JPH0456273A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH0456273A JPH0456273A JP2167178A JP16717890A JPH0456273A JP H0456273 A JPH0456273 A JP H0456273A JP 2167178 A JP2167178 A JP 2167178A JP 16717890 A JP16717890 A JP 16717890A JP H0456273 A JPH0456273 A JP H0456273A
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- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体撮像装置およびその製造方法に関し、特に
スミアの発生を低減する固体撮像装置およびその製造方
法に関する。
スミアの発生を低減する固体撮像装置およびその製造方
法に関する。
従来の技術
従来の固体撮像装置およびその製造方法をそれぞれ第３
図および第４図を用いて説明する。第３図において、Ｎ
型半導体基板１表面にＰウェル層２と受光部のＮ型不純
物層３と電荷転送部のＮウェル層４、素子分離用のＰ＋
不純物層５とが形成されている。電荷転送部のＮウェル
層４上には、ゲート絶縁膜６を介して多結晶シリコンゲ
ート電極７が形成され、多結晶シリコンゲート電極７の
上方にはシリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜９を介してア
ルミニウムあるいはアルミニウムシリサイドから−なる
遮光膜１０が形成され、最後にＣＶＤ絶縁膜からなる表
面保護膜１１が形成されている。
図および第４図を用いて説明する。第３図において、Ｎ
型半導体基板１表面にＰウェル層２と受光部のＮ型不純
物層３と電荷転送部のＮウェル層４、素子分離用のＰ＋
不純物層５とが形成されている。電荷転送部のＮウェル
層４上には、ゲート絶縁膜６を介して多結晶シリコンゲ
ート電極７が形成され、多結晶シリコンゲート電極７の
上方にはシリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜９を介してア
ルミニウムあるいはアルミニウムシリサイドから−なる
遮光膜１０が形成され、最後にＣＶＤ絶縁膜からなる表
面保護膜１１が形成されている。
また第４図（ａｌに示すように、Ｎ型半導体基板１表面
にＰウェル層２と受光部のＮ型不純物層３と電荷転送部
のＮウェル層４、素子分離用のＰ＋不純物層５を形成し
た後、第４図（ｂｌに示すように、電荷転送部のＮ型半
導体基板１上にゲート絶縁膜６を介して転送電極として
多結晶シリコンゲート電極７を形成し、さらにこの多結
晶シリコンゲート電極７上に熱酸化によるシリコン酸化
膜８を形成する。次に第４図（Ｃ）に示すように、ＣＶ
Ｄ法によって全面にＣＶＤ酸化膜９を形成した後、多結
晶シリコンゲート電極７の上方に、シリコン酸化膜８と
ＣＶＤ酸化膜９を介して、スパッタ法によりアルミニウ
ムあるいはアルミニウムシリサイドからなる遮光膜１０
を形成し、最後にＣＶＤ法によりＣＶＤ絶縁膜からなる
表面保護膜１１を形成する。
にＰウェル層２と受光部のＮ型不純物層３と電荷転送部
のＮウェル層４、素子分離用のＰ＋不純物層５を形成し
た後、第４図（ｂｌに示すように、電荷転送部のＮ型半
導体基板１上にゲート絶縁膜６を介して転送電極として
多結晶シリコンゲート電極７を形成し、さらにこの多結
晶シリコンゲート電極７上に熱酸化によるシリコン酸化
膜８を形成する。次に第４図（Ｃ）に示すように、ＣＶ
Ｄ法によって全面にＣＶＤ酸化膜９を形成した後、多結
晶シリコンゲート電極７の上方に、シリコン酸化膜８と
ＣＶＤ酸化膜９を介して、スパッタ法によりアルミニウ
ムあるいはアルミニウムシリサイドからなる遮光膜１０
を形成し、最後にＣＶＤ法によりＣＶＤ絶縁膜からなる
表面保護膜１１を形成する。
しかしながら上記従来の固体撮像装置およびその製造方
法においては、遮光膜１０による各受光部の光学的分離
が十分でない。特にＣＣＤ （ＣｈａｒｇｅＣｏｕｐｌ
ｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）型の固体撮像装置では、第３図に
示されるように、斜めからの入射光１２により所定の受
光部のＮ型不純物層３以外の場所に発生した電荷が隣接
する電荷転送部のＮウェル層４に洩れ込み、この洩れ込
んだ電荷によってスミアが発生するという問題があった
。
法においては、遮光膜１０による各受光部の光学的分離
が十分でない。特にＣＣＤ （ＣｈａｒｇｅＣｏｕｐｌ
ｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）型の固体撮像装置では、第３図に
示されるように、斜めからの入射光１２により所定の受
光部のＮ型不純物層３以外の場所に発生した電荷が隣接
する電荷転送部のＮウェル層４に洩れ込み、この洩れ込
んだ電荷によってスミアが発生するという問題があった
。
従来この問題に対して、ＣＶＤ酸化膜９を薄膜化して遮
光膜１０と受光部のＮ型不純物層３の表面との間隔を小
さくすることによって対処しているが、ＣＶＤ酸化膜９
の膜厚を薄くするとアルミニウムあるいはアルミニウム
シリサイドからなる遮光膜１０と多結晶シリコンゲート
電極７間の絶縁耐圧が劣化するという問題があった。
光膜１０と受光部のＮ型不純物層３の表面との間隔を小
さくすることによって対処しているが、ＣＶＤ酸化膜９
の膜厚を薄くするとアルミニウムあるいはアルミニウム
シリサイドからなる遮光膜１０と多結晶シリコンゲート
電極７間の絶縁耐圧が劣化するという問題があった。
発明が解決しようとする課題
このように従来の固体撮像装置は、斜めからの入射光等
によってスミアが発生し、これを防止しようとするとア
ルミニウムあるいはアルミニウムシリサイドからなる遮
光膜１０と多結晶シリコンゲート電極７間の絶縁耐圧が
劣化するという問題があった。
によってスミアが発生し、これを防止しようとするとア
ルミニウムあるいはアルミニウムシリサイドからなる遮
光膜１０と多結晶シリコンゲート電極７間の絶縁耐圧が
劣化するという問題があった。
本発明はこのような課題を解決するもので、遮光膜と多
結晶シリコンゲート電極間の絶縁耐圧を劣化させること
なくスミアの発生を低減する固体撮像装置およびその製
造方法を提供することを目的とするものである。
結晶シリコンゲート電極間の絶縁耐圧を劣化させること
なくスミアの発生を低減する固体撮像装置およびその製
造方法を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために、本発明は、−導電型半導体
基板上に形成した受光部と前記受光部に生じた信号電荷
を読出す読出しゲートと読出された前記信号電荷を転送
する電荷転送部と前記電荷転送部上に設けられた転送電
極とを少なくとも備えかつ前記受光部上に窓を有する遮
光膜と前記転送電極間の層間絶縁膜がシリコン酸化膜と
シリコン窒化膜を順に積層した２層膜から形成されてい
る。
基板上に形成した受光部と前記受光部に生じた信号電荷
を読出す読出しゲートと読出された前記信号電荷を転送
する電荷転送部と前記電荷転送部上に設けられた転送電
極とを少なくとも備えかつ前記受光部上に窓を有する遮
光膜と前記転送電極間の層間絶縁膜がシリコン酸化膜と
シリコン窒化膜を順に積層した２層膜から形成されてい
る。
また本発明は、−導電型半導体基板上に受光部と電荷転
送部とを形成する工程と、前記半導体基板上に第１の絶
縁膜を形成する工程と、前記電荷転送部上方の前記第１
の絶縁膜上に転送電極を形成する工程と、前記受光部上
に窓を有する遮光膜と前記転送電極間にシリコン酸化膜
とシリコン窒化膜を順に積層した２層膜からなる層間絶
縁膜を形成する工程を具備している。
送部とを形成する工程と、前記半導体基板上に第１の絶
縁膜を形成する工程と、前記電荷転送部上方の前記第１
の絶縁膜上に転送電極を形成する工程と、前記受光部上
に窓を有する遮光膜と前記転送電極間にシリコン酸化膜
とシリコン窒化膜を順に積層した２層膜からなる層間絶
縁膜を形成する工程を具備している。
作用
本発明では、遮光膜と転送電極間の層間絶縁膜がシリコ
ン酸化膜とシリコン窒化膜の２層膜からなり、前記シリ
コン窒化膜の絶縁耐圧はＣＶＤ酸化膜の２倍以上あるの
で、スミア発生を抑制するためにシリコン窒化膜の膜厚
を薄くしても遮光膜と転送電極間の絶縁耐圧は劣化しな
い。
ン酸化膜とシリコン窒化膜の２層膜からなり、前記シリ
コン窒化膜の絶縁耐圧はＣＶＤ酸化膜の２倍以上あるの
で、スミア発生を抑制するためにシリコン窒化膜の膜厚
を薄くしても遮光膜と転送電極間の絶縁耐圧は劣化しな
い。
実施例
以下、本発明の一実施例による固体撮像装置についてそ
の断面を示す第１図に基づいて説明する。
の断面を示す第１図に基づいて説明する。
第１図において、Ｎ型半導体基板１表面にＰウェル層２
と受光部のＮ型不純物層３と電荷転送部のＮウェル層４
、素子分離用のＰ＋不純物層５とが形成されている。電
荷転送部のＮウェル層４上には、ゲート絶縁膜６を介し
て多結晶シリコンゲート電極７が形成され、多結晶シリ
コンゲート電極７の上方にはシリコン酸化膜８とシリコ
ン窒化膜１３を介してアルミニウムあるいはアルミニウ
ムシリサイドからなる遮光膜１０が形成され、最後にＣ
ＶＤ絶縁膜からなる表面保護膜１１が形成されている。
と受光部のＮ型不純物層３と電荷転送部のＮウェル層４
、素子分離用のＰ＋不純物層５とが形成されている。電
荷転送部のＮウェル層４上には、ゲート絶縁膜６を介し
て多結晶シリコンゲート電極７が形成され、多結晶シリ
コンゲート電極７の上方にはシリコン酸化膜８とシリコ
ン窒化膜１３を介してアルミニウムあるいはアルミニウ
ムシリサイドからなる遮光膜１０が形成され、最後にＣ
ＶＤ絶縁膜からなる表面保護膜１１が形成されている。
このように本実施例によれば、遮光膜１０と転送電極と
しての多結晶シリコンゲート電極７の間の層間絶縁膜が
シリコン酸化膜８とシリコン窒化膜１３の２層膜からな
るため、スミア発生を抑制するためにシリコン窒化膜１
３の膜厚を薄くしても遮光膜１０と多結晶シリコンゲー
ト電極７間の絶縁耐圧は劣化しない。
しての多結晶シリコンゲート電極７の間の層間絶縁膜が
シリコン酸化膜８とシリコン窒化膜１３の２層膜からな
るため、スミア発生を抑制するためにシリコン窒化膜１
３の膜厚を薄くしても遮光膜１０と多結晶シリコンゲー
ト電極７間の絶縁耐圧は劣化しない。
次に本発明の一実施例による固体撮像装置の製造方法を
第２図に基づいて説明する。第２図（ａｌに示すように
、Ｎ型半導体基板１表面にＰウェル層２と受光部のＮ型
不純物層３と電荷転送部のＮウェル層４、素子分離用の
Ｐ＋不純物層５を形成した後、第２図（ｂｌに示すよう
に、電荷転送部のＮ型半導体基板１上にゲート絶縁膜６
を介して転送電極として多結晶シリコンゲート電極７を
形成し、さらにこの多結晶シリコンゲート電極７上に熱
酸化によるシリコン酸化膜８を形成する。次に第２図（
Ｃ１に示すように、減圧ＣＶＤ法によって、全面に約２
００人の膜厚のシリコン窒化膜１３を形成した後、スパ
ッタ法により、アルミニウムあるいはアルミニウムシリ
サイドからなる遮光膜１０を約８０００人形成する。次
いで、フォトレジストパターンをマスクとして、異方性
ドライエツチング法により、遮光膜１０とシリコン窒化
膜１３を同時に選択的にエツチングして、遮光膜１０の
下部にのみシリコン窒化膜１３を残す。最後に、ＣＶＤ
法によりＣＶＤ絶縁膜からなる表面保護膜１１を形成す
る。
第２図に基づいて説明する。第２図（ａｌに示すように
、Ｎ型半導体基板１表面にＰウェル層２と受光部のＮ型
不純物層３と電荷転送部のＮウェル層４、素子分離用の
Ｐ＋不純物層５を形成した後、第２図（ｂｌに示すよう
に、電荷転送部のＮ型半導体基板１上にゲート絶縁膜６
を介して転送電極として多結晶シリコンゲート電極７を
形成し、さらにこの多結晶シリコンゲート電極７上に熱
酸化によるシリコン酸化膜８を形成する。次に第２図（
Ｃ１に示すように、減圧ＣＶＤ法によって、全面に約２
００人の膜厚のシリコン窒化膜１３を形成した後、スパ
ッタ法により、アルミニウムあるいはアルミニウムシリ
サイドからなる遮光膜１０を約８０００人形成する。次
いで、フォトレジストパターンをマスクとして、異方性
ドライエツチング法により、遮光膜１０とシリコン窒化
膜１３を同時に選択的にエツチングして、遮光膜１０の
下部にのみシリコン窒化膜１３を残す。最後に、ＣＶＤ
法によりＣＶＤ絶縁膜からなる表面保護膜１１を形成す
る。
発明の効果
以上のように本発明によれば、遮光膜と転送電極間の層
間絶縁膜がシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の２層膜か
らなるため、遮光膜と転送電極間の絶縁耐圧を劣化させ
ることなくスミアの発生を低減できる効果が得られ、所
望の特性の固体撮像装置を提供することができる。
間絶縁膜がシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の２層膜か
らなるため、遮光膜と転送電極間の絶縁耐圧を劣化させ
ることなくスミアの発生を低減できる効果が得られ、所
望の特性の固体撮像装置を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例による固体撮像装置を示す断
面図、第２図は本発明の一実施例による固体撮像装置の
製造方法を示す工程断面図、第３図は従来の固体撮像装
置を示す断面図、第４図は従来の固体撮像装置の製造方
法を示す工程断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐウェ
ル層、３・・・・・・受光部のＮ型不純物層、４・・・
・・・電荷転送部のＮウェル層、５・・・・・・素子分
離用のＰ＋不純物層、６・・・・・・ゲート絶縁膜、７
・・・・・・多結晶シリコンゲート電極、８・・・・・
・シリコン酸化膜、９・・・・・・ＣＶＤ酸化膜、１０
・・・・・・アルミニウムあるいはアルミニウムシリサ
イドからなる遮光膜、１１・・・・・・ＣＶＤ絶縁膜か
らなる表面保護膜、１２・・・・・・斜めからの入射光
、１３・・・・・・シリコン窒化膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名ケ１−ト＠
神 弔 図 第 図
面図、第２図は本発明の一実施例による固体撮像装置の
製造方法を示す工程断面図、第３図は従来の固体撮像装
置を示す断面図、第４図は従来の固体撮像装置の製造方
法を示す工程断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐウェ
ル層、３・・・・・・受光部のＮ型不純物層、４・・・
・・・電荷転送部のＮウェル層、５・・・・・・素子分
離用のＰ＋不純物層、６・・・・・・ゲート絶縁膜、７
・・・・・・多結晶シリコンゲート電極、８・・・・・
・シリコン酸化膜、９・・・・・・ＣＶＤ酸化膜、１０
・・・・・・アルミニウムあるいはアルミニウムシリサ
イドからなる遮光膜、１１・・・・・・ＣＶＤ絶縁膜か
らなる表面保護膜、１２・・・・・・斜めからの入射光
、１３・・・・・・シリコン窒化膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名ケ１−ト＠
神 弔 図 第 図
Claims (1)
- 一導電型半導体基板上に形成した受光部と、前記受光
部に生じた信号電荷を読出す読出しゲートと、読出され
た前記信号電荷を転送する電荷転送部と、前記電荷転送
部上方に設けられた転送電極を備え、前記受光部上に窓
を有する遮光膜と前記転送電極間の層間絶縁膜がシリコ
ン酸化膜とシリコン窒化膜を順に積層した２層膜からな
ることを特徴とした固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167178A JPH0456273A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167178A JPH0456273A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456273A true JPH0456273A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15844870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2167178A Pending JPH0456273A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456273A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6468826B1 (en) * | 1998-06-24 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Solid state image sensor using an intermediate refractive index antireflection film and method for fabricating the same |
| US6778213B1 (en) | 1998-04-03 | 2004-08-17 | Nec Electronics Corp. | Active X-Y addressable type solid-state image sensor and method of operating the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS648664A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Toshiba Corp | Solid-state image sensing device and manufacture thereof |
| JPS6415969A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Toshiba Corp | Solid-state image sensing device and manufacture thereof |
| JPS6419760A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP2167178A patent/JPH0456273A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS648664A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Toshiba Corp | Solid-state image sensing device and manufacture thereof |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6468826B1 (en) * | 1998-06-24 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Solid state image sensor using an intermediate refractive index antireflection film and method for fabricating the same |
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