JPH10125892A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法Info
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- JPH10125892A JPH10125892A JP8274335A JP27433596A JPH10125892A JP H10125892 A JPH10125892 A JP H10125892A JP 8274335 A JP8274335 A JP 8274335A JP 27433596 A JP27433596 A JP 27433596A JP H10125892 A JPH10125892 A JP H10125892A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトセンサ部においてＳｉ／ＳｉＯ2 界面
を形成する絶縁膜について、その形成に起因して得られ
る固体撮像素子の素子特性が低下するのを防止した、固
体撮像素子の製造方法の提供が望まれている。 【解決手段】 シリコン基板４表層部にフォトセンサ部
１を形成するとともにシリコン基板４表面に絶縁膜８を
形成し、フォトセンサ部１をシリコン基板４表面側に臨
ませた状態でシリコン基板４上に第１転送ゲート電極２
を形成し、フォトセンサ部１をシリコン基板４表面側に
臨ませ、かつ第１転送ゲート電極２の直上位置に一部が
かかるようにしてシリコン基板４上に第２転送ゲート電
極３を形成する製造方法である。第１転送ゲート電極
２、第２転送ゲート電極３を形成した後、フォトセンサ
部１の直上に位置する絶縁膜８をエッチング除去し、そ
の後減圧ＣＶＤ法により酸化シリコン膜１１を堆積形成
する。
を形成する絶縁膜について、その形成に起因して得られ
る固体撮像素子の素子特性が低下するのを防止した、固
体撮像素子の製造方法の提供が望まれている。 【解決手段】 シリコン基板４表層部にフォトセンサ部
１を形成するとともにシリコン基板４表面に絶縁膜８を
形成し、フォトセンサ部１をシリコン基板４表面側に臨
ませた状態でシリコン基板４上に第１転送ゲート電極２
を形成し、フォトセンサ部１をシリコン基板４表面側に
臨ませ、かつ第１転送ゲート電極２の直上位置に一部が
かかるようにしてシリコン基板４上に第２転送ゲート電
極３を形成する製造方法である。第１転送ゲート電極
２、第２転送ゲート電極３を形成した後、フォトセンサ
部１の直上に位置する絶縁膜８をエッチング除去し、そ
の後減圧ＣＶＤ法により酸化シリコン膜１１を堆積形成
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子（Ｃ
ＣＤ；Charge-Coupled Device ）の製造方法に関する。
ＣＤ；Charge-Coupled Device ）の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体撮像素子として、例えば図
４、図５に示す構造のものが知られている。図４は固体
撮像素子の転送ゲート電極の配置を模式的に示した要部
平面図であり、図４において符号１はシリコン基板（図
示略）表層部に形成されたフォトセンサ部である。これ
らフォトセンサ部１…の周囲には、ポリシリコンからな
る第１転送ゲート電極２、および第２転送ゲート電極３
が、シリコン基板上に形成配置されている。ここで、第
２転送ゲート電極３は、第１転送ゲート電極２の直上位
置にその一部がかかるように、すなわち図４に示したよ
うにその一部が第１転送ゲート電極２を覆うようにして
配置されている。なお、この第１転送ゲート電極２を覆
う部分には、後述するようにこれら第１転送ゲート電極
２と第２転送ゲート電極３との間に層間膜として機能す
る絶縁膜が形成されている。
４、図５に示す構造のものが知られている。図４は固体
撮像素子の転送ゲート電極の配置を模式的に示した要部
平面図であり、図４において符号１はシリコン基板（図
示略）表層部に形成されたフォトセンサ部である。これ
らフォトセンサ部１…の周囲には、ポリシリコンからな
る第１転送ゲート電極２、および第２転送ゲート電極３
が、シリコン基板上に形成配置されている。ここで、第
２転送ゲート電極３は、第１転送ゲート電極２の直上位
置にその一部がかかるように、すなわち図４に示したよ
うにその一部が第１転送ゲート電極２を覆うようにして
配置されている。なお、この第１転送ゲート電極２を覆
う部分には、後述するようにこれら第１転送ゲート電極
２と第２転送ゲート電極３との間に層間膜として機能す
る絶縁膜が形成されている。
【０００３】図５は図４のＡ−Ａ線矢視図であり、図５
に示すようにこの固体撮像素子には、シリコン基板４表
層部に形成された前記フォトセンサ部１の一方の側方に
読み出し部５を介して電荷転送部６が配設され、他方の
側方にチャネルストップ７が配設されている。また、チ
ャネルストップ７の側方には別の電荷転送部６が配設さ
れ、さらに該電荷転送部６の側方には読み出し部（図示
略）、フォトセンサ部（図示略）が順次配設されてい
る。
に示すようにこの固体撮像素子には、シリコン基板４表
層部に形成された前記フォトセンサ部１の一方の側方に
読み出し部５を介して電荷転送部６が配設され、他方の
側方にチャネルストップ７が配設されている。また、チ
ャネルストップ７の側方には別の電荷転送部６が配設さ
れ、さらに該電荷転送部６の側方には読み出し部（図示
略）、フォトセンサ部（図示略）が順次配設されてい
る。
【０００４】シリコン基板４の表面にはＳｉＯ2 からな
る絶縁膜８が形成され、この絶縁膜８の上には電荷転送
部６の直上位置を覆って前記第１転送ゲート電極２が形
成されている。この第１転送ゲート電極２上には、該第
１転送ゲート電極２と前記第２転送ゲート電極３との間
の層間膜としても機能する絶縁膜９が形成されている。
この絶縁膜９上には、図５には示していないものの、図
４に示したように第２転送ゲート電極３が形成されてい
る。なお、図示しないものの、絶縁膜９の上には第１転
送ゲート電極２、第２転送ゲート電極３を覆って遮光膜
が形成され、さらにその上には平坦化層が形成されてい
る。
る絶縁膜８が形成され、この絶縁膜８の上には電荷転送
部６の直上位置を覆って前記第１転送ゲート電極２が形
成されている。この第１転送ゲート電極２上には、該第
１転送ゲート電極２と前記第２転送ゲート電極３との間
の層間膜としても機能する絶縁膜９が形成されている。
この絶縁膜９上には、図５には示していないものの、図
４に示したように第２転送ゲート電極３が形成されてい
る。なお、図示しないものの、絶縁膜９の上には第１転
送ゲート電極２、第２転送ゲート電極３を覆って遮光膜
が形成され、さらにその上には平坦化層が形成されてい
る。
【０００５】ところで、このような構成の固体撮像素子
を製造するにあたり、特にシリコン基板４表面の絶縁膜
８を形成するには、通常、予め形成した酸化膜（ＳｉＯ
2 膜）が第１転送ゲート電極２の形成時にドライエッチ
ングによってダメージを受けていることから、このダメ
ージを除去するべく、フォトセンサ部１上の酸化膜をエ
ッチオフし、シリコン基板４表面を露出させる。そし
て、この露出させた面を再度熱酸化することにより、フ
ォトセンサ部１上にＳｉＯ2 からなる絶縁膜を形成して
いる。
を製造するにあたり、特にシリコン基板４表面の絶縁膜
８を形成するには、通常、予め形成した酸化膜（ＳｉＯ
2 膜）が第１転送ゲート電極２の形成時にドライエッチ
ングによってダメージを受けていることから、このダメ
ージを除去するべく、フォトセンサ部１上の酸化膜をエ
ッチオフし、シリコン基板４表面を露出させる。そし
て、この露出させた面を再度熱酸化することにより、フ
ォトセンサ部１上にＳｉＯ2 からなる絶縁膜を形成して
いる。
【０００６】また、第１転送ゲート電極２上に絶縁膜９
を形成するには、ポリシリコンからなる第１転送ゲート
電極２そのものを熱酸化し、これの表層部に熱酸化膜を
形成し、これを絶縁膜９としている。そして、このよう
にして得られた絶縁膜９を、前述したように第１転送電
極２と前記第２転送電極３との間の層間膜としているの
である。
を形成するには、ポリシリコンからなる第１転送ゲート
電極２そのものを熱酸化し、これの表層部に熱酸化膜を
形成し、これを絶縁膜９としている。そして、このよう
にして得られた絶縁膜９を、前述したように第１転送電
極２と前記第２転送電極３との間の層間膜としているの
である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た固体撮像素子においては、その製造方法について以下
に述べる不都合がある。電極配線抵抗を低下させるべ
く、第１転送ゲート電極２や第２転送ゲート電極３をＷ
ポリサイドなどのポリサイド構造にすることが多くなさ
れているが、このようなポリサイド構造を採った場合、
前述したようにダメージを除去した後再度熱酸化を直接
行い、シリコン基板４との間でＳｉ／ＳｉＯ2 界面を形
成する絶縁膜として熱酸化膜を得ようとすると、Ｗ等の
高融点金属が拡散することに起因して得られる固体撮像
素子の素子特性が低下してしまう。
た固体撮像素子においては、その製造方法について以下
に述べる不都合がある。電極配線抵抗を低下させるべ
く、第１転送ゲート電極２や第２転送ゲート電極３をＷ
ポリサイドなどのポリサイド構造にすることが多くなさ
れているが、このようなポリサイド構造を採った場合、
前述したようにダメージを除去した後再度熱酸化を直接
行い、シリコン基板４との間でＳｉ／ＳｉＯ2 界面を形
成する絶縁膜として熱酸化膜を得ようとすると、Ｗ等の
高融点金属が拡散することに起因して得られる固体撮像
素子の素子特性が低下してしまう。
【０００８】また、フォトセンサ部１において、前述し
たようにダメージのないＳｉ／ＳｉＯ2 界面を得るた
め、第１転送ゲート電極２の上に層間膜となる絶縁膜を
ＣＶＤ法によって堆積形成し、続いてレジストパターン
を形成し、さらにこのレジストパターンを用いてフォト
センサ部１の直上部のみをエッチングするといった方法
も考えられるが、その場合にはレジストパターン形成時
の合わせズレの問題や、ＣＶＤ膜エッチングの際の問題
があり（すなわち、ドライエッチングではＣＶＤ膜エッ
チング後にシリコン基板４等にダメージが残るといった
問題あり、ウエットエッチングではサイドエッチが大き
いなど制御性に問題がある）、その実施は非常に困難で
ある。
たようにダメージのないＳｉ／ＳｉＯ2 界面を得るた
め、第１転送ゲート電極２の上に層間膜となる絶縁膜を
ＣＶＤ法によって堆積形成し、続いてレジストパターン
を形成し、さらにこのレジストパターンを用いてフォト
センサ部１の直上部のみをエッチングするといった方法
も考えられるが、その場合にはレジストパターン形成時
の合わせズレの問題や、ＣＶＤ膜エッチングの際の問題
があり（すなわち、ドライエッチングではＣＶＤ膜エッ
チング後にシリコン基板４等にダメージが残るといった
問題あり、ウエットエッチングではサイドエッチが大き
いなど制御性に問題がある）、その実施は非常に困難で
ある。
【０００９】そこで、堆積形成したＣＶＤ膜をエッチン
グ除去することなくフォトセンサ部１上にそのまま残
し、これを絶縁膜８として用いることが、より簡略なプ
ロセスであり有効と考えられるが、その場合には、ＣＶ
Ｄ膜は熱酸化膜のように固定電荷や界面準位等が少なく
ならないため、素子特性を低下させることになってしま
い、やはりその実施は困難なのである。
グ除去することなくフォトセンサ部１上にそのまま残
し、これを絶縁膜８として用いることが、より簡略なプ
ロセスであり有効と考えられるが、その場合には、ＣＶ
Ｄ膜は熱酸化膜のように固定電荷や界面準位等が少なく
ならないため、素子特性を低下させることになってしま
い、やはりその実施は困難なのである。
【００１０】また、一般に絶縁膜として用いられる減圧
ＣＶＤ法により８００℃〜８２０℃の温度で成膜された
ＣＣＤ酸化膜は、固定電荷や界面準位などが少ないＣＶ
Ｄ膜であるとされているものの、フォトセンサ部１にお
いてＳｉ上に直接成膜すると、特性が劣化することから
やはりその実施は困難である。さらに、常圧ＣＶＤ膜は
ステップカバレージの問題があり、プラズマＣＶＤ膜は
プラズマダメージの問題があってやはりその採用は困難
である。
ＣＶＤ法により８００℃〜８２０℃の温度で成膜された
ＣＣＤ酸化膜は、固定電荷や界面準位などが少ないＣＶ
Ｄ膜であるとされているものの、フォトセンサ部１にお
いてＳｉ上に直接成膜すると、特性が劣化することから
やはりその実施は困難である。さらに、常圧ＣＶＤ膜は
ステップカバレージの問題があり、プラズマＣＶＤ膜は
プラズマダメージの問題があってやはりその採用は困難
である。
【００１１】一方、第１転送ゲート電極２と第２転送ゲ
ート電極３との間の層間膜となる絶縁膜９の形成につい
ては、前述したようにポリシリコンからなる第１転送ゲ
ート電極２の熱酸化によって形成しているが、このよう
な処理においても以下に述べる不都合がある。
ート電極３との間の層間膜となる絶縁膜９の形成につい
ては、前述したようにポリシリコンからなる第１転送ゲ
ート電極２の熱酸化によって形成しているが、このよう
な処理においても以下に述べる不都合がある。
【００１２】固体撮像素子では、その小型高画素化に伴
って転送クロックの低電圧化が要求されている。このよ
うな要求のなか、前述したようにポリシリコンを熱酸化
することによってその酸化膜（層間絶縁膜）を形成する
と、薄膜化が進むに連れてポリシリコン電極間（第１転
送ゲート電極２と第２転送ゲート電極３との間）で電極
間リーク耐圧が不足するといった問題が顕在化してく
る。さらに、ポリシリコン酸化膜形成のための熱酸化
は、熱処理低温化に関しても負荷が大きいものとなって
しまうことになる。例えば、ポリシリコン酸化膜を熱酸
化で形成する場合、１μＡリーク耐圧が１．５ＭＶ／ｃ
ｍであるとＶクロック最大振幅の２２Ｖを確保するのに
最小でも１５０ｎｍの厚さの酸化膜が必要となるが、転
送ゲート電極間ギャップがそれだけ広くなってしまい、
転送振幅を小さくできないのが実状である。
って転送クロックの低電圧化が要求されている。このよ
うな要求のなか、前述したようにポリシリコンを熱酸化
することによってその酸化膜（層間絶縁膜）を形成する
と、薄膜化が進むに連れてポリシリコン電極間（第１転
送ゲート電極２と第２転送ゲート電極３との間）で電極
間リーク耐圧が不足するといった問題が顕在化してく
る。さらに、ポリシリコン酸化膜形成のための熱酸化
は、熱処理低温化に関しても負荷が大きいものとなって
しまうことになる。例えば、ポリシリコン酸化膜を熱酸
化で形成する場合、１μＡリーク耐圧が１．５ＭＶ／ｃ
ｍであるとＶクロック最大振幅の２２Ｖを確保するのに
最小でも１５０ｎｍの厚さの酸化膜が必要となるが、転
送ゲート電極間ギャップがそれだけ広くなってしまい、
転送振幅を小さくできないのが実状である。
【００１３】また、ポリシリコンからなる転送ゲート電
極では抵抗が高く、画素間ポリシリコン線幅を縮小する
ことができず、このためＦＩＴＣＣＤ等の高速化デバイ
スのゲート電極抵抗化を図ることができない。この対策
として、ＷＳｉ電極（ポリサイド構造）をポリシリコン
電極に代替化することも考えられるが、その場合には、
層間絶縁膜を熱酸化で形成すると層間耐圧がポリシリコ
ン電極の場合以上に劣化してしまい、加えて、Ｗ拡散に
起因して得られる固体撮像素子に画質劣化を生じてしま
う。また、ゲート電極にポリサイド電極（特にタングス
テンポリシリサイド）を用いる構造では、直接熱酸化を
行って層間絶縁膜を形成すると、前述したようにＷ等の
高融点金属が拡散することに起因して得られる固体撮像
素子の素子特性が低下してしまう。
極では抵抗が高く、画素間ポリシリコン線幅を縮小する
ことができず、このためＦＩＴＣＣＤ等の高速化デバイ
スのゲート電極抵抗化を図ることができない。この対策
として、ＷＳｉ電極（ポリサイド構造）をポリシリコン
電極に代替化することも考えられるが、その場合には、
層間絶縁膜を熱酸化で形成すると層間耐圧がポリシリコ
ン電極の場合以上に劣化してしまい、加えて、Ｗ拡散に
起因して得られる固体撮像素子に画質劣化を生じてしま
う。また、ゲート電極にポリサイド電極（特にタングス
テンポリシリサイド）を用いる構造では、直接熱酸化を
行って層間絶縁膜を形成すると、前述したようにＷ等の
高融点金属が拡散することに起因して得られる固体撮像
素子の素子特性が低下してしまう。
【００１４】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、フォトセンサ部において
Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面を形成する絶縁膜、あるいは転送ゲ
ート電極間の層間膜となる絶縁膜について、これらの形
成に起因して得られる固体撮像素子の素子特性が低下す
るのを防止した、固体撮像素子の製造方法を提供するこ
とにある。
で、その目的とするところは、フォトセンサ部において
Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面を形成する絶縁膜、あるいは転送ゲ
ート電極間の層間膜となる絶縁膜について、これらの形
成に起因して得られる固体撮像素子の素子特性が低下す
るのを防止した、固体撮像素子の製造方法を提供するこ
とにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明における請求項１
記載の固体撮像素子の製造方法では、シリコン基板表層
部にフォトセンサ部を形成するとともに該シリコン基板
表面に絶縁膜を形成し、該絶縁膜を介して前記フォトセ
ンサ部をシリコン基板表面側に臨ませた状態で該シリコ
ン基板上に第１転送ゲート電極を形成し、前記絶縁膜を
介して前記フォトセンサ部をシリコン基板表面側に臨ま
せ、かつ第１転送ゲート電極の直上位置に一部がかかる
ようにしてシリコン基板上に第２転送ゲート電極を形成
配置するに際し、前記第１転送ゲート電極、第２転送ゲ
ート電極を形成した後、前記フォトセンサ部の直上に位
置する絶縁膜をエッチング除去し、その後減圧ＣＶＤ法
により酸化シリコン膜を堆積形成することを前記課題の
解決手段とした。
記載の固体撮像素子の製造方法では、シリコン基板表層
部にフォトセンサ部を形成するとともに該シリコン基板
表面に絶縁膜を形成し、該絶縁膜を介して前記フォトセ
ンサ部をシリコン基板表面側に臨ませた状態で該シリコ
ン基板上に第１転送ゲート電極を形成し、前記絶縁膜を
介して前記フォトセンサ部をシリコン基板表面側に臨ま
せ、かつ第１転送ゲート電極の直上位置に一部がかかる
ようにしてシリコン基板上に第２転送ゲート電極を形成
配置するに際し、前記第１転送ゲート電極、第２転送ゲ
ート電極を形成した後、前記フォトセンサ部の直上に位
置する絶縁膜をエッチング除去し、その後減圧ＣＶＤ法
により酸化シリコン膜を堆積形成することを前記課題の
解決手段とした。
【００１６】この固体撮像素子の製造方法によれば、第
１転送ゲート電極、第２転送ゲート電極の形成後、フォ
トセンサ部の直上に位置する絶縁膜をエッチング除去し
た後、減圧ＣＶＤ法により例えば８００℃未満で酸化シ
リコン膜を堆積形成すれば、得られる酸化シリコン膜が
比較的低温によるＣＶＤ酸化膜となり、固定電荷や界面
準位の少ない絶縁膜となる。
１転送ゲート電極、第２転送ゲート電極の形成後、フォ
トセンサ部の直上に位置する絶縁膜をエッチング除去し
た後、減圧ＣＶＤ法により例えば８００℃未満で酸化シ
リコン膜を堆積形成すれば、得られる酸化シリコン膜が
比較的低温によるＣＶＤ酸化膜となり、固定電荷や界面
準位の少ない絶縁膜となる。
【００１７】本発明における請求項３記載の固体撮像素
子の製造方法では、シリコン基板表層部にフォトセンサ
部を形成するとともに該シリコン基板表面に絶縁膜を形
成し、該絶縁膜を介して前記フォトセンサ部をシリコン
基板表面側に臨ませた状態で該シリコン基板上に第１転
送ゲート電極を形成し、前記絶縁膜を介して前記フォト
センサ部をシリコン基板表面側に臨ませ、かつ第１転送
ゲート電極の直上位置に一部がかかるようにしてシリコ
ン基板上に第２転送ゲート電極を形成配置するに際し、
前記第１転送ゲート電極を形成した後前記第２転送ゲー
ト電極の形成に先立ち、少なくとも第２転送ゲート電極
の形成予定領域に位置し、かつ第１転送ゲート電極の直
下に位置しない前記絶縁膜をエッチング除去し、その後
減圧ＣＶＤ法により酸化シリコン膜を、前記第１転送ゲ
ート電極を覆った状態に堆積形成して該酸化シリコン膜
により第１転送ゲート電極と第２転送ゲート電極との間
の層間膜を形成するとともに、第２転送ゲート電極のゲ
ート絶縁膜を形成することを前記課題の解決手段とし
た。
子の製造方法では、シリコン基板表層部にフォトセンサ
部を形成するとともに該シリコン基板表面に絶縁膜を形
成し、該絶縁膜を介して前記フォトセンサ部をシリコン
基板表面側に臨ませた状態で該シリコン基板上に第１転
送ゲート電極を形成し、前記絶縁膜を介して前記フォト
センサ部をシリコン基板表面側に臨ませ、かつ第１転送
ゲート電極の直上位置に一部がかかるようにしてシリコ
ン基板上に第２転送ゲート電極を形成配置するに際し、
前記第１転送ゲート電極を形成した後前記第２転送ゲー
ト電極の形成に先立ち、少なくとも第２転送ゲート電極
の形成予定領域に位置し、かつ第１転送ゲート電極の直
下に位置しない前記絶縁膜をエッチング除去し、その後
減圧ＣＶＤ法により酸化シリコン膜を、前記第１転送ゲ
ート電極を覆った状態に堆積形成して該酸化シリコン膜
により第１転送ゲート電極と第２転送ゲート電極との間
の層間膜を形成するとともに、第２転送ゲート電極のゲ
ート絶縁膜を形成することを前記課題の解決手段とし
た。
【００１８】この固体撮像素子の製造方法によれば、第
１転送ゲート電極を形成した後第２転送ゲート電極の形
成に先立ち、第２転送ゲート電極の形成予定領域に位置
し、かつ第１転送ゲート電極の直下に位置しない絶縁膜
をエッチング除去し、その後減圧ＣＶＤ法により例えば
８００℃未満で酸化シリコン膜を、前記第１転送ゲート
電極を覆った状態に堆積形成して該酸化シリコン膜によ
り第１転送ゲート電極と第２転送ゲート電極との間の層
間膜を形成するとともに、第２転送ゲート電極のゲート
絶縁膜を形成するので、得られる酸化シリコン膜が比較
的低温によるＣＶＤ酸化膜となることにより、層間膜と
しては耐圧の高いものとなり、ゲート絶縁膜としては固
定電荷や界面準位の少ないものとなる。
１転送ゲート電極を形成した後第２転送ゲート電極の形
成に先立ち、第２転送ゲート電極の形成予定領域に位置
し、かつ第１転送ゲート電極の直下に位置しない絶縁膜
をエッチング除去し、その後減圧ＣＶＤ法により例えば
８００℃未満で酸化シリコン膜を、前記第１転送ゲート
電極を覆った状態に堆積形成して該酸化シリコン膜によ
り第１転送ゲート電極と第２転送ゲート電極との間の層
間膜を形成するとともに、第２転送ゲート電極のゲート
絶縁膜を形成するので、得られる酸化シリコン膜が比較
的低温によるＣＶＤ酸化膜となることにより、層間膜と
しては耐圧の高いものとなり、ゲート絶縁膜としては固
定電荷や界面準位の少ないものとなる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の固体撮像素子の製
造方法を詳しく説明する。まず、請求項１記載の製造方
法の一実施形態例を説明する。この例では、図５に示し
た構造を得る従来方法と同様にして、まず、シリコン基
板４中にイオン注入等によって不純物を注入しさらにこ
れを拡散させ、フォトセンサ部１、読み出し部５、電荷
転送部６、チャネルストップ７をそれぞれ形成する。続
いて、熱酸化法やＣＶＤ法によりシリコン基板４表面に
ＳｉＯ2 からなる絶縁膜８を形成する。ここで、この絶
縁膜８は、その一部が後述する第１転送ゲート電極のゲ
ート絶縁膜（ＭＯＳゲート絶縁膜）として機能するもの
である。なお、この絶縁膜８については、ＳｉＯ2 から
なる構造に代えてＯＮＯ（ＳｉＯ 2 −ＳｉＮ−Ｓｉ
Ｏ2 ）構造としてもよい。
造方法を詳しく説明する。まず、請求項１記載の製造方
法の一実施形態例を説明する。この例では、図５に示し
た構造を得る従来方法と同様にして、まず、シリコン基
板４中にイオン注入等によって不純物を注入しさらにこ
れを拡散させ、フォトセンサ部１、読み出し部５、電荷
転送部６、チャネルストップ７をそれぞれ形成する。続
いて、熱酸化法やＣＶＤ法によりシリコン基板４表面に
ＳｉＯ2 からなる絶縁膜８を形成する。ここで、この絶
縁膜８は、その一部が後述する第１転送ゲート電極のゲ
ート絶縁膜（ＭＯＳゲート絶縁膜）として機能するもの
である。なお、この絶縁膜８については、ＳｉＯ2 から
なる構造に代えてＯＮＯ（ＳｉＯ 2 −ＳｉＮ−Ｓｉ
Ｏ2 ）構造としてもよい。
【００２０】次に、ＣＶＤ法によりポリシリコンを成膜
し、さらにこのポリシリコン膜を公知のレジスト技術、
フォトリソグラフィー技術、ドライエッチング技術によ
りパターニングし、図１に示すように第１転送ゲート電
極２を形成する。なお、図１は、従来の図４に示した要
部平面図における、Ａ−Ａ線矢視した断面の要部を示す
図である。次いで、ＣＶＤ法等により第１転送ゲート電
極２を覆った状態にＳｉＯ2 等の絶縁膜を形成し、これ
を層間膜１０とする。そして、第１転送ゲート電極２と
同様にポリシリコン膜を成膜し、さらにこれをパターニ
ングすることによって第２転送ゲート電極３を形成す
る。なお、ゲート電極構造を三層以上にする場合には、
第２転送ゲート電極３の形成に続いて、前記の層間膜形
成、および転送ゲート電極の形成を繰り返せばよい。
し、さらにこのポリシリコン膜を公知のレジスト技術、
フォトリソグラフィー技術、ドライエッチング技術によ
りパターニングし、図１に示すように第１転送ゲート電
極２を形成する。なお、図１は、従来の図４に示した要
部平面図における、Ａ−Ａ線矢視した断面の要部を示す
図である。次いで、ＣＶＤ法等により第１転送ゲート電
極２を覆った状態にＳｉＯ2 等の絶縁膜を形成し、これ
を層間膜１０とする。そして、第１転送ゲート電極２と
同様にポリシリコン膜を成膜し、さらにこれをパターニ
ングすることによって第２転送ゲート電極３を形成す
る。なお、ゲート電極構造を三層以上にする場合には、
第２転送ゲート電極３の形成に続いて、前記の層間膜形
成、および転送ゲート電極の形成を繰り返せばよい。
【００２１】次いで、公知のレジスト技術、フォトリソ
グラフィー技術を用いてレジストパターンを形成し、さ
らにこのレジストパターンを用いて前記フォトセンサ部
１の直上に位置する絶縁膜８および層間膜１０をドライ
エッチングで除去し、フォトセンサ部１の直上位置にお
けるシリコン基板１表面を露出させる。このようにして
絶縁膜８および層間膜１０をエッチング除去すると、こ
れら膜８、１０が各転送ゲート電極２、３形成時に受け
たダメージをシリコン基板４上から同時に除去できるこ
とになる。
グラフィー技術を用いてレジストパターンを形成し、さ
らにこのレジストパターンを用いて前記フォトセンサ部
１の直上に位置する絶縁膜８および層間膜１０をドライ
エッチングで除去し、フォトセンサ部１の直上位置にお
けるシリコン基板１表面を露出させる。このようにして
絶縁膜８および層間膜１０をエッチング除去すると、こ
れら膜８、１０が各転送ゲート電極２、３形成時に受け
たダメージをシリコン基板４上から同時に除去できるこ
とになる。
【００２２】その後、減圧ＣＶＤ法により８００℃未満
の温度で酸化シリコン膜を堆積形成し、図２に示すよう
に第１転送ゲート電極２、第２転送ゲート電極３を覆っ
た状態で、フォトセンサ部１の直上位置において新たな
絶縁膜１１を形成する。ここで、酸化シリコン膜（絶縁
膜１１）の堆積形成を８００℃未満の温度で行うのは、
８００℃を越えると得られる膜とシリコン基板４との間
で形成されるＳｉ／ＳｉＯ2 界面の界面準位などが増加
し、これに伴って得られる固体撮像素子に特性劣化が生
じてしまうからである。これは、反応管へのウエハ（シ
リコン基板４）のロード時に巻き込み酸化膜が形成され
ることと、例えば成膜前のＮ2 Ｏによる炉内パージ時に
窒酸化膜が形成されることに起因している。
の温度で酸化シリコン膜を堆積形成し、図２に示すよう
に第１転送ゲート電極２、第２転送ゲート電極３を覆っ
た状態で、フォトセンサ部１の直上位置において新たな
絶縁膜１１を形成する。ここで、酸化シリコン膜（絶縁
膜１１）の堆積形成を８００℃未満の温度で行うのは、
８００℃を越えると得られる膜とシリコン基板４との間
で形成されるＳｉ／ＳｉＯ2 界面の界面準位などが増加
し、これに伴って得られる固体撮像素子に特性劣化が生
じてしまうからである。これは、反応管へのウエハ（シ
リコン基板４）のロード時に巻き込み酸化膜が形成され
ることと、例えば成膜前のＮ2 Ｏによる炉内パージ時に
窒酸化膜が形成されることに起因している。
【００２３】一方、絶縁膜１１の形成を７００℃未満で
行うと、成膜温度を一般的な８００℃とした場合に比
べ、成膜速度が１／１０以下となってしまうことから、
成膜処理に多くの時間にかかり過ぎ、プロセス上好まし
くない。なお、図２は、従来の図４に示した要部平面図
における、Ｂ−Ｂ線矢視した断面を示す図である。この
ようにして絶縁膜１１を形成した後、さらに、絶縁膜１
１の上に従来と同様にして遮光膜（図示略）、平坦化層
（図示略）、周辺配線（図示略）、オーバーパッシベー
ション膜（図示略）等を順次形成し、固体撮像素子を得
る。
行うと、成膜温度を一般的な８００℃とした場合に比
べ、成膜速度が１／１０以下となってしまうことから、
成膜処理に多くの時間にかかり過ぎ、プロセス上好まし
くない。なお、図２は、従来の図４に示した要部平面図
における、Ｂ−Ｂ線矢視した断面を示す図である。この
ようにして絶縁膜１１を形成した後、さらに、絶縁膜１
１の上に従来と同様にして遮光膜（図示略）、平坦化層
（図示略）、周辺配線（図示略）、オーバーパッシベー
ション膜（図示略）等を順次形成し、固体撮像素子を得
る。
【００２４】このような固体撮像素子の製造方法にあっ
ては、第１転送ゲート電極２、第２転送ゲート電極３を
形成した後、減圧ＣＶＤ法により酸化シリコン膜を堆積
形成し、これから絶縁膜１１を形成しているので、この
絶縁膜１１に第１転送ゲート電極２、第２転送ゲート電
極３の形成時におけるダメージが与えられることがな
く、したがってこのダメージに起因する暗電流の発生を
防止することができる。また、減圧ＣＶＤ法により７０
０℃〜７５０℃と比較的低温で酸化シリコン膜を堆積形
成し、このＣＶＤ法によるＨＴＯ膜をフォトセンサ部１
の直上位置においてＳｉ／ＳｉＯ2 界面を形成する新た
な絶縁膜１１としているので、該絶縁膜１１が通常の８
００℃〜８２０℃で形成するＨＴＯ膜に比べ低温による
ＨＴＯ膜からなることとなり、したがって巻き込み酸化
量およびＮ2 Ｏによる窒酸化量の低減を図ることがで
き、固定電荷や界面準位を少なくすることができること
により暗電流の発生を防止することができる。
ては、第１転送ゲート電極２、第２転送ゲート電極３を
形成した後、減圧ＣＶＤ法により酸化シリコン膜を堆積
形成し、これから絶縁膜１１を形成しているので、この
絶縁膜１１に第１転送ゲート電極２、第２転送ゲート電
極３の形成時におけるダメージが与えられることがな
く、したがってこのダメージに起因する暗電流の発生を
防止することができる。また、減圧ＣＶＤ法により７０
０℃〜７５０℃と比較的低温で酸化シリコン膜を堆積形
成し、このＣＶＤ法によるＨＴＯ膜をフォトセンサ部１
の直上位置においてＳｉ／ＳｉＯ2 界面を形成する新た
な絶縁膜１１としているので、該絶縁膜１１が通常の８
００℃〜８２０℃で形成するＨＴＯ膜に比べ低温による
ＨＴＯ膜からなることとなり、したがって巻き込み酸化
量およびＮ2 Ｏによる窒酸化量の低減を図ることがで
き、固定電荷や界面準位を少なくすることができること
により暗電流の発生を防止することができる。
【００２５】なお、前記実施形態例では、第１転送ゲー
ト電極２、第２転送ゲート電極３をいずれもポリシリコ
ンで形成したが、これら第１転送ゲート電極２、第２転
送ゲート電極３の一方あるいは両方をＷポリサイドなど
のポリサイド構造としてもよく、その場合には、従来の
ごとく絶縁膜形成のための熱酸化を行っていないので、
この熱酸化処理に伴うＷ等高融点金属の拡散をなくすこ
とができ、これにより転送ゲート電極の低抵抗化を図っ
て高感度、低スミアの固体撮像素子を得ることができ
る。また、前記実施形態例では、絶縁膜１１の形成を一
般的な膜形成温度に比べ低い温度で行ったが、この低温
による絶縁膜１１についてはあくまでシリコン基板４表
面との間でＳｉ／ＳｉＯ2 界面を形成することのできる
厚さ、すなわち数ｎｍ〜１０ｎｍ程度の厚さでよく、こ
の程度の厚みが確保された後は成膜温度を８００℃程度
に上昇し、成膜処理時間の短縮を図ってもよい。
ト電極２、第２転送ゲート電極３をいずれもポリシリコ
ンで形成したが、これら第１転送ゲート電極２、第２転
送ゲート電極３の一方あるいは両方をＷポリサイドなど
のポリサイド構造としてもよく、その場合には、従来の
ごとく絶縁膜形成のための熱酸化を行っていないので、
この熱酸化処理に伴うＷ等高融点金属の拡散をなくすこ
とができ、これにより転送ゲート電極の低抵抗化を図っ
て高感度、低スミアの固体撮像素子を得ることができ
る。また、前記実施形態例では、絶縁膜１１の形成を一
般的な膜形成温度に比べ低い温度で行ったが、この低温
による絶縁膜１１についてはあくまでシリコン基板４表
面との間でＳｉ／ＳｉＯ2 界面を形成することのできる
厚さ、すなわち数ｎｍ〜１０ｎｍ程度の厚さでよく、こ
の程度の厚みが確保された後は成膜温度を８００℃程度
に上昇し、成膜処理時間の短縮を図ってもよい。
【００２６】さらに、前記のような低温による絶縁膜１
１の形成の後、絶縁膜として必要とされる膜厚を確保す
るため、熱酸化法によって絶縁膜１１上にＳｉＯ2 から
なる熱酸化膜を形成し、先の低温による絶縁膜１１に合
わせて所望の厚さの絶縁膜を形成してもよい。その場
合、前述したように第１転送ゲート電極２、第２転送ゲ
ート電極３の一方あるいは両方をＷポリサイドなどのポ
リサイド構造としていても、これら転送ゲート電極を一
旦低温による膜（絶縁膜１１）で覆っているため、この
膜がポリサイド電極からの高融点金属の拡散を封じるカ
バーとして機能し、これにより高融点金属の拡散に起因
して白点が発生するなどといった不都合を回避すること
ができる。
１の形成の後、絶縁膜として必要とされる膜厚を確保す
るため、熱酸化法によって絶縁膜１１上にＳｉＯ2 から
なる熱酸化膜を形成し、先の低温による絶縁膜１１に合
わせて所望の厚さの絶縁膜を形成してもよい。その場
合、前述したように第１転送ゲート電極２、第２転送ゲ
ート電極３の一方あるいは両方をＷポリサイドなどのポ
リサイド構造としていても、これら転送ゲート電極を一
旦低温による膜（絶縁膜１１）で覆っているため、この
膜がポリサイド電極からの高融点金属の拡散を封じるカ
バーとして機能し、これにより高融点金属の拡散に起因
して白点が発生するなどといった不都合を回避すること
ができる。
【００２７】次に、請求項３記載の製造方法の一実施形
態例を説明する。この例でも、図５に示した構造を得る
従来方法と同様にして、まず、シリコン基板４中にイオ
ン注入等によって不純物を注入しさらにこれを拡散さ
せ、フォトセンサ部１、読み出し部５、電荷転送部６、
チャネルストップ７をそれぞれ形成する。続いて、熱酸
化法やＣＶＤ法によりシリコン基板４表面にＳｉＯ2 か
らなる絶縁膜８を形成する。この絶縁膜８は、先の例と
同様にその一部が後述する第１転送ゲート電極のゲート
絶縁膜（ＭＯＳゲート絶縁膜）として機能するものであ
る。なお、この例においても、ゲート絶縁膜８について
は、ＳｉＯ2 からなる構造に代えてＯＮＯ（ＳｉＯ2 −
ＳｉＮ−ＳｉＯ2 ）構造としてもよい。
態例を説明する。この例でも、図５に示した構造を得る
従来方法と同様にして、まず、シリコン基板４中にイオ
ン注入等によって不純物を注入しさらにこれを拡散さ
せ、フォトセンサ部１、読み出し部５、電荷転送部６、
チャネルストップ７をそれぞれ形成する。続いて、熱酸
化法やＣＶＤ法によりシリコン基板４表面にＳｉＯ2 か
らなる絶縁膜８を形成する。この絶縁膜８は、先の例と
同様にその一部が後述する第１転送ゲート電極のゲート
絶縁膜（ＭＯＳゲート絶縁膜）として機能するものであ
る。なお、この例においても、ゲート絶縁膜８について
は、ＳｉＯ2 からなる構造に代えてＯＮＯ（ＳｉＯ2 −
ＳｉＮ−ＳｉＯ2 ）構造としてもよい。
【００２８】次に、ＣＶＤ法によりポリシリコンを成膜
し、さらにこのポリシリコン膜を公知のレジスト技術、
フォトリソグラフィー技術、ドライエッチング技術によ
りパターニングし、図３に示すように第１転送ゲート電
極２を形成する。なお、図３は、従来の図４に示した要
部平面図における、Ａ−Ａ線矢視した断面の要部を示す
図である。次いで、この第１転送ゲート電極２のパター
ニングに用いたレジストマスクをそのまま用い、あるい
はこれと同様にして形成したレジストマスクを用い、先
に形成した絶縁膜８のうち第１転送ゲート電極２の直下
にある部分以外をエッチングによって除去する。このよ
うに絶縁膜８を除去すると、フォトセンサ部１の直上位
置にある部分はもちろん、第１転送ゲート電極２の直下
になく、かつ第２転送ゲート電極３の形成予定領域に位
置する部分も除去され、これらの位置においてはシリコ
ン基板４表面が露出する。
し、さらにこのポリシリコン膜を公知のレジスト技術、
フォトリソグラフィー技術、ドライエッチング技術によ
りパターニングし、図３に示すように第１転送ゲート電
極２を形成する。なお、図３は、従来の図４に示した要
部平面図における、Ａ−Ａ線矢視した断面の要部を示す
図である。次いで、この第１転送ゲート電極２のパター
ニングに用いたレジストマスクをそのまま用い、あるい
はこれと同様にして形成したレジストマスクを用い、先
に形成した絶縁膜８のうち第１転送ゲート電極２の直下
にある部分以外をエッチングによって除去する。このよ
うに絶縁膜８を除去すると、フォトセンサ部１の直上位
置にある部分はもちろん、第１転送ゲート電極２の直下
になく、かつ第２転送ゲート電極３の形成予定領域に位
置する部分も除去され、これらの位置においてはシリコ
ン基板４表面が露出する。
【００２９】ここで、特に絶縁膜８をＳｉＯ2 膜一層で
形成している場合で、このＳｉＯ2膜をウエットエッチ
ングで除去する場合には、このウエットエッチング時に
第１転送ゲート電極２の下へのサイドエッチングを防止
する必要がある。さらに、絶縁膜８をＯＮＯ構造にした
場合には、ＳｉＯ2 ／ＳｉＮ／ＳｉＯ2を上から順にエ
ッチング除去するようにしてもよく、また、第１転送ゲ
ート電極２をドライエッチングする際にＳｉＮ膜まで続
けて除去し、その後残りのＳｉＯ 2 膜を除去してもよ
い。
形成している場合で、このＳｉＯ2膜をウエットエッチ
ングで除去する場合には、このウエットエッチング時に
第１転送ゲート電極２の下へのサイドエッチングを防止
する必要がある。さらに、絶縁膜８をＯＮＯ構造にした
場合には、ＳｉＯ2 ／ＳｉＮ／ＳｉＯ2を上から順にエ
ッチング除去するようにしてもよく、また、第１転送ゲ
ート電極２をドライエッチングする際にＳｉＮ膜まで続
けて除去し、その後残りのＳｉＯ 2 膜を除去してもよ
い。
【００３０】次いで、減圧ＣＶＤ法により８００℃未満
で酸化シリコン膜を堆積形成し、図３に示すように第１
転送ゲート電極２を覆った状態で絶縁膜１２を形成す
る。この絶縁膜１２は、フォトセンサ部１の直上位置
と、第１転送ゲート電極２の直下になく、かつ第２転送
ゲート電極３の形成予定領域にある位置とで絶縁膜８が
除去されていることにより、これらの位置においてもシ
リコン基板４表面に形成されるものとなり、特に第２転
送ゲート電極３の形成予定領域に形成された絶縁膜１２
は第２転送ゲート電極３のゲート絶縁膜として機能する
ものとなる。また、第１転送ゲート電極２を覆い、かつ
第２転送ゲート電極３の形成予定領域に形成された絶縁
膜１２は、第１転送ゲート電極２と後述する第２転送ゲ
ート電極３との層間膜として機能するものとなる。
で酸化シリコン膜を堆積形成し、図３に示すように第１
転送ゲート電極２を覆った状態で絶縁膜１２を形成す
る。この絶縁膜１２は、フォトセンサ部１の直上位置
と、第１転送ゲート電極２の直下になく、かつ第２転送
ゲート電極３の形成予定領域にある位置とで絶縁膜８が
除去されていることにより、これらの位置においてもシ
リコン基板４表面に形成されるものとなり、特に第２転
送ゲート電極３の形成予定領域に形成された絶縁膜１２
は第２転送ゲート電極３のゲート絶縁膜として機能する
ものとなる。また、第１転送ゲート電極２を覆い、かつ
第２転送ゲート電極３の形成予定領域に形成された絶縁
膜１２は、第１転送ゲート電極２と後述する第２転送ゲ
ート電極３との層間膜として機能するものとなる。
【００３１】ここで、酸化シリコン膜（絶縁膜１２）の
堆積形成を８００℃未満の温度で行うのは、先の例と同
様に８００℃を越えると得られる膜とシリコン基板４と
の間で形成されるＳｉ／ＳｉＯ2 界面の界面準位などが
増加し、これに伴って暗電流が増えてしまうからであ
る。一方、絶縁膜１２の形成を７００℃未満で行うと、
成膜処理に多くの時間にかかり過ぎ、プロセス上好まし
くない。
堆積形成を８００℃未満の温度で行うのは、先の例と同
様に８００℃を越えると得られる膜とシリコン基板４と
の間で形成されるＳｉ／ＳｉＯ2 界面の界面準位などが
増加し、これに伴って暗電流が増えてしまうからであ
る。一方、絶縁膜１２の形成を７００℃未満で行うと、
成膜処理に多くの時間にかかり過ぎ、プロセス上好まし
くない。
【００３２】なお、絶縁膜１２の形成を一般的な膜形成
温度に比べ低い温度で行ったが、この低温による絶縁膜
１１については先の例と同様にあくまでシリコン基板４
表面との間でＳｉ／ＳｉＯ2 界面を形成することのでき
る厚さ、すなわち数ｎｍ〜１０ｎｍ程度の厚さでよく、
この程度の厚みが確保された後は成膜温度を８００℃程
度に上昇し、成膜処理時間の短縮を図ってもよい。ま
た、第２転送ゲート電極３のゲート絶縁膜として機能す
る部分について、特にＯＮＯ構造を採りたい場合には、
ＣＶＤ酸化膜＋熱酸化／ＳｉＮ／ＣＶＤ酸化膜の膜構成
で順次成膜形成すればよい。
温度に比べ低い温度で行ったが、この低温による絶縁膜
１１については先の例と同様にあくまでシリコン基板４
表面との間でＳｉ／ＳｉＯ2 界面を形成することのでき
る厚さ、すなわち数ｎｍ〜１０ｎｍ程度の厚さでよく、
この程度の厚みが確保された後は成膜温度を８００℃程
度に上昇し、成膜処理時間の短縮を図ってもよい。ま
た、第２転送ゲート電極３のゲート絶縁膜として機能す
る部分について、特にＯＮＯ構造を採りたい場合には、
ＣＶＤ酸化膜＋熱酸化／ＳｉＮ／ＣＶＤ酸化膜の膜構成
で順次成膜形成すればよい。
【００３３】次いで、この絶縁膜１２上に、第１転送ゲ
ート電極２と同様にポリシリコン膜を成膜し、さらにこ
れをパターニングすることによって第２転送ゲート電極
３を形成する。なお、ゲート電極構造を三層以上にする
場合には、前記の絶縁膜１２形成、および転送ゲート電
極の形成を繰り返せばよい。このようにして第２転送ゲ
ート電極３を形成した後、さらに、絶縁膜１２、第２転
送ゲート電極３の上に従来と同様にして遮光膜（図示
略）、平坦化層（図示略）、周辺配線（図示略）、オー
バーパッシベーション膜（図示略）等を順次形成し、固
体撮像素子を得る。
ート電極２と同様にポリシリコン膜を成膜し、さらにこ
れをパターニングすることによって第２転送ゲート電極
３を形成する。なお、ゲート電極構造を三層以上にする
場合には、前記の絶縁膜１２形成、および転送ゲート電
極の形成を繰り返せばよい。このようにして第２転送ゲ
ート電極３を形成した後、さらに、絶縁膜１２、第２転
送ゲート電極３の上に従来と同様にして遮光膜（図示
略）、平坦化層（図示略）、周辺配線（図示略）、オー
バーパッシベーション膜（図示略）等を順次形成し、固
体撮像素子を得る。
【００３４】このような固体撮像素子の製造方法にあっ
ては、第１転送ゲート電極２を形成した後第２転送ゲー
ト電極３の形成に先立ち、第１転送ゲート電極２の直下
にない絶縁膜８をエッチング除去し、その後減圧ＣＶＤ
法により酸化シリコン膜を、前記第１転送ゲート電極２
を覆った状態に堆積形成して絶縁膜１２とするので、該
絶縁膜１２により第１転送ゲート電極２と第２転送ゲー
ト電極３との間の層間膜を形成することができるととも
に、第２転送ゲート電極３のゲート絶縁膜を形成するこ
とができる。したがって、絶縁膜１２が比較的低温によ
る膜からなっているので、これから形成する層間膜を熱
負荷が少なく耐圧の高いものとすることができ、またゲ
ート絶縁膜を固定電荷や界面準位の少ないものとするこ
とができる。また、フォトセンサ部１の直上位置におい
ても低温による膜から絶縁膜１２を形成し、これによっ
てシリコン基板４との間でＳｉ／ＳｉＯ2 界面を形成し
ているので、固定電荷や界面準位を少なくすることがで
き、これにより暗電流の発生を防止することができる。
ては、第１転送ゲート電極２を形成した後第２転送ゲー
ト電極３の形成に先立ち、第１転送ゲート電極２の直下
にない絶縁膜８をエッチング除去し、その後減圧ＣＶＤ
法により酸化シリコン膜を、前記第１転送ゲート電極２
を覆った状態に堆積形成して絶縁膜１２とするので、該
絶縁膜１２により第１転送ゲート電極２と第２転送ゲー
ト電極３との間の層間膜を形成することができるととも
に、第２転送ゲート電極３のゲート絶縁膜を形成するこ
とができる。したがって、絶縁膜１２が比較的低温によ
る膜からなっているので、これから形成する層間膜を熱
負荷が少なく耐圧の高いものとすることができ、またゲ
ート絶縁膜を固定電荷や界面準位の少ないものとするこ
とができる。また、フォトセンサ部１の直上位置におい
ても低温による膜から絶縁膜１２を形成し、これによっ
てシリコン基板４との間でＳｉ／ＳｉＯ2 界面を形成し
ているので、固定電荷や界面準位を少なくすることがで
き、これにより暗電流の発生を防止することができる。
【００３５】なお、前記実施形態例では、第１転送ゲー
ト電極２、第２転送ゲート電極３をいずれもポリシリコ
ンで形成したが、これら第１転送ゲート電極２、第２転
送ゲート電極３の一方あるいは両方をＷポリサイドなど
のポリサイド構造としてもよく、その場合には、従来の
ごとく層間膜や絶縁膜形成のための熱酸化を行っていな
いので、このような熱酸化処理に伴うＷ等高融点金属の
拡散をなくすことができ、これにより転送ゲート電極の
低抵抗化を図って高感度、低スミアの固体撮像素子を得
ることができる。
ト電極２、第２転送ゲート電極３をいずれもポリシリコ
ンで形成したが、これら第１転送ゲート電極２、第２転
送ゲート電極３の一方あるいは両方をＷポリサイドなど
のポリサイド構造としてもよく、その場合には、従来の
ごとく層間膜や絶縁膜形成のための熱酸化を行っていな
いので、このような熱酸化処理に伴うＷ等高融点金属の
拡散をなくすことができ、これにより転送ゲート電極の
低抵抗化を図って高感度、低スミアの固体撮像素子を得
ることができる。
【００３６】また、前記実施形態例では、絶縁膜８のエ
ッチング時にフォトセンサ部１の直上に位置する絶縁膜
８もエッチング除去し、その後このフォトセンサ部１の
直上にも低温によるＣＶＤ膜（酸化シリコン膜）を形成
したが、このフォトセンサ部１の直上には従来と同様の
手法による熱酸化膜などを形成し、第１転送ゲート電極
２と第２転送ゲート電極３との間の層間膜と第２転送ゲ
ート電極３のゲート絶縁膜とのみを該ＣＶＤ膜（酸化シ
リコン膜）で形成するようにしてもよい。
ッチング時にフォトセンサ部１の直上に位置する絶縁膜
８もエッチング除去し、その後このフォトセンサ部１の
直上にも低温によるＣＶＤ膜（酸化シリコン膜）を形成
したが、このフォトセンサ部１の直上には従来と同様の
手法による熱酸化膜などを形成し、第１転送ゲート電極
２と第２転送ゲート電極３との間の層間膜と第２転送ゲ
ート電極３のゲート絶縁膜とのみを該ＣＶＤ膜（酸化シ
リコン膜）で形成するようにしてもよい。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明における請求
項１記載の固体撮像素子の製造方法は、第１転送ゲート
電極、第２転送ゲート電極を形成した後、減圧ＣＶＤ法
により酸化シリコン膜を堆積形成し、これから絶縁膜を
形成するものであるから、この絶縁膜に第１転送ゲート
電極、第２転送ゲート電極の形成時におけるダメージが
与えられることがなく、したがってこのダメージに起因
する暗電流の発生を防止することができる。また、減圧
ＣＶＤ法により比較的低温で酸化シリコン膜を堆積形成
し、このＣＶＤ法による膜をフォトセンサ部の直上位置
においてＳｉ／ＳｉＯ2 界面を形成する新たな絶縁膜と
しているので、該絶縁膜が比較的低温によるＨＴＯ膜か
らなることとなり、したがって固定電荷や界面準位を少
なくすることができ、これにより暗電流の発生を防止す
ることができる。
項１記載の固体撮像素子の製造方法は、第１転送ゲート
電極、第２転送ゲート電極を形成した後、減圧ＣＶＤ法
により酸化シリコン膜を堆積形成し、これから絶縁膜を
形成するものであるから、この絶縁膜に第１転送ゲート
電極、第２転送ゲート電極の形成時におけるダメージが
与えられることがなく、したがってこのダメージに起因
する暗電流の発生を防止することができる。また、減圧
ＣＶＤ法により比較的低温で酸化シリコン膜を堆積形成
し、このＣＶＤ法による膜をフォトセンサ部の直上位置
においてＳｉ／ＳｉＯ2 界面を形成する新たな絶縁膜と
しているので、該絶縁膜が比較的低温によるＨＴＯ膜か
らなることとなり、したがって固定電荷や界面準位を少
なくすることができ、これにより暗電流の発生を防止す
ることができる。
【００３８】請求項２記載の固体撮像素子の製造方法
は、第１転送ゲート電極を形成した後第２転送ゲート電
極の形成に先立ち、第１転送ゲート電極の直下にない絶
縁膜をエッチング除去し、その後減圧ＣＶＤ法により７
００℃〜７５０℃の温度で酸化シリコン膜を、前記第１
転送ゲート電極を覆った状態に堆積形成して絶縁膜とす
るものであるから、該絶縁膜により第１転送ゲート電極
と第２転送ゲート電極との間の層間膜を形成することが
できるとともに、第２転送ゲート電極のゲート絶縁膜を
形成することができる。したがって、絶縁膜が比較的低
温によるＨＴＯＣＶＤ膜からなっているので、これから
形成する層間膜を熱負荷が少なく耐圧の高いものとする
ことができ、またゲート絶縁膜を固定電荷や界面準位の
少ないものにして得られる固体撮像素子の高画質化を図
ることができる。また、このように第１転送ゲート電極
と第２転送ゲート電極との間の層間膜を低温で形成する
ことにより、高耐圧化を図ることができ、これにより固
体撮像素子のの微細化、低電圧化を可能にすることがで
きる。例えば、５ＭＶ／ｃｍのＨＴＯを５０ｎｍ形成す
ることにより、従来の１５０ｎｍポリシリコン熱酸化膜
に比べ転送ゲート電極間ギャップを１／３に減少させ、
かつ従来以上の２５Ｖ層間耐圧を確保することができ
る。
は、第１転送ゲート電極を形成した後第２転送ゲート電
極の形成に先立ち、第１転送ゲート電極の直下にない絶
縁膜をエッチング除去し、その後減圧ＣＶＤ法により７
００℃〜７５０℃の温度で酸化シリコン膜を、前記第１
転送ゲート電極を覆った状態に堆積形成して絶縁膜とす
るものであるから、該絶縁膜により第１転送ゲート電極
と第２転送ゲート電極との間の層間膜を形成することが
できるとともに、第２転送ゲート電極のゲート絶縁膜を
形成することができる。したがって、絶縁膜が比較的低
温によるＨＴＯＣＶＤ膜からなっているので、これから
形成する層間膜を熱負荷が少なく耐圧の高いものとする
ことができ、またゲート絶縁膜を固定電荷や界面準位の
少ないものにして得られる固体撮像素子の高画質化を図
ることができる。また、このように第１転送ゲート電極
と第２転送ゲート電極との間の層間膜を低温で形成する
ことにより、高耐圧化を図ることができ、これにより固
体撮像素子のの微細化、低電圧化を可能にすることがで
きる。例えば、５ＭＶ／ｃｍのＨＴＯを５０ｎｍ形成す
ることにより、従来の１５０ｎｍポリシリコン熱酸化膜
に比べ転送ゲート電極間ギャップを１／３に減少させ、
かつ従来以上の２５Ｖ層間耐圧を確保することができ
る。
【図１】本発明の一実施形態例を説明するための要部断
面図である。
面図である。
【図２】図１に示した一実施形態例を説明するための要
部断面図である。
部断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態例を説明するための要部
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明に係る固体撮像素子の要部平面図であ
る。
る。
【図５】図４のＡ−Ａ線矢視断面図である。
１ フォトセンサ部 ２ 第１転送ゲート電極 ３
第２転送ゲート電極 ４ シリコン基板 ８ 絶縁膜 １１ 絶縁膜
１２ 絶縁膜
第２転送ゲート電極 ４ シリコン基板 ８ 絶縁膜 １１ 絶縁膜
１２ 絶縁膜
Claims (5)
- 【請求項１】 シリコン基板表層部にフォトセンサ部を
形成するとともに該シリコン基板表面に絶縁膜を形成
し、該絶縁膜を介して前記フォトセンサ部をシリコン基
板表面側に臨ませた状態で該シリコン基板上に第１転送
ゲート電極を形成し、前記絶縁膜を介して前記フォトセ
ンサ部をシリコン基板表面側に臨ませ、かつ第１転送ゲ
ート電極の直上位置に一部がかかるようにしてシリコン
基板上に第２転送ゲート電極を形成配置し、固体撮像素
子を製造する方法において、 前記第１転送ゲート電極、第２転送ゲート電極を形成し
た後、前記フォトセンサ部の直上に位置する絶縁膜をエ
ッチング除去し、その後減圧ＣＶＤ法により酸化シリコ
ン膜を堆積形成することを特徴とする固体撮像素子の製
造方法。 - 【請求項２】 前記減圧ＣＶＤ法による酸化シリコン膜
の堆積形成の後、熱酸化処理を行うことを特徴とする請
求項１記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項３】 シリコン基板表層部にフォトセンサ部を
形成するとともに該シリコン基板表面に絶縁膜を形成
し、該絶縁膜を介して前記フォトセンサ部をシリコン基
板表面側に臨ませた状態で該シリコン基板上に第１転送
ゲート電極を形成し、前記絶縁膜を介して前記フォトセ
ンサ部をシリコン基板表面側に臨ませ、かつ第１転送ゲ
ート電極の直上位置に一部がかかるようにしてシリコン
基板上に第２転送ゲート電極を形成配置し、固体撮像素
子を製造する方法において、 前記第１転送ゲート電極を形成した後前記第２転送ゲー
ト電極の形成に先立ち、少なくとも第２転送ゲート電極
の形成予定領域に位置し、かつ第１転送ゲート電極の直
下に位置しない前記絶縁膜をエッチング除去し、その後
減圧ＣＶＤ法により酸化シリコン膜を、前記第１転送ゲ
ート電極を覆った状態に堆積形成して該酸化シリコン膜
により第１転送ゲート電極と第２転送ゲート電極との間
の層間膜を形成するとともに、第２転送ゲート電極のゲ
ート絶縁膜を形成することを特徴とする固体撮像素子の
製造方法。 - 【請求項４】 前記減圧ＣＶＤ法による酸化シリコン膜
の堆積形成の後、熱酸化処理を行うことを特徴とする請
求項３記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記の第２転送ゲート電極の形成予定領
域に位置し、かつ第１転送ゲート電極の直下に位置しな
い前記絶縁膜をエッチング除去する際、フォトセンサ部
の直上に位置する絶縁膜もエッチング除去し、 減圧ＣＶＤ法により酸化シリコン膜を堆積形成する際、
該酸化シリコン膜によりフォトセンサ部の直上の絶縁膜
も形成することを特徴とする請求項３記載の固体撮像素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27433596A JP3399250B2 (ja) | 1996-10-17 | 1996-10-17 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27433596A JP3399250B2 (ja) | 1996-10-17 | 1996-10-17 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125892A true JPH10125892A (ja) | 1998-05-15 |
| JP3399250B2 JP3399250B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=17540233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27433596A Expired - Fee Related JP3399250B2 (ja) | 1996-10-17 | 1996-10-17 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3399250B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010001327A (ko) * | 1999-06-03 | 2001-01-05 | 김영환 | 전하 결합 소자 |
| JP2005174966A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-30 | Nec Kyushu Ltd | 電荷転送装置およびその製造方法 |
| JP2006108596A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Sharp Corp | 電極構造およびその形成方法、固体撮像素子、その製造方法 |
| JP2006261229A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP2007189020A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
-
1996
- 1996-10-17 JP JP27433596A patent/JP3399250B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010001327A (ko) * | 1999-06-03 | 2001-01-05 | 김영환 | 전하 결합 소자 |
| JP2005174966A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-30 | Nec Kyushu Ltd | 電荷転送装置およびその製造方法 |
| JP4759220B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2011-08-31 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電荷転送装置およびその製造方法 |
| JP2006108596A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Sharp Corp | 電極構造およびその形成方法、固体撮像素子、その製造方法 |
| JP2006261229A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP2007189020A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3399250B2 (ja) | 2003-04-21 |
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|---|---|---|---|
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