DE3345147C2

DE3345147C2 - Festkörper-Bildaufnahmewandler

Info

Publication number: DE3345147C2
Application number: DE19833345147
Authority: DE
Inventors: Masaharu Nagano Imai; Jun-Ichi Nishizawa; Sohbe Suzuki; Takashige Sendai Miyagi Tamamushi
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1982-12-14
Filing date: 1983-12-14
Publication date: 1986-10-02
Also published as: JPS59108460A; DE3345147A1

Abstract

Beschrieben wird ein Festkörper-Bildaufnahmewandler, der eine Vielzahl von Festkörper-Bildaufnahmeelementen aufweist, die in einer Matrix angeordnet sind. Jedes Bildaufnahmeelement hat einen Phototransistor, der das einfallende Licht empfängt, und einen Auslesetransistor, der in Serie mit dem Phototransistor geschaltet ist. Das Auslesen der Signalladung, die in dem Phototransistor gespeichert ist, wird dadurch ausgeführt, daß eine Vielzahl von Zeilenleitungen (42) und Spaltenleitungen (44) mit den Auslesetransistoren verbunden sind. Das Rücksetzen aller Festkörper-Bildaufnahmeelemente oder der Bildaufnahmeelemente in einer Zeile wird dadurch gleichzeitig oder nacheinander ausgeführt, daß an eine gemeinsame Rücksetzleitung (41), die mit den Phototransistoren verbunden ist, oder an die entsprechenden Rücksetzleitungen, die mit den Phototransistoren einer Zeile verbunden sind, ein entsprechendes Signal angelegt wird.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Festkörper-Bildaufnahmewandler mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Patentanspruches 1.

Festkörper-Bildaufnahmewandler, die Ladungsübertragungseinrichtungen, wie CCD-Elemente etc.. oder MOS-Transistoren verwenden, haben eine weite Verbreitung gefunden. Diese Bildaufnahmewandler haben jedoch verschiedene Nachteile, beispielsweise tritt ein Ladungsverlust während der Ladungsübertragung auf, ihre optische Empfindlichkeit ist gering, ebenfalls ihre Packungsdichte. Zur Lösung dieser Probleme ist ein Festkörper-Bildaufnahmewandler vorgeschlagen worden, der SIT-Transistoren (static induction transistors) verwendet, wie sie in «Static Induction Transistor Image

Sensors« von Jun-ichi Nishizawa et al, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-26, No. 12, Dec, 1979, pp. 1970-1977 beschrieben sind. Dort sind gemäß Fig. 11 pro Bildzelle zwei Transistoren in Reihe geschaltet. Beispielsweise ist in der offengelegten japanischen Patentanmeldung 15 229/80 ein Bildaufnahmewandler dieses Typs beschrieben, der eine große Zahl von matrixförmig angeordneten SIT-Transistoren aufweist. Die Gate-Elektroden der SIT-Elemente in jeder Zeile sind mit einer entsprechenden Zeilenleitung verbunden, während die Drain-Elektroden der SIT-Transistoren jeder Spalte mit einer entsprechenden Spaltenleitung und die Source-Elektroden der SIT-Transistoren in jeder Reihe mit einer entsprechenden Leseleitung verbunden sind.

Aus dem IEEE Journal of Solid State Circuits, Band 15, Heft 4, 1980, S. 747-752, ist ein Festkörper-Bildaufnahmewandler bekannt, bei dem die photoelektrischen Wandler durch Photodioder» gebildet sind. Dementsprechend ist die Amplitude des Nutzsignals klein und entsprechend empfindlich gegen Störungen und andere Rauschquellen in der Verarbeitungsstufe.

Bevor weiter unten die Erfindung beschrieben wird, soll nachfolgend zum besseren Verständnis derselben ein Festkörper-Bildaufnahmewandler diskutiert werden, wie er als hausinterner Stand der Technik bei der Anmelderin am Anmeldetag bekannt war. Bei diesem Festkörper-Bildaufnahmewandler ist, wie in Fig. 1 dargestellt, eine Schicht 2 vom n⁺-Typ, die die Source des SIT bildet, zuwischen einem p-Substrat und einer darauf angeordneten n-Epitaxieschicht 3 vorgesehen (sogenannte vergrabene Schicht 2). In einer Oberfläche der Epitaxieschicht 3 sind mittels thermischer Diffusion eine n*-Drain 4 und eine p⁺-Gate 5 ausgebildet. Zur wirksamen Steuerung des Kanalbereichs zwischen der Source 2 und der Drain 4 mittels der Gate 5 ist die Diffusionstiefe der Drain 4 kleiner als die der Gate 5. Auf der Drain 4 ist eine Drain-Elektrode 6 und auf der Gate 5 eine Gate-Elektrode 8 über einer Isolationsschicht 7 vorgesehen, so daß eine sogenannte MIS-Gate-Struktur gebildet wird, die zu einer Gate-Kapazität führt. Benachbarte SIT sind voneinander durch einen dazwischen gebildeten Isolationsbereich 9 getrennt.

Wenn bei einem derartigen Wandler das Gate 5 in bezug auf die Source 2 in Rückwärtsrichtung vorgespannt ist, ist ohne optisches Eingangssignal der Kanalbereich verarmt, so daß kein Drain-Strom fließt, sogar wenn zwischen Source und Drain eine Vorwärtsspannung angelegt ist. Wenn in diesem Zustand Elektronen/ Loch-Paare im Kanalbereich durch ein optisches Eingangssignal erzeugt werden, werden die so erzeugten Elektronen gespeichert oder durch die Orain 4 abgesaugt, während die Löcher im Gate-Bereich S gespeichert werden und die Gate-Kapazität der MIS-Gate-Struktur laden, so daß das Gate-Potential um Δ VG ansteigt. Wenn man annimmt, daß die Summe der Kapazitäten der Gate-Kapazität und der Verarmungsschicht im Kanalbereich CG ist, und die durch das optische Eingangssignal erzeugte und im Gate-Bereich gespeicherte Ladungsmenge QL, ergibt sich: A VG = QLICG. Wenn ein Ausleseimpuls Φ G an die Gate-Elektrode 8 nach einer bestimmten Speicherzeit angelegt wird, wird das Gate-Potential ΦG + Δ VG; auf diese Weise wird das in Rückwärtsrichtung gerichtete Vorspannungspotential zwischen der Gate 5 und der Drain 4 abgebaut, so daß die Verarmungsschicht verringert wird, und ein Drain-Strom entsprechend dem optischen Eingangssignal zwischen dem Source und der Drain fließt. Der dem Wert^l VG entsprechende Drain-Strom wird um den Verstärkungsfaktor des SIT verstärkt und hat somit eine große Amplitude. Es ist zu beachten, daß, wenn die Source und die Drain des in F^;g. 1 dargestellten SIT vertauscht werden, sich eine ähnliche Arbeitsweise ergibt.

Fig. 2A zeigt die Schaltung eines Festkörper-Bildaufnahmewandlers, der die vorstehend beschriebenen SIT-Transistoren in einer matrixförmigen Anordnung aufweist, wobei jeder SIT ein Bildelement bildet. Fig. 2B zeigt Impuls/Zeit-Diagramme zur Erläuterung der Arbeitsweise des Wandlers. In dieser Schaltungsanordnung ist jeder der SIT 10-1, 10-2, ... ein «-Kanal SIT, der normalerweise sperrt; das Video-Ausgangssignal entsprechend dem optischen Eingangssignal kann mittels eines X-Y-Adreßsystems ausgelesen werden. Zu diesem Zweck sind die Source-Elektroden der SIT, die je eine Bildzelle bilden, über Source-Leitungen 11-1, 11-2, . . . mit einer gemeinsamen Rücksetzleitung 11 verbunden, an die eine Vorspannung Vs angelegt wird. Die Gate-Elektroden der SIT in jeder X-Zeile sind über eine entsprechende Zeilenleitung 13-1, 13-2, ... mit einem Vertikalwahl-Schieberegister 13 verbunden. Die Drain-Elektroden der SIT in jeder '/-Spalte sind mit einer entsprechenden Spaltenleitung 14-1, 14-2, . . . verbunden, die über entsprechende Horizontalwahl-Transistoren 16-1, 16-2, . . . mit einer Videoleitung 15 verbunden sind; die Transistoren werden selektiv von einem Horizontalwahl-Schieberegister 15 gesteuert. An die Videoleitung 15 wird über einen Lastwiderstand 18 eine Gleichspannung Vo angelegt.

Im folgenden soll der Auslesevorgang für einen SIT, beispielsweise den SIT 10-1, betrachtet werden.

Zunächst soll angenommen werden, daß die Vorspannung Vs, die an die Rücksetzleitung 11 angelegt ist, auf einen geeigneten Wert, beispielsweise 0 V eingestellt ist, und daß ein Zeilen-Wahlimpuls Φ Gl vom Vertikalwahl-Schieberegister 12 an die erste Leitung 13-1 angelegt ist. Wenn in diesem Zustand ein Ausleseimpuls Φ Dl vom Horizontalwahl-Schieberegisier 17 an den Horizontalwahl-Transistor 16-1 angelegt wird, wird der SIT 10-1 ausgewählt; von diesem SIT fließt ein Drain-Strom durch den Lastwiderstand 18, die Videoleitung 17, den Horizontalwahl-Transistor 16-1 und die Spaltenleitung 14-1, so daß am Ausgangsanschluß 19 eine Ausgangsspannung AVout ansteht. Der Drain-Strom ist eine Funktion der Gate-Spannung, die wiederum eine Funktion des optischen Eingangssignals ist, so daß der Zuwachs Δ Vout der Ausgangsspannung gegenüber der Dunkelspannung dem optischen Eingangssignal entspricht. Die Spannung Δ Vout entspricht der Spannung A VG verstärkt um den Verstärkungsfaktor des SIT und hat somit eine große Amplitude. Anschließend wird ein Ausleseimpuls ΦΩ2 vom Horizontalwahl-Schieberegister 17 an den Horizontalwahl-Transistor 16-2 angelegt, so daß der SIT 10-2 ausgelesen wird, usw. Nach dem Auslesen aller SIT in dieser Zeile wird der nächste Zeilenwahl-Impuls Φΰ2 vom Vertikalwahl-Schieberegister 12 an die nächste Zuilenleitung 12-2 angelegt, wobei während der Dauer dieses Impulses die Ausgangssignale der SIT in dieser Zeile nacheinander in der vorstehend beschriebenen Weise ausgelesen werden. Bei dem vorstehend beschriebenen Festkörper-Bildaufnahmewandler ergibt sich jedoch folgendes Problem: Wenn die Intensität des einfallenden Lichts so groß wird, daß die Ladungsmenge QL sehr groß wird und AVG in bezug auf die ursprünglich eingestellte

Gegen-Vorspannung VG ansteigt, wird VG + AVG {AVG > 0) größer als die Abschnürspannung VP bezüglich der Source-Spannung Vs des SIT. Folglich kann der SIT unerwünscht leitend werden, sogar wenn der SIT nicht angewählt worden ist; infolge hiervon fließt ein Drain-Strom durch die gleiche Spaltenleitung zusammen mit dem Signalstrom, der aus einer anderen gewählten Zeilenleitung fließt, so daß Signalinterferenzen zwischen benachbarten Bildelementen auftreten können. Deshalb ist es bei dem vorstehend beschriebenen Festkörper-Bildaufnahmewandler erforderlich, die einfallende Lichtmenge zu begrenzen. Deshalb ist dieser Wandler in der Praxis unvorteilhaft.

Es ist Aufgabe der Erfindung, einen Festkörper-Bildaufnahmewandler zu schaffen, bei dem jedes Bildelement-Signal auch dann störungsfrei ausgelesen werden kann, wenn die Intensität des einfallenden Lichts hoch ist, ohne daß <;ich eine Signalinterferenz zwischen benachbarten Bildelementen ergibt.

Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist im Patentanspruch 1 gekennzeichnet.

In den Unteransprüchen sind Weiterbildungen der Erfindung beschrieben.

Bei dem erfindungsgemäßen Wandler ist die Lichtmenge nicht begrenzt, da das Bildzellen-Signal wirksam ausgelesen werden kann, ohne daß sich Signalinterferenzen ergeben. Sogar wenn die Intensität des einfallenden Lichts sehr groß ist.

Ausführungsbeispiele eines erfindungsgemäßen Bildaufnahmewandlers sind mit ihren Ausgestaltungen anhand einer Zeichnung näher erläutert, in der zeigt

Fig. 3A und 3B einen schematischen Querschnitt und eine Aufsicht auf ein erstes Ausführungsbeispiel eines SIT-Bildelements,

Fig. 4A und 4B einen schematischen Querschnitt und eine Aufsicht auf ein zweites Ausführungsbeispiel eines Bildelements, und

Fig. 5 einen Schaltplan eines Teils eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bildaufnahmewandlers.

Das in Fig. 3 dargestellte Bildelement bzw. Wandlerelement weist einen Phototransistor 21, der das einfallende Licht in Ladungsträger umsetzt und speichert, sowie einen Auslesetransistor 22 auf, der selektiv die in dem Phototransistor gespeicherten Ladungsträger ausliest. Der Phototransistor 21 und der Auslesetransistor 22 befinden sich auf ein und demselben Substrat als SIT-Aufbau. Eine versenkte n⁺-Schicht 23, die eine Drain des SIT-Phototransistors bzw. eine Source des Auslese-SIT 22 bildet, auf einem p-Substrat 24 ausgebildet. Auf dem Substrat 24 bzw. der versenkten Schicht 23 ist eine «-Epitaxieschicht 25 aufgebracht. Auf der Oberfläche der Epitaxieschicht 25 ist eine «^-Source 26 und ein p*-Gate 27 des SIT-Phototransistors 21 sowie eine /3⁺-Drain 28 und eine /?⁺-Gate 29 des Auslese-SIT 22 vorgesehen. Diese Schaltungsteile können beispielsweise mittels eines thermischen Diffusionsvorgangs oder dgl. hergestellt werden. Mit Ausnahme der Drain des SIT 21 und der Source des SIT 22, die durch die gemeinsame versenkte n⁺-Schicht 23 gebildet werden, so daß sie die Strom-Hauptwege der SIT in Serie verbinden, sind der SIT-Phototransistor 21 und der Auslese-SIT 22 elektrisch voneinander durch einen Isolationsbereich 30 isoliert, der sich von der versenkten Schicht 23 zu der Oberfläche der Epitaxieschicht 25 erstreckt. Benachbarte Bildelemente sind voneinander durch den Isolationsbereich 30' getrennt, der sich vom /^-Substrat 24 zur Oberfläche der Epitaxieschicht 25 erstreckt.

Der Source-Bereich 26 des SIT-Phototransistors 21 berührt eine Source-Elektrode 31; ferner sind auf der Drain 28 und dem Gate 29 des Auslese-SIT 22 eine Drain-Elektrode 32 und eine Gate-Elektrode 33 mit Kontakt aufgebracht. Die verbleibenden Oberflächenabschnitte, die nicht mit Elektroden versehen sind, werden von einer transparenten Isolationsschicht 34 bedeckt. Bei diesem Ausführungsbeispiel hat der SIT-Phototransistor keine Gate-Elektrode, so daß kein Verlust der einfallenden Lichtmenge auftritt. Deshalb kann die Empfindlichkeit des SIT für Licht mit kurzer Wellenlänge erhöht werden. Da im Falle dieses Ausführungsbeispiels die Isolation zwischen dem SIT-Phototransistor 21 und dem Auslese-SIT 22 sowie zwischen benachbarten Bildelementen durch die Isoiationsgebiete 30 und 30' erfolgt, erhält man eine nahezu vollständige elektrische Isolation, so daß die Steuerung des Stroms und die Verstärkungscharakteristik eines jeden SIT verbessert werden.

Fig. 4A und 4B zeigen einen schematischen Querschnitt und eine Aufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Wandlerelements, wie es bei dem erfindungsgemäßen Bildaufnahmewandler verwendet wird. Dabei werden die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 3 verwendet. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind der SIT-Phototransistor 21 und der Auslese-SIT 22 voneinander dadurch elektrisch isoliert, daß ein erster Isolationsbereich 36 in der Oberfläche der Epitaxieschicht 25 oberhalb der versenkten Schicht 23 und ein zweiter Isolationsbereich 36' vorhanden sind, der in der Oberfläche der Epitaxieschicht 25 sowohl den Phototransistor als auch den Auslesetransistor umgebend vorgesehen ist, und daß eine Vorspannung an die erste und die zweite Isolationsgate-Elektrode 37 und 37' angelegt wird, die auf dem ersten und zweiten Isolations-Gate-Gebiet 36 bzw. 36' vorgesehen sind, so daß Verarmungsschichten gebildet werden, die sich in der Epitaxieschicht 25 unterhalb des Isolationsgate-Gebiets 36 bzw. 36' bis zu der versenkten Schicht 23 bzw. dem Substrat 24 erstrecken. Wenn wie vorstehend beschrieben, die elektrische Isolation zwischen benachbarten Bildelementen sowie zwischen dem SIT-Phototransistor 21 und dem Auslese-SIT 22 durch eine Verarmungsschicht erfolgt, die durch Anlegen einer geeigneten Vorspannung an die Isolationsgate-Elektroden 37 und 37' erzeugt wird, kann man die einzelnen Elemente dicht packen.

Fig. 5 zeigt einen Schaltplan des Aufbaus eines Ausführungsbeispiels für die wesentlichen Teile des erfindungsgemäßen Festkörper-Bildaufnahmewandlers. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird eine Vielzahl von Festkörper-Bildaufnahmeelementen wie sie in Fig. 3 oder in Fig. 4 dargestellt sind, und die auf ein und demselben Substrat matrixförmig angeordnet sind, verwendet. Die Source-Elektroden der SIT-Phototransistoren aller Festkörper-Bildaufnahmeelemente 40-1, 40-2, . . . sind mit einer gemeinsamen Rücksetzleitung 41 zum Anlegen einer Vorspannung Vs verbunden; die Gate-Elektroden der SIT, die zu einer Zeile in X-Richtung gehören, sind mit einem Vertikalwahl-Schieberegister 43 über Zeilenleitungen 42-1, 42-2, . . . verbunden. Die Drain-Elektroden der SIT, die zu einer in Y-Richtung verlaufenden Spalte gehören, sind mit Spaltenleitungen 44-1, 44-2, . . . verbunden, die über Horizontalwahl-Transistoren 46-1, 46-2, . . mit einer Videoleitung 47 verbunden ist. Die Transistoren werden selektiv von einem Horizontalwahl-Schiebcrcgistcr 45 gesteuert. Über einen Lastwiderstand 48 ist an die

Videoleitung 47 eine Videospannung Vo angelegt. Die Bildelement-Informationen können sequentiell an einem Ausgangsanschluß 49 dadurch erhalten werden, daß die Vertikalwahl- und Horizontalwahl-Schieberegister 43 und 45 in der in Verbindung mit Fig. 2 beschriebenen Weise gesteuert werden.

Wenn bei einem derartigen Aufbau eine bestimmte Spaltenleitung durch das Horizontalwahl-Schieberegister 45 angewählt ist, fließt kein Strom durch die Auslese-SIT mit Ausnahme des Auslese-SIT des Bildelements, dessen Zeilenleitung angewählt ist und dessen Auslese-SIT mit dieser Spaltenleitung verbunden ist, so daß Signalinterferenzen zwischen benachbarten Bildelementen wirksam unterbunden werden können, da keine hohe Drain-Spannung an die Auslese-SIT der Bildelemente angelegt ist, deren Zeilenleitungen nicht ausgewählt sind, sogar wenn das Potential der Gate-Bereiche der SIT-Phototransistoren, die mit den nichtausgewählten Auslese-SIT in Serie geschaltet sind, einen Wert größer als die Abschnürspannung erreicht hat. Ferner kann der SIT-Phototransistor nicht unerwünschtermaßen durchgeschaltet werden, sogar wenn sein Gate-Potential sehr groß ist und die Gate in Vorwärtsrichtung bezogen auf die Source-Spannung (die an die Rücksetzleitung 41 angelegte Vorspannung Vs) vorgespannt ist, so daß über eine bestimmte Menge hinausgehende Löcher, die in der Gate gespeichert sind, durch die Source abgesogen werden. Das Rücksetzen der SIT-Phototransistoren für alle Bildelemente kann gleichzeitig dadurch ausgeführt werden, daß die Vorspannung Vs. die an die Rücksetzleitung 41 angelegt ist, verringert wird, und daß eine Vorwärtsspannung an die Gate/ Source eines jeden SIT-Phototransistors angelegt wird. Wenn bei diesem Ausführungsbeispiel das Gate-Potential des SIT-Phototransistors größer als der Abschnürpegel wird, fließt kein Strom durch den Auslese-SIT und den SIT-Phototransistor, solange der Auslese-SIT nicht angesteuert wird, so daß jegliche unerwünschte Signalinterferenz zwischen benachbarten Bildelementen wirksam vermieden werden kann. Zudem weist der Gate-Bereich des SIT-Phototransistors keine Gate-Elektrode auf, und ist, wie in Fig. 3 und 4 gezeigt ist, bezugspotentialfrei, so daß der Gate-Bereich in ausreichender Weise das einfallende Licht empfangen kann. Deshalb ergibt sich kein Lichtverlust insbesondere bei kürzeren Wellenlängen, so daß die Spektralcharakteristik verbessert werden kann.

Vorstehend sind spezielle Ausführungsbeispiele der Erfindung beschrieben worden, es ist jedoch selbstverständlich, daß die verschiedensten Modifikationen möglich sind. Beispielsweise können die das Festkörper-Bildaufnahmeelement bildenden Phototransistoren und Auslesetransistoren durch Feldeffekttransistoren (FET) gebildet werden, ferner kann einer der beiden Transistoren aus einem SIT und der andere aus einem FET bestehen. Ferner können beide Transistoren vom p-Kanaltyp sein. Darüber hinaus ist bei dem in den Fig. 3 und 4 gezeigten Ausführungsbeispiel die Drain des SIT-Phototransistors 21 und die Source des Auslese-SIT 22 auf einer gemeinsamen versenkten n⁺-Schicht 23, so daß die Strom-Hauptwege der beiden SIT in Serie verbunden sind. Die Drain des SIT-Phototransistors und die Source des Auslese-SIT können jedoch auch getrennt voneinander vorgesehen werden, so daß die Strom-Hauptwege anders elektrisch miteinander verbunden sind. Ferner sind bei dem in Fig. 5 dargestellten Ausführungsbeispiel die Source-Elektroden der SIT-Phototransistoren aller Festkörper-Bildaufnahmeelemente 40-1,40-2,. . . mit einer gemeinsamen Rücksetzleitung 41 verbunden, so daß alle Elemente gleichzeitig rückgesetzt werden. Die Bildaufnahmeelemente einer Zeile können jedoch auch mit entsprechenden Rücksetzleitungen verbunden sein, so daß die jeweiligen Zeilen nacheinander durch Anlegen von Impulsen an die Rücksetzleitungen rückgesetzt werden.

Hierzu 5 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Festkörper-Bildaufnahmewandler mit einer Vielzahl von matrixförmig angeordneten Festkörper-Bildaufnahmeelementen, von denen jedes einen Phototransistor aufweist, welcher einfallendes Licht in Ladungsträger umsetzt und speichert, einer Vielzahl von Zeilen- und Spalten-Leitungen, mit denen die Phototransistoren für ein selektives Auslesen der Ladungsträger verbunden sind, und mit einer Rücksetzeinrichtung, die zum Rücksetzen der Festkörper-Bildaufnahmeelemente mit den Phototransistoren verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Festkörper-Bildaufnahmeelemente (40-1, 40-2, . . .) weiterhin je einen Auslesetransistor (22) aufweisen, welcher die in den Phototransistoren (21) des betreffenden Bildaufnahmeelementes gespeicherten Ladungsträger ausliest und welcher zwischen dem jeweiligen Phototransistor und die Zeilen-(42-1,. . .) und Spalten-Leitungen (44-1,. . .) derart geschaltet ist, daß die Strom-Hauptwege des Phototransistors und des Auslesetransistors jeweils in Reihe verbunden sind.

2. Wandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Phototransistoren aller Bildaufnahmeelemente mit einer gemeinsamen Rücksetzleitung (41) verbunden sind, so daß alle Bildaufnahmeelemente gleichzeitig rückgesetzt werden.

3. Wandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Photo transistoren der Bildaufnahmeelemente in jeder Zeile mit entsprechenden Rücksetzleitungen verbunden sind, um die Bildaufnahmeelemente in jeder Zeile sukzessive zurückzusetzen.

4. Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Phototransistor und der Auslesetransistor SIT-Transistoren auf ein und demselben Halbleitersubstrat sind.

5. Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Phototransistor und der Auslesetransistor Feldeffekttransistoren sind.

6. Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß entweder der Phototransistor oder der Auslesetransistor ein SIT-Transistor und der andere ein Feldeffekttransistor ist.

7. Wandler nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Phototransistor eine versenkte Drain (23) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, die auf einem Substrat (24) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufgebracht ist, eine Source (26) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, die auf einer Oberfläche einer Epitaxieschicht (25) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, die auf dem Substrat aufgebracht ist, ein Gate (27) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp und eine transparente Isolationsschicht aufweist, die auf das Gate aufgebracht ist, und der Auslese-SIT eine versenkte Source (23) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, die auf dem Substrat aufgebracht ist, eine Drain (28) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, die auf einer Oberfläche der Epitaxieschicht in der Nähe des vorstehend genannten Epitaxieschicht-Teils vorgesehen ist, und ein Gate (29) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen, wobei der SIT-Phototransistor und der Auslese-SIT voneinander durch erste Isolationsmittel (30) und benachbarte Festkörrjer-Bildaufnahmeelemente voneinander durch zweite Isolationsmittel (30') getrennt sind, und die Source des SIT-Phototransistors mit einer Source-Elektrode (31) sowie Drain und Gate des Auslese-SIT mit einer Drain-Elektrode (32) und einer Gate-Elektrode (33) versehen sind.

8. Wandler nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Isolationsmittel einen ersten Isolationsbereich (30), der sich von dem versenkten Bereich zur Oberfläche der Epitaxieschicht erstreckt, aufweisen, und daß die zweiten Isolationsmittel einen zweiten Isolationsbereich (30') aufweisen, der sich von dem Substrat zu der Oberfläche der Epitaxieschicht erstreckt und sowohl den Phototransistor als auch den Auslesetransistor umgibt.

9. Wandler nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Isolationsmittel einen ersten Isolations-Gate-Bereich von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, der in der Oberfläche der Epitaxieschicht oberhalb der versenkten Schicht, und eine erste Isolations-Gate-Elektrode aufweisen, die auf dem ersten Isolations-Gate-Bereich vorgesehen sind, und daß die zweiten Isolationsmittel eine zweite Isolations-Gate von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die in der Oberfläche der Epitaxieschicht sowohl den Phototransistor als auch den Auslesetransistor umgebend vorgesehen ist, und eine zweite Isolations-Gate-Elektrode aufweisen, die in dem zweiten Isolations-Gate-Bereich vorgesehen ist, wobei an die erste und die zweite Gate-Elektrode eine Vorspannung zur Bildung einer Verarmungsschicht angelegt ist, die sich in die Epitaxieschicht unterhalb des Isolations-Gate-Bereichs bis zu dem Substrat erstreckt.

10. Wandler nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Elektroden aller Phototransistoren mit einer gemeinsamen Rücksetzleitung verbunden sind.

11. Wandler nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Elektroden der Phototransistoren in jeder Zeile mit einer entsprechenden Rücksetzleitung verbunden sind.

12. Wandler nach einem der Ansprüche 7 bis 11. dadurch gekennzeichnet, daß sowohl der Phototransistor als auch der Auslesetransistor SIT-Transistoren mit p-Kanal sind.

13. Wandler nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Drain des SlT-Phototransistors und die Source des Auslese-SIT von einer gemeinsamen versenkten Schicht (23) gebildet werden.