalerweise mit Anschlüssen von benachbarten oder weiter entfernten Bausteinen mit zweizeiliger Anschlußanordnung, Dadurch entfällt die Notwendigkeit, diskrete Widerstände direkt mittels Drahtwickelverbindungen an die Anschlußstifte 34 anzuschließen. Es ist nunmehr nur noch erforderlich, herkömmliche Drahtverbindungen zwischen diesen Anschlußstiften herzustellen. Im allgemeinen weisen die Widerstände des Widerstandsbausteins Werte von etwa 120ΙΊ , 1/8 W auf, wobei es sich selbstverständlich auch um andere Werte handeln kann.

Bisher ist es üblich, die Potentialebene 46" um die Sockelstifte 33 herum mit einer Breite von etwa 4 mm abzuätzen. Die Breite dieser in Fig. 3 mit 57 bezeichneten Fläche ist bei der Erfindung auf etwa 3 mm verringert, sie kann auch 3,5 mm betragen. Dadurch verbleibt in dieser Potentialebene eine größere Menge leitfähigen Materials, wodurch größere Ströme und Leistungen zulässig sind. Diese größere Menge leitenden Materials verbessert die übertragungseigen-

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schäften bei schnellen emittergekoppelten Logikschaltungen, da sich durch die größere Menge leitfähigen Materials eine geringere Impedanz und Signaldämpfung ergibt. In gleicher Weise weist bei den abgeätzten Bereichen 6l, welche jeweils eine Reihe zweier benachbarter zweizeiliger Sockelstiftanordnungen sowie eine zwischen diesen liegende einzeilige Sockelstiftanordnung 37 umfaßt, der Rand des abgeätzten Bereiches einen Abstand von etwa 0,6 mm von den Rändern der Sockelstifte 33 auf, der bei bekannten Anordnungen etwa 1,1 mm beträgt. Durch die so erhaltene Vergrößerung der verfügbaren Leitermaterialmenge, normalerweise Kupfer, werden die Übertragungseigenschaften der Schaltungsplatte beträchtlich verbessert. Es ist zu bemerken, daß ein Sockelstift am Ende jeder Reihe der zweizeiligen Sockelstiftanordnungen elektrisch mit der Potentialebene 46 verbunden ist« In gleicher Weise ist mindestens einer der Sockelstifte jeder Anordnung elektrisch mit der Potentialebene 47 verbunden.

In der Schaltungsplatte 31 sind Bohrungen 62 und 63 für Zwecke der Entkopplung der auf -5,2 V liegenden VEE-Potentialebene 47 und der auf -2 V liegenden VTT-Potentialebene 45 mittels eines Entkopplungskondensators vorgesehen· Um die Bohrungen 62 herum ist die Potentialschicht 46 abgeätzt, während die Bohrungen 63 eine Verbindung des

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zugehörigen Kondensatoranschlusses mit der Potentialschicht ermöglichen. Die Bohrungen 62 ermöglichen eine Verbindung des jeweils zugehörigen Kondensatoranschlusses mit der Potentialebene 45,und die Isolierschicht 44 ist so ausgespart, daß dieser Kondensatoranschluß und die innere Potentialebene 45 zur Herstellung einer Lötverbindung zugänglich sind, wie es in Fig. 4 mit 53 bezeichnet ist. Das Anlöten des ersteren Kondensatoranschlusses an die Potentialschicht auf der Schaltungsplattenoberseite ist leicht durchführbar. Es ist jede beliebige Entkopplungskondensatorbauart verwendbar. In gleicher Weise können auch zwei andere Potentialebenen der Schaltungsplatten voneinander entkoppelt werden.

Die zweizeiligen Sockelstiftanordnungen 32 bilden normalerweise in einem fünf-mal-sechs-Muster angeordnete Gruppen zu jeweils 30 Anordnungen, während die einzeiligen Sockelstiftreihen vorzugsweise zwischen den zweizeiligen Anordnungen gelegen sind und daher in einem vier-mal-sechs-Muster angeordnete Gruppen zu jeweils 24 Reihen bilden«, Man kann also Schaltungsplatten mit jeder durch 30 teilbaren . Anzahl von zweizeiligen Sockelstiftanordnungen zwischen 30 und l80 erhalten. Zur Anpassung an andere Arten von Bausteinen mit zweizeiliger Anschlußkontaktanordnung sind auch andere Anordnungsweisen der Sockelstiftanordnung möglich. Die einzeiligen Sockelstiftreihen können auch neben jeder

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zweizeiligen Sockelstiftanordnung anstatt nur zwischen jeweils zwei solchen Sockelstiftanordnungen vorgesehen sein, so daß das Verhältnis von zweizeiligen zu einzeiligen Sockelstiftanordnungen nicht, wie im dargestellten Ausführungsbeispiel, fünf zu vier zu betragen braucht.

Alle Potentialebenen 45» 46 und 47 ermöglichen eine Leistungsverteilung mit niedriger Impedanz, Die Kapazität zwischen den Potentialebenen beträgt etwa 1000 pV für eine Schaltungsplatte mit 180 Bausteinen mit zweizeiliger Anschlußanordnung, was zur Herstellung einer rauschannen Bezugspotentialebene für die meisten Anwendungen ausreicht. Die Bohrungen 62 und 63 können zum Einsetzen zusätzlicher Entkopplungskondensatoren verwendet werden, wenn sich dies als erforderlich erweist. Nebensprechen, wobei es sich um die unerwünschte Kopplung zwischen Signalleitungen handelt, wird durch die vergrößerte Kupferfläche der auf -5,2 V liegenden Potentialebene 47 (VEE) ebenfalls verringert. Bei Verwendung von Sammelleitungen zur Führung der drei Potentiale würde die sich ergebende gegenseitige Kopplung eine große Zahl von Impulsen in benachbarten Signalleitungen hervorrufen» Indem jedoch die -5,2-V-Potentialverteilung (VEE) mittels einer großen Fläche 47 erfolgt, die den größten Teil der Schaltungsplattenoberfläche auf der Anschlußstiftseite überdeckt, wird die gegenseitige Beeinflussung zwischen Signal-

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und Energieleitungen wirksam verringert. Die Nebensprechkopplung wird auch durch die geringe Impedanz der -2-V-Ebene (VTT) aufgrund deren großer Fläche verringert. Die Ebene 45 liegt zur Vermeidung der Notwendigkeit von Signalrückleitungen zwischen den beiden VCC- und VEE-Ebenen 46 und 47, wodurch die Zwischenverb indungen halbiert werden.

Die insbesondere im Hinblick auf die Anwendung bei emittergekoppelten Logiksehaltungen beschriebene erfindungsgemäße Schaltungsplatte ist in jedem Logiksystem für schnelle Schaltanwendungen geeignet. Falls gewünscht, kann eine der Potentialebenen in zwei voneinander unabhängige, benachbarte Ebenen unterteilt werden, so daß auf diese Weise eine vierte Potentialsammelleitung gebildet wird. Trotz der oben angegebenen speziellen Potentiale für die einzelnen Ebenen liegt es selbstverständlich im Ermessen des Fachmanns, diese nach Bedarf zu variieren und verschiedene Ebenen für Masse- und verschiedene Speisepotentiale zu verwenden.

Nachstehend werden beispielsweise einige Abmessungen angegeben_Q Die Sockelstifte einer Reihe weisen jeweils einen Abstand von 2,5 mm auf, und die Reihenabstände der zweizeiligen Anordnungen betragen 7*5 mm. Die einzeiligen Sockelstiftanordnungen weisen jeweils einen Abstand von 2,5 mm von

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den benachbarten zweizeiligen Anordnungen auf. Die Schaltungsplatte weist eine Dicke von etwa 3,2 mm auf, und die Anschlußstifte für die Drahtwickelverbindungen ragen etwa 10 mm über die Schaltungsplatte hinaus. In den Zeichnungen ist der
Klarheit halber die Dicke der Leiterschichten jeweils
stark übertrieben.

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Claims

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Patentansprüche

j 1. Schaltungsplatte für elektronische Schaltungen, mit drei jeweils durch eine Isolierschicht voneinander getrennten, verschiedenen Potentialen zugeordneten Leiterschichten, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungsplatte (31) eine Vielzahl von regelmäßig parallel nebeneinander und fluchtend hintereinander angeordneten zweizeiligen Sockelstift anordnungen (32) und eine Vielzahl von jeweils neben den zweizeiligen Anordnungen vorgesehenen einzeiligen Sockelstiftanordnungen (37) enthält, deren in entsprechend angeordnete Bohrungen der Schaltungsplatte eingesetzte Sockelstifte (33) jeweils einen von einer Plattenseite aus in die Platte hineinragenden Buchsenteil und einen über die andere Plattenseite hinausragenden Anschlußstiftteil (34) aufweisen, und daß die einzeiligen SockeIstiftanordnungen zur_#Aufnahme der Kontaktstifte von elektronischen Bausteinen mit einzeiliger Kontaktanordnung dienen.
2. Schaltungsplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß einer der Sockelstifte (52) jeder einzeiligen Sockelstiftanordnung (37) elektrisch mit der mittleren Leiterschicht (45) verbunden ist,

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3. Schaltungsplatte nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine der Isolierschichten (43, 44) jeweils eine Aussparung aufweist, durch welche die Verbindungsstelle zwischen dem genannten einen Sockelstift (33) und der mittleren Leiterschicht (45) zwecks Herstellung einer Lötverbindung (33) zugänglich ist.
4. Schaltungsplatte nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der elektronische Baustein (41) mit einzeiliger Kontaktanordnung ein Widerstandsnetzwerk enthält, von welchem jeder Widerstand (54) einerseits mit jeweils einem (42) der Anschlußkontakte dieses Bausteins und andererseits mit einem allen Widerständen gemeinsamen endständigen Anschlußkontakt (56) des Bausteins verbunden ist.
5. Schaltungsplatte nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der genannte gemeinsame endständige Anschlußkontakt (56) des eine einzeilige Kontaktanordnung aufweisenden Bausteins (4l) in den genannten einen, mit der mittleren Leiterschicht (45) verbundenen Sockelstift (52) einsetzbar ist,
6. Schaltungsplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch Drahtwickelverbindungen zwischen den

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Anschlußstifttexlen (3²O von Sockelstiften (33) der einzeiligen Socke Is ti ft anordnungen (37) und der zweizeiligen Sockelstiftanordnungen (32).
7. Schaltungsplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet» daß benachbarte zweizeilige Sockelstiftanordnungen (32) jeweils einen gegenseitigen Abstand von 5 mm und die einzeiixgen Sockels ti ft anordnungen (37) jeweils einen Abstand von 2,5 mm von den benachbarten zweizeiligen Anordnungen haben.

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