JP2773739B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置の製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体撮像装置において、ゲート電
極を高融点金属またはそのシリサイド層で形成し、遮光
膜として使用する提案がなされている。この提案に基づ
く発明として、例えば特開昭５９−１５９５６４号公報
や、特開昭６１−４９４６５号公報に記載された固体撮
像装置がある。
極を高融点金属またはそのシリサイド層で形成し、遮光
膜として使用する提案がなされている。この提案に基づ
く発明として、例えば特開昭５９−１５９５６４号公報
や、特開昭６１−４９４６５号公報に記載された固体撮
像装置がある。
【０００３】図４および図５は、上記の固体撮像装置の
従来例の構造を説明するための図で、図４はインターラ
インＣＣＤのセル部の第１のゲート電極および第２のゲ
ート電極の平面図であり、図５は図４のＡ−Ａ’断面の
断面図である。
従来例の構造を説明するための図で、図４はインターラ
インＣＣＤのセル部の第１のゲート電極および第２のゲ
ート電極の平面図であり、図５は図４のＡ−Ａ’断面の
断面図である。
【０００４】第１および第２のゲート電極は２層ゲート
電極を構成し、第１層である第１のゲート電極７および
第２層である第２のゲート電極８は高融点金属のシリサ
イド層、例えばタングステンシリサイド層で形成され
る。
電極を構成し、第１層である第１のゲート電極７および
第２層である第２のゲート電極８は高融点金属のシリサ
イド層、例えばタングステンシリサイド層で形成され
る。
【０００５】図において、Ｎ型半導体基板１とＰ型ウェ
ル層２とは逆バイアスされている。このようなＰ型ウェ
ル構造のＣＣＤセルにおいては、通常、受光部Ｎ型拡散
層３の下のＰ型ウェル層２ｂは、ＣＣＤの下のＰ型ウェ
ル層２ａに比べて濃度が薄く拡散長も短いので、Ｎ型半
導体基板１とＰ型ウェル層２との間の逆バイアス電圧と
して、ある値以上の電圧が加えられているときには、Ｐ
型ウェル層２ｂのより深いところで発生した電荷はＮ型
半導体基板１へ吸収される。その結果、光信号によって
発生した信号電荷（光電子）がＣＣＤ埋込み拡散層５に
流れ込むことが阻止される。このようにして、上記のＰ
型ウェル構造を持つＣＣＤセルにおいては、他の構造の
ＣＣＤセルに比べてスミアを低減させることができる。
ル層２とは逆バイアスされている。このようなＰ型ウェ
ル構造のＣＣＤセルにおいては、通常、受光部Ｎ型拡散
層３の下のＰ型ウェル層２ｂは、ＣＣＤの下のＰ型ウェ
ル層２ａに比べて濃度が薄く拡散長も短いので、Ｎ型半
導体基板１とＰ型ウェル層２との間の逆バイアス電圧と
して、ある値以上の電圧が加えられているときには、Ｐ
型ウェル層２ｂのより深いところで発生した電荷はＮ型
半導体基板１へ吸収される。その結果、光信号によって
発生した信号電荷（光電子）がＣＣＤ埋込み拡散層５に
流れ込むことが阻止される。このようにして、上記のＰ
型ウェル構造を持つＣＣＤセルにおいては、他の構造の
ＣＣＤセルに比べてスミアを低減させることができる。
【０００６】図５において、チャンネルストッパ領域４
は電荷の転送路を制限する。ＣＣＤ埋込み拡散層５は電
荷の転送路を構成する。ゲート酸化膜６はＮ型半導体基
板１と第１、第２のゲート電極７、８との間を絶縁す
る。第１のゲート電極７および第２のゲート電極８はタ
ングステンシリサイド層電極で電荷転送用クロック信号
が印加される。保護絶縁膜９は半導体基板表面上に形成
されたゲート電極等の素子を外界に対して電気的、化学
的、機械的に保護する。また、図示されていないアルミ
ニウム膜が配線として周辺回路に使われている。
は電荷の転送路を制限する。ＣＣＤ埋込み拡散層５は電
荷の転送路を構成する。ゲート酸化膜６はＮ型半導体基
板１と第１、第２のゲート電極７、８との間を絶縁す
る。第１のゲート電極７および第２のゲート電極８はタ
ングステンシリサイド層電極で電荷転送用クロック信号
が印加される。保護絶縁膜９は半導体基板表面上に形成
されたゲート電極等の素子を外界に対して電気的、化学
的、機械的に保護する。また、図示されていないアルミ
ニウム膜が配線として周辺回路に使われている。
【０００７】図６は、上記の構造を持つ固体撮像装置
の、第１のゲート電極７および第２のゲート電極８形成
時のプロセスフロー断面図である。図６の図（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）の左側にはＣＣＤセル
部が、右側にはＣＣＤセルと同時に周辺に形成されるト
ランジスタの断面図が示されている。
の、第１のゲート電極７および第２のゲート電極８形成
時のプロセスフロー断面図である。図６の図（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）の左側にはＣＣＤセル
部が、右側にはＣＣＤセルと同時に周辺に形成されるト
ランジスタの断面図が示されている。
【０００８】図６（ａ）に示されているように、まず、
Ｎ型半導体基板１上にＰ型ウェル層２を形成する。受光
部Ｎ型拡散層３の下のＰ型ウェル層２ｂは、ＣＣＤの下
のＰ型ウェル層２ａに比べて厚さを薄くして、低い不純
物濃度で形成される。次に、チャンネルストッパ領域
４、ＣＣＤ埋込み拡散層５およびゲート酸化膜６を形成
する。ゲート酸化膜６は例えば１０００Åの膜厚で形成
される。
Ｎ型半導体基板１上にＰ型ウェル層２を形成する。受光
部Ｎ型拡散層３の下のＰ型ウェル層２ｂは、ＣＣＤの下
のＰ型ウェル層２ａに比べて厚さを薄くして、低い不純
物濃度で形成される。次に、チャンネルストッパ領域
４、ＣＣＤ埋込み拡散層５およびゲート酸化膜６を形成
する。ゲート酸化膜６は例えば１０００Åの膜厚で形成
される。
【０００９】ＣＣＤセル部のＮ型半導体基板１上にＰ型
ウェル層２を形成するとき、同時に周辺のトランジスタ
のＮ型半導体基板上にＰ型ウェル層を形成する。また、
ＣＣＤセル部にゲート酸化膜６を形成するとき、同時に
周辺のトランジスタにゲート酸化膜を形成する。
ウェル層２を形成するとき、同時に周辺のトランジスタ
のＮ型半導体基板上にＰ型ウェル層を形成する。また、
ＣＣＤセル部にゲート酸化膜６を形成するとき、同時に
周辺のトランジスタにゲート酸化膜を形成する。
【００１０】次に、図６（ｂ）に示されているように、
ＣＣＤセル部の第１のゲート電極７および周辺トランジ
スタのゲート電極となるタングステンシリサイド層を全
面に形成し、フォトエッチング工程を経て、反応性イオ
ンエッチ装置等でエッチングして当該ＣＣＤセル部の第
１のゲート電極７および周辺トランジスタのゲート電極
を形成する。
ＣＣＤセル部の第１のゲート電極７および周辺トランジ
スタのゲート電極となるタングステンシリサイド層を全
面に形成し、フォトエッチング工程を経て、反応性イオ
ンエッチ装置等でエッチングして当該ＣＣＤセル部の第
１のゲート電極７および周辺トランジスタのゲート電極
を形成する。
【００１１】次に、第１のゲート電極７の表面の熱酸化
処理によって、図６（ｃ）に示されているように、ＣＣ
Ｄセル部の第２のゲート酸化膜として１０００Åの膜厚
の酸化膜を形成する。この酸化膜は、第１のゲート電極
７と第２のゲート電極との間の絶縁膜として働く。な
お、図６（ｃ）の工程では、同時に周辺トランジスタの
ゲート電極上にも酸化膜が形成される。次に、図６
（ｄ）に示されているように、第２のゲート電極８とな
るタングステンシリサイド層を形成し、フォトエッチン
グ工程を経て、反応性イオンエッチ装置等でエッチング
して第２のゲート電極８を形成する。
処理によって、図６（ｃ）に示されているように、ＣＣ
Ｄセル部の第２のゲート酸化膜として１０００Åの膜厚
の酸化膜を形成する。この酸化膜は、第１のゲート電極
７と第２のゲート電極との間の絶縁膜として働く。な
お、図６（ｃ）の工程では、同時に周辺トランジスタの
ゲート電極上にも酸化膜が形成される。次に、図６
（ｄ）に示されているように、第２のゲート電極８とな
るタングステンシリサイド層を形成し、フォトエッチン
グ工程を経て、反応性イオンエッチ装置等でエッチング
して第２のゲート電極８を形成する。
【００１２】次に、周辺トランジスタのソース、ドレイ
ンを形成する。そのために、まず、周辺トランジスタの
ソース、ドレインとなる領域の酸化膜（すなわち、第
１、第２のゲート酸化膜の２層分の酸化膜）をフッ酸等
により除去し、例えば３００Å程度の酸化膜を付け、ソ
ース・ドレイン領域１３にイオン注入によって不純物と
してリンを導入し、アニーリングを行う。その後、図６
（ｅ）に示されているように、保護絶縁膜を１００００
Åの厚さに形成し、さらに周辺部で配線として使用する
アルミニウム膜を形成して固体撮像装置を完成する。
ンを形成する。そのために、まず、周辺トランジスタの
ソース、ドレインとなる領域の酸化膜（すなわち、第
１、第２のゲート酸化膜の２層分の酸化膜）をフッ酸等
により除去し、例えば３００Å程度の酸化膜を付け、ソ
ース・ドレイン領域１３にイオン注入によって不純物と
してリンを導入し、アニーリングを行う。その後、図６
（ｅ）に示されているように、保護絶縁膜を１００００
Åの厚さに形成し、さらに周辺部で配線として使用する
アルミニウム膜を形成して固体撮像装置を完成する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の固体撮
像装置の製造方法では以下に示す欠点がある。
像装置の製造方法では以下に示す欠点がある。
【００１４】まず第１に、上記固体撮像装置プロセスで
は、第１のゲート電極形成（図６（ｂ））後に、第２の
ゲート酸化膜および第１、第２のゲート電極間酸化膜を
形成する（図６（ｃ））ための熱酸化工程を追加してい
る。しかし、タングステンシリサイド等の高融点金属を
含むゲート電極は、熱酸化時の加熱による高融点金属シ
リサイドの剥がれや熱酸化により安定な絶縁膜の形成が
困難であるという問題がある。また、これを回避する策
として、酸化膜をＣＶＤ（化学的気相成長）によって形
成する場合には、形成された酸化膜は、熱酸化によって
形成された絶縁膜に比べて絶縁膜としての特性が劣る。
図６（ｃ）、（ｄ）から明らかなように、この絶縁膜は
第２のゲート電極下のゲート絶縁膜となるので、この絶
縁膜の絶縁特性の劣化は固体撮像装置の暗電流特性等の
劣化を招くという問題がある。
は、第１のゲート電極形成（図６（ｂ））後に、第２の
ゲート酸化膜および第１、第２のゲート電極間酸化膜を
形成する（図６（ｃ））ための熱酸化工程を追加してい
る。しかし、タングステンシリサイド等の高融点金属を
含むゲート電極は、熱酸化時の加熱による高融点金属シ
リサイドの剥がれや熱酸化により安定な絶縁膜の形成が
困難であるという問題がある。また、これを回避する策
として、酸化膜をＣＶＤ（化学的気相成長）によって形
成する場合には、形成された酸化膜は、熱酸化によって
形成された絶縁膜に比べて絶縁膜としての特性が劣る。
図６（ｃ）、（ｄ）から明らかなように、この絶縁膜は
第２のゲート電極下のゲート絶縁膜となるので、この絶
縁膜の絶縁特性の劣化は固体撮像装置の暗電流特性等の
劣化を招くという問題がある。
【００１５】第２に、第２のゲート電極形成後に、周辺
トランジスタを形成するために、ＳＤ（ソースドレイ
ン）をリンまたは砒素のイオン注入によって形成する必
要がある。このとき、通常の１００ＫｅＶのイオン注入
エネルギーでＳＤの不純物領域を形成するには３００Å
以下の酸化膜厚が必要である。しかし、周辺トランジス
タ領域には第１、第２のゲート酸化膜の２層分の酸化膜
があるのでこのゲート酸化膜の除去のエッチングが必要
となる。このエッチングの時に、エッチング液に露出さ
れたタングステンシリサイドからタングステンが溶け出
たり、タングステンシリサイドが剥がれたりして、固体
撮像装置の特性悪化を引き起こす。
トランジスタを形成するために、ＳＤ（ソースドレイ
ン）をリンまたは砒素のイオン注入によって形成する必
要がある。このとき、通常の１００ＫｅＶのイオン注入
エネルギーでＳＤの不純物領域を形成するには３００Å
以下の酸化膜厚が必要である。しかし、周辺トランジス
タ領域には第１、第２のゲート酸化膜の２層分の酸化膜
があるのでこのゲート酸化膜の除去のエッチングが必要
となる。このエッチングの時に、エッチング液に露出さ
れたタングステンシリサイドからタングステンが溶け出
たり、タングステンシリサイドが剥がれたりして、固体
撮像装置の特性悪化を引き起こす。
【００１６】このように、高融点金属シリサイドを用い
た２層構造のゲート電極を使用する固体撮像装置の従来
の製造プロセスにおいては、高融点金属シリサイド電極
形成以後に酸化工程を実行し、および高融点金属シリサ
イドを露出した状態でエッチング工程を実行するので、
これらの酸化工程およびエッチング工程が固体撮像装置
の特性劣化の原因になっている。
た２層構造のゲート電極を使用する固体撮像装置の従来
の製造プロセスにおいては、高融点金属シリサイド電極
形成以後に酸化工程を実行し、および高融点金属シリサ
イドを露出した状態でエッチング工程を実行するので、
これらの酸化工程およびエッチング工程が固体撮像装置
の特性劣化の原因になっている。
【００１７】本発明の目的は、２層ゲート電極を有し、
少なくとも１層のゲート電極が高融点金属またはそのシ
リサイド層を含む固体撮像装置を用いて形成される固体
撮像装置の製造プロセスにおいて、高融点金属シリサイ
ドゲート電極形成以後には、酸化工程を追加する必要が
なく、かつ、高融点金属シリサイドゲート電極を直接ウ
ェットエッチングに曝す必要がない固体撮像装置の製造
方法を提供することにある。
少なくとも１層のゲート電極が高融点金属またはそのシ
リサイド層を含む固体撮像装置を用いて形成される固体
撮像装置の製造プロセスにおいて、高融点金属シリサイ
ドゲート電極形成以後には、酸化工程を追加する必要が
なく、かつ、高融点金属シリサイドゲート電極を直接ウ
ェットエッチングに曝す必要がない固体撮像装置の製造
方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置の
製造方法は、半導体基板上に、該半導体基板との間に第
１のゲート酸化膜を介在させて、第１のゲート電極と第
２のゲート電極とを有する電荷転送部と周辺トランジス
タ部とが形成されている固体撮像装置の製造方法であっ
て、第１のゲート酸化膜上に電荷転送部の第１のゲート
電極と周辺トランジスタ部のゲート電極とを多結晶シリ
コンを用いて同一の工程で形成し、この工程が終了後
に、周辺トランジスタ部のソース・ドレインを形成し、
周辺トランジスタ部の領域においてソース、ドレインを
形成した後に、電荷転送部の第１のゲート電極上に第２
のゲート酸化膜を形成し、第１のゲート電極との間に第
２のゲート酸化膜を介在させて、当該電荷転送部の第２
のゲート電極を高融点金属シリサイドを用いて形成す
る。
製造方法は、半導体基板上に、該半導体基板との間に第
１のゲート酸化膜を介在させて、第１のゲート電極と第
２のゲート電極とを有する電荷転送部と周辺トランジス
タ部とが形成されている固体撮像装置の製造方法であっ
て、第１のゲート酸化膜上に電荷転送部の第１のゲート
電極と周辺トランジスタ部のゲート電極とを多結晶シリ
コンを用いて同一の工程で形成し、この工程が終了後
に、周辺トランジスタ部のソース・ドレインを形成し、
周辺トランジスタ部の領域においてソース、ドレインを
形成した後に、電荷転送部の第１のゲート電極上に第２
のゲート酸化膜を形成し、第１のゲート電極との間に第
２のゲート酸化膜を介在させて、当該電荷転送部の第２
のゲート電極を高融点金属シリサイドを用いて形成す
る。
【００１９】このように、高融点金属シリサイドを含む
ゲート電極が最後に形成されるので、高融点金属シリサ
イドが露出した状態で、周辺トランジスタのソース・ド
レインを形成するための処理に曝されたり、第２のゲー
ト酸化膜の形成のための処理に曝されたりすることがな
くなり、安定な高融点金属シリサイドゲート電極を形成
することができる。
ゲート電極が最後に形成されるので、高融点金属シリサ
イドが露出した状態で、周辺トランジスタのソース・ド
レインを形成するための処理に曝されたり、第２のゲー
ト酸化膜の形成のための処理に曝されたりすることがな
くなり、安定な高融点金属シリサイドゲート電極を形成
することができる。
【００２０】本発明の方法においては、周辺トランジス
タ部のソース・ドレインを形成する工程が、フッ酸によ
るエッチングによって当該ソース・ドレイン領域の第１
のゲート酸化膜を除去する工程を含むことができる。本
発明の方法においては、周辺トランジスタ部のソース・
ドレインの形成は、多結晶シリコンゲート電極の形成以
後、高融点金属シリサイドゲート電極の形成以前に行わ
れる。したがって、周辺トランジスタ部の領域のソー
ス、ドレインを形成するとき、当該ソース・ドレイン領
域の第１のゲート酸化膜を除去するために、フッ酸によ
るエッチング処理を行っても、それによって、第１、第
２のゲート電極のいずれかの特性が劣化することはな
い。
タ部のソース・ドレインを形成する工程が、フッ酸によ
るエッチングによって当該ソース・ドレイン領域の第１
のゲート酸化膜を除去する工程を含むことができる。本
発明の方法においては、周辺トランジスタ部のソース・
ドレインの形成は、多結晶シリコンゲート電極の形成以
後、高融点金属シリサイドゲート電極の形成以前に行わ
れる。したがって、周辺トランジスタ部の領域のソー
ス、ドレインを形成するとき、当該ソース・ドレイン領
域の第１のゲート酸化膜を除去するために、フッ酸によ
るエッチング処理を行っても、それによって、第１、第
２のゲート電極のいずれかの特性が劣化することはな
い。
【００２１】本発明の方法においては、電荷転送部の第
１のゲート電極上に第２のゲート酸化膜を形成する工程
が熱酸化処理を含むことができる。熱酸化処理によって
第２のゲート酸化膜を形成する工程も高融点金属シリサ
イドゲート電極の形成以前に行われる。したがって、こ
の熱酸化処理によって高融点金属シリサイドゲート電極
の特性の劣化が生じることはない。
１のゲート電極上に第２のゲート酸化膜を形成する工程
が熱酸化処理を含むことができる。熱酸化処理によって
第２のゲート酸化膜を形成する工程も高融点金属シリサ
イドゲート電極の形成以前に行われる。したがって、こ
の熱酸化処理によって高融点金属シリサイドゲート電極
の特性の劣化が生じることはない。
【００２２】高融点金属シリサイドとしてタングステン
シリサイドを使用することが望ましい。それによって、
従来のＣＣＤの安定な高速駆動を、本発明の固体撮像装
置によっても実現することができる。
シリサイドを使用することが望ましい。それによって、
従来のＣＣＤの安定な高速駆動を、本発明の固体撮像装
置によっても実現することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００２４】図１および図２は本発明の固体撮像装置の
構造を説明するための図で、図１は本発明の固体撮像装
置の平面模式図であり、図２は図１のＢ−Ｂ’断面の断
面図である。本実施形態の固体撮像装置は２層ゲート電
極を持ち、第１層は多結晶シリコン層で形成され、第２
層は高融点金属のシリサイド層、例えばタングステンシ
リサイド層で形成される。
構造を説明するための図で、図１は本発明の固体撮像装
置の平面模式図であり、図２は図１のＢ−Ｂ’断面の断
面図である。本実施形態の固体撮像装置は２層ゲート電
極を持ち、第１層は多結晶シリコン層で形成され、第２
層は高融点金属のシリサイド層、例えばタングステンシ
リサイド層で形成される。
【００２５】図１には、第１のゲート電極１１と第２の
ゲート電極１２と遮光用アルミニウム膜（以下、遮光膜
と記述する）１０が示されている。図２の断面図におい
て、前掲の従来の固体撮像装置と同様に、Ｎ型半導体基
板１とＰ型ウェル層２とは逆バイアスされている。ま
た、受光部Ｎ型拡散層３はＰ型ウェル層２と共にフォト
ダイオードを構成する。チャンネルストッパ領域４は信
号電荷の転送路を限定する。ＣＣＤ埋込み拡散層５はゲ
ート電極に印加されたクロック信号に応答して信号電荷
を転送する伝送路を提供する。ＣＣＤ埋込み拡散層５上
には、ゲート酸化膜６を介して第１のゲート電極１１と
第２のゲート電極１２とが形成されている。第１のゲー
ト電極１１は多結晶シリコン層より成り、第２のゲート
電極１２は、タングステンシリサイド層より成る。第１
のゲート電極１１と第２のゲート電極１２とは絶縁膜を
介在させて形成されている。ＣＣＤセル部の全表面は保
護絶縁膜９によって被覆され、さらに、第１、第２のゲ
ート電極１１、１２上には遮光膜１０が形成されてい
る。
ゲート電極１２と遮光用アルミニウム膜（以下、遮光膜
と記述する）１０が示されている。図２の断面図におい
て、前掲の従来の固体撮像装置と同様に、Ｎ型半導体基
板１とＰ型ウェル層２とは逆バイアスされている。ま
た、受光部Ｎ型拡散層３はＰ型ウェル層２と共にフォト
ダイオードを構成する。チャンネルストッパ領域４は信
号電荷の転送路を限定する。ＣＣＤ埋込み拡散層５はゲ
ート電極に印加されたクロック信号に応答して信号電荷
を転送する伝送路を提供する。ＣＣＤ埋込み拡散層５上
には、ゲート酸化膜６を介して第１のゲート電極１１と
第２のゲート電極１２とが形成されている。第１のゲー
ト電極１１は多結晶シリコン層より成り、第２のゲート
電極１２は、タングステンシリサイド層より成る。第１
のゲート電極１１と第２のゲート電極１２とは絶縁膜を
介在させて形成されている。ＣＣＤセル部の全表面は保
護絶縁膜９によって被覆され、さらに、第１、第２のゲ
ート電極１１、１２上には遮光膜１０が形成されてい
る。
【００２６】図３は、本実施形態の構造を持つ固体撮像
装置の第１のゲート電極１１および第２のゲート電極１
２の形成過程を説明するプロセスフロー断面図で、図３
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）はゲート電極
形成の各段階を示す図である。図において、左にＣＣＤ
セル部の断面図を、右に周辺に作成するトランジスタの
断面図を示す。
装置の第１のゲート電極１１および第２のゲート電極１
２の形成過程を説明するプロセスフロー断面図で、図３
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）はゲート電極
形成の各段階を示す図である。図において、左にＣＣＤ
セル部の断面図を、右に周辺に作成するトランジスタの
断面図を示す。
【００２７】図６の従来方法と同様に、まず、Ｎ型半導
体基板上１にＰ型ウェル層２が形成される。受光部Ｎ型
拡散層３の下のＰ型ウェル層２ｂは、ＣＣＤの下のＰ型
ウェル層２ａに比べて不純物濃度を薄くして形成され
る。また、チャンネルストッパ領域４、ＣＣＤ埋込み拡
散層５、ゲート酸化膜６も図６の従来技術と同様に形成
される（図３（ａ）参照）。
体基板上１にＰ型ウェル層２が形成される。受光部Ｎ型
拡散層３の下のＰ型ウェル層２ｂは、ＣＣＤの下のＰ型
ウェル層２ａに比べて不純物濃度を薄くして形成され
る。また、チャンネルストッパ領域４、ＣＣＤ埋込み拡
散層５、ゲート酸化膜６も図６の従来技術と同様に形成
される（図３（ａ）参照）。
【００２８】図３（ｂ）には、第１のゲート電極１１お
よび周辺トランジスタのゲートの形成段階が示されてい
る。この段階においては、第１のゲート電極１１および
周辺トランジスタのゲート電極となる多結晶シリコン層
をゲート酸化膜６上に全面に形成し、その多結晶シリコ
ン層を、フォトエッチング工程を経て反応性イオンエッ
チ装置等でエッチングして第１のゲート電極１１を形成
する。
よび周辺トランジスタのゲートの形成段階が示されてい
る。この段階においては、第１のゲート電極１１および
周辺トランジスタのゲート電極となる多結晶シリコン層
をゲート酸化膜６上に全面に形成し、その多結晶シリコ
ン層を、フォトエッチング工程を経て反応性イオンエッ
チ装置等でエッチングして第１のゲート電極１１を形成
する。
【００２９】次に、周辺トランジスタ部のソース、ドレ
インとなる領域のゲート酸化膜をフッ酸によるエッチン
グ処理で除去し、例えば３００Å程度の酸化を行う。図
３（ｃ）において周辺トランジスタのソースドレイン領
域上の被覆は３００Å程度の酸化膜である。また、同図
において、第１のゲート電極１１および周辺トランジス
タのゲート電極上に描かれている被覆も当該３００Å程
度の酸化膜である。次に、図３（ｄ）に示されているよ
うに、ソース・ドレイン領域１３をリンあるいは砒素の
イオン注入で形成する。次に、熱酸化処理によって、第
２のゲート酸化膜および第１のゲート電極１１と第２の
ゲート電極との間の絶縁膜を形成する。次に、図３
（ｅ）に示されている第２のゲート電極１２を形成する
ためにタングステンシリサイド層を形成する。このタン
グステンシリサイド層は、フォトエッチング工程を経
て、反応性イオンエッチ装置等でエッチングされ、それ
によって第２のゲート電極１２が形成される。その後、
保護膜および遮光用アルミニウム膜を形成して固体撮像
装置を完成する。
インとなる領域のゲート酸化膜をフッ酸によるエッチン
グ処理で除去し、例えば３００Å程度の酸化を行う。図
３（ｃ）において周辺トランジスタのソースドレイン領
域上の被覆は３００Å程度の酸化膜である。また、同図
において、第１のゲート電極１１および周辺トランジス
タのゲート電極上に描かれている被覆も当該３００Å程
度の酸化膜である。次に、図３（ｄ）に示されているよ
うに、ソース・ドレイン領域１３をリンあるいは砒素の
イオン注入で形成する。次に、熱酸化処理によって、第
２のゲート酸化膜および第１のゲート電極１１と第２の
ゲート電極との間の絶縁膜を形成する。次に、図３
（ｅ）に示されている第２のゲート電極１２を形成する
ためにタングステンシリサイド層を形成する。このタン
グステンシリサイド層は、フォトエッチング工程を経
て、反応性イオンエッチ装置等でエッチングされ、それ
によって第２のゲート電極１２が形成される。その後、
保護膜および遮光用アルミニウム膜を形成して固体撮像
装置を完成する。
【００３０】この固体撮像装置の製造方法では、タング
ステンシリサイド層を形成して以降、酸化工程は必要が
なく、またタングステンシリサイド層が直接フッ酸等の
液に触れることによる特性劣化も回避され、良好な特性
を持つ固体撮像装置を実現することができる。
ステンシリサイド層を形成して以降、酸化工程は必要が
なく、またタングステンシリサイド層が直接フッ酸等の
液に触れることによる特性劣化も回避され、良好な特性
を持つ固体撮像装置を実現することができる。
【００３１】また、多結晶シリコン電極に比べて低抵抗
化が可能な高融点金属のシリサイドを使用することによ
って、従来のＣＣＤセルに劣らない安定な高速駆動を、
本発明の固体撮像装置においても実現することができ
る。
化が可能な高融点金属のシリサイドを使用することによ
って、従来のＣＣＤセルに劣らない安定な高速駆動を、
本発明の固体撮像装置においても実現することができ
る。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、高融点金
属のシリサイドを第２のゲート電極として使用すること
により、熱酸化処理およびウェットエッチングに起因す
る固体撮像装置の特性の劣化を生じることなく、従来の
固体撮像装置に劣らない特性を持つ固体撮像装置を容易
に実現することができる効果を有する。
属のシリサイドを第２のゲート電極として使用すること
により、熱酸化処理およびウェットエッチングに起因す
る固体撮像装置の特性の劣化を生じることなく、従来の
固体撮像装置に劣らない特性を持つ固体撮像装置を容易
に実現することができる効果を有する。
【図１】本発明における固体撮像装置の平面模式図
【図２】本発明における固体撮像装置の断面図
【図３】本発明における固体撮像装置のプロセスフロー
断面図
断面図
【図４】従来例における固体撮像装置の平面模式図
【図５】従来例における固体撮像装置の断面図
【図６】従来例における固体撮像装置のプロセスフロー
断面図
断面図
１ Ｎ型半導体基板 ２ Ｐ型ウェル層 ３ 受光部Ｎ型拡散層 ４ チャンネルストッパ領域 ５ ＣＣＤ埋込み拡散層 ６ ゲート酸化膜 ７，１１ 第１のゲート電極 ８，１２ 第２のゲート電極 ９ 保護絶縁膜 １０ 遮光膜（遮光用アルミニウム膜） １３ ソース・ドレイン領域
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上に、該半導体基板との間に
第１のゲート酸化膜を介在させて、第１のゲート電極と
第２のゲート電極とを有する電荷転送部と周辺トランジ
スタ部とが形成されている固体撮像装置の製造方法にお
いて、 第１のゲート酸化膜上に電荷転送部の第１のゲート電極
と周辺トランジスタ部のゲート電極とを多結晶シリコン
を用いて形成し、 前記周辺トランジスタ部のソース・ドレインを形成し、 周辺トランジスタ部の領域においてソース、ドレインを
形成した後に、電荷転送部の第１のゲート電極上に第２
のゲート酸化膜を形成し、第１のゲート電極との間に第
２のゲート酸化膜を介在させて、当該電荷転送部の第２
のゲート電極を高融点金属シリサイドを用いて形成する
ことを特徴とする、固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記周辺トランジスタ部のソース・ドレ
インを形成する工程が、当該ソース・ドレイン領域の第
１のゲート酸化膜をフッ酸によるエッチングによって除
去する工程を含んでいる、請求項１に記載の固体撮像装
置の製造方法。 - 【請求項３】 前記電荷転送部の第１のゲート電極上に
第２のゲート酸化膜を形成する工程が熱酸化処理を含ん
でいる、請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記高融点金属シリサイドがタングステ
ンシリサイドである、請求項１に記載の固体撮像装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8150800A JP2773739B2 (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8150800A JP2773739B2 (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09331057A JPH09331057A (ja) | 1997-12-22 |
| JP2773739B2 true JP2773739B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=15504711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8150800A Expired - Fee Related JP2773739B2 (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773739B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4797302B2 (ja) * | 2001-09-06 | 2011-10-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP4039234B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2008-01-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその電荷転送方法 |
-
1996
- 1996-06-12 JP JP8150800A patent/JP2773739B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09331057A (ja) | 1997-12-22 |
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