JPH0745809A

JPH0745809A - 固体撮像装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0745809A
Application number: JP5184991A
Authority: JP
Inventors: Wataru Kamisaka; 渡上坂; Hiroyuki Okada; 裕幸岡田; Yuji Matsuda; 祐二松田
Original assignee: Matsushita Electronics Corp
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-07-27
Filing date: 1993-07-27
Publication date: 1995-02-14

Abstract

(57)【要約】【目的】低照度において高い転送効率と、良好なスミ
ア特性を示す固体撮像装置を提供する。【構成】半導体基板２１内に光電変換部２３および垂
直ＣＣＤ部を形成した。この垂直ＣＣＤ部上にポリシリ
コン電極２２を形成する。ポリシリコン電極２２上にポ
リシリコン酸化膜と絶縁膜を堆積した。このポリシリコ
ン電極２２上にマスク合わせとエッチングによってコン
タクト窓２７を形成した。コンタクト窓２７は固体撮像
装置が４相駆動が可能なように、第１，第２のポリシリ
コン電極２２に形成した。これにポリシリコン膜２８と
タングステンシリサイド膜２９を形成した。これらの膜
をエッチングして第１の配線を形成し、この上に層間絶
縁膜を介してアルミニウム膜である第２の配線を形成し
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ビデオカメラ等に広く
利用されている固体撮像装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、固体撮像装置はビデオカメラ等に
広く利用されてきている。その固体撮像装置には、ビデ
オカメラ本体の小型化及び軽量化に従い、従来と比べて
益々高解像度化、高性能化が要求されている。特に業務
用カメラ等に利用されているフレームインターライン転
送方式の場合、信号である電荷の転送スピードを高速化
したり、スミアの発生を低減することが要求されてい
る。これらの要望を満たすことは、従来の延長上での技
術では困難であった。

【０００３】以下に、従来の固体撮像装置について図面
を参照しながら説明する。図１１において、１はｎ型半
導体基板、２はｐ型ウエル、３はｎ^-型拡散層領域、４
はｎ型拡散層領域、５はｐ型拡散層領域、６はｐ⁺型拡
散層領域、７はｐ⁺ ⁺型拡散層領域、８はゲート酸化膜、
９はポリシリコン電極、１０はポリシリコン酸化膜、１
１は層間絶縁膜、１２はアルミニウム膜、１３は保護膜
である。１４はコンタクト窓である。

【０００４】まず、ｎ型半導体基板１中にｐ型ウエル２
と光電変換部となるｎ^-型拡散層領域３を形成する。光
が入射すると、ｎ^-型拡散層領域３では電子と正孔が対
生成する。そのうち電子がｎ^-型拡散層領域３に蓄積さ
れる。また、非常に強い光が入射した場合には、ｎ^-型
拡散層領域３から電子があふれる。このあふれた電子
は、正の電圧を印加したｎ型半導体基板１に排出され
る。このような構造を縦型オーバーフロードレイン構造
と呼ぶ。信号電荷を転送する垂直シフトレジスタである
ｎ型拡散層領域４（以下、垂直ＣＣＤと記す）は、埋め
込みチャネル型トランジスタ構造を形成している。その
周辺にｐ型拡散層領域５を形成することで、光電変換部
やｐ型ウエル２から電子が侵入するのを防止している。
ｐ⁺型拡散層領域６は光電変換部から垂直ＣＣＤ部へ電
子を読み出すためのしきい値電圧を制御しうる。ｐ⁺⁺型
拡散層領域７は隣接する画素間の接合分離を行う。実際
の駆動では、ポリシリコン電極９に例えば１０Ｖの高い
電圧を印加して、光電変換部中に蓄積された電子を垂直
ＣＣＤに全て移す。次にポリシリコン電極９に例えば０
Ｖと−１０Ｖの電圧を交互に印加することで、垂直ＣＣ
Ｄ部内の信号電荷を順次を転送させる。

【０００５】ポリシリコン電極９は、ポリシリコン酸化
膜１０により電気的に絶縁されている。また、その上部
にはＣＶＤ膜等からなる層間絶縁膜１１が形成され、ア
ルミニウム配線との絶縁を行っている。固体撮像装置の
場合、そのアルミニウム配線は遮光膜を兼ねている。ア
ルミニウム膜１２は垂直ＣＣＤ部（ポリシリコン電極
９）の上部に位置することにより、垂直ＣＣＤ部への光
の入射を防止している。このように、従来の固体撮像装
置では、垂直ＣＣＤ部の埋め込みチャネルの周囲にｐ型
拡散層領域５を形成することにより基板側から電子が侵
入するのを防ぐことができる。また、ポリシリコン電極
９の上部にアルミニウム膜１２を形成することにより余
分な光の入射を防いで、スミアの発生を抑制している。

【０００６】一方、ポリシリコン酸化膜１０と層間絶縁
膜１１の一部にコンタクト窓１４を形成する。各々のポ
リシリコン電極９をアルミニウム配線により裏打ちす
る。これによって、固体撮像装置の駆動スピードの高速
化が図れる。固体撮像装置で用いられる駆動パルスは光
電変換部のポリシリコン電極９の両端部から印加する。
このため、光電変換部の中央部では信号パルスの波形が
変化しやすい。よって、その領域での転送効率が低下す
る。このため、光電変換部の中央部に印加すべき駆動パ
ルスの波形を改善させることで、転送効率を低下させる
ことがないと報告されている。従って、アルミニウム配
線による裏打ちを行うことで、ポリシリコン電極９の抵
抗や寄生容量が原因となる駆動パルスの波形の変形を抑
制でき、転送効率を高めることができる点において、有
効であった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の構成では、ポリシリコン電極９とアルミニウ
ム配線とのコンタクト窓１４の底部では、低い仕事関数
値をもつポリシリコンに高い仕事関数をもつアルミニウ
ム膜が接触し、共晶が形成される。この時、ポリシリコ
ン電極９はアルミニウム膜の高い仕事関数の影響を受け
て、そのコンタクト窓１４ではその仕事関数が高くな
る。ここでは固体撮像装置には、埋め込みチャネル構造
の垂直ＣＣＤ部を用いている。このため、ポリシリコン
電極９の仕事関数の値が変化すると、埋め込みチャネル
自体のポテンシャルの深さが変化してしまう。すなわち
ポリシリコン電極９とアルミニウム配線とで共晶が形成
されると、コンタクト窓１４の下に形成される埋め込み
チャネルのポテンシャルの深さが浅くなる。これによっ
て、転送効率が劣化したり、転送することのできる電荷
量の最大量が減少する。特に、低照度の環境で用いる場
合には、固体撮像装置の画像が見えにくくなってしま
う。

【０００８】また、アルミニウム膜の裏打ちをせずに、
ポリシリコン電極９のリンのドーピング量を増大させて
低抵抗化し、転送の高速化を行うことが考えられる。し
かし、ポリシリコン酸化膜１０を低抵抗のポリシリコン
電極９を酸化して形成しようとすると、低抵抗のポリシ
リコン電極９は増速酸化され、結果的に形成されるポリ
シリコン酸化膜１０の膜厚が厚くなる。すなわち、拡散
工程において、１層目のポリシリコン電極９の第二ゲー
ト酸化膜となるポリシリコン酸化膜１０が厚くなる。こ
のため、１層目のポリシリコン電極９と２層目のポリシ
リコン電極９との間隔が広がる。このように間隔が広が
ると、１層目のポリシリコン電極９から２層目のポリシ
リコン電極９までの下に形成されたＣＣＤ部にフリンジ
ング電界が作用しにくくなる。このため、１層目のポリ
シリコン電極９下に形成されたＣＣＤ部と、２層目のポ
リシリコン電極９下に形成されたＣＣＤ部との間での転
送効率が劣化する。

【０００９】一方、転送効率の劣化を避けるために、第
二ゲート酸化膜となる１層目のポリシリコン酸化膜１０
の膜厚を薄膜化しようとすると、上記したように従来の
ものよりリンドーピング量の多いポリシリコン膜を酸化
すると、増速酸化される。増速酸化によって形成された
酸化膜の結晶性は粗密となり、膜質が悪い。このため、
そのポリシリコン酸化膜１０は、増速酸化しないものよ
り２０〜３０％低い絶縁耐圧を示す。従って、従来のポ
リシリコン酸化膜１０と同程度の膜厚の増速酸化させた
ポリシリコン酸化膜１０を用いようとすると、その絶縁
耐圧は２０〜３０％劣化しており、固体撮像装置の信頼
性が低下する。以上のことから、ポリシリコン膜の低抵
抗化を行い、転送速度の高速化を図る場合には、転送効
率特性と絶縁耐圧特性が二者択一的な関係を示す。すな
わち、これら両方の特性を同時に満足することは不可能
である。

【００１０】また、固体撮像装置の微細化に従い、ポリ
シリコン電極９とアルミニウム配線とのコンタクト窓１
４の大きさが小さくなってきている。このため、そのコ
ンタクト窓１４にスパッタ法を用いてアルミニウム膜を
埋め込む場合、形成されたアルミニウム膜のステップカ
バレージが良好でない。このため、そのコンタクト窓１
４の段差部でアルミニウム配線の膜厚が薄くなる領域が
発生する。このようなアルミニウム配線の領域では、光
が透過し、遮光膜としての効果が低減する。このよう
に、アルミニウム配線の遮光性が劣化し、そのコンタク
ト窓１４の下のポリシリコン電極９及びその下の埋め込
みチャネルに光が入射し、スミア特性が劣化する。

【００１１】本発明は、上記課題を解決するもので、低
照度においても高い転送効率と、良好なスミア特性を示
す固体撮像装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の固体撮像装置は、半導体基板上に複数個の光
電変換部と、前記光電変換部はそれと隣接して第１のゲ
ート電極と第２のゲート電極が形成されており、前記第
１のゲート電極と第２のゲート電極はオーバーラップし
て形成されており、前記第１のゲート電極と前記第２の
ゲート電極と光電変換部とを組とした領域がｎ行ｍ列の
マトリックス状に形成されており、ただしｎ，ｍは整数
であり、前記第１のゲート電極または第２のゲート電極
に設けられたコンタクト窓と、前記コンタクト窓を含み
前記光電変換部以外の領域で、前記第１のゲート電極と
前記第２のゲート電極とが列方向に共通して設けられ
た、少なくともシリコン膜と、高融点金属もしくは高融
点金属シリサイドでなる配線を備えている。

【００１３】上記課題を解決するために本発明の固体撮
像装置は、半導体基板中に光電変換部と、前記光電変換
部で生成された電荷を転送する垂直シフトレジスタとが
形成されており、前記半導体基板上にゲート絶縁膜が形
成され、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極が形成されて
おり、前記ゲート電極上に形成された絶縁膜にコンタク
ト窓が形成されており、前記コンタクト窓を介して、少
なくともシリコン膜と、高融点金属もしくは高融点金属
シリサイドをこの順序で形成された配線を備えている。

【００１４】上記課題を解決するために本発明の固体撮
像装置の製造方法は、半導体基板上に光電変換部と垂直
シフトレジスタ部を形成し、前記垂直シフトレジスタ部
上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の表
面を酸化して酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上に
絶縁膜を成長する工程と、前記酸化膜と前記絶縁膜の所
定の領域を開口しコンタクト窓を形成する工程と、少な
くともシリコン膜と高融点金属とからなる２層以上の配
線を形成し、前記配線と前記ゲート電極とを接続する工
程と、前記半導体基板上面に層間絶縁膜を堆積した後、
アルミニウム膜を堆積する工程を備えている。

【００１５】

【作用】この構成により、駆動電極のポリシリコン電極
に対し、例えばポリシリコン膜と高融点金属もしくは高
融点金属シリサイドからなる２層以上の低抵抗の配線材
料で裏打ちを行うため、ポリシリコン電極の抵抗を無視
することができ、固体撮像装置の高速化が可能となる。

【００１６】尚、裏打ちの２層以上からなる配線材料
は、下層がポリシリコン膜であることから、下地のポリ
シリコン電極と材料が同一となる。従って、裏打ちを行
った後もポリシリコン電極の仕事関数は全く変化せず、
その垂直ＣＣＤ部及び蓄積部のポテンシャルの深さは、
他の電極と同一で変化しない。このことは、特に低照度
における高い転送効率を実現できる。また、高融点金属
膜もしくは高融点金属シリサイド膜の高い遮光性と、裏
打ちコンタクトの段差部での良好なステップカバレージ
により局所的に光の入射しやすい箇所を消滅することが
できる。このため良好なスミア値を示す。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１は本発明を説明するための平
面構造図である。図２は図１のＡ−Ａ’における断面構
造図を示している。

【００１８】図１において、２１は半導体基板、２２は
ポリシリコン電極、２３は光電変換部であるｎ^-型拡散
層領域、２４，２５はパルス駆動回路、２６は絶縁膜、
２７はコンタクト窓、２８はポリシリコン膜、２９は高
融点金属である。

【００１９】図１において、半導体基板２１の上面にポ
リシリコン電極２２がマトリックス状に形成されてい
る。ポリシリコン電極２２は紙面の横方向に光電変換部
２３を挟んで配置されている。ポリシリコン電極２２が
横方向に隣合うポリシリコン電極２２と電気的に接続さ
れている。ポリシリコン電極２２の最右端と最左端には
パルス駆動回路２４，２５が設置されている。右端のパ
ルス駆動回路２４からポリシリコン電極２２が横方向に
並ぶポリシリコン電極群につながり、最後に左端のパル
ス駆動回路２５につながっている。このように２つのパ
ルス駆動回路２４，２５を設けているのは、転送効率を
上げるためである。すなわち、もし横方向の複数個のポ
リシリコン電極２２に１つのパルス駆動回路２４からパ
ルスを印加すると、ポリシリコン電極２２を伝搬してい
くうちにそのパルス波形がなまってくる。このため２つ
の駆動回路２４，２５から同一の信号を与えることで伝
搬によるパルスのなまりを防ぐことができる。パルス駆
動回路２４，２５からは“Ｈ（Ｈｉｇｈ）”、“Ｍ（Ｍ
ｉｄｉｕｍ）”と“Ｌ（Ｌｏｗ）”の３つの信号電位を
発生させる。

【００２０】紙面の縦方向では、ポリシリコン電極２２
の縦方向に隣合うポリシリコン電極２２がオーバーラッ
プして形成されている。これはポリシリコン電極２２の
製造上、１つのポリシリコン電極２２に対してもう１つ
のポリシリコン電極２２をセルフアラインを用いて形成
する。このためポリシリコン電極２２にオーバーラップ
領域が形成されている。

【００２１】ポリシリコン電極２２の形状は絶縁膜２６
を対称線として、上部の方のポリシリコン電極２２の面
積が下部のそれより大きく形成されている。これは光電
変換部２３で発生した電荷をポリシリコン電極２２の下
の基板内に形成された垂直ＣＣＤ部に読みだすのは、絶
縁膜２６を挟んで上部に形成されたポリシリコン電極２
２によって行う。このため光電変換部２３で生じた電荷
をより取り出し易くするために、取り出しを行うポリシ
リコン電極２２は光電変換部２３のより近くに設置す
る。このような理由からポリシリコン電極２２の面積が
絶縁膜２６を挟んで異なっている。

【００２２】ポリシリコン電極２２にはコンタクト窓２
７が設けられている。コンタクト窓２７は、紙面の縦方
向では、絶縁膜２６を挟んで形成された上部のポリシリ
コン電極２２と、下部のポリシリコン電極２２を１組と
して、１つおきに形成されている。これは、この固体撮
像装置は４つのポリシリコン電極２２を１つの集合とし
て、それらにパルス駆動回路２４，２５から所定の電位
を印加するいわゆる４相駆動型の固体撮像装置である。
この場合、コンタクト窓２７が形成された部分のポリシ
リコン電極２２はすべて電気的に同一電位であるので、
縦方向に連続して形成された４つのポリシリコン電極２
２の内２つは必ず同電位のものがあり、他の２つのポリ
シリコン電極２２には前記２つの電位と異なり、かつ残
りの２つの電位も各々異なった電位が印加される。

【００２３】また、紙面の横方向では、コンタクト窓２
７は階段状に設けられている。すなわち図の右端の領域
に形成されたコンタクト窓２７は絶縁膜２６を挟んで下
部の領域に形成され、その左隣のコンタクト窓２７は、
隣合うポリシリコン電極２２であって、かつ絶縁膜２６
を挟んで上部の領域に形成されている。さらにその左隣
では、右端のポリシリコン電極２２と紙面の縦方向に１
つずれた位置のポリシリコン電極２２に対してコンタク
ト窓２７はＡを挟んだ下部の領域に形成されている。さ
らに、その左隣のコンタクト窓２７は、その左隣のポリ
シリコン電極２２であって、かつ絶縁膜２６を挟んだ上
部の領域に形成されている。

【００２４】マトリックス状に形成されたポリシリコン
電極２２は、紙面に縦方向の一連のポリシリコン電極群
と、一連のコンタクト窓群を覆うようにポリシリコン膜
２８と高融点金属２９とで形成されている。このような
ポリシリコン膜２８と高融点金属２９の端部は、光電変
換部２３の表面積ができるだけ大きくなるように形成さ
れる。

【００２５】図２において、３１は半導体基板、３２は
ｐ型ウエル、３３は光電変換部であるｎ^-型拡散層領
域、３４は垂直シフトレジスタ部（以下、垂直ＣＣＤ部
と記す）であるｎ型拡散層領域、３５は垂直ＣＣＤ部の
チャネルに電子が拡散するのを防ぐｐ型拡散層領域、３
６は光電変換部から垂直ＣＣＤ部への信号電荷を読みだ
す時の読みだしポテンシャル制御を行うｐ⁺型拡散層領
域、３７は垂直ＣＣＤ部と隣接した光電変換部の電気的
分離を行うｐ⁺⁺型拡散層領域、３８はゲート酸化膜、３
９はポリシリコン電極、４０ａはポリシリコン酸化膜、
４０ｂは絶縁膜、４１は層間絶縁膜、４２はアルミニウ
ム膜、４３は保護膜、４４はコンタクト窓、４５はポリ
シリコン膜、４６は高融点金属である。

【００２６】次に図２を用いてさらに詳細な固体撮像装
置の構造について説明する。まず、半導体基板３１にｐ
型ウエル３２が形成されている。半導体基板３１として
面方位（１００）のｎ^-型シリコン基板を用いる。半導
体基板３１の不純物濃度は約１０¹⁴ｃｍ^-3である。ｐ型
ウエル３２の深さは約５μｍである。また、ｐ型ウエル
３２の不純物濃度は約１０¹⁵ｃｍ^-3である。ｐ型ウエル
３２は光電変換部の不要電荷を排出するのに設けられて
いる。すなわち、半導体基板３１に形成された光電変換
部では外部から入射した光によって電荷が形成され、内
部に一時的に蓄積される。その電荷が多量に発生し光電
変換部に蓄積できる電荷量より多くなると、光電変換部
から他の領域へと流入される。このような電荷は、垂直
ＣＣＤ部に入ると、ブルーミングを発生させる原因とな
る。このような、ブルーミングの発生はｐ型ウエル３２
を形成することで防止できる。ｐ型ウエル３２は零ボル
トに固定されている。このためそれらの領域内に形成さ
れるポテンシャル分布は、光電変換部で発生した電荷が
ｐ型ウエル３２を通り半導体基板３１に排出される。ｐ
型ウエル３２の不純物濃度を上記の値に設定すると、こ
の固体撮像装置が動作する時に、フォトダイオードを容
易に空乏化させることができ、光電変換部での光電変換
信号量を増加させることができる。ｐ型ウエル３２の深
さは、光電変換部の深さとその両者間の耐圧によって決
定される。光電変換部の深さは、可視光領域の光が入射
した時、十分な光電変換効率を得るためには約２μｍ必
要である。

【００２７】ｐ型ウエル３２には光電変換部となるｎ^-
型拡散層領域３３が形成される。ｎ^-型拡散層領域３３
に光が入射すると、ｎ^-型拡散層領域３３の空乏層内に
電子とホールのエレクトロンペアが発生する。電子は隣
接する垂直ＣＣＤ部をへて信号電荷となる。ホールはｐ
型ウエル３２を通って半導体基板３１の外部に取り出さ
れる。このようにして、光電変換部は入射光を信号電荷
に変換している。また、ｐ型ウエル３２内にはｐ型拡散
層領域３５が形成されている。ｐ型拡散層領域３５は半
導体基板１中で発生する信号のうち雑音となる電荷が垂
直ＣＣＤ部へ拡散するのを防止する作用がある。ここ
で、ｐ型拡散層領域３５の拡散深さは約１μｍである。
また、ｐ型拡散層領域３５の不純物濃度は１０¹⁶ｃｍ^-3
である。

【００２８】ｐ型拡散層領域３５は垂直ＣＣＤ部となる
ｎ型拡散層領域３４を囲むのに用いる。一般にこのよう
な構造をＨｉ−Ｃ構造と呼ぶ。ｐ型拡散層領域３５の拡
散深さを熱処理により深くすると、横方向への拡散が同
時に進行する。このため、ｐ型拡散層領域３５は光電変
換部のｎ^-型拡散層領域３３にまで進入する。光電変換
部にｎ^-型拡散層領域３３が進入すると、光電変換部の
出力が低下してしまう。

【００２９】垂直ＣＣＤ部はｎ型拡散層領域３４で形成
されている。垂直ＣＣＤ部は光電変換部で形成された信
号電荷を所定の領域に転送するための転送領域である。

【００３０】ここで、ｎ型拡散層領域３４の拡散深さは
約０.５μｍである。またｎ型拡散層領域３４の不純物
濃度は１０¹⁶〜１０¹⁷ｃｍ^-3である。

【００３１】図面では、ｐ型拡散層領域３５とｎ型拡散
層領域３４の両端部が一致しているが、上記Ｈｉ−Ｃ構
造を実現するためには、ｐ型拡散層領域３５のほうを広
くしておくことが必要である。また光電変換部で発生し
た信号電荷を、光電変換部から垂直ＣＣＤ部へ読みだす
際、光電変換部のポテンシャルより垂直ＣＣＤ部のポテ
ンシャルを低くする。また、垂直ＣＣＤ部に運ばれた信
号電荷が光電変換部に逆流したり、あるいは垂直ＣＣＤ
部に信号電荷が存在している場合に、光電変換部で形成
された信号電荷が垂直ＣＣＤ部へと流れ込まないように
する必要がある。このため、読みだし時のポテンシャル
制御を行うｐ⁺型拡散層領域３６が光電変換部と垂直Ｃ
ＣＤ部との間に形成されている。光電変換部から垂直Ｃ
ＣＤ部に信号電荷が転送される場合は、ｐ⁺型拡散層領
域３６内のポテンシャルを光電変換部内のポテンシャル
より低く、かつ垂直ＣＣＤ部のポテンシャルと同じか少
し高くなるように制御されている。垂直ＣＣＤ部に信号
電荷が蓄積されると、その信号電荷が光電変換部に逆流
しないようにｐ⁺型拡散層領域３６内のポテンシャルは
光電変換部内のポテンシャルより高く、かつ垂直ＣＣＤ
部のポテンシャルより高くなるように制御される。

【００３２】ここで、ｐ⁺型拡散層領域３６の拡散層深
さは約１μｍである。またｐ⁺型拡散層領域３６のシリ
コン基板表面での表面濃度は１０¹⁶〜１０¹⁷ｃｍ^-3であ
る。

【００３３】固体撮像装置を動作させる電圧零ボルトま
たは１５Ｖの時に、垂直ＣＣＤ部から光電変換部に電荷
が逆流するのを防止したり、あるいは光電変換部から電
荷が垂直ＣＣＤ部に流入させることが必要である。この
ためそれぞれの状態で最適なポテンシャル分布をもたせ
得るしきい値電圧となるようにｐ⁺型拡散層領域３６の
拡散層深さや不純物濃度は設定されている。ｐ⁺型拡散
層領域３６の幅は約１μｍ以下にするのが良い。もし、
ｐ⁺型拡散層領域３６の幅が１μｍより大きい場合に
は、トランジスタのｇｍ特性が悪くなる。ｇｍ特性が悪
くなると、光電変換部に蓄積された信号電荷を完全に読
みだすことが不可能となる。逆にｐ⁺型拡散層領域３６
の幅が約１μｍより小さい場合には、ショートチャネル
効果が発生する。ショートチャネル効果によって、パン
チスルーが生じ易くなり、結果的には光電変換部の出力
値は小さくなってしまう。

【００３４】固体撮像装置は光電変換部と垂直ＣＣＤが
一対となり、それがマトリックス状に形成されている。
この対と隣合う対との間を電気的に分離するためにｐ⁺⁺
型拡散層領域３７が形成されている。ｐ⁺⁺型拡散層領域
３７はイオン注入により形成される。

【００３５】ここで、ｐ⁺⁺型拡散層領域３７の深さは約
１μｍである。また、ｐ⁺⁺型拡散層領域３７の表面濃度
は１０¹⁷〜１０¹⁸ｃｍ^-3である。

【００３６】ｐ⁺⁺型拡散層領域３７の表面濃度は、隣接
した光電変換部上に蓄積された信号電荷が流れ込まない
ようにするのに上記範囲に設定することが必要である。
表面濃度が１０¹⁷ｃｍ^-3より少ない場合には、隣接した
光電変換部の信号電荷が流れ込む。また、表面濃度が１
０¹⁸ｃｍ^-3より多い場合には隣接したｎ型拡散層領域３
４にナローチャネル効果が生じる。ナローチャネル効果
が生じると垂直ＣＣＤ部の転送部の容量が低下する。こ
のため、固体撮像装置のダイナミックレンジが小さくな
り、転送効率が劣化してしまう。

【００３７】ｐ⁺⁺型拡散層領域３７の幅は約１μｍ以下
にするのがよい。もし、ｐ⁺⁺型拡散層領域３７の幅が１
μｍより大きい場合には、転送領域が減少してしまう。
すなわち光電変換部に蓄積された信号電荷を完全に読み
出すことが不可能となる。逆にｐ⁺⁺型拡散層領域３７の
幅が１μｍより小さい場合にはショートチャネル効果が
発生する。ショートチャネル効果によって隣接した光電
変換部と垂直ＣＣＤ部との間にパンチスルーが生じ易く
なる。結果的には、隣接した光電変換部の情報を読み出
し、解像度が低下する。さらに光電変換部の出力が低下
してしまう。

【００３８】半導体基板１上にはゲート酸化膜３８が成
長されている。ゲート酸化膜３８はパイロ酸化法で形成
される。ゲート酸化膜３８の膜厚は約５０ｎｍ以下であ
る。ゲート酸化膜３８の膜厚は転送効率を上げるために
は５０ｎｍ以上にしておくことが望ましい。ポリシリコ
ン電極３９は減圧ＣＶＤ法を用いて形成される。ポリシ
リコン電極３９のシート抵抗は数１０Ωである。またポ
リシリコン電極３９の膜厚は約５００ｎｍである。ポリ
シリコン電極３９は光電変換部で形成された信号電荷を
垂直ＣＣＤ部に読み出し、転送するための高周波パルス
を印加する電極として使用される。このようにポリシリ
コン電極３９はできる限り低抵抗であることが望まし
い。ポリシリコン電極３９の表面には熱酸化法によって
得られたポリシリコン酸化膜４０ａが成長されている。

【００３９】ポリシリコン酸化膜４０ａはパイロ酸化法
で形成されている。ポリシリコン酸化膜の膜厚は約２０
０ｎｍである。ポリシリコン酸化膜４０ａは、層間膜の
耐圧を確保するために形成されている。耐圧を確実に確
保するためにポリシリコン酸化膜４０ａ上に絶縁膜４０
ｂが形成されている。またポリシリコン電極３９を形成
する時のエッチングで生じたポリシリコン膜のエッチン
グ残りによって、駆動電圧を印加した際、ポリシリコン
膜のエッチング残りを通してリークが生じる。ポリシリ
コン酸化膜４０ａと絶縁膜４０ｂはこのようなリークを
防ぐために形成されている。

【００４０】絶縁膜４０ｂの表面には層間絶縁膜４１が
ＣＶＤ法により形成されている。層間絶縁膜４１の膜厚
は約１００ｎｍである。層間絶縁膜４１は上記のポリシ
リコン酸化膜４０ａと絶縁膜４０ｂとともに、配線材料
となる高融点金属４６とポリシリコン電極３９の電気的
絶縁を行っている。印加される高周波パルスは−７Ｖと
０Ｖと＋１５Ｖであり、最大電圧差２２Ｖ以上の耐圧を
もつ。また、層間絶縁膜４１は段差部でのステップカバ
レージを良好にしてポリシリコン膜４５と高融点金属４
６のエッチング残りを防止する必要があるため、常圧Ｃ
ＶＤ法より減圧ＣＶＤ法を適用するのが適当である。

【００４１】コンタクト窓４４は、固体撮像装置の４相
駆動が可能なように、各々１層目のポリシリコン電極、
２層目のポリシリコン電極上に特定の領域に形成する。
コンタクト窓４４の開口は、下地のポリシリコン電極３
９の約３μｍ×３μｍに対し約１.５μｍ×１.５μｍと
し、十分な設計的なマージンと良好なコンタクト特性を
両立させる。

【００４２】コンタクト窓４４を形成した後、層間絶縁
膜４１上全面にリンドーピングしたポリシリコン膜４５
を約１００ｎｍ成長する。この時下地ポリシリコン電極
３９との界面に自然酸化膜が成長しないように留意す
る。ポリシリコン成長とリンドーピング時の温度は９０
０℃以下と低温で、半導体基板３１中の不純物プロファ
イルはほとんど変化しない。

【００４３】高融点金属４６を成長する。本発明では、
ＣＶＤ法で形成したタングステンシリサイド膜を用い
た。タングステンシリサイド膜の膜厚は約２００ｎｍで
ある。

【００４４】タングステンシリサイド膜の光学的透過特
性から、スミア低減（タングステンシリサイド膜の遮光
特性の向上）のためには、タングステンシリサイド膜を
厚膜化することが必要であるが、後工程でのタングステ
ンシリサイド膜４７の加工を考え、その膜厚は２００ｎ
ｍとした。２００ｎｍの膜厚で透過率は０.０１％とな
る。ＣＶＤ法で形成したタングステンシリサイド膜はス
テップカバレージが良好であるという特性より、タング
ステンシリサイド膜は前述のポリシリコン膜４５と同様
に、コンタクト窓４４の凹部に均一の膜厚で入り込む。
特に段差部で膜厚が薄くならず、平坦な膜の場合と同様
に高い遮光性を示す。結果的に前述した２００ｎｍでの
透過率０.０１％はコンタクトの段差部で維持される。
遮光膜となる配線材料の下層はリンドーピングしたポリ
シリコン膜４５を用いているため、アルミニウム膜４２
を裏打ち配線材料に適用した時に起こるアルミニウムの
拡散等によるポリシリコン電極の仕事関数の変化は起こ
らない。固体撮像装置ではポリシリコンからなるゲート
電極の仕事関数が変化すると、その下部に形成される信
号電荷転送路のポテンシャル深さが変化するため、転送
効率の低下や固定パターンノイズ等の致命的な画像劣化
が発生する。

【００４５】ポリシリコン膜４５とタングステンシリサ
イド膜からなる配線材料を同時にエッチング除去する。
その配線幅は約４.０μｍとし、ポリシリコン電極３９
を覆い、ポリシリコン電極３９を完全に遮光する。この
配線は画素部すなわち光電変換部の周辺部でアルミニウ
ム配線とコンタクトをとることによりタングステンシリ
サイド膜４６とポリシリコン膜４５への駆動パルスの印
加が可能となる。タングステンシリサイド膜の比抵抗は
リンドーピングしたポリシリコンの１／１０以下の値を
示す。

【００４６】今回の実施例においても、この約２００ｎ
ｍのタングステンシリサイド膜のシート抵抗値は約５Ω
／□となり、約４００ｎｍのポリシリコン電極３９のシ
ート抵抗値（約２５Ω／□）の１／５になっていること
がわかった。ポリシリコン電極３９のシート抵抗値が高
いと駆動電極であるポリシリコン電極３９に十分高周波
パルスが印加されず、結果として転送効率の劣化が起こ
ってしまう。特に、フレームインターライン方式等の高
周波パルス（７５０ｋＨｚ）で転送する固体撮像装置で
は、特に転送効率の劣化が著しい。図３に実験データを
示す。縦軸は垂直ＣＣＤ部の転送ゲートの両端から印加
される駆動パルスの電圧に対する固体撮像装置の中央で
のパルスの電圧との比となる出力を取っている。横軸は
そのパルスの周波数である。図中点線は、従来の固体撮
像装置でポリシリコン電極に遮光膜であるアルミニウム
膜が接続されたものである。実線は本実施例で説明した
ポリシリコン電極にポリシリコン膜と高融点金属を形成
した後、アルミニウム膜を形成したものである。従来の
固体撮像装置では０.７ＭＨｚあたりから固体撮像装置
の中央での電圧値が小さく、パルスが変形して来る。本
実施例の固体撮像装置では従来の２倍以上の周波数であ
る１.５ＭＨｚ程度でもパルスの電圧が低下していない
ことが分かる。

【００４７】層間絶縁膜４１を従来例と同様に形成し、
アルミニウム膜４２を遮光膜として画素部に、配線材料
として周辺部にパターニングして残す。タングステンシ
リサイド膜とポリシリコン電極４５間のコンタクト窓４
４の凹凸は層間絶縁膜４１とコンタクト窓４４を埋め込
んだポリシリコン膜４５及びタングステンシリサイド膜
４６により平坦化されている。このためアルミニウム膜
４２はほぼ平坦な下地上に形成される。

【００４８】特に本発明では、ＣＶＤ法によりポリシリ
コン膜４５とタングステンシリサイド膜を成長している
ため、コンタクト窓４４におけるステップカバレージが
良好であり、例えば、コンタクトのサイズを約１μｍ×
１μｍにまで微細化すると、コンタクト窓４４は完全に
埋め込まれ、ほぼ完全な平坦層を得ることができる。

【００４９】タングステンシリサイド膜でコンタクト窓
４４の埋め込みを行うと、平坦化に使用する層間絶縁膜
４１を薄膜化できる。従来平坦化には約４００ｎｍの膜
厚を必要としたが、電気的な耐圧を確保（２２Ｖ）する
膜厚である約２００ｎｍ成長すれば良い。層間絶縁膜４
１の薄膜化は遮光膜としてのアルミニウム膜４２とタン
グステンシリサイド膜の距離を近づけるので、斜め方向
からタングステンシリサイド膜に入射する光を低減する
ことが可能となり、スミアが減少する。また、アルミニ
ウム膜４２は平坦な下地上に成長するため段差部でのク
ラック等の発生がない。アルミニウム膜４２はその本来
の特性である高い遮光性を示し、光を全く透過しない。
すなわち、タングステンシリサイド膜とアルミニウム膜
４２の２層遮光構造を採用することにより、スミアを大
幅に低減できる。

【００５０】以上のように本実施例は、ポリシリコン酸
化膜４０ａ及びＣＶＤ法等で成長した絶縁膜４０ｂの所
望の領域にコンタクト窓４４を形成した後、シリコン膜
例えばポリシリコン膜と高融点金属もしくは高融点金属
シリサイド膜からなる２層以上の配線材料で、駆動電極
のポリシリコン電極３９とコンタクトをとる。そして電
気的抵抗値の低い高融点金属でポリシリコン電極３９の
裏打ちを行なう。さらに、２層以上の光学的透過率の低
い配線材料で駆動電極のポリシリコン電極３９を完全に
覆うことにより、垂直ＣＣＤ部への光の入射を抑制す
る。

【００５１】またこの構成により、駆動電極のポリシリ
コン電極３９に対し、例えばポリシリコン膜４５と高融
点金属４６もしくは高融点金属シリサイド膜からなる２
層以上の低抵抗の配線材料で裏打ちを行うためポリシリ
コン電極３９の抵抗を無視することができ、固体撮像装
置の高速化が可能となる。

【００５２】裏打ちのための２層以上からなる配線材料
は、下層がポリシリコン膜４５であることから、下地の
ポリシリコン電極３９と材料が同一となる。従って、ア
ルミニウム膜４２で裏打ちを行った時に、アルミニウム
が拡散し、ポリシリコン電極３９の仕事関数を変化させ
ることがない。これにより垂直ＣＣＤ部及び蓄積部下の
信号電荷転送路のポテンシャル深さは変化せず、一定の
ままである。これは、特に低照度における信号電荷の転
送効率を高くすることができる。また、高融点金属膜４
６もしくは高融点金属シリサイド膜の高い遮光性と、裏
打ちコンタクト窓４４での良好なステップカバレージに
より局所的に光の入射し易い箇所を消滅することが可能
となり、良好なスミア値を示す。以上の特性改善におい
て、本発明は高い転送効率と低スミアの固体撮像装置を
実現することができる。

【００５３】上記構造を採用することにより、フレーム
インターライン式の固体撮像装置の垂直ＣＣＤ部の駆動
周波数である７５０ｋＨｚにおいて、低照度転送効率は
従来の８５％から９５％に、スミアは０.１％から０.０
１％に改善することができる。

【００５４】尚、本発明では、高融点金属４６としてタ
ングステンシリサイド膜を使用したが、例えば、より遮
光性の高いモリブデンシリサイド膜やタングステン膜を
使用することによりスミア特性を向上させることができ
る。

【００５５】同様に本発明では、高融点金属４６からな
る配線材料の下層に酸化膜系の絶縁膜を使用したが、例
えば絶縁性の高いシリコン窒化膜により膜厚の薄膜化を
行い、スミアを低減することも可能である。

【００５６】また、この構造は、フレームインターライ
ン転送方式の固体撮像装置は勿論、インターライン転送
方式の固体撮像装置においても、同様の効果を得ること
ができる。なぜなら、フレームインターラインＣＣＤ方
式は、上記したインターライン方式の固体撮像装置に新
たに蓄積部を設けた構造になっている。すなわち撮像部
（光電変換部と垂直ＣＣＤ部の両方をまとめて）と蓄積
部と水平ＣＣＤ部とからなる。このようにフレームイン
ターライン方式はインターライン方式と比べて各素子の
配置上の相違はあるものの、ここで説明した本実施例を
用いて垂直ＣＣＤ部を構成すれば同様の効果を得ること
は言うまでもない。

【００５７】以下、本発明の製造方法について図４〜図
１０を参照しながら説明する。まず、先ほど述べた従来
の固体撮像装置と同様に、ｎ型半導体基板５１の主表面
上に約１００ｎｍの熱酸化膜５２を形成する。熱酸化膜
５２を通して半導体基板５１全面上にボロンイオンを注
入する。この後、熱処理を行ってｐ型ウエル５３を形成
する。また熱処理は、窒素雰囲気中で熱処理温度１１０
０℃以上で数時間行う。この熱処理によってイオン注入
されたボロンイオンを活性化させる（図４）。

【００５８】次に、半導体基板５１上にフォトレジスト
を塗布する（図示せず）。光電変換部を形成するｎ^-型
拡散層領域５４を露光・現像してレジストパターンを形
成する。このレジストパターンをマスクにリンイオンを
注入する。この時のイオン注入条件は、加速電圧が数１
００ｋｅＶ、注入量が約１０¹²ｃｍ^-2で行う。この後、
熱処理を窒素雰囲気中で行う。これによってｎ^-型拡散
層領域５４の注入深さは約２μｍとなる。このようにし
てｐ型ウエル５３の所定領域に光電変換部となるｎ^-型
拡散層領域５４が形成される。次に半導体基板５１上の
レジストを除去し、再度半導体基板５１上にフォトレジ
ストを塗布する（図示せず）。ｐ型拡散層領域５５を露
光・現像してレジストパターンを形成する。このレジス
トパターンをマスクにボロンイオンを注入する。

【００５９】この時のイオン注入条件は、加速電圧が約
１００ｋｅＶ、注入量が１０¹²ｃｍ ^-2で行う。これによ
ってｐ型拡散層領域５５の拡散深さは最終的に約１μｍ
となる。

【００６０】このようにしてｐ型ウエル５３に半導体基
板５１中で発生する雑音となる電荷が垂直ＣＣＤ部へ拡
散するのを防止するｐ型拡散層領域５５が形成される。
さらに同レジストパターンをマスクにしてリンイオンを
注入する。この時のイオン注入条件は、加速電圧が約１
００ｋｅＶ、注入量が１０¹²ｃｍ^-2で行う。これにより
ｎ型拡散層領域５６の拡散深さは約０.５μｍとなる。
このようにして垂直ＣＣＤ部であるｎ型拡散層領域５６
が形成される（図５）。

【００６１】次に半導体基板５１上のフォトレジストを
除去し、再度半導体基板５１にフォトレジストを塗布す
る（図示せず）。ｐ⁺型拡散層領域５７を露光・現像し
てレジストパターンを形成する。このレジストパターン
をマスクにボロンイオンを注入する。

【００６２】この時のイオン注入の条件は、加速電圧が
数１００ｋｅＶ、注入量が１０¹²ｃｍ^-2である。これに
よりｐ⁺型拡散層領域５７の注入深さは約１μｍとな
る。このような条件で注入することで、光電変換部と垂
直ＣＣＤ部との間のしきい値電圧を制御することができ
る。このようにして光電変換部で発生した信号電荷を、
光電変換部から垂直ＣＣＤ部に読み出す際、読み出すた
めのポテンシャルの制御を行なうｐ⁺型拡散層領域５７
が光電変換部と垂直ＣＣＤ部との間に形成されている。

【００６３】次に半導体基板５１上のフォトレジストを
除去し、再度半導体基板５１上にフォトレジストを塗布
する（図示せず）。ｐ⁺⁺型拡散層領域５８を露光・現像
してレジストパターンを形成する。このレジストパター
ンにボロンイオンを注入する。

【００６４】このときのイオン注入条件は、加速電圧が
数１０ｋｅＶ、注入量が約１０¹³ｃｍ^-2で行う。これに
よってｐ⁺⁺型拡散層領域５８の注入深さは約１μｍとな
る。

【００６５】ｐ⁺⁺型拡散層領域５８は隣の素子との分離
を行うので動作時に印加される電圧で導通してしまわな
いよう、しきい値電圧を高くする。この目的でｐ⁺⁺型拡
散層領域５８の不純物濃度を比較的高めに設定してい
る。特にｐ⁺型拡散層領域５７の不純物濃度より高くし
ておけば良い（図６）。

【００６６】次にゲート酸化膜５９をパイロ酸化法によ
り約５０ｎｍ成長する。ポリシリコン膜を減圧ＣＶＤ法
により約５００ｎｍ成長し、リンドーピングによりその
シート抵抗を約１０Ωにする。このようにして従来と同
様の構造をもつポリシリコン電極６０を形成する。この
後、ポリシリコン酸化膜６１を約２００ｎｍ熱酸化によ
り成長する。そのポリシリコン酸化膜６１のピンホール
等が原因となって発生する電気的耐圧の低下を防止する
ため、減圧ＣＶＤ法でシリコン酸化膜系の絶縁膜６２を
約１００ｎｍ堆積する。ポリシリコン酸化膜６１は固相
リークを防止するために膜厚を２００ｎｍにしている。
またシリコン酸化膜系の絶縁膜６２としてここではＴＥ
ＯＳガスを用いたシリコン酸化膜を堆積させた。シリコ
ン酸化膜系の絶縁膜６２の膜厚を１００ｎｍにすると、
その耐圧を３０Ｖ以上とすることができる（図７）。

【００６７】尚、耐圧対策として段差部でのステップカ
バレージを良好にすることが必要なため、絶縁膜の成長
方法は常圧ＣＶＤ法より減圧ＣＶＤ法を適用するのが妥
当である。マスク合わせ、エッチング工程を行い、コン
タクト窓６３を形成する。コンタクト窓６３は、固体撮
像装置の４相駆動動作が可能なように、各々１層目のポ
リシリコン電極、２層目のポリシリコン電極上の所望の
領域に形成する。

【００６８】コンタクト窓６３形成後、リンドーピング
したポリシリコン膜６４を約１００ｎｍ成長する。この
とき下地ポリシリコン電極６０との界面に自然酸化膜が
成長しないように留意する。ポリシリコン膜６４の膜厚
を１００ｎｍにしたのは、ポリシリコン膜６４の膜厚を
さらに薄くすると、後の工程で堆積するタングステンシ
リサイド膜６５の応力によってハガレが生じてしまうの
を防ぐためである。

【００６９】尚、このポリシリコン成長とリンドーピン
グ時の温度は９００℃以下と低温で、シリコン基板中の
拡散層の不純物プロファイルはほとんど変化しない。も
し不純物プロファイルが熱によって拡散、変化すると、
固体撮像装置の読みだし特性や飽和出力値が低下する原
因となる。

【００７０】次にＣＶＤ法により例えばタングステンシ
リサイド膜６５を約２００ｎｍ成長する。具体的には６
フッ化タングステンガスと水素ガスとの還元反応によっ
て得られる（図８）。

【００７１】ＣＶＤ法ではステップカバレージが良好で
あるという特性より、タングステンシリサイド膜６５は
先ほどのポリシリコン膜６４と同様に、コンタクト窓６
３の凹部に均一に入り込む。特に段差部で膜厚が薄くな
らず、平坦な膜の場合と同様に高い遮光性を示す。

【００７２】次に、ポリシリコン膜６４とタングステン
シリサイド膜６５からなる配線材料を同時にフッ素ガス
系のエッチングガスを用いてエッチング除去し、所望の
配線パターンに加工する（図９）。

【００７３】そして、層間絶縁膜６６を従来例と同様に
形成し、アルミニウム膜６７を遮光膜として、垂直ＣＣ
Ｄ部及び電荷蓄積部の上部にパターニングして残す。最
後に、保護膜６８を基板全面に形成する（図１０）。

【００７４】尚、本発明では、高融点金属としてタング
ステンシリサイド膜６５を使用したが、例えば、より遮
光性の高いモリブデンシリサイド膜やタングステン膜を
使用することにより、スミアに対する効果を上げること
ができる。

【００７５】モリブデンシリサイド膜やタングステン膜
を使用する場合も、上記したタングステンシリサイド膜
の形成とまったく同じ方法で形成できる。

【００７６】同様に、本発明では、高融点金属からなる
配線材料の下層に酸化膜系の絶縁膜を使用したが、例え
ば絶縁性の高いシリコン窒化膜により膜厚の薄膜化を行
い、スミアを低減することも可能である。

【００７７】

【発明の効果】本発明によれば、駆動電極であるポリシ
リコン電極に高融点金属からなる配線材料でコンタクト
をとり、その配線材料に転送パルスを印加することによ
り、低照度における転送効率を１０％以上改善し、かつ
そのシリサイド膜を遮光膜として使用することにより、
スミアを従来の１／１０以下とすることが可能であり、
高い転送効率と低スミア特性の固体撮像装置を実現する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による固体撮像装置の平面図

【図２】本発明の一実施例による固体撮像装置の断面図

【図３】本発明の一実施例による固体撮像装置の転送周
波数特性を示す図

【図４】本発明の一実施例による固体撮像装置の工程順
断面図

【図５】本発明の一実施例による固体撮像装置の工程順
断面図

【図６】本発明の一実施例による固体撮像装置の工程順
断面図

【図７】本発明の一実施例による固体撮像装置の工程順
断面図

【図８】本発明の一実施例による固体撮像装置の工程順
断面図

【図９】本発明の一実施例による固体撮像装置の工程順
断面図

【図１０】本発明の一実施例による固体撮像装置の工程
順断面図

【図１１】従来の固体撮像装置の断面構造図を示す図

【符号の説明】

２１半導体基板２２ポリシリコン電極２３ｎ^-型拡散層領域２４，２５パルス駆動回路２６絶縁膜２７コンタクト窓２８ポリシリコン膜２９高融点金属

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に複数個の光電変換部と、前
記光電変換部はそれと隣接して第１のゲート電極と第２
のゲート電極が形成されており、前記第１のゲート電極
と第２のゲート電極はオーバーラップして形成されてお
り、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極と光
電変換部とを組とした領域がｎ行ｍ列のマトリックス状
に形成されており（ただしｎ，ｍは整数）、前記第１の
ゲート電極または第２のゲート電極に設けられたコンタ
クト窓と、前記コンタクト窓を含み前記光電変換部以外
の領域で、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電
極とが列方向に共通して設けられた、少なくともシリコ
ン膜と、高融点金属もしくは高融点金属シリサイドでな
る配線を備えたことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】前記マトリックス状に形成された、前記第
１のゲート電極と前記第２のゲート電極と光電変換部と
を組で、行方向に接続された、前記第１のゲート電極ま
たは第２のゲート電極の両端にそれぞれパルス駆動回路
が形成されていることを特徴とする請求項１記載の固体
撮像装置。
【請求項３】コンタクト窓が、ｌ行ｋ列の第１のゲート
電極または第２のゲート電極に形成されており（ただし
ｌ，ｋは整数、０＜ｌ，ｌ＋４≦ｎ，０＜ｋ≦ｍ）、同
列に形成された次のコンタクト窓が（ｌ＋４）行の第１
のゲート電極または第２のゲート電極に形成されている
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】ｌ行ｋ列のコンタクト窓が形成された第１
のゲート電極または第２のゲート電極の前記コンタクト
窓の位置が、少なくともｋ＋１列において、ｌ＋１行の
位置であり、ｌ，ｋは整数で、０＜ｌ，ｌ＋１≦ｎ，０
＜ｋ，ｋ＋１≦ｍであることを特徴とする請求項２記載
の固体撮像装置。
【請求項５】前記配線が、各列の前記光電変換部以外の
領域にある、第１のゲート電極と第２のゲート電極とを
覆っていることを特徴とする請求項２記載の固体撮像装
置。
【請求項６】半導体基板中に光電変換部と、前記光電変
換部で生成された電荷を転送する垂直シフトレジスタと
が形成されており、前記半導体基板上にゲート絶縁膜が
形成され、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極が形成され
ており、前記ゲート電極上に形成された絶縁膜にコンタ
クト窓が形成されており、前記コンタクト窓にを介し
て、少なくともシリコン膜と、高融点金属もしくは高融
点金属シリサイドをこの順序で形成された配線を備えた
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項７】前記配線で前記コンタクト窓を平坦化され
ており、前記コンタクト窓上に少なくとも層間絶縁膜を
介して第２の配線が形成されていることを特徴とする請
求項６記載の固体撮像装置。
【請求項８】前記配線が、前記光電変換部と、前記光電
変換部と隣合う光電変換部との間に形成された分離領域
以外の領域上にある絶縁膜の上層に形成され、かつ前記
ゲート電極を前記配線が覆っていることを特徴とする請
求項６記載の固体撮像装置。
【請求項９】半導体基板上に光電変換部と垂直シフトレ
ジスタ部を形成し、前記垂直シフトレジスタ部上にゲー
ト電極を形成する工程と、前記ゲート電極の表面を酸化
して酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上に絶縁膜を
成長する工程と、前記酸化膜と前記絶縁膜の所定の領域
を開口しコンタクト窓を形成する工程と、少なくともシ
リコン膜と高融点金属とからなる２層以上の配線を形成
し、前記配線と前記ゲート電極とを接続する工程と、前
記半導体基板上面に層間絶縁膜を堆積した後、アルミニ
ウム膜を堆積する工程を備えたことを特徴とする固体撮
像装置の製造方法。