JP2853785B2 - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ビデオカメラ等に広く
利用されている固体撮像装置及びその製造方法に関する
ものである。
利用されている固体撮像装置及びその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、固体撮像装置はビデオカメラ等に
広く利用されており、その固体撮像装置は、ビデオカメ
ラ本体の小型化及び軽量化に従い、従来に比較して益々
高解像度化、高性能化が要求されている。特に業務用カ
メラ等に利用されているフレームインターライン転送方
式の場合では、信号電荷転送スピードの高速化、低スミ
アの実現が要求されており、これらの要望を満たすこと
は、従来技術の延長上では技術的に困難であった。
広く利用されており、その固体撮像装置は、ビデオカメ
ラ本体の小型化及び軽量化に従い、従来に比較して益々
高解像度化、高性能化が要求されている。特に業務用カ
メラ等に利用されているフレームインターライン転送方
式の場合では、信号電荷転送スピードの高速化、低スミ
アの実現が要求されており、これらの要望を満たすこと
は、従来技術の延長上では技術的に困難であった。
【０００３】以下、従来の固体撮像装置について説明す
る。図２において、１はｎ型シリコン基板、２はｐ型ウ
エル、３はｎ−型領域、４はｎ型領域、５はｐ+型領
域、６はｐ+型領域、７はｐ++型領域、８はゲート酸化
膜、９はポリシリコン電極、１０はポリシリコン酸化
膜、１１は層間絶縁膜、１２はアルミニウム遮光膜、１
３は保護膜である。１４はコンタクト部である。
る。図２において、１はｎ型シリコン基板、２はｐ型ウ
エル、３はｎ−型領域、４はｎ型領域、５はｐ+型領
域、６はｐ+型領域、７はｐ++型領域、８はゲート酸化
膜、９はポリシリコン電極、１０はポリシリコン酸化
膜、１１は層間絶縁膜、１２はアルミニウム遮光膜、１
３は保護膜である。１４はコンタクト部である。
【０００４】以上のように構成された固体撮像装置につ
いて以下詳細に説明する。まず、ｎ型シリコン基板１中
にｐ型ウエル２と光電変換部となるｎ-型領域３（以
下、フォトダイオードと記す）を形成する。光が入射す
ると、上記ｎ-型領域３で電子と正孔を対生成し、その
うち電子がｎ-型領域に蓄積される。また、非常に強い
光が入射した場合には、ｎ-型領域３から電子があふ
れ、正の電圧を印加したｎ型シリコン基板１に排出され
る（縦型オーバーフロードレイン構造）。信号電荷を転
送するｎ型領域４（以下、垂直ＣＣＤと記す）は、埋め
込みチャネル型トランジスタ構造を形成しており、その
周辺のｐ+型領域５によりフォトダイオードやｐ型ウエ
ル２からの電子の侵入を防止している。ｐ+型領域６は
フォトダイオードから垂直ＣＣＤ部へ電子を読み出すし
きい値を制御し、ｐ++型領域７は隣接する画素間の接合
分離を行っている。
いて以下詳細に説明する。まず、ｎ型シリコン基板１中
にｐ型ウエル２と光電変換部となるｎ-型領域３（以
下、フォトダイオードと記す）を形成する。光が入射す
ると、上記ｎ-型領域３で電子と正孔を対生成し、その
うち電子がｎ-型領域に蓄積される。また、非常に強い
光が入射した場合には、ｎ-型領域３から電子があふ
れ、正の電圧を印加したｎ型シリコン基板１に排出され
る（縦型オーバーフロードレイン構造）。信号電荷を転
送するｎ型領域４（以下、垂直ＣＣＤと記す）は、埋め
込みチャネル型トランジスタ構造を形成しており、その
周辺のｐ+型領域５によりフォトダイオードやｐ型ウエ
ル２からの電子の侵入を防止している。ｐ+型領域６は
フォトダイオードから垂直ＣＣＤ部へ電子を読み出すし
きい値を制御し、ｐ++型領域７は隣接する画素間の接合
分離を行っている。
【０００５】実際の駆動では、ポリシリコン電極９に例
えば１０Ｖの高い電圧を印加して、フォトダイオード中
に蓄積された電子を垂直ＣＣＤに全て移し、次にポリシ
リコン電極に例えば０Ｖと−１０Ｖの電圧を交互に印加
することにより、垂直ＣＣＤ内で順次信号電荷を転送
し、例えば４０万画素のフォトダイオードの信号電荷を
全て出力する。尚、上記一連の駆動は１／６０秒以下の
短時間で行われる。ポリシリコン電極９は、ポリシリコ
ン酸化膜１０により電気的に絶縁され、またその上部に
はＣＶＤ膜等からなる層間絶縁膜１１により、アルミニ
ウム配線との絶縁を行っている。固体撮像装置の場合、
そのアルミニウム配線は遮光膜１２としての作用を兼ね
ており、垂直ＣＣＤ部（ポリシリコン電極）の上部に位
置することにより、垂直ＣＣＤへの光の入射を防止して
いる。
えば１０Ｖの高い電圧を印加して、フォトダイオード中
に蓄積された電子を垂直ＣＣＤに全て移し、次にポリシ
リコン電極に例えば０Ｖと−１０Ｖの電圧を交互に印加
することにより、垂直ＣＣＤ内で順次信号電荷を転送
し、例えば４０万画素のフォトダイオードの信号電荷を
全て出力する。尚、上記一連の駆動は１／６０秒以下の
短時間で行われる。ポリシリコン電極９は、ポリシリコ
ン酸化膜１０により電気的に絶縁され、またその上部に
はＣＶＤ膜等からなる層間絶縁膜１１により、アルミニ
ウム配線との絶縁を行っている。固体撮像装置の場合、
そのアルミニウム配線は遮光膜１２としての作用を兼ね
ており、垂直ＣＣＤ部（ポリシリコン電極）の上部に位
置することにより、垂直ＣＣＤへの光の入射を防止して
いる。
【０００６】このように、従来の固体撮像装置では、垂
直ＣＣＤ部の埋め込みチャネルの周囲にｐ＋型領域を形
成することにより基板側からの電子の侵入を、ポリシリ
コン電極の上部にアルミニウム遮光膜を形成することに
より直接光の入射を防いで、スミアの発生を抑制してい
る。
直ＣＣＤ部の埋め込みチャネルの周囲にｐ＋型領域を形
成することにより基板側からの電子の侵入を、ポリシリ
コン電極の上部にアルミニウム遮光膜を形成することに
より直接光の入射を防いで、スミアの発生を抑制してい
る。
【０００７】一方、駆動スピードの高速化対策は、ポリ
シリコン酸化膜１０と層間絶縁膜１１の一部にコンタク
ト窓１４を形成して、各々のポリシリコン電極をアルミ
ニウム配線により裏打ちすることにより実施している。
固体撮像装置では、駆動パルスは光電変換部のポリシリ
コン電極の両端部から印加するため、光電変換部の中央
部では信号パルスの波形が変化しやすく、その領域にお
いて転送効率の劣化が発生しやすい。このため、光電変
換部の中央部での信号パルスの波形を改善することによ
り、転送効率を大きく改善できることは、解明されてい
た。
シリコン酸化膜１０と層間絶縁膜１１の一部にコンタク
ト窓１４を形成して、各々のポリシリコン電極をアルミ
ニウム配線により裏打ちすることにより実施している。
固体撮像装置では、駆動パルスは光電変換部のポリシリ
コン電極の両端部から印加するため、光電変換部の中央
部では信号パルスの波形が変化しやすく、その領域にお
いて転送効率の劣化が発生しやすい。このため、光電変
換部の中央部での信号パルスの波形を改善することによ
り、転送効率を大きく改善できることは、解明されてい
た。
【０００８】従って、アルミニウム配線の裏打ちは、ポ
リシリコン電極の抵抗や寄生容量が原因となって発生す
る転送パルスの波形変化を抑制し、高い転送効率を実現
する点において、有効であった。
リシリコン電極の抵抗や寄生容量が原因となって発生す
る転送パルスの波形変化を抑制し、高い転送効率を実現
する点において、有効であった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の固体撮像装置及びその製造方法では、ポリシリコン
電極に対してアルミニウム配線を裏打ちとして適用する
ことにより、ポリシリコン電極の抵抗や寄生容量を低減
して、高い転送効率を実現しているが、ポリシリコンと
アルミニウム配線のコンタクト部では、低い仕事関数値
をもつポリシリコンに高い仕事関数をもつアルミニウム
膜が接触しているため共晶を形成し、アルミニウム膜の
高い仕事関数の影響を受けて、そのコンタクト部のポリ
シリコン電極の仕事関数が高くなってしまう。
来の固体撮像装置及びその製造方法では、ポリシリコン
電極に対してアルミニウム配線を裏打ちとして適用する
ことにより、ポリシリコン電極の抵抗や寄生容量を低減
して、高い転送効率を実現しているが、ポリシリコンと
アルミニウム配線のコンタクト部では、低い仕事関数値
をもつポリシリコンに高い仕事関数をもつアルミニウム
膜が接触しているため共晶を形成し、アルミニウム膜の
高い仕事関数の影響を受けて、そのコンタクト部のポリ
シリコン電極の仕事関数が高くなってしまう。
【００１０】固体撮像装置では、埋め込みチャネル構造
の垂直ＣＣＤ部を採用しており、ポリシリコン電極の仕
事関数値の変化は、埋め込みチャネルのポテンシャル深
さの変化を誘起し、コンタクト部の下の埋め込みチャネ
ル領域のポテンシャル深さが浅くなってしまう。このこ
とは、転送効率の劣化や最大転送電荷量の減少を起こ
し、特に低照度での固体撮像装置の画像は見えにくくな
ってしまう。
の垂直ＣＣＤ部を採用しており、ポリシリコン電極の仕
事関数値の変化は、埋め込みチャネルのポテンシャル深
さの変化を誘起し、コンタクト部の下の埋め込みチャネ
ル領域のポテンシャル深さが浅くなってしまう。このこ
とは、転送効率の劣化や最大転送電荷量の減少を起こ
し、特に低照度での固体撮像装置の画像は見えにくくな
ってしまう。
【００１１】また、アルミニウム配線の裏打ちの影響を
考慮して、アルミニウム配線の裏打ちをせずに、ポリシ
リコン電極のリンのドーピング量を増大させて低抵抗化
による高速化を実施した場合、低抵抗ポリシリコン膜の
増速酸化効果によりポリシリコン酸化膜の膜厚が厚くな
ってしまう。これは実際の拡散工程において、１層目の
ポリシリコン電極のポリシリコン酸化膜（第二ゲート酸
化膜）が厚くなり、構造的に１層目のポリシリコン電極
と２層目のポリシリコン電極の間隔が広くなることに対
応する。固体撮像装置の場合、１層目のポリシリコン電
極から２層目のポリシリコン電極下のＣＣＤ部にフリン
ジング電界が作用しにくくなることを意味し、結果的に
１層目のポリシリコン電極下のＣＣＤ部と２層目のポリ
シリコン電極下のＣＣＤ部間の転送効率の劣化を招く。
考慮して、アルミニウム配線の裏打ちをせずに、ポリシ
リコン電極のリンのドーピング量を増大させて低抵抗化
による高速化を実施した場合、低抵抗ポリシリコン膜の
増速酸化効果によりポリシリコン酸化膜の膜厚が厚くな
ってしまう。これは実際の拡散工程において、１層目の
ポリシリコン電極のポリシリコン酸化膜（第二ゲート酸
化膜）が厚くなり、構造的に１層目のポリシリコン電極
と２層目のポリシリコン電極の間隔が広くなることに対
応する。固体撮像装置の場合、１層目のポリシリコン電
極から２層目のポリシリコン電極下のＣＣＤ部にフリン
ジング電界が作用しにくくなることを意味し、結果的に
１層目のポリシリコン電極下のＣＣＤ部と２層目のポリ
シリコン電極下のＣＣＤ部間の転送効率の劣化を招く。
【００１２】一方、逆に上で述べた転送効率の劣化を避
けるために、１層目のポリシリコン酸化膜（第二ゲート
酸化膜）の膜厚の薄膜化を行った場合、従来よりリンド
ーピング量の高いポリシリコン膜を酸化するために、増
速酸化効果により膜の結晶性は粗密となり、ポリシリコ
ン酸化膜の膜質は劣り、電気的に２０〜３０％低い絶縁
耐圧を示す。従って、従来のポリシリコン酸化膜と同程
度の膜厚に設定すると、絶縁耐圧は２０〜３０％劣化し
たままとなり、信頼性の面において使用することが不可
能である。
けるために、１層目のポリシリコン酸化膜（第二ゲート
酸化膜）の膜厚の薄膜化を行った場合、従来よりリンド
ーピング量の高いポリシリコン膜を酸化するために、増
速酸化効果により膜の結晶性は粗密となり、ポリシリコ
ン酸化膜の膜質は劣り、電気的に２０〜３０％低い絶縁
耐圧を示す。従って、従来のポリシリコン酸化膜と同程
度の膜厚に設定すると、絶縁耐圧は２０〜３０％劣化し
たままとなり、信頼性の面において使用することが不可
能である。
【００１３】以上の点より、ポリシリコン膜の低抵抗化
により高速化を行った場合、転送効率特性と絶縁耐圧特
性が二者択一的な関係を示し、両方の特性を同時に満足
することは不可能であったことがわかる。
により高速化を行った場合、転送効率特性と絶縁耐圧特
性が二者択一的な関係を示し、両方の特性を同時に満足
することは不可能であったことがわかる。
【００１４】また、固体撮像装置の微細化に従い、ポリ
シリコン電極とアルミニウム配線のコンタクト窓が小さ
くなっている。これにより、そのコンタクト窓に入り込
むスパッタ法によるアルミニウム膜自体のステップカバ
レージが良好でないため、そのコンタクト窓の段差部に
入り込んだアルミニウム配線で膜厚が薄くなる領域が発
生してしまう。このアルミニウム配線の膜厚が薄くなっ
た領域では、光の透過率が高く、遮光膜としての効果が
低減する。このことは、アルミニウム膜の本来の目的で
ある遮光性が劣化し、そのコンタクト部の下のポリシリ
コン電極及びその下の埋め込みチャネル部に光が入射
し、スミア特性が劣化する。
シリコン電極とアルミニウム配線のコンタクト窓が小さ
くなっている。これにより、そのコンタクト窓に入り込
むスパッタ法によるアルミニウム膜自体のステップカバ
レージが良好でないため、そのコンタクト窓の段差部に
入り込んだアルミニウム配線で膜厚が薄くなる領域が発
生してしまう。このアルミニウム配線の膜厚が薄くなっ
た領域では、光の透過率が高く、遮光膜としての効果が
低減する。このことは、アルミニウム膜の本来の目的で
ある遮光性が劣化し、そのコンタクト部の下のポリシリ
コン電極及びその下の埋め込みチャネル部に光が入射
し、スミア特性が劣化する。
【００１５】本発明は、上記課題を解決するもので、低
照度において高い転送効率と、良好なスミア特性を示す
固体撮像装置を提供することを目的とする。
照度において高い転送効率と、良好なスミア特性を示す
固体撮像装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の固体撮像装置は、半導体基板上に光電変換部
と、前記光電変換部に蓄積された信号電荷を読み出し転
送する転送チャネル上に第１のポリシリコンからなる転
送電極を設けた電荷転送部とを備えた固体撮像装置にお
いて、前記転送電極は、前記転送電極上に配され前記転
送電極に転送パルスを印加する配線電極に絶縁膜の所望
の領域に開口したコンタクト窓を通して接続され、前記
配線電極は、第２のポリシリコンを下層として該第２の
ポリシリコンと高融点金属もしくは高融点シリサイドの
２層以上の多層膜からなり、前記絶縁膜は、第１のポリ
シリコンを酸化した膜上にＣＶＤ法により形成したシリ
コン酸化膜が設けられている。
に本発明の固体撮像装置は、半導体基板上に光電変換部
と、前記光電変換部に蓄積された信号電荷を読み出し転
送する転送チャネル上に第１のポリシリコンからなる転
送電極を設けた電荷転送部とを備えた固体撮像装置にお
いて、前記転送電極は、前記転送電極上に配され前記転
送電極に転送パルスを印加する配線電極に絶縁膜の所望
の領域に開口したコンタクト窓を通して接続され、前記
配線電極は、第２のポリシリコンを下層として該第２の
ポリシリコンと高融点金属もしくは高融点シリサイドの
２層以上の多層膜からなり、前記絶縁膜は、第１のポリ
シリコンを酸化した膜上にＣＶＤ法により形成したシリ
コン酸化膜が設けられている。
【００１７】また本発明の固体撮像装置の製造方法で
は、半導体基板表面に光電変換部と、前記光電変換部に
蓄積された信号電荷を読み出し転送する転送チャネルと
を形成し、その後、前記半導体上に絶縁膜を介して第１
のポリシリコンからなる転送電極を形成し、次いで、前
記ポリシリコンを形成した前記半導体基板を酸化してポ
リシリコン酸化膜を形成し、次に、ＣＶＤ法により前記
半導体基板上にシリコン酸化膜を形成した後、前記転送
電極上であって前記ポリシリコン酸化膜と前記シリコン
酸化膜の所望の領域にコンタクト窓を形成し、その後、
第２のポリシリコン膜と高融点金属もしくは高融点シリ
サイドの２層以上の配線金属を形成する。
は、半導体基板表面に光電変換部と、前記光電変換部に
蓄積された信号電荷を読み出し転送する転送チャネルと
を形成し、その後、前記半導体上に絶縁膜を介して第１
のポリシリコンからなる転送電極を形成し、次いで、前
記ポリシリコンを形成した前記半導体基板を酸化してポ
リシリコン酸化膜を形成し、次に、ＣＶＤ法により前記
半導体基板上にシリコン酸化膜を形成した後、前記転送
電極上であって前記ポリシリコン酸化膜と前記シリコン
酸化膜の所望の領域にコンタクト窓を形成し、その後、
第２のポリシリコン膜と高融点金属もしくは高融点シリ
サイドの２層以上の配線金属を形成する。
【００１８】
【作用】この構成により、駆動電極のポリシリコン電極
に対し、例えばポリシリコン膜と高融点金属もしくは高
融点金属シリサイドからなる２層以上の低抵抗の配線材
料で裏打ちを行うため、ポリシリコン電極の抵抗を無視
することができ、固体撮像装置の高速化が可能となる。
尚、裏打ちの２層以上からなる配線材料は、下層がポリ
シリコン膜であることから、下地のポリシリコン電極と
材料が同一となる。従って、裏打ちを行った後もポリシ
リコン電極の仕事関数は全く変化せず、その垂直ＣＣＤ
部及び蓄積部のポテンシャルの深さは、他の電極と同一
で変化しない。このことは、特に低照度における高い転
送効率の実現を可能にする。また、高融点金属膜もしく
は高融点金属シリサイド膜の高い遮光性と、裏打ちコン
タクトの段差部での良好なステップカバレージにより局
所的に光の入射しやすい箇所を消滅することが可能とな
り、良好なスミア値を示す。以上の特性改善において、
本発明は高い転送効率と、低スミアの固体撮像装置を実
現することが可能となる。
に対し、例えばポリシリコン膜と高融点金属もしくは高
融点金属シリサイドからなる２層以上の低抵抗の配線材
料で裏打ちを行うため、ポリシリコン電極の抵抗を無視
することができ、固体撮像装置の高速化が可能となる。
尚、裏打ちの２層以上からなる配線材料は、下層がポリ
シリコン膜であることから、下地のポリシリコン電極と
材料が同一となる。従って、裏打ちを行った後もポリシ
リコン電極の仕事関数は全く変化せず、その垂直ＣＣＤ
部及び蓄積部のポテンシャルの深さは、他の電極と同一
で変化しない。このことは、特に低照度における高い転
送効率の実現を可能にする。また、高融点金属膜もしく
は高融点金属シリサイド膜の高い遮光性と、裏打ちコン
タクトの段差部での良好なステップカバレージにより局
所的に光の入射しやすい箇所を消滅することが可能とな
り、良好なスミア値を示す。以上の特性改善において、
本発明は高い転送効率と、低スミアの固体撮像装置を実
現することが可能となる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１（ａ）は本発明を説明するた
めの平面構造図であり、図１（ｂ）は図１のＡ−Ａ’に
おける断面構造図を示している。
照しながら説明する。図１（ａ）は本発明を説明するた
めの平面構造図であり、図１（ｂ）は図１のＡ−Ａ’に
おける断面構造図を示している。
【００２０】図１において、２はｐ型ウエル、３はフォ
トダイオード部であるｎ−型領域、４は垂直ＣＣＤ部で
あるｎ型領域、５は垂直ＣＣＤ部のチャネルに電子が拡
散するのを防ぐｐ＋型領域、６はフォトダイオードから
垂直ＣＣＤへの信号電荷を読みだす時の読み出しポテン
シャル制御を行うｐ+型領域、７は垂直ＣＣＤ部と隣接
したフォトダイオードの電気的分離を行うｐ++型領域、
８はゲート酸化膜、９はポリシリコン電極、１０はポリ
シリコン酸化膜、１１層間絶縁膜、１２はアルミニウム
膜、１３は保護膜、１４はコンタクト部、１５は絶縁
膜、１６はポリシリコン膜、１７は高融点金属である。
トダイオード部であるｎ−型領域、４は垂直ＣＣＤ部で
あるｎ型領域、５は垂直ＣＣＤ部のチャネルに電子が拡
散するのを防ぐｐ＋型領域、６はフォトダイオードから
垂直ＣＣＤへの信号電荷を読みだす時の読み出しポテン
シャル制御を行うｐ+型領域、７は垂直ＣＣＤ部と隣接
したフォトダイオードの電気的分離を行うｐ++型領域、
８はゲート酸化膜、９はポリシリコン電極、１０はポリ
シリコン酸化膜、１１層間絶縁膜、１２はアルミニウム
膜、１３は保護膜、１４はコンタクト部、１５は絶縁
膜、１６はポリシリコン膜、１７は高融点金属である。
【００２１】以上のように構成された固体撮像装置につ
いて、以下に説明する。まず、従来の固体撮像装置と同
様に、シリコン基板内にフォトダイオード部及び垂直Ｃ
ＣＤ部を形成し、従来と同様の構造をもつポリシリコン
電極を形成する。ポリシリコン酸化膜１０は約２００ｎ
ｍ熱酸化により成長する。ポリシリコン酸化膜１０に形
成されるピンホール等は電気的耐圧の低下を招く。電気
的耐圧の低下を防止するため、ポリシリコン酸化膜１０
上に減圧ＣＶＤ法でシリコン酸化膜系の絶縁膜１５を約
１００ｎｍ堆積する。ここで耐圧対策として段差部での
ステップカバレージを良好にするために、絶縁膜の成長
方法は常圧ＣＶＤ法より減圧ＣＶＤ法を適用するのが妥
当である。
いて、以下に説明する。まず、従来の固体撮像装置と同
様に、シリコン基板内にフォトダイオード部及び垂直Ｃ
ＣＤ部を形成し、従来と同様の構造をもつポリシリコン
電極を形成する。ポリシリコン酸化膜１０は約２００ｎ
ｍ熱酸化により成長する。ポリシリコン酸化膜１０に形
成されるピンホール等は電気的耐圧の低下を招く。電気
的耐圧の低下を防止するため、ポリシリコン酸化膜１０
上に減圧ＣＶＤ法でシリコン酸化膜系の絶縁膜１５を約
１００ｎｍ堆積する。ここで耐圧対策として段差部での
ステップカバレージを良好にするために、絶縁膜の成長
方法は常圧ＣＶＤ法より減圧ＣＶＤ法を適用するのが妥
当である。
【００２２】次にマスク合わせ、エッチング工程を行
い、コンタクト部１４を形成する。コンタクト窓１４
は、固体撮像装置の４相駆動動作が可能なように、各々
１層目のポリシリコン電極、２層目のポリシリコン電極
上の所望の領域に形成する。また、コンタクト窓の開口
は、下地のポリシリコン電極特に電荷蓄積領域のポリシ
リコン電極に対し十分な余裕をとるため、約１.５μｍ
×１.５μｍの寸法とし、微細にする。コンタクト形成
後、リンドーピングしたポリシリコン膜１６を約１００
ｎｍ成長する。このとき下地ポリシリコン電極との界面
に自然酸化膜が成長しないように留意する。尚、このポ
リシリコン成長とリンドーピング時の温度は９００℃以
下と低温で、シリコン基板中の拡散層の不純物プロファ
イルはほとんど変化しない。次にＣＶＤ法により例えば
タングステンシリサイド膜１７を約２００ｎｍ成長す
る。タングステンシリサイド膜は、約２００ｎｍの膜厚
で０.０１％の透過率を示す。ＣＶＤ法ではステップカ
バレージが良好であるという特性より、タングステンシ
リサイドは先ほどのポリシリコン膜１６と同様に、コン
タクトの凹部に均一に入り込む。特に段差部で膜厚が薄
くならず、平坦な膜の場合と同様に高い遮光性を示す。
結果的に前述した約２００ｎｍの膜厚での透過率０.０
１％は、コンタクトの段差部でも維持される。また、２
層構造の配線材料の下層はリンドーピングしたポリシリ
コン膜１６を用いているため、下地のポリシリコン電極
９にポリシリコン膜が接触する。この時ポリシリコン電
極の仕事関数の変化はない。次に、ポリシリコン膜とタ
ングステンシリサイド膜からなる配線材料を同時にエッ
チング除去し、所望の配線パターンに加工する。この配
線は光電変換部の上部にてアルミニウム配線とコンタク
トをとることにより駆動パルスの印加が可能となる。タ
ングステンシリサイド膜の比抵抗値はリンのドーピング
したポリシリコン膜の１／１０以下の値を示す。
い、コンタクト部１４を形成する。コンタクト窓１４
は、固体撮像装置の４相駆動動作が可能なように、各々
１層目のポリシリコン電極、２層目のポリシリコン電極
上の所望の領域に形成する。また、コンタクト窓の開口
は、下地のポリシリコン電極特に電荷蓄積領域のポリシ
リコン電極に対し十分な余裕をとるため、約１.５μｍ
×１.５μｍの寸法とし、微細にする。コンタクト形成
後、リンドーピングしたポリシリコン膜１６を約１００
ｎｍ成長する。このとき下地ポリシリコン電極との界面
に自然酸化膜が成長しないように留意する。尚、このポ
リシリコン成長とリンドーピング時の温度は９００℃以
下と低温で、シリコン基板中の拡散層の不純物プロファ
イルはほとんど変化しない。次にＣＶＤ法により例えば
タングステンシリサイド膜１７を約２００ｎｍ成長す
る。タングステンシリサイド膜は、約２００ｎｍの膜厚
で０.０１％の透過率を示す。ＣＶＤ法ではステップカ
バレージが良好であるという特性より、タングステンシ
リサイドは先ほどのポリシリコン膜１６と同様に、コン
タクトの凹部に均一に入り込む。特に段差部で膜厚が薄
くならず、平坦な膜の場合と同様に高い遮光性を示す。
結果的に前述した約２００ｎｍの膜厚での透過率０.０
１％は、コンタクトの段差部でも維持される。また、２
層構造の配線材料の下層はリンドーピングしたポリシリ
コン膜１６を用いているため、下地のポリシリコン電極
９にポリシリコン膜が接触する。この時ポリシリコン電
極の仕事関数の変化はない。次に、ポリシリコン膜とタ
ングステンシリサイド膜からなる配線材料を同時にエッ
チング除去し、所望の配線パターンに加工する。この配
線は光電変換部の上部にてアルミニウム配線とコンタク
トをとることにより駆動パルスの印加が可能となる。タ
ングステンシリサイド膜の比抵抗値はリンのドーピング
したポリシリコン膜の１／１０以下の値を示す。
【００２３】今回の実施例においても、この約２００ｎ
ｍのタングステンシリサイド膜のシート抵抗値は約５Ω
／□となり、約４００ｎｍのポリシリコン電極のシート
抵抗値（約２５Ω／□）の１／５となっていることがわ
かった。そして、層間絶縁膜１１を従来例と同様に形成
し、アルミニウム膜１２を遮光膜として、垂直ＣＣＤ部
及び電荷蓄積部の上部にパターニングして残す。先ほど
のコンタクト部の凹凸は層間絶縁膜１１とコンタクト部
を埋め込んだポリシリコン膜及びタングステンシリサイ
ド膜により平坦化されている。このためアルミニウム膜
はほぼ平坦な状態のまま存在する。
ｍのタングステンシリサイド膜のシート抵抗値は約５Ω
／□となり、約４００ｎｍのポリシリコン電極のシート
抵抗値（約２５Ω／□）の１／５となっていることがわ
かった。そして、層間絶縁膜１１を従来例と同様に形成
し、アルミニウム膜１２を遮光膜として、垂直ＣＣＤ部
及び電荷蓄積部の上部にパターニングして残す。先ほど
のコンタクト部の凹凸は層間絶縁膜１１とコンタクト部
を埋め込んだポリシリコン膜及びタングステンシリサイ
ド膜により平坦化されている。このためアルミニウム膜
はほぼ平坦な状態のまま存在する。
【００２４】特に本発明では、ＣＶＤ法によりポリシリ
コン膜とタングステンシリサイド膜を成長しているた
め、コンタクト部におけるステップカバレージが良好で
あり、コンタクトのサイズを微細化することによりコン
タクト窓の埋め込みも可能である。
コン膜とタングステンシリサイド膜を成長しているた
め、コンタクト部におけるステップカバレージが良好で
あり、コンタクトのサイズを微細化することによりコン
タクト窓の埋め込みも可能である。
【００２５】また、シリサイド膜でコンタクト窓の埋め
込みを行うと、平坦化に使用する層間絶縁膜１１を薄膜
化ができる。これは、斜め方向からタングステンシリサ
イド膜に入射する光が低下するため、スミアが低減す
る。先ほど述べた通り、アルミニウム膜は平坦な状態で
成長するため、アルミニウム膜はその本来の特性である
非常に高い遮光性を示し、光を全く透過しない。すなわ
ち、タングステンシリサイド膜とアルミの２層構造を採
用することにより、スミアを大幅に低減できる。
込みを行うと、平坦化に使用する層間絶縁膜１１を薄膜
化ができる。これは、斜め方向からタングステンシリサ
イド膜に入射する光が低下するため、スミアが低減す
る。先ほど述べた通り、アルミニウム膜は平坦な状態で
成長するため、アルミニウム膜はその本来の特性である
非常に高い遮光性を示し、光を全く透過しない。すなわ
ち、タングステンシリサイド膜とアルミの２層構造を採
用することにより、スミアを大幅に低減できる。
【００２６】以上のように本実施例のポリシリコン酸化
膜及びＣＶＤ法等で成長した絶縁膜の所望の領域にコン
タクト窓を形成した後、シリコン膜例えばポリシリコン
膜と高融点金属もしくは高融点金属シリサイド膜からな
る２層以上の配線材料で、駆動電極のポリシリコン電極
とコンタクトをとり、電気的抵抗値の低い高融点金属で
ポリシリコン電極の裏打ちを行うことと、上記２層以上
の光の透過率の低い配線材料で駆動電極のポリシリコン
電極を完全に覆うことにより、垂直ＣＣＤ部への光の入
射を抑制することから構成されている。
膜及びＣＶＤ法等で成長した絶縁膜の所望の領域にコン
タクト窓を形成した後、シリコン膜例えばポリシリコン
膜と高融点金属もしくは高融点金属シリサイド膜からな
る２層以上の配線材料で、駆動電極のポリシリコン電極
とコンタクトをとり、電気的抵抗値の低い高融点金属で
ポリシリコン電極の裏打ちを行うことと、上記２層以上
の光の透過率の低い配線材料で駆動電極のポリシリコン
電極を完全に覆うことにより、垂直ＣＣＤ部への光の入
射を抑制することから構成されている。
【００２７】また、この構成により、駆動電極のポリシ
リコン電極に対し、例えばポリシリコン膜と高融点金属
もしくは高融点金属シリサイドからなる２層以上の低抵
抗の配線材料で裏打ちを行うため、ポリシリコン電極の
抵抗を無視することができ、固体撮像装置の高速化が可
能となる。
リコン電極に対し、例えばポリシリコン膜と高融点金属
もしくは高融点金属シリサイドからなる２層以上の低抵
抗の配線材料で裏打ちを行うため、ポリシリコン電極の
抵抗を無視することができ、固体撮像装置の高速化が可
能となる。
【００２８】尚、裏打ちの２層以上からなる配線材料
は、下層がポリシリコン膜であることから、下地のポリ
シリコン電極と材料が同一となる。従って、裏打ちを行
った後もポリシリコン電極の仕事関数は全く変化せず、
その垂直ＣＣＤ部及び蓄積部のポテンシャルの深さは、
他の電極と同一で変化しない。このことは、特に低照度
における高い転送効率の実現を可能にする。また、高融
点金属膜もしくは高融点金属シリサイド膜の高い遮光性
と、裏打ちコンタクトの段差部での良好なステップカバ
レージにより局所的に光の入射しやすい箇所を消滅する
ことが可能となり、良好なスミア値を示す。以上の特性
改善において、本発明は高い転送効率と、低スミアの固
体撮像装置を実現することが可能となる。
は、下層がポリシリコン膜であることから、下地のポリ
シリコン電極と材料が同一となる。従って、裏打ちを行
った後もポリシリコン電極の仕事関数は全く変化せず、
その垂直ＣＣＤ部及び蓄積部のポテンシャルの深さは、
他の電極と同一で変化しない。このことは、特に低照度
における高い転送効率の実現を可能にする。また、高融
点金属膜もしくは高融点金属シリサイド膜の高い遮光性
と、裏打ちコンタクトの段差部での良好なステップカバ
レージにより局所的に光の入射しやすい箇所を消滅する
ことが可能となり、良好なスミア値を示す。以上の特性
改善において、本発明は高い転送効率と、低スミアの固
体撮像装置を実現することが可能となる。
【００２９】上記の構造を採用することにより、８００
ｋＨｚでの低照度転送効率は従来の８５％から９５％
に、スミアは従来の０.１％から０.０１％に改善するこ
とができた。
ｋＨｚでの低照度転送効率は従来の８５％から９５％
に、スミアは従来の０.１％から０.０１％に改善するこ
とができた。
【００３０】尚、本発明では、高融点金属としてタング
ステンシリサイド膜を使用したが、例えば、より遮光性
の高いモリブデンシリサイド膜やタングステン膜を使用
することにより、スミアに対する効果を上げることがで
きる。
ステンシリサイド膜を使用したが、例えば、より遮光性
の高いモリブデンシリサイド膜やタングステン膜を使用
することにより、スミアに対する効果を上げることがで
きる。
【００３１】同様に、本発明では、高融点金属からなる
配線材料の下層に酸化膜系の絶縁膜を使用したが、例え
ば絶縁性の高いシリコン窒化膜により膜厚の薄膜化を行
い、スミアを低減することも可能である。
配線材料の下層に酸化膜系の絶縁膜を使用したが、例え
ば絶縁性の高いシリコン窒化膜により膜厚の薄膜化を行
い、スミアを低減することも可能である。
【００３２】また、この構造は、フレームインターライ
ン転送方式固体撮像装置の電荷蓄積部や、水平電荷転送
部（水平ＣＣＤ部）に使用することにより、同様の効果
を得ることが可能である。
ン転送方式固体撮像装置の電荷蓄積部や、水平電荷転送
部（水平ＣＣＤ部）に使用することにより、同様の効果
を得ることが可能である。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、駆動電極であるポリシ
リコン電極に高融点金属からなる配線材料でコンタクト
をとり、その配線材料に転送パルスを印加することによ
り、低照度における転送効率を１０％以上改善し、かつ
そのシリサイド膜を遮光膜として使用することにより、
スミアを従来の１／１０以下することが可能であり、高
い転送効率と低スミア特性の固体撮像装置を実現するこ
とができる。
リコン電極に高融点金属からなる配線材料でコンタクト
をとり、その配線材料に転送パルスを印加することによ
り、低照度における転送効率を１０％以上改善し、かつ
そのシリサイド膜を遮光膜として使用することにより、
スミアを従来の１／１０以下することが可能であり、高
い転送効率と低スミア特性の固体撮像装置を実現するこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例による固体撮像装置を示す図
【図２】従来の固体撮像装置を示す断面図
１ ｎ型シリコン基板 ２ ｐ型ウエル ３ ｎ-型領域 ４ ｎ型領域 ５ ｐ+型領域 ６ ｐ+型領域 ７ ｐ++型領域 ８ ゲート酸化膜 ９ ポリシリコン電極 １０ ポリシリコン酸化膜 １１ 層間絶縁膜 １２ アルミニウム遮光膜 １３ 保護膜 １４ コンタクト部 １５ 絶縁膜 １６ ポリシリコン膜 １７ 高融点金属
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−133963（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−9524（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−95968（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−145855（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 27/14 - 27/148 H01L 29/762 - 29/768
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に光電変換部と、前記光電
変換部に蓄積された信号電荷を読み出し転送する転送チ
ャネル上に第１のポリシリコンからなる転送電極を設け
た電荷転送部とを備えた固体撮像装置において、前記転
送電極は、前記転送電極上に配され前記転送電極に転送
パルスを印加する配線電極に絶縁膜の所望の領域に開口
したコンタクト窓を通して接続され、前記配線電極は、
第２のポリシリコンを下層として該第２のポリシリコン
と高融点金属もしくは高融点シリサイドの２層以上の多
層膜からなり、前記絶縁膜は、第１のポリシリコンを酸
化した膜上にＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜が
設けられていることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 半導体基板表面に光電変換部と、前記光
電変換部に蓄積された信号電荷を読み出し転送する転送
チャネルとを形成し、その後、前記半導体上に絶縁膜を
介して第１のポリシリコンからなる転送電極を形成し、
次いで、前記ポリシリコンを形成した前記半導体基板を
酸化してポリシリコン酸化膜を形成し、次に、ＣＶＤ法
により前記半導体基板上にシリコン酸化膜を形成した
後、前記転送電極上であって前記ポリシリコン酸化膜と
前記シリコン酸化膜の所望の領域にコンタクト窓を形成
し、その後、第２のポリシリコン膜と高融点金属もしく
は高融点シリサイドの２層以上の配線金属を形成するこ
とを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4014519A JP2853785B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| DE69328984T DE69328984T2 (de) | 1992-01-30 | 1993-01-29 | Festkörperbildaufnahmeanordnung und Herstellungsprozess |
| EP93300653A EP0555020B1 (en) | 1992-01-30 | 1993-01-29 | Solid-state image pickup device and manufacturing method of the same |
| US08/344,416 US5432363A (en) | 1992-01-30 | 1994-11-23 | Solid-state image pickup device and manufacturing method of the same |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4014519A JP2853785B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP2853785B2 true JP2853785B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=11863350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4014519A Expired - Fee Related JP2853785B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
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| US (1) | US5432363A (ja) |
| EP (1) | EP0555020B1 (ja) |
| JP (1) | JP2853785B2 (ja) |
| DE (1) | DE69328984T2 (ja) |
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| JPH08186241A (ja) * | 1995-01-06 | 1996-07-16 | Canon Inc | 撮像素子と固体撮像装置 |
| JP2848268B2 (ja) * | 1995-04-20 | 1999-01-20 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP3988239B2 (ja) | 1998-03-19 | 2007-10-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP3284986B2 (ja) * | 1998-12-04 | 2002-05-27 | 日本電気株式会社 | 光電変換素子およびそれを用いた固体撮像装置 |
| JP2001189893A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| KR100396890B1 (ko) * | 2001-03-09 | 2003-09-03 | 삼성전자주식회사 | 고체 촬상 소자의 제조방법 |
| US7405757B2 (en) * | 2002-07-23 | 2008-07-29 | Fujitsu Limited | Image sensor and image sensor module |
| US7102185B2 (en) * | 2004-06-21 | 2006-09-05 | Eastman Kodak Company | Lightshield architecture for interline transfer image sensors |
| WO2006025210A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | マイクロマシンデバイス |
| JP5812692B2 (ja) * | 2011-05-27 | 2015-11-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| US9041081B2 (en) | 2012-09-20 | 2015-05-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors having buried light shields with antireflective coating |
| US9786702B2 (en) | 2012-09-20 | 2017-10-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Backside illuminated image sensors having buried light shields with absorptive antireflective coating |
| US9305952B2 (en) | 2013-08-27 | 2016-04-05 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with inter-pixel light blocking structures |
| KR102290502B1 (ko) * | 2014-07-31 | 2021-08-19 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
| US11664398B2 (en) * | 2019-09-27 | 2023-05-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensor and manufacturing method thereof |
| CN111987117A (zh) * | 2020-09-01 | 2020-11-24 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | Ccd图像传感器的输出节点结构及其制作工艺 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59159564A (ja) * | 1983-03-02 | 1984-09-10 | Sony Corp | 固体光−電気変換装置 |
| JPH061829B2 (ja) * | 1983-08-11 | 1994-01-05 | 日本電気株式会社 | 二次元ｃｃｄイメージセンサ |
| EP0309542A1 (en) * | 1987-03-30 | 1989-04-05 | EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) | Charge-coupled device with dual layer electrodes |
| KR920010433B1 (ko) * | 1990-07-10 | 1992-11-27 | 금성일렉트론 주식회사 | 자기정렬 방식에 의한 전하 촬상소자의 제조방법 |
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1994
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