DE3236073A1 - Zweidimensionaler halbleiter-bildsensor mit einer anordnung zur reduzierung des ueberstrahlens - Google Patents

Zweidimensionaler halbleiter-bildsensor mit einer anordnung zur reduzierung des ueberstrahlens

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DE3236073A1
DE3236073A1 DE19823236073 DE3236073A DE3236073A1 DE 3236073 A1 DE3236073 A1 DE 3236073A1 DE 19823236073 DE19823236073 DE 19823236073 DE 3236073 A DE3236073 A DE 3236073A DE 3236073 A1 DE3236073 A1 DE 3236073A1
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Description

SIEMENS AKTIMGESELLSCHAPT '*" Unser Zeichen Berlin und München VPA aj p 1 Q Q 2 DE
Zweidimensionaler Halbleiter-Bildsensor mit einer Anordnung zur Reduzierung des "Überstrahlens
Die Erfindung bezieht sich auf einen zv/eidimensionalen HaTbleiter-Bildsensor nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und auf Verfahren zu seinem "Betrieb.
Ein Halbleiter-Bildsensor dieser Art i.3t aus dem Datenblatt "Reticon Solid-State Image Sensor Arrays" der Reticon Corp., Mountain Tiew, California, USA, bekannt.
Bei Halbleiter-Bildsensoren stellt die Überbelichtung der Sensorelemente ein generelles Problem dar. Wenn in einem Sensorelement durch Überbelichtung mehr Ladungsträger freigesetzt werden, als aufgenommen werden können, fliessen die überschüssigen Ladungsträger i:i benachbarte Bildelemente oder auf die Spaltenleitungen ab. Diese Ausbreitung der Ladungsträger wird als Überstrahlen oder im englischen Sprachgebrauch als "Blooming" oeseichnet.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Halbleiter-Bildsensor der eingangs genannten Art mit einer flächensparenden Anordnung zur Reduzierung des Überstrahlens zu versehen. Das wird erfindungsgemäß lurch eine Ausbildung des Bildsensors nach dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 erreicht.
Der mit der Erfindung erzielbare Vorteil besteht insbesondere darin, daß die vorgesehene Anordnung zur Reduzierung des Überstrahlens nur einen geringen zusätzlichen Platzbedarf hat und sehr wirkungsvoll arbeitet. Ss kann bei-SOielsweise eine Paduzierung des Überstrahlens auf etwa
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1/500 erreicht werden.
Die Ansprüche 2 bis 4 sind auf bevorzugte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung gerichtet, während die Ansprüche 5 "bis 7 vorteilhafte Verfahren zum Betrieb eines erfindungsgemäßen Halbleiter-Bildsensors betreffen. Ein nach Ansprach 3 ausgebildeter Bildsensor hat den zusätzlichen Vorteil, daß er weitgehend von Rausch- und StörSpannungen befreite Sensorsignale abgibt. 10
Die Erfindung wird* nachfolgend anhand der Zeichnung näher beschrieben. Dabei zeigt:
Pig. 1 das Prinzipsehaltbild eines nach der Erfindung ausgebildeten, zweidimensionalen Halbleiter-Bildsensers,
Pig. 2 Spanx-ungs-Zeit-Diagramme zur Erläuterung von
Pig. 1,
Pig. 3 das Prinzipschaltbild einer in Serie zum Ausgang der Ausleseleitung angeordneten, differenzbildenden Stufe und
Pig. 4 Spannungs-Zeit-Diagramme zur Erläuterung der Wirkungsweise eines nach den Piguren 1 und 3 aufgebauten, erfindungsgemäßen Halbleiter-Bildsensors.
In Pig. 1 ic-t eine monolithisch ingetrierbare Schaltung mit einem zveidimensionalen Halbleiter-Bildsensor dargestellt, der aus Potodioden bestehende, in Zeilen und Spalten angeordnete Sensorelemente aufweist. Die in der ersten Zeile liegenden Potodioden sind mit D11 bis D1m bezeichnete In Serie zu diesen sind jeweils die Schaltstrecken vor. ersten Auswahltransistoren T11 bis Um vorgesehen, deren Gates mit einer gemeinsamen Zeilenleitung L1 verbunder- sind. L1 ist an einen Parallelausgang A1 eines Yertil:al-Schieberegisters VSR geführt, welches T.aktimpulsei.ngänge 1 und 2 aufweist. Den weiteren Zeilen von Potodiocen und ersten Auswahltransistoren sind in analoger Weise Zeilenleitungen L2 bis Lz zugeordnet, die
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an Parallelausgänge A2 Ms Az τοη YSR gelegt sind. Jede der Zeilenleitungen L1 Ms Lz ist über einen Schalttransistor TH1 Ms THz mit einem Schaltungspunkt 3 verbunden, der mit einem Bezugspotential "beschält3t ist. Die Gates von TH1 Ms THz ha"ben einen gemeinsamen Anschluß, der mit einer Taktspannung 0„z belegt ist. Die unteren Anschlüsse aller Fotodioden D11 usw. sind jeweils mit dem Bezugspotential "beschältet.
In Serie zu den ersten- Auswahltransistoren der Sensorelemente sind jeweils zweite Auswahltransistoren vorgesehen, wo"bei die in den Sensorelementen gebildeten, "belichtungsabhängigen Sensorsignale jeweils über iie Serienschaltung "beider Auswahltransistoren auf eine sogenannte Spalten-
1p leitung übertragen werden. In Fig. 1 ist "beispielsweise das Sensorelement D11 über einen ersten Auswahltransistor T11 und einen zweiten Auswahltransistor T11' mit einer Spaltenleitung SP1 verbunden. Ebenso sind die übrigen Sensorelemente der ersten Spalte bis einschließlich Dsl jeweils über die Serienschaltungen sweier Auswahltransistoren mit SP1 verbunden. Die Spaltenleitung'SP1 ist ihrerseits über einen Spaltenauswahltransistor ST1 mit einer Aasleseleitung AL verbunden, die an das G-ate eines Ausgangstransistors AT geführt ist. Das G-ate des Spaltenauswahltransistors ST1 ist zusammen mit den Gates der zweiten Auswahltransistoren, die den Sensorelementen D11 bis Dz1 der ersten Spalte zugeordnet sind, über eine Spaltenauswahlleitung SPA1 an den ersten Parallelausgang B1 eines Horizontal-Schieberegisters ESR geschaltet, das mit Taktimpulseingängen 4 und 5 versehen ist.
In analoger Weise ist den Sensorelementen der zweiten Spalte eine mit der Ausleseleitung AL über einen Spaltenauswahltransistor ST2 verbundene Spaltenleitung SP2 zugeordnet, wobei das Gate von ST2 zusammen mit den Gates der zweiten Auswahltransistoren der Sensorelemente dieser Spalte über e:.ne Spaltenauswahlleitung SPA2 mit dem
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_^ "g" VPA 82 P 1 9 0 2 OE
zweiten Parallelausgang B2 von HSB. verbunden ist. Schließlich sind auch die übrigen Spalten der Sensorelemente, z. B. D1m bis Dzm, über ihnen zugeordnete Spaltenleitungen, z. B. SPm, und Spaltenauswahltransistoren, z. B. STm, mit der Ausleseleitung AL verbunden, wobei die zugehörigen zweiten Auswahltransistoren und Spaltenauswahltransistoren, z. B. STm, jeweils über zugeordnete Spaltenauswahlleitungen, z. B. SPAm, von einem Parallelausgang, z, B. Bm, von HSR angesteuert werden. Die Spaltenleitungen SP1 bis SPm sind über die Schaltstrecken von Transistoren TV1 bis TVm mit einem Schaltungspunkt 6 verbunden, der auf einem Referenzpotential V ~ liegt. Die Gates von Τ7Ί bis TVm sind mit den Ausgängen von Invertern IV1 bio IVm verbunden, deren Eingänge an B1 bis Bm liegen,, Die Ausleseleitung AL ist über die Schalt strecke eines Transistors TT mit einem Schaltungspunkt 7 verbunden, der vorzugsweise auf dem gleichen Referenzpotential liegt, wie der Schaltungspunkt 6. Das Gate von TT liegt dabei an einem mit einer Taktspannung 0-n. beschalteten Anschluß.
Der Ausgangstransistor AT liegt mit seinem Drainanschluß an der Versorgungsspannung Vy™, während sein.Sourceanschluß über ein Lastelement Ra an einen Schaltungspunkt 8 geführt ist, der mit dem Bezugspotential beschaltet ist. Der SourceanSchluß von AT, der den Ausgang der Ausleseleitung AL darstellt, bildet gleichzeitig den Sensorausgang A.
Die Schieberegister VSR und HSR sind vorzugsweise als zweiphasige, dynamische, rückgekoppelte Schieberegister ausgebildet. In VSR wird eine logische "1" in Abhängigkeit von zwei über die Eingänge 1,2 zugeführten Taktimpul^spannungen von Stufe zu Stufe übertragen. Die Übertragungsrichtung ist durch einen Pfeil gekennzeichnet. Es wird davon ausgegangen, daß zu einem bestimmten Seitpunkt ti eine logische "1" am Ausgang A1 der ersten Stufe
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von TSR anliegt, v/ob ei die'an A1 auftretende Spannung mit U. .j bezeichnet wird. Nach dem Auftreten der nächstfolgenden Taktimpulse an den Eingängen 1 und 2 hat sich dann die "1" soweit in Pfeilrichtung verschoben, daß sie am zweiten Parallelausgang A2 als Spannung U. , anliegt. Dieses Weitersehalten der "1" setzt sich solange fort, bis der= Ausgang Az der letzten Stufe mit einer Spannung belegt ist. Die nächstfolgenden Taktimpulse aa 1 und 2 bringen dann die "1" wieder an den Ausgang A1 ler ersten Stufe. Die Ausgänge der jeweils nicht mit der "1" belegten Stufen liegen auf dem Potential "0".
Das Schieberegister HSR wird mittels der den Eingängen 5 und 6 zugeführten Taktimpulsspannungen in gleicher Weise betrieben. Dabei verschiebt sich eine logische "1" im Takt der Taktimpulsspannungen in Pfeilrichtung, was zu Spannungen-U-O^ , U32 usw. an den Parallelausgängen Bi, 32 usw. führt.
Zum Zeitpunkt ti werden die Zeilenleitungen mittels des Taktimpulses 9 von 0„7 auf das Bezugsrotential des Punktes 3 zurückgesetzt. Durch das Auftreten der Spannung Ua1 zum Zeitpunkt t2 wird die erste Zeile von Sensorelementen, d. h. D11 bis D1m, für das Auslesen ausgewählt, indem ihre ersten Auswahltransistoren T11 bis T1m über 11 leitend geschaltet werden. C-leichzeitig wird die Ausleseleitung mittels des Taktimpulses 10 der Spannung 0ΡΔ auf das Referenzpotential des Punktes 7 zurückgesetzt. Zum Zeitpunkt t3 tritt eine Spannung U31 am Parallelausgang B1 von HSR auf, gleichzeitig damit wird die vorher am Ausgang von IT1 vorhanden gewesene Spannung U31 (Pig.2} abgeschaltet. Durch den Impuls 11 von U3. wird die Spal^· tenauswahlleitung SPA1 ausgev/ählt, wobei der Transistor ST1 und die zweiten Auswahltransistoreη T11' usw. der ersten Spalte leitend geschaltet v/erden. Aber nur das in Schnittpunkt der ausgewählten Leitungen L1 und SPA1 liegende Sensorelemer.t D11 wird nun ausgelesen. Dabei wird
das in D11 gespeicherte j belichtungsabhängige Sensorsignal über T11, T11', SP1, ST1, AL und AT zum Ausgang A übertragen. Wesentlich ist hierbei, daß diese Übertragung nur während des Auftretens des Impulses 11 von U-g^ erfolgt, wogegen vor und nach dem Auftreten von U-n^ die Spannung tj-nj den Transistor TY1 leitend schaltet, so daß die Spaltenleitung £P1 auf dem Potential T^, ^ liegt, durch das etwaige überschüssige Ladungsträger, die aus den Sensorelementen D"1 Ms Dz1 infolge des geschilderten Überstrahlens auf SP1 gelangt sind, über TV1 abgeleitet werden. Weiterhin sind auch die übrigen Spaltenleitungen SP2 bis SPm jeweils in den Zeitabschnitten, in denen sie nicht zur Übertragung von Sensorsignalen aus den ihnen zugeordneter. Spalten des Sensors dienen, über die Transistoren TYl. bis TYm stets mit dem Referenzpotential Y ~ des Schaltungspunktes -6 verbunden. Daher werden auch auf diesen Spal~enleitungen auftretende, überschüssige Ladungsträger weitgehend entfernt.
Fig. 2 läßt erkennen, daß nach dem Auslesen des Sensorsignals aus D11, d. h. zum Zeitpunkt t4, die Ausleseleitung AL mittels des Impulses 12 von 0·^ über TT zurückgesetzt wird, worauf zum Zeitpunkt t5 ein Impuls 13 von U32 d-ie zweite Spaltenauswahlleitung SPA 2 auswählt,
was eine Übertragung des Sensorsignals aus D12 an den Ausgang A i:i einer zu dem bereits beschriebenen Auslesevorgang analogen Weise bewirkt. Weitere Auslesevorgänge schließen sich an, wobei der Impuls 14 von U-n das Aus-
—L υ ι
lesen des Sensorsignals aus dem Element D1m betrif: Danach wird TL·^ abgeschaltet, worauf ein Impuls 15 von 0j,? ein Rüc.-csetzen der Zeilenleitungen L1 bis Lz bewirkt. Im Anschluß daran läuft nach dem Auftreten von U.ρ zma Zeitpunkt t6 ein sequentieller Auslesevorgang für die Sensorelemente der zweiten Sensorzeile an, der t5 durch die I.npulse 16 bis 19 in derselben Weise kontrolliert wird, wie oben anhand der Impulse 10 bis 13 erläutert worden ist. Nach dem Auslesen sämtlicher Sensorele-
-f- ypa 82 P 1 9 Q 2 QE
mente des Bildsensors folgen weitere komplette Ausles 3-vorgänge in periodischer Folge.
Mit der Anordnung nach Pig. 1 wird das Überstrahlen auf r, 1/m Λ ι
τφζ = 1/m
verringert, wenn m die Anzahl der Sensorelemente in einer Zeile bedeutet.
Fig. 3 zeigt das Schaltschema einer zweckmäßigen Ausführungsform einer differenzbildenden Stufe .ODS, die nach einer Weiterbildung der Erfindung dem ,lensorausgang A nachgeschaltet wird. In diesem Fall bildet A* den eigentlichen Sensorausgang. Zusätzlich werden zwischen die Zeilenleitungen L1 bis Lz und die Ausgänge A1 bis As Zeilenauswahltransistoren TZ1 bis 1TZz geschaltet, deren Gates über einen gemeinsamen Anschluß mit einer Taktimpulsspannung 0λπ, beschaltet sind.
Die Stufe CDS ist nach Fig. 3 so aufgebaut, daß man vom Eingang A zu einem Vorverstärker 20 gelangt, dessen Ausgang 21 über die Parallelschaltung ein;;s Widerstandes und einer Kapazität 23 an den Eingang λ rückgekoppelt ist. In Serie zum Ausgang 21 liegt ein-i Kapazität C1, deren vom Terstärkerausgang abgewandter Anschluß 24 über '25 einen Schalttransistor 25 mit einem auf Bezugspotential liegenden Schaltungspunkt 26 verbunden ist. Das G-ate des Schalttransistors 25 ist mit einer Tak~;spannung 0 beschaltet. Der Anschluß 24 ist über die Schaltstrecke eines Schalttransistors 27 mit dem ers~en Anschluß einer Kapazität C2 beschaltet, deren zweiter Anschluß auf Bezugspotential liegt. Der erste Anschluß von 02 bildet den Ausgang A' der Stufe CDS und damit den Ausgang des Bildsensors. Die Schaltungsteile 27 un<l C2 stellen eine Abtast- und Haltestufe dar. Dabei ist das G-ate von 27 mit einer Taktspannung 0O beschaltet.
Eine differenzbildsnde Stufe der vorst?hend beschriebenen
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Art ist ζ., 3. dem Buch von P. G-. Jespers u.a. "Solid State Imaging" aus der Reihe "NATO Advanced Study Institutes", Series E; No. 16, erschienen 1976 im Yerlag Hoordhoff International Publishing, Leyden, auf den Seiten 535 "bis 559, inst). Fig. 9, zu entnehmen. Eine ähnlich aufgebaute Stufe ist i.i dem IEEE Journal of Solid State Circuits, YoI. SG-9, Jo. 1, Februar 1974, auf den Seiten 1 bis 13, vgl. insb. Jig. 5, beschrieben.
Der Auslese/organg bei einem durch die Zeilenauswahltransistoren TZi ... TZz und die Stufe CDS ergänzten Bildsensor wird anhand der Pig. 4 erläutert. Zu einem Zeitpunkt t8 tritt eine Spannung U.^ an A1 auf. Dadurch wird die erste Zeile von Sensorelementen, d. h. D11 bis D1m,' für das Auslese:! ausgewählt. Der Zeilenauswahltransistor TZ1 bleibt aber noch gesperrt. Zum Zeitpunkt t9 werden die Zeilenleituiagen L1 bis Lz durch den Taktimpuls 28 von · 0Rr7 auf das Bezugspotential des Punktes 3 zurückgesetzt, während LA >i.urch den Impuls 29 von 0-^, auf das Referenzpotential dos Punktes 7 zurückgesetzt wird. Beim Auftreten des Impulses 30 von U^1 wird SPA1 ausgewählt, wobei ST1 und die zweiten .Auswahltransistoren TU1 usw. der ersten Sensorijpalte leitend geschaltet werden. Über ST1 wird SP1 mit AL --erbunden. Der Momentanwert des Rauschens auf SP1 und auf AL sowie die durch das Schalten von T11' usw. und ST1 erfolgten Störspannungseinkopplungen werden durch den Impuls :>1 von 0 , der den Schalttransistor 25 (Pig. 3) leitend schaltet, mit negativem Vorzeichen in C1 gespeichert. Zum Zeitpunkt t10 werden dann alle ersten Auswahltransistoren T11...T1m der ausgewählten Zeile mittels des Impulses 32 von 0.„ leitend geschaltet. Damit wird das Sensorelement, das im Schnittpunkt der ausgewählten Leitungen L1 ur.d SPA1 liegt, ausgelesen. Das ausgelesene Sensorsignal., das ebenfalls mit dem Momentanwert des Rauschens auf £P1 und AL sowie mit den genannten Störspannungseinkopilungen behaftet ist, wird nach dem Sperren des Schalttransistors 25 (Pig. 3) dem zuvor in C1 gespei-
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cherten Signal mit positivem Vorzeichen überlagert, so daß sich am Schaltungspunkt 24 das von den genannten Rauschspannungen und Störspannungseinkopplungen befreite Sensorsignal als Differenz der beiden nacheinander ausgelesenen Signale ergibt. Durch den Impuls 33 von 0S wird der so erhaltene Signalwert über den Transistor auf die Kapazität C2 übertragen und dort gespeichert, so daß er bei A' abgreifbar ist.
Nach dem Auftreten des Impulses 34 von U^ folgen ein gleichartiger Auslesevorgang für das Sensorelement D12 und analoge weitere Auslesevorgänge für die übrigen Sensorelemente der ersten Zeile und der weiteren Zeilen. Der komplette Auslesevorgang des gesamten Bildsensors wiederholt sich periodisch. Die Spannungen U·^, Ug2 usw. gewährleisten in der bereits beschriebenen Weise eine erhebliche Reduzierung des Überstrahler.s.
Der erste und zweite Auswahltransistor, ζ. B. T11 und T11', eines Sensorelements, z. B. D11, können platzsparend zu einem Dual-Gate-Transistor zusammengefaßt werden. Dabei kann das Gate von T11' aus einer ersten Schicht polykristallinen Siliziums gebildet sei.n und das Gate von T11 aus einer zweiten solchen Schicht.
7 Patentansprüche
4 Figuren
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Claims (7)

  1. « ti m. *
    -yf- VPA 82 P 1 9 0 2 DE Patentansprüche
    β). Zweidimensionaler Halbleiter-Bildsensor mit auf einem dotierten Halbleiterkörper in Zeilen und Spalten angeordneten Sensorelementen, bei dem Zeilenleitungen, die über zugeordnete Parallelausgänge eines Vertikal-Schieberegisters auswählbar sind, zur Ansteuerung von ersten Auswahltransistoren der Sensorelemente dienen, über die in diesen gebildete, belichtungsabhängige Sensorsignale auf Spaltenleitungen übertragen werden und bei dem letztere über Schalter, die von Parallelausgängen eines horizontalen Schieberegisters ansteuerbar sind, nacheinander mit einer Ausleseleitung verbindbar sind,die einen Ausgang zum sequentiellen Auslesen der Sensorsignale aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Parallelausgänge des Horizontal-Schieberegisters zusätzlich zur spaltenweisen Ansteuerung von zweiten Auswahltransistoren der Sensorelemente dienen, daß die zweiten Auswahltransistoren jeweils in Serxe zu den ersten Auswahltransistoren angeordnet sind, daß die Spaltenleitungen über weitere Schalter (TV1...TVa) mit einem Referenzpotential (Vf) beschaltet sind, und daß die von den Parallelausgängen (B1...Bm) des horizontalen Schieberegisters (HSR) ansteuerbaren Schalter (3T1...STm) invers zu den weiteren Schaltern (TV1...TVm) ansteuerbar sind.
  2. 2. Zweidimensionaler Halbleiter-Bildsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zeilenleitungen (L1...Lz) über erste Schalttransistoren (TH1...THz) mit einem ersten Schalt:ungspunkt (3) verbunden sind, der auf Bezugspotential liegt, daß die Spaltenleitungen (SP1...SPm) über zweite Schalttransistoren (TV1...TVm) mit einem zweiten Schaltungspunkt (6) verbunden sind, der auf einem Referenzpotential ("V f) liegt, und daß die Ausleseleitung (AL) über einen dritten Schalttransistor (TT) mit einem dritten Schaltungspunkt (7) verbunden ist, de: vorzugsweise ebenfalls mit diesem Referenzpotential V re£) beschaltet ist.
    -rr- VPA J2 ρ j 9 ο 2 OE
  3. 3. Zweidimensionaler Halbleiter-Bildsensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zeilenleitungen (L1...Lz) über Zeilenauswahltransistoren (ZT1...ZTz) an die Parallelausgänge (A1...Az) des vertikalen Schieberegisters (VSR) geschaltet sind und daß in Serie zum Ausgang (A) der Ausleseleitung (AL) eine differenzbildende Stufe (CDS) vorgesehen ist, die aus zwei unmittelbar nacheinander ausgelesenen Signalen ein Differenzsignal ableitet.
    10
  4. 4. Zweidimensionaler Halbleiter-Bildsensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die differenzbildende Stufe einen eingangsseitigen Vorverstärker (20), eine in Serie zu dessen Ausgang (21) liegende Kapazität (C1), einen Schalter (25), der den vom Verstärkerausgang (21) abgewandten Anschluß (24) der Kapazität (C1) mit einem auf Bezugspotential liegenden Schaltungspunkt (26) verbindet, und eine ausgangsseitige Abtast- und Haltestufe (27, 02) aufweist.
  5. 5. Verfahren zum Betrieb eines Halbleiter-Bildsensors nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zeilenleitung (L1) einer auszulesenden Sensorzeile über einen Parallelausgang (A1) des vertikalen Schieberegisters (VSR) ausgewählt wird, wobei die ersten Auswahl transi stören (T11—) der Sensorzeile leitend geschaltet werden, daß die Spaltenauswahlleitung (SPA1) der ersten Sensorspalte über einen Parallelausgang (331) des horizontalen Schieberegisters (HSR) mit einer Spannung beaufschlagt wird, die den zugehörigen Spaltenauswahltransistor (ST1) und die zweiten Auswahltransistören (T111) dieser Sensorspalte leitend schaltet, daß lediglich für die Dauer des leitenden Zustands des Spaltenauswahltransistors (ST1) der sonst stets durchgeschaltete, mit der Spaltenleitung (SP1) der ersten Spalte verbundene, weitere Schalter (TV1) öffnet, daß das Sensorsignal des ersten Sensorelements (D11) der Sensorzeile über den lei-
    '"■"" 323E072
    VPA 82 P 1 9 Q 2 OE
    tenden Spaltenauswahltransistor (ST1) auf den Sensorausgang (A) übertragen wird und daß dieser Auslesevorgang sequentiell für alle Sensorelemente der auszulesenden Sensorzeile und sodann in analoger Weise für die weiteren Sensorzeilen durchgeführt wird.
  6. 6. Verfahren zum Betrieb eines Halble_ter-Bildsensors nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Zeilenleitung (L1) einer auszulesenden Sensorzeile über einen Parallelausgang (A1) des vertikalen Schieberegisters (VSR) ausgewählt wird, wobei jedoch der zugeordnete Zeilenauswahltransistor (TZi) noch gesperrt bleibt, daß die Spaltenauswahlleitung (SPA 1) der ersten Sensorspalte über einen Parallelausgang (B1) des horizontalen Schieberegisters (HSR) mit einer Spannung beaufschlagt wird, die den zugehörigen Spaltenauswahl transi stor (ST1) und die zweiten .auswahltransistören (T111) der Sensorelemente (DI1) dieser Spalte leitend schaltet, daß lediglich für die Dauer des leitenden Zustands des Spaltenauswahltransistors (STi) der sonst stets durchgeschaltete, mit der Spaltenleitung (SP1) der ersten Spalte verbundene, weitere Schalter öffnet, daß über den leitend geschalteten Spaltenauswahl transi stor (ST1) die Rauschspannungsanteile auf der Spaltenleitung (SP1) und Ausleseleitung (AL) und durch die betätigten Schalttransistoren entstandene Störspannung seinkopplungen in der differenzbildenden Stufe (CDS) mit einem ersten Vorzeichen gespeichert werden, daß anschließend der Zeilenauswahltransistor (TZ1) der ausgewählten Zeilenleitung leitend geschaltet wird, so daß die ersten Auswahltransistoren (T11) der Sensorzeile leitend geschaltet werden, daß das Sensorsignal des ersten Sensorelements (D11) dieser Sensorzeile einschließlich der genannten Rauschspannungsanteile und Störspannungseinkopplungen in der differenzbildenden Stufe (CDS) dem zuvor gespeicherten Signal mit einem zweiten Vorzeichen überlagert wird, daß das entstehende Differesazsi-
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    -H- -W- VPA 82 P 1 90 2 OE
    gnal an den Sensorausgang (A') übertragen wird und daß dieser Auslesevorgang sequentiell für alle Sensorelemente der ausgewählten Sensorzeile und sodann in analoger Weise für die weiteren Sensorzeilen durchgeführt wird.
  7. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Anlegen der am Parallelausgang (B1) des horizontalen Schieberegisters (HSR) auftretenden Spannung an die Spaltenauswahlleitung (SPA1) die Zeilenleitungen (1,1...Lz) auf Bezugspotential (3) und die Ausleseleitung (AL) auf ein Referenzpotential zurückgesetzt werden.
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