JPS59163860A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS59163860A JPS59163860A JP58037405A JP3740583A JPS59163860A JP S59163860 A JPS59163860 A JP S59163860A JP 58037405 A JP58037405 A JP 58037405A JP 3740583 A JP3740583 A JP 3740583A JP S59163860 A JPS59163860 A JP S59163860A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- solid
- state image
- photodiode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は固体撮像素子、特にい比を向上させた固体撮像
素子に関する本のである。
素子に関する本のである。
第１図は従来より用いられている固体撮像素子の一例を
示す要部断面構成図である。同図において、ｐ形牛導体
基板ｌ上にｎ形のソース２およびドレイ、ン３ならびに
ゲート電極今からなるＭＯＳトランジスタ群が構成され
ている。そして、前記ソース２はｐ形半導体基板１とと
もに、フォトダイオード５をも構成しており、この７オ
トダイオード５と前記ＭＯ８）ランジスタとからなる各
光電変換素子は、フィールド酸化膜６および層間絶縁膜
７．８によシ互いに絶縁されるとともに、ＡＩ配線９に
よって接続されている。また、フォトダイオード５の上
方に対応する層間絶縁膜８上の一部にはＡＩ膜ＩＯが設
けられている。
示す要部断面構成図である。同図において、ｐ形牛導体
基板ｌ上にｎ形のソース２およびドレイ、ン３ならびに
ゲート電極今からなるＭＯＳトランジスタ群が構成され
ている。そして、前記ソース２はｐ形半導体基板１とと
もに、フォトダイオード５をも構成しており、この７オ
トダイオード５と前記ＭＯ８）ランジスタとからなる各
光電変換素子は、フィールド酸化膜６および層間絶縁膜
７．８によシ互いに絶縁されるとともに、ＡＩ配線９に
よって接続されている。また、フォトダイオード５の上
方に対応する層間絶縁膜８上の一部にはＡＩ膜ＩＯが設
けられている。
このように構成された固体撮像素子において、ＡＩ膜ｌ
Ｏを設けることによシ、ｐ形半導体基板ｌとソース２と
によって構成されるフォトダイオード５に入り込む入射
光に対してダークレベル検出用としての遮光膜とする構
造がとられている。
Ｏを設けることによシ、ｐ形半導体基板ｌとソース２と
によって構成されるフォトダイオード５に入り込む入射
光に対してダークレベル検出用としての遮光膜とする構
造がとられている。
しかしながら、前記Ａｌ膜１０は、膜厚を厚く形成する
と、十分な遮光効果が得られる反面、その上面にフィル
タが被着形成しにくくなるなどの欠点があり、膜厚には
限度があった。また、フィルタの接着性を向上させるた
めに膜厚を薄く形成すると、鐘光効果が低下し、暗電流
補正を十分に行なうことができず、色再現性の悪い画像
となる欠点があった。
と、十分な遮光効果が得られる反面、その上面にフィル
タが被着形成しにくくなるなどの欠点があり、膜厚には
限度があった。また、フィルタの接着性を向上させるた
めに膜厚を薄く形成すると、鐘光効果が低下し、暗電流
補正を十分に行なうことができず、色再現性の悪い画像
となる欠点があった。
したがって本発明は前述した従来の欠点に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、遮光膜の膜厚
を厚くするとと々く、集用上十分な遮光効果が得られる
固体撮像素子を提供することにある。
たものであり、その目的とするところは、遮光膜の膜厚
を厚くするとと々く、集用上十分な遮光効果が得られる
固体撮像素子を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、層間絶縁膜
上の遮光膜と対応するフォトダイオード上の該層間絶縁
膜間に、ポリシリコン膜からなる遮光膜を設けたもので
ある。
上の遮光膜と対応するフォトダイオード上の該層間絶縁
膜間に、ポリシリコン膜からなる遮光膜を設けたもので
ある。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図は本発明による固体撮像素子の一例を示すための
第１図に相当する要部断面構成図であり、第１図と同記
号は同一要素となるのでその説明は省略する。同図にお
いて、最上面の層間絶縁膜８上に形成された迩光用ＡＩ
膜１０と対応するフォトダイオード５上の層間絶縁膜７
ａと７ｂとの間には、ポリシリコン膜１１が被着形成さ
れている。
第１図に相当する要部断面構成図であり、第１図と同記
号は同一要素となるのでその説明は省略する。同図にお
いて、最上面の層間絶縁膜８上に形成された迩光用ＡＩ
膜１０と対応するフォトダイオード５上の層間絶縁膜７
ａと７ｂとの間には、ポリシリコン膜１１が被着形成さ
れている。
つまり、層間絶縁膜８上に形成されたＡＩ膜１０と、層
間絶縁膜７ａと７ｂとの間に形成されたポリシリコン膜
１１とを組合せて遮光膜を構成し、画素に対する既光画
素としだものである。
間絶縁膜７ａと７ｂとの間に形成されたポリシリコン膜
１１とを組合せて遮光膜を構成し、画素に対する既光画
素としだものである。
このように構成された固体撮像素子において、層間絶縁
膜７ａと７ｂとの間にポリシリコン膜１１を被着して遮
光膜を形成したことによって、このポリシリコン膜１１
は光透過性が可視光域（短波長側）では皆無に等しいの
でその分だけ遮光効果を大幅に向上させることができる
。この場合、発明者の実験によると、ポリシリコン膜１
１を膜厚約３５０ＯＡの厚さで形成した場合、従来０Ａ
ｌｈλ１０（第１図参照）のみによる趣光膜に比べて２
倍以上の遮光効率を得ることができた。
膜７ａと７ｂとの間にポリシリコン膜１１を被着して遮
光膜を形成したことによって、このポリシリコン膜１１
は光透過性が可視光域（短波長側）では皆無に等しいの
でその分だけ遮光効果を大幅に向上させることができる
。この場合、発明者の実験によると、ポリシリコン膜１
１を膜厚約３５０ＯＡの厚さで形成した場合、従来０Ａ
ｌｈλ１０（第１図参照）のみによる趣光膜に比べて２
倍以上の遮光効率を得ることができた。
このような構成において、遮光されたフォトダイオード
から出力される暗電流成分は、精度が高く、この信号で
受光部から出力される信号を減算すれば、色再現性の極
めて良好な画像が得られる。
から出力される暗電流成分は、精度が高く、この信号で
受光部から出力される信号を減算すれば、色再現性の極
めて良好な画像が得られる。
なお、前述した実加例においては、光電変検素 ３−
子のゲート電極４を一層のポリシリコン膜で形成してな
るＭＯ８方式の固体撮像素子にポリシリコン膜からなる
遮光膜を設けた場合について説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、半導体基板上にゲート電極
を二層にわたって形成する例えばＣＣＤ方式の固体撮像
素子に適用しても前述と全く同勢の効果が得られること
は勿論である。この場合、遮光膜は二層の電極形成のう
ち、いずれか一方の工程で同時に設けることができるの
で、遮光膜形成のための新たな工程数の増加は全くない
。
るＭＯ８方式の固体撮像素子にポリシリコン膜からなる
遮光膜を設けた場合について説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、半導体基板上にゲート電極
を二層にわたって形成する例えばＣＣＤ方式の固体撮像
素子に適用しても前述と全く同勢の効果が得られること
は勿論である。この場合、遮光膜は二層の電極形成のう
ち、いずれか一方の工程で同時に設けることができるの
で、遮光膜形成のための新たな工程数の増加は全くない
。
以上説明したように本発明によれば、遮光効率の高いフ
ォトダイオードが得られるので、色再現性が極めて良好
でシ伽比の高い画像が得られるという極めて優れた効果
を有する。
ォトダイオードが得られるので、色再現性が極めて良好
でシ伽比の高い画像が得られるという極めて優れた効果
を有する。
第１図は従来の固体撮像素子の一例を示す要部断面構成
図、第２図は本発明による固体撮像素子の一例を示す要
部断面構成図である。 ４− １・・・・ｐ形半導体基板、２・・・・ソース、３・・
・・ドレイン、４・・・・ゲート電極、５・・・・フォ
トダイオード、６・・・・フィールド酸化膜１．７ 、
７ａ、７ｂ 、 ８・・・・層間絶縁膜、９・・・・Ａ
Ｉ配線、ＩＯ・・・・ＡＩ膜、ｌｌ・・・・ポリシリコ
ン膜。
図、第２図は本発明による固体撮像素子の一例を示す要
部断面構成図である。 ４− １・・・・ｐ形半導体基板、２・・・・ソース、３・・
・・ドレイン、４・・・・ゲート電極、５・・・・フォ
トダイオード、６・・・・フィールド酸化膜１．７ 、
７ａ、７ｂ 、 ８・・・・層間絶縁膜、９・・・・Ａ
Ｉ配線、ＩＯ・・・・ＡＩ膜、ｌｌ・・・・ポリシリコ
ン膜。
Claims (1)
- 半導体基板上にフォトダイオードを形成してなる固体撮
像素子において、前記フォトダイオード上の層間絶縁膜
内に、ダークレベル検出用のポリシリコン膜からなる遮
光膜を設けたことを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58037405A JPS59163860A (ja) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58037405A JPS59163860A (ja) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59163860A true JPS59163860A (ja) | 1984-09-14 |
Family
ID=12496613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58037405A Pending JPS59163860A (ja) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59163860A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63316471A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-23 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPS6413734U (ja) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | ||
| JPS6424860U (ja) * | 1987-08-03 | 1989-02-10 | ||
| US7667749B2 (en) | 2003-12-31 | 2010-02-23 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | Image sensor having a partial light-shielding layer and method for fabricating the same |
-
1983
- 1983-03-09 JP JP58037405A patent/JPS59163860A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63316471A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-23 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPS6413734U (ja) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | ||
| JPS6424860U (ja) * | 1987-08-03 | 1989-02-10 | ||
| US7667749B2 (en) | 2003-12-31 | 2010-02-23 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | Image sensor having a partial light-shielding layer and method for fabricating the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7760254B2 (en) | Single plate-type color solid-state image sensing device | |
| JPS5941351B2 (ja) | カラ−用固体撮像素子 | |
| JP5429208B2 (ja) | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール | |
| US5237185A (en) | Image pickup apparatus with different gate thicknesses | |
| JP4779304B2 (ja) | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール | |
| JP2710292B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS59163860A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS6173033A (ja) | カラ−感光装置 | |
| JPH0416948B2 (ja) | ||
| JPS59178769A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6089967A (ja) | 光電変換素子 | |
| JPS6348234B2 (ja) | ||
| JPH01220862A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH02143560A (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
| JPS63164270A (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
| JPH0794699A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS62206878A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS6345856A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0430577A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS61148870A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH02156670A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH10294446A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS63266872A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS63285969A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH06236986A (ja) | 赤外線固体撮像素子 |