JPS5983475A - 二次元半導体画像センサおよびその操作方法 - Google Patents

二次元半導体画像センサおよびその操作方法

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JPS5983475A
JPS5983475A JP58180065A JP18006583A JPS5983475A JP S5983475 A JPS5983475 A JP S5983475A JP 58180065 A JP58180065 A JP 58180065A JP 18006583 A JP18006583 A JP 18006583A JP S5983475 A JPS5983475 A JP S5983475A
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sensor
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JP58180065A
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ル−ドルフ・コツホ
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Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
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Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
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    • H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
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    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はドープされた半導体基板上に行列タの並列出
力端を通して選出される行導体がセンサ素子のセンサ信
閃を列導体に導く第一選択トランジスタの制御に使用さ
れ、各列導体は水平シフトレジスタの並列出力端から制
御されるスイッチによって順次に一つの読出し線に接続
される二次元半導体画像センサとその操作方法に関する
ものである。
この種の半導体画像センサの一例は米国Ｒ，ｅ　ｔ　ｉ
　ｃ（）Ｔ１社のテーラ・リーフレットに記載されてい
る。
半導体画像センサではセンサ素子の過剰照射が常に問題
となる。あるセンサ素子において過剰照射により予定さ
れた以」二のキャリヤが発生するとこの過剰キャリヤは
隣接する画素又は列導体に流れ込む。キャリヤのこのよ
うな拡がりはブルーミングと呼ばれている。
この発明の目的はブルーミング現象を低減させるための
構造が必要とする面積が小さい二次元半導体画像センサ
を提供することである。この目的は特許請求の範囲第１
項に特徴として挙げた構成とすることによって達成され
ろ。
この発明によって得られろ主な利点はプル・−ミング低
減構造が必要とする０加面積が小さく、シかも極めて効
果的に作用ずろことである。この発明によるブルーミン
グの低減はほぼ１．／Ｆｌ　００に達することができる
。
特許請求の範囲第２項乃至第４項にはこの発明の有利な
実施形態が記載され、特許請求の範囲第５項乃至第７項
にはこの発明による半導体画像センサの操作方法が記載
されている。特許請求の範囲第３項による画像センサは
雑音電圧および妨害電圧をほとんど含むことのないセン
サ信号を送り出すという利点を併有している。
図面についてこの発明を更に詳細に説明する。
第１図にこの発明による二次元半導体画像センサの原理
的接続を示す。このセンサはフォトダイオードから成る
センサ素子が行列配置されている二次元画像センサであ
る。第−行のフォトダイオードはＤｌ−１乃至Ｄ　］、
　ｍとして示され、各フォトダイオードには第一選択ト
ランジスタ’Ｉ”　１　］乃至Ｔ　］−ｍの接続区間が
直列に接続され、第一選択トランジスタのゲートは共通
の行導体Ｌ１に結ばれている。Ｌｌはクロックパルス入
力端ゴ、２を備える垂直シフトレジスタＶＳＲの並列出
力端の一つＡＩに結ばれる。他の行のフォトダイオード
とその第一選択トランジスタも同様に所属行導体（Ｌ２
．・・・、Ｔ、ｚ）に接続され、それぞれ垂直シフトレ
ジスタＶＳＲの並列出力端（Ａ−２、・・・。
Ａ、ｚ）の一つに結ばれる。行導体Ｌｌ乃至Ｌｚはそれ
ぞれスイッチングトランジスタＴＨＩ乃至Ｔ　Ｉ−１ｚ
中の一つを通して接続点３に導かれ規準電位に接続され
る。Ｔ　Ｉ−（１乃至ＴＨｚのゲームは共通端子を持ち
この端子にクロック電圧φＲＺが加えられる。フォトダ
イオードの下方の接続端はいずれも規準電位に接続され
ている。
センサ素子の第一選択トランジスタにはそれぞれ第二選
択トランジスタが直列に接続され、セン両選択トランジ
スタの直列接続を通して列導体に運ばれる。第１−図に
おいて例えばセンサ素子Ｄ　］−１は第一選択トランジ
スタＴ１．］と第二選択トランジスタＴ１．］’を通し
て列導体ＳＰＩに結ばれる。
同様にして第一列の他のセンサ素子はＤＺｌに至るまで
＝つの選択トランジスタの直列接続を通してＳＰＩに結
ばれる。列導体Ｓ　Ｐ　ｌ自体は列選出トランジスタＳ
ＴＩを通して−っの読出しｉ　Ａ、　Ｌに結ばれ、ＡＬ
は出力トランジスタＡＴのゲートに接続されている。列
選出トランジスタＳＴＩのゲートは第一列のセンサ素子
Ｄｌｌ乃至ＤＺＩに所属する第二選択トランジスタのゲ
ートと共に列選出導線５ＰＡＩを通して水平シフトレジ
スタＩ−Ｉ　Ｓ　Ｒ。
の並列出力端の一つＢ１に接続される。ＨＳ　Ｒにはク
ロックパルス入力端４，５が設けられている。
同様にして第二列のセンサ素子には列選出トランジスタ
ＳＴ’２を通して読出し線ＡＬに結ばれる列導体ＳＰ２
が所属し、Ｓ’ｌ”２のゲートは同じ列共に列選出導線
Ｓ　Ｐ　Ａ−２を通してＪ（Ｓ　Ｒ，の第二の出力端Ｂ
２に結ばれている。残りのセンサ素子列例えばＤ　］、
　ｍ乃至ＤＤＺも所属する列導体例えばＳＰｍと列選出
トランジスタ例えばＳＴｍを通して読出し線Ａ　Ｔ、に
結ばれ、所属ずろ第三選択トランジスタと列選出トラン
ジスタ例えばＳＴｍはそれぞれ対応する列選出導線例え
ばＳＰＡｍを通してＨＳ　Ｒ，の並列出力端の一つ例え
ばＢｒｎから制御される。列導体ＳＰＩ乃至ＳＰｍはト
ランジスタＴ　Ｖ　］乃至ＴＴＶの接続区間を通して接
続点６に結ばれろ。接続点６は参照電位Ｖｒｅｆに置か
れる。
’Ｊ）　Ｖ　］乃至ＴＴＶのゲートはインバータ■■］
乃至ＩＶｍの出力端に結ばれ、これらのインバータの入
力端はＩ−Ｔ　Ｓ　１’（、の出力端Ｂ１乃至Ｂｍに接
続されている。読出しｍＡＬはトランジスタＴＴの接続
区間を通して接続点７に結ばれる。接続点７は接続点６
と同じ参照電位におくのが右利である。
ＴＴのゲートはクロック電位φＲ，Ａが導かれる接続端
に結ばれている。
出力トランジスタＡＴはそのドレン接続端に給電電圧■
ＤＤ　が加えられ、ソース接続端は負荷素子Ｒａを通し
て接続点８に結ばれろ。接続端８は規準電位に置かれる
。ＡＴのソース接続端は読出し線の出力端で゛あろと同
時にセンサの出力端Ａを構成している。
シフトレジスタＶ　Ｓ　ＲとＩ−Ｔ　Ｓ　Ｒ，は二相式
の帰還結合型ダイナミック・シフトレジスタとずろのが
有利である。ＶＳＲでは論理ＩＩ　１　ＩＩが入力端］
。
２に導かれたクロックパルスに応じて段から段へ送られ
その移動方向は第１図に矢印で示されている。ある時刻
ｔ１にＶＳＲの第一段の出力端Ａ１に論理ＩＩ　Ｉ　Ｊ
ｌが現われるものとする。この時のＡ１の電圧をＵ　Ａ
］とする。次ツクｏ”）り′ゞ″スが入力端］、２に到
着すると状態゛′１′″は矢印の方向に移動して２番［
１の並列出力端Ａ２に電圧■Ａ２として現われる。この
状態ＩＩ　１−　ＩＩの移動は最終段の出力端ＡＺに対
応する電圧が現われるまで繰り返される。それに続くク
ロックパルスが入力端１，２に到着すると状態Ｉｔ　：
＋、　ＩＩは再び第一段の出力端Ａ］に現われる。状態
ＩＩ　１．７＋で占められていない段は電位″０″′に
置かれる。
シフトレジスタＩ−Ｔ　Ｓ　Ｒは入力端４，５に導かれ
たクロックパルス電圧によって同様に駆動され論理″］
″′がこのクロックパルスの周期をもって矢印の方向に
移動し並列出力端Ｂ］、、Ｂ２等に電圧ＵＢ］、ＵＢ２
等として現われる。
第２図に第１図の回路に対する電圧時間線図を示す。時
刻ｔｌに行導体が電圧φＲ，Ｚのクロックパルス９によ
り接続点３の基準電位に戻される（リセット）。時刻ｔ
２に電圧ＵＡ１が現われるとセンサ素子の第−行即ちＤ
］−１乃至Ｄ　］−ｍが読出しのため選出されその第一
選択トランジスタＴ］−１乃至Ｔ　］、　ｍが行導体Ｌ
］を通して導通状態に移される。同時に読出し線が電圧
φＲＡのクロックパルス１０により接続点７の参照電位
に戻される（リセット）。時刻ｔ３に電圧がＩ−Ｉ　Ｓ
　Ｒの並列出力りＩＶＩの出力端に加えられていた電圧
ＵＢＩ　　が遮断される。ＵＢｌのパルス１１によって
列選出導線Ｓ　ＰＡ　ＩカＭ出され、第一列のトランジ
スタＳ　’Ｉ”　］と第二選択トランジスタＴ１］′が
導通状態に移される。しかしここで・は選出された導線
Ｌ１と５ｉＰＡ、］の交叉点に置かれているセンサ素子
Ｄ　１．　］だけが読み出される。その際Ｄｌｌに蓄積
されていた照射量に関係するセンサ信号は’ｌ”ｌ　１
　、　’！’］　１’、　ＳＰｌ。
ＳＴ］、、ＡＬおよびＡ、Ｔを通って出力端Ａに運ばれ
る。ここで・重要なのはこの転送が■ＪＢ１　　のパル
ス１１−が加えられている間だ＋−Ｊ実現することであ
り、ＵＢｌの前後て・は電圧ＵＢ１がトランジスタＴＶ
を導通させるから列導体ＳＰＩは電位Ｖｒｅｆに置かれ
てブルーミンクの結果としてセンサ素子Ｄ］、］乃至Ｄ
ＺＩからＳＰＩに到達した過剰キャリヤは’Ｉ”　Ｖ　
］を通して導き出される。更に残りの列導体ＳＦ３乃至
ＳＰｍもそれらがセンサ信号を送り出さない時間間隔中
はトランジスタＴ　Ｖ　２乃かれているからこれらの列
導体に現われろ過剰ギヤリヤも大部分取り除かれる。
第２図から分るように１）］］がセンサ信号が読み出さ
れた後時刻ｔ４に読出し線Ａ　ＬがφＲ，Ａのパルス１
２によりＴＴを通して元に戻され（りナツト）、時刻ｔ
５にＵＢ２のパルス］３が第二列選出線５ＰＡ２を選出
し、Ｉ）　］、　２から出力端Ａへのセンサ信号の送り
込みが上記の読出し過程と同様な経過て・実施されろ。
これに続いて残りの読出し過程が実施され■ＪＢＩｎの
ノぐルス］イによりＤ　］、　＋ｎがらセンサ信号が読
出されろ。その後（ＪＡ］が遮断され、φＲ，Ｚのパル
ス１５により行導体Ｌｌ乃至ＬＺが元に戻される（リセ
ット）。それに続いて時刻ｔ６に電圧ＵＡ２が接続され
た後第二センサ行のセンサ素子に対する順次読出しが行
なわれるがその際パルス１６乃至１９により」−記のパ
ルス１０乃至１３による場合と同様なコントロールが実
施される。画像センサの総てのセンサ素子が読み出され
た後以後の完全な読出し過程が周期的に繰り返される。
第１図の装置によりフルーミンク現象かに低減される。
ここでｍは−っの行のセンザ素了数である。
第３図に減算段ＣＤＳの効果的な実施形態を示す。この
回路はこの発明によりセンサ出力端Ａの後に接続される
ものである。この場合Ａ′が事実上のセンサ出力端とな
る。更に行導体Ｌ　］乃至Ｌ　Ｚと出力端Ａ］乃至Ａｚ
の間には行進用トランジスタ’］”　Ｚ　］乃至’Ｉ”
　Ｚ　ｚが接続され、それらのゲートには共通端子を通
してクロックパルス電圧φＡＺが導かれる。
第３図のＣＤＳでは入力端Ａに続いて前置増幅器２０が
あり、その出力端２１−から抵抗２２とコンデンサ２３
の並列接続を通して入力端Ａに帰還結合が作られている
。出力端２１に直列にコンデンサＣ１が接続され、その
増幅器に対して反対側の接続端はスイッチング・ｌ・ラ
ンジスタ２５を通して規準電位に置かれた接続点２６に
結ばれている。スイッチング・トランジスタ２５のゲー
トにはクロック電圧φ。が加えられる。接続端２４はス
イッチングトランジスタ２７を通してコンデンサＣ２の
第一接続端に結ばれ、Ｃ２の第二接続端は規準電位に置
かれる。Ｃ２の第一接続端は減算段ＣＤＳの出力端Ａ′
従って画像センサの出力端となる。回路部品２７と０２
は走査ならびに維持段を構成する。２７のゲートにはク
リック電圧φ８が加えられろ。
」二記の形式の減算段は文献（Ｐ、　Ｇ、Ｊｅｓｐｅｒ
ｓｅｌ　ａｌ　；　”５ｏｌｉｄ　ＳｔａｔｅＴｍａｇ
ｉｎｇ”、　ＮＡ’ｌ”０Ａｄｖａｎｃｅｄ　５ｔｕｄ
ｙ　Ｔｎｓｔｉｔｕｔｅｓ　５ｅｒｉｅｓ　Ｅ：Ａ：１
．６，１．９７６）に記載されている。同様な構成の回
路も文献（ＴＥＥＥ　　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　５ｏｌ
ｉｄＳｔａｔｅ　Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ、　Ｖｏｌ。５ｃ−
９，Ａ１．、Ｆｅｂ。
１．９７＜１．、ｐ、１〜１３）に記載されている。
段ＣＤＳを追加した画像センサからの読出し過程を第４
図について説明する。時刻ｔ８に電圧ＵＡ１がシフトレ
ジスタＶ　Ｓ　Ｒ，の出力端Ａ１に現われろと、センサ
素子の第−打丁）１１乃至１）　１．　ｍが読出しのた
め選び出される。しかし行選定トランジスタＴＺＩは猶
阻止状態にある。時刻ｔ１）に行導体Ｌｌ乃至■Ｊｚが
φＲ，Ｚ　のクロックパルス２８により接続点３の基準
電位に戻され（リセット）、読出し線ＡＬはφＲ，Ａの
パルス２９により接続点７ノ参照電位に戻される。”　
Ｂ　］　　のパルス３０が到着すると５ＰＡＩが選出さ
れ、第一センサ列のＳＴ１と第二選択トランジスタＴ１
１′等が導通状態に移される。ＳＴ１を通してＳ　Ｐ　
１がＡＩ・と結ばれる。ＳＰＩとＡ　Ｌの雑音電圧の瞬
時値とＳＴＩならびにＴ１１′等の接続によって生した
妨害電圧結合分はスイッチング・トランジスタ２５（第
：（図）を導通させるφ。のパルス３］−により負の符
号をもって０１に蓄積される。続く時刻ｔ　］、　０に
４゛１１乃至Ｔ　１．　ｍがφＡ、Ｚ　のパルス３２に
よって導通状態に移される。これによって選出された導
線Ｌ　］とＳ　Ｐ　Ａ、　］の交点に置かれたセンサ素
子が読出される。この読出されたセンサ信号はＳｒ１と
Ａ、　Ｌの雑音電圧の瞬時値と結合妨害電圧を含むもの
であるが、スイッチング・トランジスタ２５の阻止後Ｃ
１に蓄積されている信号に正符号をもって加え合わされ
るから、接続点２４には上記の雑音電圧と結合妨害電圧
を取り除いたセンサ信号が順次に読出された三つの信号
の差として与えられる。このようにして得られた信号値
はφ５のパルス３３によってトランジスタ２７を通して
コンデンサＣ２に送られそこに蓄積されるからＡ′を通
して取り出すことができる。
ＵＢ２　のパルス３４が到着した後センサ素子Ｄ　１．
２に対する同様な読出し過程が開始され、第−行の残り
のセンサ素子に対する読出し過程がそれに続き、更に他
の行のセンサ素子に対する読出しも引き続き行なわれろ
。画像センサ全体の完全（１９） ・・・ＤＺｍ　：センサ素子、ＡＬ：読出し線、ＣＤＳ
な読出し過程は周期的に繰り返されろ。電圧ＵＢ１．　
ｌ　しＩｎ２等は上記のようにしてブルーミングを著し
く低減させる。
各センサ１子の第一と第二の選択トランジスタ例えばＴ
］、１とＴ１１′は二重ゲート・トランジスタにまとめ
て占有面積を縮小することができる。
この場合Ｔ１１′のゲートは第一ポリシリコン層から作
り、Ｔ１１のゲートは第二ポリシリコン層から作ること
ができるっ
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明による二次元半導体画像センサの原理
的接続図、第２図は第１図の回路に対する電圧・時間線
図、第３図は読出し線の出口に直列接続される減算段の
原理的接続図、第４図は第１−図と第３図に示された半
導体画像センサの作用を説明する電圧・時間線図である
。第１図においてＨＳ　Ｒ：水平シフトレジスタ、ｖａ
ｎ、：垂直シフトレジスタ、Ｔ１］・・・Ｔ１ｍ＝第　
ａｔ択）ランジスタ、Ｔ］、］’：第二選択トランジス
タ、Ｄｌｌ（２０） ：減算段、Ｌ　］−Ｌ　ｚ　：行導体、Ｓ　Ｐ　］、　
＝−Ｓ　Ｐ　ｍ：列導体。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）ドープされた半導体基板」二に行列配置されたセン
    サ素子を備え、垂直シフトレジスタの並列出力端を通し
    て選出される行導体がセンサ素子で作られ光照射に関係
    するセンサ信号を列導体に導く第一選択トランジスタの
    制御に使用され、各列導体は水平シフトレジスタの並列
    出力端から制御されるスイッチによって順次に一つの読
    出し線に結合される半導体画素センサにおいて、水平シ
    フトレジスタの並列出力端が付加的にセンサ素子所属の
    第二選択トランジスタの列毎の制御に使用されること、
    第二選択トランジスタがそれぞれ第一選択トランジスタ
    に直列に接続されていること、列導体が別のスイッチ（
    ＴＶ１等）を逆水平シフトレジスタ（Ｉ−Ｔ　Ｓ　Ｒ）
    の並列出力端（Ｂ１等）から制御されろスイッチ（ＳＴ
    １等）がスイッチ（ＴＶ１等）に対して逆向きに制御さ
    れることを特徴とする二次元半導体画像上ンサ。 ２）行導体（Ｔ、　］等）が規帛電位にある第一接続点
    （３）に第一スイッチングトランジスタ（Ｔ　Ｈ１等）
    を通して結ばれること、列導体（ＳＰｌ等）が参照電位
    （Ｖｒｅｆ）にある第二接続点（０）に第ニスイツチン
    グトランジスタ（ＴＶ１等）を通して結ばれること、読
    出し線（Ａ　Ｔ、　）が例えば同じ参照電位（Ｖｒｅｆ
    ）にある第三接続点（７）に第三スイッチングトランジ
    スタ（ＴＴ）を通して結ばれることを特徴とする特許請
    求の範囲第１項記載の半導体画像センサ。 ３）行導体（Ｔ、　１・・・Ｌ　ｚ　）が行選択トラン
    ジスタ（ＺＴＩ・・・ＺＴｚ）を通して垂直シフトレれ
    ること、読出し線（Ａ、　Ｔ、　）の出力端に直列に減
    算段（ＣＤＳ）が設けられ、これは直接続けて読出され
    た二つの信号から差信号を導。 出することを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
    項記載の半導体画像センサ。 ４）減算段が入力側に前置増幅器（２０）とその出力端
    に直列接続されたコンデンサ（Ｃ１）と、このコンデン
    サの前置増幅器に対して反対側の端子（２４）を規準電
    位にある接続点（２６）に接続するスイッチ（２５）を
    備え、出力側に走査ならびに維持段（２７，Ｃ２）を備
    えることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の半導
    体画像センサ。 ５）読み出すべきセンサ行の行導体（Ｌ］−）が垂直シ
    フトレジスタ（ＶＳＲ）の並列出力端の一つ（Ａ］）を
    通して選び出されこのセンサ行の第一選択トランジスタ
    σ１Ｊ等）が導通状態に移されること、第一センサ列の
    列選出導線（Ｓ　Ｐ　Ａ　：Ｉ−）が水平シフトレジス
    タ（１−Ｔ　Ｓ　Ｉ（、）の並列出力端の一つ（ｒ３］
    、　）を通して電圧を印加され所属列選出トランジスタ
    （Ｓ’ｌ’ｌ）とこのセンサ列の第二選択トランジスタ
    （’Ｉ”ｌｌ’）の導通状態に移すこと、列選出トラン
    ジスタ（ＳＴＩ　）が導通状態にある間だけｊ山常は閉
    結されて第一列の列導体（ＳＰｌ）に結ば才１ているス
    イッチ（’Ｉ”Ｖｌ）が開放されること、センサ行の第
    一七ンサ素子（Ｄ　１．　］、　）のセンサ信号が導通
    した列選出トランジスタ（Ｓ’ｌ’ｌ）を通してセンサ
    出力端（Ａ　）に運ばれること、この読出し過程が順次
    に読出すべきセンサ行の総てのセンサ素子に対して繰り
    返された後次のセンサ行において同様に実施されること
    を特徴とする二次元半導体画像センサの操作方法。 ６）読出すべきセンサ行の行導体（Ｌｌ）が垂直シフト
    レジスタ（ＶＳＲ）の並り）７　出力ｉの一つ（Ａ１）
    を通して選び出されるが所属する行選出トランジスタ（
    ’ｌ”７．１）は猶阻止状態に止まること、第一センサ
    列の列選出導線（ＳＰＡＮ、）が水平シフトレジスタ（
    ＨＳ　Ｒ）の並列出力端の一つ（Ｂ〕）を通して電圧を
    印加され、所属する列選出トランジスタ（ＳＴＩ）とこ
    の列のセンサ素子（Ｄ　：＋−：１．　）の所属選択ト
    ランジスタ（Ｔ　１．１．’　）を導通状態に移すこと
    、列選出トランジスタ（Ｓ　Ｔ　］、　）が導通状態に
    ある間たけ通常は閉結されて第−行の行導体（Ｓ　Ｐ　
    １　）に結ばれている別のスイッチが開放されること、
    導通状態に移された列選出トランジスタ（Ｓ　Ｔ　１−
    　）を通して列導体（Ｓ　Ｐ　１　）と読出し導線（Ａ
    　’Ｉ、　）　ｌの雑音電圧分と動作したスイッチング
    ・トランジスタによって生じた妨害電圧の結合分が減算
    段（ＣＤＳ）に一つの符号をもって蓄積されること、続
    いて選出されたセンサ行の行選出トランジスタ（ＴＺｌ
    、）が導通状態に移されそれによってこのセンサ行の第
    一選択トランジ行の第一センサ素子（ｉＤ　］、　］、
    　）のセンサ信号が」−記の雑音電圧分と妨害電圧結合
    分とを含めて減算段に蓄積されている信号に第一の符号
    をもって重ね合わされること、形成された差信号がセン
    サ出力端（Ａ′）に運ばれること、この読出し過程が順
    次に選出されたセンサ行の総てのセンサ素子に対して繰
    り返された後他のセンサ行に対しても同様に実施される
    ことを特徴とする二次元半導体画像センサの操作方法。 ７）水平シフトレジスタ（Ｔ−Ｉ　Ｓ　Ｒ）の並列出力
    端（Ｂ１）に現われた電圧を列選出導線（ＳＰＡｌ、）
    に加える前に行導体（Ｌ　Ｉ・・・　・Ｌｚ）を基準電
    位（３）に、読出し導線（Ａ　Ｌ　）を参照電位に戻す
    ことを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の方法。
JP58180065A 1982-09-29 1983-09-28 二次元半導体画像センサおよびその操作方法 Pending JPS5983475A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11103420A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Sony Corp 固体撮像素子およびその駆動方法
US8801286B2 (en) 2008-07-04 2014-08-12 Mont-Bell Co., Ltd. Storage bag

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59108460A (ja) * 1982-12-14 1984-06-22 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JPH0824351B2 (ja) * 1984-04-27 1996-03-06 オリンパス光学工業株式会社 固体撮像装置
FR2583602B1 (fr) * 1985-06-18 1988-07-01 Centre Nat Rech Scient Retine integree a reseau de processeurs
US4737854A (en) * 1986-07-18 1988-04-12 Xerox Corporation Image sensor array with two stage transfer
US4870493A (en) * 1986-08-01 1989-09-26 Hitachi, Ltd. Solid-state matrix array imaging device controlled by vertical scanning registers for read-out and for photo-sensitivity control
DE3851675D1 (de) * 1987-08-21 1994-11-03 Heimann Optoelectronics Gmbh Integrierte Schaltung zum Auslesen eines optoelektronischen Bildsensors.
US4974093A (en) * 1987-12-22 1990-11-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid state image-pickup device with expanded dynamic range
JP2577598B2 (ja) * 1988-03-10 1997-02-05 富士写真フイルム株式会社 イメージ・センサ用ピーク検出装置
JPH0399589A (ja) * 1989-09-13 1991-04-24 Toshiba Corp 固体カメラ
US6515285B1 (en) 1995-10-24 2003-02-04 Lockheed-Martin Ir Imaging Systems, Inc. Method and apparatus for compensating a radiation sensor for ambient temperature variations
US6249002B1 (en) 1996-08-30 2001-06-19 Lockheed-Martin Ir Imaging Systems, Inc. Bolometric focal plane array
US6791610B1 (en) 1996-10-24 2004-09-14 Lockheed Martin Ir Imaging Systems, Inc. Uncooled focal plane array sensor
JP4795610B2 (ja) 2000-05-01 2011-10-19 ビーエイイー・システムズ・インフォメーション・アンド・エレクトロニック・システムズ・インテグレイション・インコーポレーテッド 放射センサの温度変動を補償するための方法および装置
US7030378B2 (en) * 2003-08-05 2006-04-18 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration, Inc. Real-time radiation sensor calibration

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US189749A (en) * 1877-04-17 Improvement in desks
US242706A (en) * 1881-06-07 speaq-ue
JPS5226974B2 (ja) * 1973-02-14 1977-07-18
GB2008889B (en) * 1977-11-07 1982-08-04 Hitachi Ltd Solid state image pickup device
FR2433868A1 (fr) * 1978-08-17 1980-03-14 Hitachi Ltd Dispositif de formation d'image a semi-conducteur
JPS5671381A (en) * 1979-11-15 1981-06-13 Canon Inc Solid-state image sensor
JPS5738073A (en) * 1980-08-20 1982-03-02 Hitachi Ltd Solid-state image sensor
DE3236146A1 (de) * 1982-09-29 1984-03-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Zweidimensionaler halbleiter-bildsensor und verfahren zu seinem betrieb

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11103420A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Sony Corp 固体撮像素子およびその駆動方法
US8801286B2 (en) 2008-07-04 2014-08-12 Mont-Bell Co., Ltd. Storage bag

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CA1227563A (en) 1987-09-29
DE3380391D1 (en) 1989-09-14

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