JPS5941351B2 - カラ−用固体撮像素子 - Google Patents
カラ−用固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS5941351B2 JPS5941351B2 JP51108785A JP10878576A JPS5941351B2 JP S5941351 B2 JPS5941351 B2 JP S5941351B2 JP 51108785 A JP51108785 A JP 51108785A JP 10878576 A JP10878576 A JP 10878576A JP S5941351 B2 JPS5941351 B2 JP S5941351B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- color
- light
- photoelectric conversion
- conductive film
- state image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 3
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 3
- 102100031649 Cytochrome c oxidase subunit 6B1 Human genes 0.000 description 2
- 101000922367 Homo sapiens Cytochrome c oxidase subunit 6B1 Proteins 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
- H01L27/14843—Interline transfer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
- H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はカラー用固体撮像素子特に各原色に対する検出
光量範囲を等しく、Ｓ ／Ｎ比および解像力を高くした
ものに関する。
光量範囲を等しく、Ｓ ／Ｎ比および解像力を高くした
ものに関する。
固体撮像素子は現在テレビジョン放送に用いられている
撮像管と同程度の解像力を有することが望まれ、白黒用
でも５００×５００個の光電変換素子およびそれに対す
るｘ、ｙ座標選択用のスイッチまたスイッチを開閉する
５００段ずつのｘ走査回路およびｙ走査回路が必要とな
る。
撮像管と同程度の解像力を有することが望まれ、白黒用
でも５００×５００個の光電変換素子およびそれに対す
るｘ、ｙ座標選択用のスイッチまたスイッチを開閉する
５００段ずつのｘ走査回路およびｙ走査回路が必要とな
る。
しかし一方では製造技術、材料などの面から固体撮像素
子ＩＣのチップサイズは制限される。したがつて通常は
固体撮像素子は高集積密度の得られるシリコンＭＯＳ集
積回路技術を用いて作られる。ＭＯＳ構造の場合、光電
変換素子に蓄積された電荷を、走査信号に応じて画像信
号として送出する際のスイッチとして使用するＭＯＳ電
界効果トランジスタ（以後ＭＯＳＴと略記）のソース接
合を光ダイオードとして利用できるため、光電変換素子
とスイッチとを一体化して製作できるという大きな利点
が得られ、また製作歩留りも高い。しかしシリコンを母
体とした光電変換素子は可視光感度が低く、カラー撮像
用としては下記の様な重大な問題点を有している。（ａ
）シリコンの光学吸収端は波長にして９０００Ａにあり
、赤外領域での光感度は高いが、通常の撮像に必要な可
視光領域（４５００λ〜６６００λ）、特に青色領域（
４５００λ）での光感度は著しく低い。
子ＩＣのチップサイズは制限される。したがつて通常は
固体撮像素子は高集積密度の得られるシリコンＭＯＳ集
積回路技術を用いて作られる。ＭＯＳ構造の場合、光電
変換素子に蓄積された電荷を、走査信号に応じて画像信
号として送出する際のスイッチとして使用するＭＯＳ電
界効果トランジスタ（以後ＭＯＳＴと略記）のソース接
合を光ダイオードとして利用できるため、光電変換素子
とスイッチとを一体化して製作できるという大きな利点
が得られ、また製作歩留りも高い。しかしシリコンを母
体とした光電変換素子は可視光感度が低く、カラー撮像
用としては下記の様な重大な問題点を有している。（ａ
）シリコンの光学吸収端は波長にして９０００Ａにあり
、赤外領域での光感度は高いが、通常の撮像に必要な可
視光領域（４５００λ〜６６００λ）、特に青色領域（
４５００λ）での光感度は著しく低い。
本願発明者が、青色（４５００入）、緑色（５５００λ
）、赤色（６６００λ）用の３個のシリコンＭＯＳ構造
の固体撮像素子を使用した３板式カラーカメラを試作し
た結果、青用素子の感度は感度の高い赤用素子感度の約
％、緑用素子の感度は赤用素子感度の約％であることが
判明した。光によつて発生した電荷は光ダイオードの接
合容量に蓄積し、所定の周期（ＮＴＳＣ方式では３０Ｈ
ｚ）で読出される。赤色用の光ダイオードで容量に一杯
の電荷が蓄積された場合、緑色用の光ダイオードでは容
量の％、青色用光ダイオードでは容量の％しか信号用電
荷が蓄積されない。したがつて青色用素子のＳ／Ｎ比が
著しく低く実用上大きな支障を生ずることがある。他方
青色用素子で信号電荷がダイオード容量一杯になるよう
にしてＳ／Ｎ比の向上をはかると、赤色素子ではダイオ
ード容量の４倍、緑色素子ではダイオード容量の２倍の
電荷が、ダイオード容量に収容し切れないため周囲にあ
ふれ出し、赤用、緑用の素子では解像力の低下を招くと
いう問題が生ずる。（ｂ）赤色以上の長波長光すなわち
赤外光も入射し不必要な電荷を発生する。
）、赤色（６６００λ）用の３個のシリコンＭＯＳ構造
の固体撮像素子を使用した３板式カラーカメラを試作し
た結果、青用素子の感度は感度の高い赤用素子感度の約
％、緑用素子の感度は赤用素子感度の約％であることが
判明した。光によつて発生した電荷は光ダイオードの接
合容量に蓄積し、所定の周期（ＮＴＳＣ方式では３０Ｈ
ｚ）で読出される。赤色用の光ダイオードで容量に一杯
の電荷が蓄積された場合、緑色用の光ダイオードでは容
量の％、青色用光ダイオードでは容量の％しか信号用電
荷が蓄積されない。したがつて青色用素子のＳ／Ｎ比が
著しく低く実用上大きな支障を生ずることがある。他方
青色用素子で信号電荷がダイオード容量一杯になるよう
にしてＳ／Ｎ比の向上をはかると、赤色素子ではダイオ
ード容量の４倍、緑色素子ではダイオード容量の２倍の
電荷が、ダイオード容量に収容し切れないため周囲にあ
ふれ出し、赤用、緑用の素子では解像力の低下を招くと
いう問題が生ずる。（ｂ）赤色以上の長波長光すなわち
赤外光も入射し不必要な電荷を発生する。
赤外光に対するシリコンの吸収係数が小さいため赤外光
はシリコン基板の内部深くまで侵入し、そこで発生した
電荷が入射位置のダイオードばかりでなく、周囲のダイ
オードへも拡散し、（ａ）項の終りで述べたのと同様な
解像力の低下を招いている。また上記のように３原色に
それぞれ別の撮像素子を用いた場合には、光学系もある
程度３原色ごとに別にする必要があり装置が大形化し、
３原色画像を正しく重ね合わせるために３枚の撮像素子
の位置合わせという困難な作業が生じ、カメラ全体の価
格が高くなる。
はシリコン基板の内部深くまで侵入し、そこで発生した
電荷が入射位置のダイオードばかりでなく、周囲のダイ
オードへも拡散し、（ａ）項の終りで述べたのと同様な
解像力の低下を招いている。また上記のように３原色に
それぞれ別の撮像素子を用いた場合には、光学系もある
程度３原色ごとに別にする必要があり装置が大形化し、
３原色画像を正しく重ね合わせるために３枚の撮像素子
の位置合わせという困難な作業が生じ、カメラ全体の価
格が高くなる。
本発明の目的は前記のような従来の固体撮像素子の欠点
を除き、１個の固体撮像素子だけでカラーカメラが作れ
、しかもＳ／Ｎ比および解像力の高いカラー画像の得ら
れるカラー用固体撮像素子を提供することを目的とする
。
を除き、１個の固体撮像素子だけでカラーカメラが作れ
、しかもＳ／Ｎ比および解像力の高いカラー画像の得ら
れるカラー用固体撮像素子を提供することを目的とする
。
上記の目的を達成するために本発明においては、各原色
に対する光電変換素子に、それぞれその原色に対する光
電変換効率（光感度）に適した信号電荷蓄積容量を与え
、さらに不必要な赤外光の入射を防ぐようにした。
に対する光電変換素子に、それぞれその原色に対する光
電変換効率（光感度）に適した信号電荷蓄積容量を与え
、さらに不必要な赤外光の入射を防ぐようにした。
具体的にはたとえば赤、緑、青用光電変換素子の電荷蓄
積容量の比を５：３：１にするとか、あるいは光電変換
素子の受光側に絶縁酸化膜を介して設けた多結晶シリコ
ンの半透明導電膜を、実際に光電変換作用を行う光ダイ
オードに到達する光量を各原色素子ごとに調節するフイ
ルタとして用いるために、赤色素子には厚く、青色素子
には薄くし、各原色素子で１走査周期間中に発生する電
荷の総量が等しくなるようにした。さらに上記のように
した各原色に対する光電変換素子を１個ずつ隣接してな
らべたものを構成単位として同一半導体基板上に、線状
あるいは平板状に配列してカラー化を１個の固体撮像素
子で行えるようにした。第１図は本発明の第１実施例図
で、同図ａは断面構造図、ｂは平面パターン図、ｃは全
体の構成を示す平面図である。
積容量の比を５：３：１にするとか、あるいは光電変換
素子の受光側に絶縁酸化膜を介して設けた多結晶シリコ
ンの半透明導電膜を、実際に光電変換作用を行う光ダイ
オードに到達する光量を各原色素子ごとに調節するフイ
ルタとして用いるために、赤色素子には厚く、青色素子
には薄くし、各原色素子で１走査周期間中に発生する電
荷の総量が等しくなるようにした。さらに上記のように
した各原色に対する光電変換素子を１個ずつ隣接してな
らべたものを構成単位として同一半導体基板上に、線状
あるいは平板状に配列してカラー化を１個の固体撮像素
子で行えるようにした。第１図は本発明の第１実施例図
で、同図ａは断面構造図、ｂは平面パターン図、ｃは全
体の構成を示す平面図である。
同図において１は素子を集積化する第１導電形（例えば
ｎ形）のシリコン半導体基板である。領域Ｒ，Ｇ，Ｂは
赤、緑、青用にふりわけた光電変換素子であつて、これ
ら３素子が単位となつてマトリクス状に周期的に配列さ
れる。各光電変換素子において、２は絶縁酸化膜３を介
して設けたゲート電極、４および５は、それぞれ基板と
反対の第２導電形（例えばｐ形）の不純物層で形成した
ドレインおよびソースである。ソース不純物層が基板と
の間に形成する接合（例えばＰｎ接合）は光電変換用の
光ダイオード５（ソース接合が光ダイオード接合を兼ね
、かつ混乱も生じないから、ソースと光ダイオードに以
後同一符号を用いる）として使用し、５−Ｒは赤用、５
−Ｇは緑用、５−Ｂは青用の光ダイオードとなる。６は
絶縁酸化膜３を介して光ダイオードの全面または一部分
を覆うように設けた透明の導電膜であつて、６−Ｒは赤
用、６−Ｇは緑用である。
ｎ形）のシリコン半導体基板である。領域Ｒ，Ｇ，Ｂは
赤、緑、青用にふりわけた光電変換素子であつて、これ
ら３素子が単位となつてマトリクス状に周期的に配列さ
れる。各光電変換素子において、２は絶縁酸化膜３を介
して設けたゲート電極、４および５は、それぞれ基板と
反対の第２導電形（例えばｐ形）の不純物層で形成した
ドレインおよびソースである。ソース不純物層が基板と
の間に形成する接合（例えばＰｎ接合）は光電変換用の
光ダイオード５（ソース接合が光ダイオード接合を兼ね
、かつ混乱も生じないから、ソースと光ダイオードに以
後同一符号を用いる）として使用し、５−Ｒは赤用、５
−Ｇは緑用、５−Ｂは青用の光ダイオードとなる。６は
絶縁酸化膜３を介して光ダイオードの全面または一部分
を覆うように設けた透明の導電膜であつて、６−Ｒは赤
用、６−Ｇは緑用である。
ただし本実施例では後に説明するような理由で青用の導
電膜は設けない。前記導電膜には電圧７（例えば接地電
圧０Ｖでもよい）が共通に印加され所定の電圧に固定さ
れる。８はドレイン４に接触した信号出力線であり、ゲ
ート電極２に走査パルスが印加されると、ダイオード５
に蓄積されていた電荷が光量をあられす信号として送出
される。
電膜は設けない。前記導電膜には電圧７（例えば接地電
圧０Ｖでもよい）が共通に印加され所定の電圧に固定さ
れる。８はドレイン４に接触した信号出力線であり、ゲ
ート電極２に走査パルスが印加されると、ダイオード５
に蓄積されていた電荷が光量をあられす信号として送出
される。
９は光電変換素子間の分離を行うフイールド絶縁酸化膜
である。
である。
本構造０撮像素子は周知のＭＯＳ製作工程に導電膜形成
の工程を付加することにより簡単に製作することができ
る。同図ｂは同図ａに断面構造を示した光電変換素子の
平面パターン図で、１０−Ｒ，ｌＯ−Ｇ，ｌＯ−Ｂは光
ダイオードのレイアウトパターン、１１−Ｒ，ｌｌ−Ｇ
は導電膜のレイアウトパターンである。同図ｃは全体の
構成を示す平面図で同図Ａ，ｂに示したＲ，Ｇ，Ｂから
なる構成単位がＸｙ二次元方向に配置されている。光ダ
イオードはそれぞれ厚い絶縁酸化膜９によつて互いに分
離されているので、光ダイオードを覆う導電膜６はダイ
オードごとに分離する必要はなく帯状にまとめることが
できる。さらにこの帯状にならべられた導電膜は光ダイ
オード領域の上部（下部でもよい）でつながつており、
本導電膜の一端に前記電圧７が印加される。さらに本発
明に係る光電変換素子につき説明する。ソース５は基板
との間に接合形ダイオードを形成し、赤、緑、青用の各
ダイオードは接合容量ＣＪＲ，ＣＪＧ，ＣＪＢを有する
。これらの容量は、接合面積、すなわち同図ｂに示した
各ダイオードのレイアウトパターン面積が同じであるか
ら同一容量値ＣＪ（ＣＪＯ＝ＣＪＧ−ＣＪＢ＝ＣＪ）を
有する。導電膜６は所定の電圧に固定されるので、導電
膜６はソース５との間に絶縁酸化膜容量ＣＯｘを形成し
、赤用導電膜６−Ｒは容量値ＣＯＸＲ、緑用導電膜６−
Ｇは容量値ＣＯＸＧを有する。各酸化膜容量値ＣＯＸＲ
，ＣＯＸＧは酸化膜の膜厚ＤＯｘと誘電率ε０ｘおよび
導電膜とダイオードの重なり面積ＳＢ．（赤用）、ＳＧ
（緑用）によつて定まり、次式によつて与えられる。し
たがつて、それぞれの光電変換素子の有する全容量は接
合容量ＣＪと酸化膜容量ＣＯｘとが加わつたものとなり
、赤、緑、青の光電変換素子が有する容量ＣＲ．，ＣＧ
，ＣＢは次式で表わされる。
の工程を付加することにより簡単に製作することができ
る。同図ｂは同図ａに断面構造を示した光電変換素子の
平面パターン図で、１０−Ｒ，ｌＯ−Ｇ，ｌＯ−Ｂは光
ダイオードのレイアウトパターン、１１−Ｒ，ｌｌ−Ｇ
は導電膜のレイアウトパターンである。同図ｃは全体の
構成を示す平面図で同図Ａ，ｂに示したＲ，Ｇ，Ｂから
なる構成単位がＸｙ二次元方向に配置されている。光ダ
イオードはそれぞれ厚い絶縁酸化膜９によつて互いに分
離されているので、光ダイオードを覆う導電膜６はダイ
オードごとに分離する必要はなく帯状にまとめることが
できる。さらにこの帯状にならべられた導電膜は光ダイ
オード領域の上部（下部でもよい）でつながつており、
本導電膜の一端に前記電圧７が印加される。さらに本発
明に係る光電変換素子につき説明する。ソース５は基板
との間に接合形ダイオードを形成し、赤、緑、青用の各
ダイオードは接合容量ＣＪＲ，ＣＪＧ，ＣＪＢを有する
。これらの容量は、接合面積、すなわち同図ｂに示した
各ダイオードのレイアウトパターン面積が同じであるか
ら同一容量値ＣＪ（ＣＪＯ＝ＣＪＧ−ＣＪＢ＝ＣＪ）を
有する。導電膜６は所定の電圧に固定されるので、導電
膜６はソース５との間に絶縁酸化膜容量ＣＯｘを形成し
、赤用導電膜６−Ｒは容量値ＣＯＸＲ、緑用導電膜６−
Ｇは容量値ＣＯＸＧを有する。各酸化膜容量値ＣＯＸＲ
，ＣＯＸＧは酸化膜の膜厚ＤＯｘと誘電率ε０ｘおよび
導電膜とダイオードの重なり面積ＳＢ．（赤用）、ＳＧ
（緑用）によつて定まり、次式によつて与えられる。し
たがつて、それぞれの光電変換素子の有する全容量は接
合容量ＣＪと酸化膜容量ＣＯｘとが加わつたものとなり
、赤、緑、青の光電変換素子が有する容量ＣＲ．，ＣＧ
，ＣＢは次式で表わされる。
接合容量ＣＪは使用する基板の不純物濃度にもよるが一
般に酸化膜容量ＣＯｘより小さく、ＭＯＳ製作工程で最
も一般的に使用される不純物濃度１０１５／Ｃｄの半導
体基板、酸化膜厚ＤＯｘｌＯＯＯλの場合、ＣＪはＣＯ
ｘの％となる、ただし、このＣＯｘは導電膜６が光ダイ
オードの全面に設けられている時の値すなわちＣＯＸＲ
である。ここで重なり面積を第１図Ｂ，ｃに示したよう
に、緑用のを赤用の場合の半分にすれば、各光電変換素
子の容量比はＣＲ：ＣＧ：ＣＢ＝５：３：１となる。こ
の比は前述した赤、緑、青の光電変換素子の光感度の比
に等しい。その結果各色光電変換素子の蓄積容量に電荷
を満杯とする光量を赤、緑、青の３素子とも同一にする
ことができ、蓄積容量に対し電荷が過少なための低Ｓ／
Ｎ比、発生する電荷総量に対し蓄積容量過少で電荷が周
囲にあふれ出るための解像度の低下などの問題を解決で
きるほか、カメラのシステム設計が非常に簡単になると
いう大きな利点が出てくる。前記の導電膜は、透明、半
透明いずれでも容量の増加に有効であるが、さらに赤外
光を吸収するような材料を用いれば、カラー撮像にとつ
て不要であり、前述のように解像力低下の原因となる赤
外光吸収のフイルタとしての役割を兼ねることが可能に
なる。導電膜材料として半導体集積回路製作においてよ
く用いられる多結晶シリコンを用いれば、ＭＯＳ集積回
路に適しており製作上の問題が無いだけでなく、赤外光
を吸収するので、赤外フイルタを兼ねたものとなる。フ
イルタとしての吸収量は多結晶シリコンの膜厚によつて
必要な値に制御することができ、また赤外光によつて膜
中に発生した電荷も、印加してある電圧によつて常時吸
収されるので、導電膜は常に印加電圧に固定されること
になり問題を生じない。なお、上述の説明では説明の複
雑さを避けるため一番簡単な構成、すなわち赤、緑、青
用光電変換素子をストライプ状に並べた例を用いた。
般に酸化膜容量ＣＯｘより小さく、ＭＯＳ製作工程で最
も一般的に使用される不純物濃度１０１５／Ｃｄの半導
体基板、酸化膜厚ＤＯｘｌＯＯＯλの場合、ＣＪはＣＯ
ｘの％となる、ただし、このＣＯｘは導電膜６が光ダイ
オードの全面に設けられている時の値すなわちＣＯＸＲ
である。ここで重なり面積を第１図Ｂ，ｃに示したよう
に、緑用のを赤用の場合の半分にすれば、各光電変換素
子の容量比はＣＲ：ＣＧ：ＣＢ＝５：３：１となる。こ
の比は前述した赤、緑、青の光電変換素子の光感度の比
に等しい。その結果各色光電変換素子の蓄積容量に電荷
を満杯とする光量を赤、緑、青の３素子とも同一にする
ことができ、蓄積容量に対し電荷が過少なための低Ｓ／
Ｎ比、発生する電荷総量に対し蓄積容量過少で電荷が周
囲にあふれ出るための解像度の低下などの問題を解決で
きるほか、カメラのシステム設計が非常に簡単になると
いう大きな利点が出てくる。前記の導電膜は、透明、半
透明いずれでも容量の増加に有効であるが、さらに赤外
光を吸収するような材料を用いれば、カラー撮像にとつ
て不要であり、前述のように解像力低下の原因となる赤
外光吸収のフイルタとしての役割を兼ねることが可能に
なる。導電膜材料として半導体集積回路製作においてよ
く用いられる多結晶シリコンを用いれば、ＭＯＳ集積回
路に適しており製作上の問題が無いだけでなく、赤外光
を吸収するので、赤外フイルタを兼ねたものとなる。フ
イルタとしての吸収量は多結晶シリコンの膜厚によつて
必要な値に制御することができ、また赤外光によつて膜
中に発生した電荷も、印加してある電圧によつて常時吸
収されるので、導電膜は常に印加電圧に固定されること
になり問題を生じない。なお、上述の説明では説明の複
雑さを避けるため一番簡単な構成、すなわち赤、緑、青
用光電変換素子をストライプ状に並べた例を用いた。
しかし周知の如く市松模様状の配列等が当然考えられる
。この様な場合、各色光電変換素子の各々に対し本発明
の技術を用いれば良い。この点は以下に述べる各実施例
においても同様に適用出来るものである。第２図は本発
明の第２実施例図である。
。この様な場合、各色光電変換素子の各々に対し本発明
の技術を用いれば良い。この点は以下に述べる各実施例
においても同様に適用出来るものである。第２図は本発
明の第２実施例図である。
本実施例では、蓄積容量増加のために形成した導電膜の
面積は、赤、緑、青用光電変換素子のいずれでも同一と
し、導電膜の下に介在する絶縁酸化膜の厚さを各原色素
子ごとに変えてある。１２−Ｒ，ｌ２−Ｇ，ｌ２−Ｂは
光電変換素子の光色によつてそれぞれ膜厚を変えた絶縁
酸化膜、１３は前記絶縁酸化膜１２を介して設けた透光
性（透明および半透明を総称する）導電膜である。
面積は、赤、緑、青用光電変換素子のいずれでも同一と
し、導電膜の下に介在する絶縁酸化膜の厚さを各原色素
子ごとに変えてある。１２−Ｒ，ｌ２−Ｇ，ｌ２−Ｂは
光電変換素子の光色によつてそれぞれ膜厚を変えた絶縁
酸化膜、１３は前記絶縁酸化膜１２を介して設けた透光
性（透明および半透明を総称する）導電膜である。
その他の符号は第１図の場合と同様である。ここで各原
色光電変換素子の蓄積容量を各素子の光感度に比例した
ものとするための例を示すと、青色用素子の酸化膜１２
−Ｂの膜厚を５０００人に選んだ場合、（３）、（４）
、（５）式から緑用素子酸化膜１２−Ｇの厚さを１６０
０λ、赤用素子酸化膜１２−Ｒの厚さを１０００λに選
べばよいことになる。酸化膜には一般にシリコン酸化膜
ＳｉＯ２が用いられるが、ＳｉＯ２の加工精度はＭＯＳ
製作技術の中で最も高くその膜厚のばらつきは２０λ程
度である。したがつて膜厚が１０００λの場合でもばら
つきは２％であり、蓄積容量の比を正確に管理すること
ができ、もし一層高精度を望む場合には酸化膜厚を青用
１００００λ、緑用３３００λ、赤用１８００λと厚く
して行けばよい。第３図は本発明の第３実施例図である
。
色光電変換素子の蓄積容量を各素子の光感度に比例した
ものとするための例を示すと、青色用素子の酸化膜１２
−Ｂの膜厚を５０００人に選んだ場合、（３）、（４）
、（５）式から緑用素子酸化膜１２−Ｇの厚さを１６０
０λ、赤用素子酸化膜１２−Ｒの厚さを１０００λに選
べばよいことになる。酸化膜には一般にシリコン酸化膜
ＳｉＯ２が用いられるが、ＳｉＯ２の加工精度はＭＯＳ
製作技術の中で最も高くその膜厚のばらつきは２０λ程
度である。したがつて膜厚が１０００λの場合でもばら
つきは２％であり、蓄積容量の比を正確に管理すること
ができ、もし一層高精度を望む場合には酸化膜厚を青用
１００００λ、緑用３３００λ、赤用１８００λと厚く
して行けばよい。第３図は本発明の第３実施例図である
。
本実施例においては光ダイオード領域の上部に設ける導
電膜として半透明な材料を選び、赤、緑、青用光電変換
素子に対してそれぞれ半透明導電膜厚を変え、素子への
入射光量中光ダイオードに実際に到達する光量の比率を
、各色によつて変えるようにした。１４−Ｒ，ｌ４−Ｇ
，ｌ４−Ｂは絶縁酸化膜３を介してそれぞれ赤、緑、青
用光ダイオードの全面を覆うように設けた半透明の導電
膜で、１４−Ｒ，ｌ４−Ｇ，ｌ４−Ｂの順に膜厚を薄く
してある。
電膜として半透明な材料を選び、赤、緑、青用光電変換
素子に対してそれぞれ半透明導電膜厚を変え、素子への
入射光量中光ダイオードに実際に到達する光量の比率を
、各色によつて変えるようにした。１４−Ｒ，ｌ４−Ｇ
，ｌ４−Ｂは絶縁酸化膜３を介してそれぞれ赤、緑、青
用光ダイオードの全面を覆うように設けた半透明の導電
膜で、１４−Ｒ，ｌ４−Ｇ，ｌ４−Ｂの順に膜厚を薄く
してある。
このようにして１４−Ｒで吸収される光量は一番大きく
、感度の高い赤用光ダイオード５−Ｒに到達する光量を
一番少なくすることができる。逆に一番感度の低い青用
光ダイオード５Ｂに到達する光量は一番多くなる。その
結果赤、緑、青用の各光ダイオードで１走査期間内に発
生される電荷量を同一にすることができる。半透明導電
膜としてＭＯＳ集積回路製作に適した多結晶シリコンを
用いる場合の例を示すと、赤（６６００ｄλ）、緑（５
５００λ）、青（４５００λ）における吸収係数はそれ
ぞれ４Ｘ１０３？−１、６Ｘ１０３（１７７１−１、２
Ｘ１０４ＣＴＩＬ−１（Ｗ．Ｃ．Ｄａｓｈｅｔａｌ．Ｐ
ｌｌｙｓ．Ｒｅｖ．９９、１１５１（１９５５）による
）であるから、その膜厚は赤に対して５０００λ、緑に
対して３３００人、青に対して１０００λに設定すれば
よい。
、感度の高い赤用光ダイオード５−Ｒに到達する光量を
一番少なくすることができる。逆に一番感度の低い青用
光ダイオード５Ｂに到達する光量は一番多くなる。その
結果赤、緑、青用の各光ダイオードで１走査期間内に発
生される電荷量を同一にすることができる。半透明導電
膜としてＭＯＳ集積回路製作に適した多結晶シリコンを
用いる場合の例を示すと、赤（６６００ｄλ）、緑（５
５００λ）、青（４５００λ）における吸収係数はそれ
ぞれ４Ｘ１０３？−１、６Ｘ１０３（１７７１−１、２
Ｘ１０４ＣＴＩＬ−１（Ｗ．Ｃ．Ｄａｓｈｅｔａｌ．Ｐ
ｌｌｙｓ．Ｒｅｖ．９９、１１５１（１９５５）による
）であるから、その膜厚は赤に対して５０００λ、緑に
対して３３００人、青に対して１０００λに設定すれば
よい。
第４図は本発明の第４実施例図である。
本実施例においては感度の一番低い青用光電変換素子の
導電膜１６−Ｂは透明な例えば酸化錫を用いて任意の厚
さとする。酸化錫は実用上透明な膜なので膜厚は任意に
選ぶことができる。感度の良い赤用、緑用素子には第３
実施例同様それぞれ半透明導電膜１５−Ｒ，ｌ５−Ｇを
用い、１５−Ｇの膜厚は第３実施例同様１５−Ｒの６０
％程度とする。前記諸実施例では、信号電荷送出手段に
いずれもＭＯＳＴを用いていたが、やはりＭＯＳ集積回
路技術によつて製作できる電荷移送素子たとえばＣＣＤ
（ＣｈａｒｇｅＣＯｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ）を該手段
に用いることができる。第５図および第６図はライン・
アドレス方式（Ｍ．Ｆ．ＴＯｍｐｓｅｔｔｅｔａｌ．、
ゝＴＣｌｌａｒｇｅ−ＣＯｕｐｌｌｎｇｉｍｐｒＯｖｅ
ｓｉｔｓｉｍａｇｅｌＣｌｌａｌｌｅｎｇｉｒｇｖｉｄ
ｅＯＯｍｅｒａｔｕｂｅｓ．′゛ＥｌｅｃｔｒＯｎｉｃ
ｓ．Ｊａｎ．ｌ８．ｐｌ６２〜１６９１９７３）のＣＣ
Ｄ固体撮像素子に本発明を適用してカラー化した実施例
を示す図である。Ｒ，Ｇ，Ｂは既述の他の実施例の場合
と同様周期的に配列された赤、緑、青用の光電変換素子
である。１７Ｒ，１７−Ｇ，ｌ７−Ｂは光ダイオード、
１８は光ダイオードに蓄積された光信号電荷を信号転送
用ＣＣＤ電極１９に送り込むスイツチ用ゲート電極、前
記の電極１８，１９と基板１との間は絶縁酸化膜２０に
より、また電極１８，１９相互間は絶縁酸化膜２１によ
つて絶縁されている。
導電膜１６−Ｂは透明な例えば酸化錫を用いて任意の厚
さとする。酸化錫は実用上透明な膜なので膜厚は任意に
選ぶことができる。感度の良い赤用、緑用素子には第３
実施例同様それぞれ半透明導電膜１５−Ｒ，ｌ５−Ｇを
用い、１５−Ｇの膜厚は第３実施例同様１５−Ｒの６０
％程度とする。前記諸実施例では、信号電荷送出手段に
いずれもＭＯＳＴを用いていたが、やはりＭＯＳ集積回
路技術によつて製作できる電荷移送素子たとえばＣＣＤ
（ＣｈａｒｇｅＣＯｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ）を該手段
に用いることができる。第５図および第６図はライン・
アドレス方式（Ｍ．Ｆ．ＴＯｍｐｓｅｔｔｅｔａｌ．、
ゝＴＣｌｌａｒｇｅ−ＣＯｕｐｌｌｎｇｉｍｐｒＯｖｅ
ｓｉｔｓｉｍａｇｅｌＣｌｌａｌｌｅｎｇｉｒｇｖｉｄ
ｅＯＯｍｅｒａｔｕｂｅｓ．′゛ＥｌｅｃｔｒＯｎｉｃ
ｓ．Ｊａｎ．ｌ８．ｐｌ６２〜１６９１９７３）のＣＣ
Ｄ固体撮像素子に本発明を適用してカラー化した実施例
を示す図である。Ｒ，Ｇ，Ｂは既述の他の実施例の場合
と同様周期的に配列された赤、緑、青用の光電変換素子
である。１７Ｒ，１７−Ｇ，ｌ７−Ｂは光ダイオード、
１８は光ダイオードに蓄積された光信号電荷を信号転送
用ＣＣＤ電極１９に送り込むスイツチ用ゲート電極、前
記の電極１８，１９と基板１との間は絶縁酸化膜２０に
より、また電極１８，１９相互間は絶縁酸化膜２１によ
つて絶縁されている。
これら２実施例は、光ダイオードで、その受光量に応じ
て電荷が発生蓄積されることは既述の他の実施例と同様
であるが、蓄積された電荷が導体中の伝導によらないで
、電荷転送路に溢つて多数配列された転送用電極たとえ
ば電極１９に印加される走査に同期し、かつ更に周波数
の高い多相の交番電圧によつて、半導体中の電位の井戸
から井戸へ順次周知のＣＣＤ方式によつて転送される点
が異なつている。第５図に示した第５実施例では２２−
Ｒ，２２−Ｇ，２２−Ｂはそれぞれ赤、緑、青素子用の
膜厚の順次厚くなつている絶縁酸化膜で、２３は同一膜
厚の透光性導電膜である。本実施例は第２実施例同様、
接合容量値ＣＪに付加される酸化膜容量値ＣＯｘを色ご
とに変えて、赤、緑、青用光電変換素子それぞれの容量
値ＣＲ，ＣＧ，ＣＢを、各素子のそれぞれの色光に対す
る感度に見合つたものにする。したがつて酸化膜（Ｓｉ
Ｏ２）２２−Ｒ，２２−Ｇ，２２−Ｂの膜厚はそれぞれ
１０００λ、１６００λ、５０００λとすればよい。第
６図に示した第６実施例では、第３実施例同様、半透明
導電膜の膜厚を色ごとに変えて、入射光量中実際に光ダ
イオードに到達する光量の比率を変え、色ごとに異なる
光ダイオードにおける光電変換効率を補正するようにし
た。したがつて絶縁酸化膜２４を介して設けた、半透明
の多結晶シリコンを用いたそれぞれ赤、緑、青用の導電
膜２５−Ｒ，２５−Ｇ，２５−Ｂの膜リを第３実施例同
様５０００λ、３３００λ、１０００λとすればよい。
第５、第６実施例は第１〜第４実施例と同様な製作工程
で製作することができる。既述の第１〜第６実施例では
光電変換に光ダイオードを用いたが、光ダイオードの代
わりに、半導体基板表面に形成された空乏層中に光によ
つて電荷が生ずるのを利用してもよい。第７図はこのよ
うにした第７実施例を示す図である。同図において２６
は絶縁酸化膜２７を介して半導体基板１に設けた透光性
導電膜で、この導電膜にＭＯＳトランジスタのしきい値
電圧以上の電圧（一般に５〜１０Ｖでよい）を印加する
と、半導体基板１の表面には深さ数μｍの空乏層２８が
形成される。３０は絶縁酸化膜２９を介して透光性導電
膜２６上に設けた透光性ゲート電極で、走査パルスによ
つて、１走査期間中に空乏層２８内に発生した光信号電
荷を信号出力線３２につながるドレイン３１に送出する
。
て電荷が発生蓄積されることは既述の他の実施例と同様
であるが、蓄積された電荷が導体中の伝導によらないで
、電荷転送路に溢つて多数配列された転送用電極たとえ
ば電極１９に印加される走査に同期し、かつ更に周波数
の高い多相の交番電圧によつて、半導体中の電位の井戸
から井戸へ順次周知のＣＣＤ方式によつて転送される点
が異なつている。第５図に示した第５実施例では２２−
Ｒ，２２−Ｇ，２２−Ｂはそれぞれ赤、緑、青素子用の
膜厚の順次厚くなつている絶縁酸化膜で、２３は同一膜
厚の透光性導電膜である。本実施例は第２実施例同様、
接合容量値ＣＪに付加される酸化膜容量値ＣＯｘを色ご
とに変えて、赤、緑、青用光電変換素子それぞれの容量
値ＣＲ，ＣＧ，ＣＢを、各素子のそれぞれの色光に対す
る感度に見合つたものにする。したがつて酸化膜（Ｓｉ
Ｏ２）２２−Ｒ，２２−Ｇ，２２−Ｂの膜厚はそれぞれ
１０００λ、１６００λ、５０００λとすればよい。第
６図に示した第６実施例では、第３実施例同様、半透明
導電膜の膜厚を色ごとに変えて、入射光量中実際に光ダ
イオードに到達する光量の比率を変え、色ごとに異なる
光ダイオードにおける光電変換効率を補正するようにし
た。したがつて絶縁酸化膜２４を介して設けた、半透明
の多結晶シリコンを用いたそれぞれ赤、緑、青用の導電
膜２５−Ｒ，２５−Ｇ，２５−Ｂの膜リを第３実施例同
様５０００λ、３３００λ、１０００λとすればよい。
第５、第６実施例は第１〜第４実施例と同様な製作工程
で製作することができる。既述の第１〜第６実施例では
光電変換に光ダイオードを用いたが、光ダイオードの代
わりに、半導体基板表面に形成された空乏層中に光によ
つて電荷が生ずるのを利用してもよい。第７図はこのよ
うにした第７実施例を示す図である。同図において２６
は絶縁酸化膜２７を介して半導体基板１に設けた透光性
導電膜で、この導電膜にＭＯＳトランジスタのしきい値
電圧以上の電圧（一般に５〜１０Ｖでよい）を印加する
と、半導体基板１の表面には深さ数μｍの空乏層２８が
形成される。３０は絶縁酸化膜２９を介して透光性導電
膜２６上に設けた透光性ゲート電極で、走査パルスによ
つて、１走査期間中に空乏層２８内に発生した光信号電
荷を信号出力線３２につながるドレイン３１に送出する
。
３３はゲート電極３０と信号出力線３２とを絶縁する絶
縁酸化膜である。
縁酸化膜である。
ゲート電極３０は電荷送出の役割りと同時に、赤、緑、
青用光電変換部位に到達する光量を調節して、１走査期
間中に各色の光電変換素子に発生する電荷総量を同一に
する。すなわち赤用ゲート電極３０一Ｒは空乏層２８の
全域を覆つており、緑用ゲート電極３０−Ｇは空乏層２
８の＝部分を覆い、青用ゲート電極３０−Ｂはゲート作
用を行うために必要な領域のみにあつて空乏層２８上に
は全くない。ゲート電極３０で覆うべき空乏層領域の面
積比は、その下に位置する透光性導電膜２６の膜厚、材
質によつて変化し、これら２つの透光性導電膜３０，２
６を通して空乏層２８に入射する光量が各色用光電変換
素子Ｒ，Ｇ，Ｂの色光感度に逆比例するように設定すれ
ばよい。本実施例構造は、第１実施例の製作工程におい
て、ゲート電極と透光性導電膜との形成順序を逆にすれ
ば製作でき、透光性導電膜２６を形成した後その上に絶
縁酸化膜２９を被着しさらにゲート電極３０を形成する
ことにより簡単に製作することができる。以上説明した
ように本発明によれば、２以上の原色それぞれの光電変
換素子の電荷蓄積容量および入射光量中光電変換部位に
実際に到達する光量の比率の少くとも一方を制御するこ
とにより、各色の光電変換素子の電荷蓄積容量を、それ
ぞれの素子の色光感度につり合つた値とすることができ
、その結果色ごとの検出光量範囲が等しくなり、青など
で容量に対し発生電荷量過少でＳ／Ｎ比が低くなること
も、赤などで容量に対し過大な発生電荷のあふれ、ある
いは内部深く到達した赤外光による電荷の拡散にもとづ
いて解像度が低くなることも防止でき、Ｓ／Ｎ比の高い
、かつ解像力の高いカラー用固体撮像素子が得られる。
青用光電変換部位に到達する光量を調節して、１走査期
間中に各色の光電変換素子に発生する電荷総量を同一に
する。すなわち赤用ゲート電極３０一Ｒは空乏層２８の
全域を覆つており、緑用ゲート電極３０−Ｇは空乏層２
８の＝部分を覆い、青用ゲート電極３０−Ｂはゲート作
用を行うために必要な領域のみにあつて空乏層２８上に
は全くない。ゲート電極３０で覆うべき空乏層領域の面
積比は、その下に位置する透光性導電膜２６の膜厚、材
質によつて変化し、これら２つの透光性導電膜３０，２
６を通して空乏層２８に入射する光量が各色用光電変換
素子Ｒ，Ｇ，Ｂの色光感度に逆比例するように設定すれ
ばよい。本実施例構造は、第１実施例の製作工程におい
て、ゲート電極と透光性導電膜との形成順序を逆にすれ
ば製作でき、透光性導電膜２６を形成した後その上に絶
縁酸化膜２９を被着しさらにゲート電極３０を形成する
ことにより簡単に製作することができる。以上説明した
ように本発明によれば、２以上の原色それぞれの光電変
換素子の電荷蓄積容量および入射光量中光電変換部位に
実際に到達する光量の比率の少くとも一方を制御するこ
とにより、各色の光電変換素子の電荷蓄積容量を、それ
ぞれの素子の色光感度につり合つた値とすることができ
、その結果色ごとの検出光量範囲が等しくなり、青など
で容量に対し発生電荷量過少でＳ／Ｎ比が低くなること
も、赤などで容量に対し過大な発生電荷のあふれ、ある
いは内部深く到達した赤外光による電荷の拡散にもとづ
いて解像度が低くなることも防止でき、Ｓ／Ｎ比の高い
、かつ解像力の高いカラー用固体撮像素子が得られる。
なお信号電荷送出手段としてバイポーラトランジスタ、
接合形電界効果トランジスタも利用することができる。
接合形電界効果トランジスタも利用することができる。
第１図は本発明の第１実施例図、第２図は本発明の第２
実施例図、第３図は本発明の第３実施例図、第４図は本
発明の第４実施例図、第５図は本発明の第５実施例図、
第６図は本発明の第６実施例図、第７図は本発明の第７
実施例図である。 １・・・・・・半導体基板、４・・・・・・ドレイン、
５・・一・・・ソース（光ダイオード）、６・・・・・
・透光性導電膜、１２・・・・・・絶縁酸化膜、１３・
・・・・・透光性導電膜、１４，１５−Ｒ，ｌ５−Ｇ・
・−・・・半透明導電膜、１６−Ｂ・・・・・・透明導
電膜、１７・・・・・・光ダイオード、２２・・・・・
・絶縁酸化膜、２３，２５，２６・・・・・・透光性導
電膜、２８・・・・・・空乏層、３０・・・・・・透光
性ゲート電極。
実施例図、第３図は本発明の第３実施例図、第４図は本
発明の第４実施例図、第５図は本発明の第５実施例図、
第６図は本発明の第６実施例図、第７図は本発明の第７
実施例図である。 １・・・・・・半導体基板、４・・・・・・ドレイン、
５・・一・・・ソース（光ダイオード）、６・・・・・
・透光性導電膜、１２・・・・・・絶縁酸化膜、１３・
・・・・・透光性導電膜、１４，１５−Ｒ，ｌ５−Ｇ・
・−・・・半透明導電膜、１６−Ｂ・・・・・・透明導
電膜、１７・・・・・・光ダイオード、２２・・・・・
・絶縁酸化膜、２３，２５，２６・・・・・・透光性導
電膜、２８・・・・・・空乏層、３０・・・・・・透光
性ゲート電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 同一基板上に設けられた各色それぞれの絵素に対す
る半導体光電変換素子と、それらの素子それぞれの中に
その素子の受光する該当色光量に応じて発生蓄積された
電荷を、順次電気信号として送出転送する手段とを有す
る、単板式のカラー用固体撮像素子において、２以上の
色それぞれの絵素に対する光電変換素子の受光側に透光
性絶縁膜を介して透光性導電膜を設け、各絵素毎に前記
透光性絶縁膜の厚さを各色に対応して変えることにより
、前記２以上の色それぞれの絵素に対する光電変換素子
の電荷蓄積容量を各絵素毎に各色に対応して異る所定の
値にしたことを特徴とするカラー用固体撮像素子。 ２ 同一基板上に設けられた各色それぞれの絵素に対す
る半導体光電変換素子と、それらの素子それぞれの中に
その素子の受光する該当色光量に応じて発生蓄積された
電荷を、順次電気信号として送出転送する手段とを有す
る、単板式のカラー用固体撮像素子において、２以上の
色それぞれの絵素に対する光電変換素子の受光側に透光
性絶縁膜を介して透光性導電膜を設け、各絵素毎に前記
透光性導電膜の面積を各色に対応して変えることにより
、前記２以上の色それぞれの絵素に対する光電変換素子
の電荷蓄積容量を各絵素毎に各色に対応して異る所定の
値にしたことを特徴とするカラー用固体撮像素子。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51108785A JPS5941351B2 (ja) | 1976-09-13 | 1976-09-13 | カラ−用固体撮像素子 |
| GB37790/77A GB1573185A (en) | 1976-09-13 | 1977-09-09 | Solid state colour imaging devices |
| US05/832,676 US4242694A (en) | 1976-09-13 | 1977-09-12 | Solid-state color imaging device |
| NL7710002A NL7710002A (nl) | 1976-09-13 | 1977-09-12 | Kleurafbeeldingsinrichting. |
| FR7727564A FR2364578A1 (fr) | 1976-09-13 | 1977-09-13 | Analyseur d'image en couleur a semi-conducteur |
| DE2741226A DE2741226C3 (de) | 1976-09-13 | 1977-09-13 | Festkörper-Farbbildaufnahmeeinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51108785A JPS5941351B2 (ja) | 1976-09-13 | 1976-09-13 | カラ−用固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5335322A JPS5335322A (en) | 1978-04-01 |
| JPS5941351B2 true JPS5941351B2 (ja) | 1984-10-06 |
Family
ID=14493409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51108785A Expired JPS5941351B2 (ja) | 1976-09-13 | 1976-09-13 | カラ−用固体撮像素子 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4242694A (ja) |
| JP (1) | JPS5941351B2 (ja) |
| DE (1) | DE2741226C3 (ja) |
| FR (1) | FR2364578A1 (ja) |
| GB (1) | GB1573185A (ja) |
| NL (1) | NL7710002A (ja) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5419327A (en) * | 1977-07-14 | 1979-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state pick up unit |
| US4219834A (en) * | 1977-11-11 | 1980-08-26 | International Business Machines Corporation | One-device monolithic random access memory and method of fabricating same |
| FR2433871A1 (fr) * | 1978-08-18 | 1980-03-14 | Hitachi Ltd | Dispositif de formation d'image a semi-conducteur |
| DE2939518A1 (de) * | 1979-09-28 | 1981-04-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Monolithisch integrierte schaltung zur zeilenweisen bildabtastung |
| JPS56165362A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-18 | Hitachi Ltd | Manufacture of solid state color image pickup element |
| JPS611964U (ja) * | 1980-10-18 | 1986-01-08 | アグフアーゲーヴエルト・アクチエンゲゼルシヤフト | 電子画像変換装置 |
| US4394675A (en) * | 1981-03-16 | 1983-07-19 | Eastman Kodak Company | Transparent asymmetric electrode structure for charge coupled device image sensor |
| US4481522A (en) * | 1982-03-24 | 1984-11-06 | Rca Corporation | CCD Imagers with substrates having drift field |
| NL8201630A (nl) * | 1982-04-20 | 1983-11-16 | Philips Nv | Inrichting ten behoeve van signaalverwerking en trefplaat voor een dergelijke inrichting. |
| US4473836A (en) * | 1982-05-03 | 1984-09-25 | Dalsa Inc. | Integrable large dynamic range photodetector element for linear and area integrated circuit imaging arrays |
| JPH0666446B2 (ja) * | 1984-03-29 | 1994-08-24 | オリンパス光学工業株式会社 | 固体撮像素子 |
| JPS6152061A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-14 | Toshiba Corp | 密着型カラ−イメ−ジセンサ |
| US4807004A (en) * | 1986-11-26 | 1989-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Tin oxide CCD imager |
| US4901129A (en) * | 1987-04-10 | 1990-02-13 | Texas Instruments Incorporated | Bulk charge modulated transistor threshold image sensor elements and method of making |
| JP2768453B2 (ja) * | 1992-03-03 | 1998-06-25 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びそれを用いた装置 |
| US5210049A (en) * | 1992-04-28 | 1993-05-11 | Eastman Kodak Company | Method of making a solid state image sensor |
| JPH0785502B2 (ja) * | 1993-01-22 | 1995-09-13 | 日本電気株式会社 | カラーリニアイメージセンサ |
| US5574659A (en) * | 1994-10-12 | 1996-11-12 | Chromax, Inc. | Dye transfer prints utilizing digital technology |
| JP3019797B2 (ja) * | 1997-02-07 | 2000-03-13 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子とその製造方法 |
| FR2781929B1 (fr) * | 1998-07-28 | 2002-08-30 | St Microelectronics Sa | Capteur d'image a reseau de photodiodes |
| US6252220B1 (en) | 1999-04-26 | 2001-06-26 | Xerox Corporation | Sensor cover glass with infrared filter |
| US6414342B1 (en) * | 1999-06-18 | 2002-07-02 | Micron Technology Inc. | Photogate with improved short wavelength response for a CMOS imager |
| US6316284B1 (en) | 2000-09-07 | 2001-11-13 | Xerox Corporation | Infrared correction in color scanners |
| US6768565B1 (en) | 2000-09-07 | 2004-07-27 | Xerox Corporation | Infrared correction in color scanners |
| FR2820882B1 (fr) | 2001-02-12 | 2003-06-13 | St Microelectronics Sa | Photodetecteur a trois transistors |
| FR2820883B1 (fr) | 2001-02-12 | 2003-06-13 | St Microelectronics Sa | Photodiode a grande capacite |
| FR2824665B1 (fr) * | 2001-05-09 | 2004-07-23 | St Microelectronics Sa | Photodetecteur de type cmos |
| KR20040036087A (ko) * | 2002-10-23 | 2004-04-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광의 파장에 따라 포토다이오드의 깊이가 다른 씨모스이미지센서 및 그 제조 방법 |
| US6878918B2 (en) * | 2003-01-09 | 2005-04-12 | Dialdg Semiconductor Gmbh | APS pixel with reset noise suppression and programmable binning capability |
| KR100538150B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2005-12-21 | 동부아남반도체 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| EP1816677A1 (en) * | 2004-09-09 | 2007-08-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state image pickup element |
| JP4764243B2 (ja) * | 2006-04-20 | 2011-08-31 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JP2008153594A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Seiko Instruments Inc | イメージセンサｉｃ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1437328A (en) * | 1972-09-25 | 1976-05-26 | Rca Corp | Sensors having recycling means |
| US4064532A (en) * | 1974-09-18 | 1977-12-20 | Sony Corporation | Solid state color camera |
| US4001878A (en) * | 1975-11-19 | 1977-01-04 | Rca Corporation | Charge transfer color imagers |
| JPS5323224A (en) * | 1976-08-16 | 1978-03-03 | Hitachi Ltd | Solid pickup unit |
-
1976
- 1976-09-13 JP JP51108785A patent/JPS5941351B2/ja not_active Expired
-
1977
- 1977-09-09 GB GB37790/77A patent/GB1573185A/en not_active Expired
- 1977-09-12 US US05/832,676 patent/US4242694A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-09-12 NL NL7710002A patent/NL7710002A/xx active Search and Examination
- 1977-09-13 DE DE2741226A patent/DE2741226C3/de not_active Expired
- 1977-09-13 FR FR7727564A patent/FR2364578A1/fr active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1573185A (en) | 1980-08-20 |
| US4242694A (en) | 1980-12-30 |
| DE2741226B2 (de) | 1979-11-08 |
| JPS5335322A (en) | 1978-04-01 |
| DE2741226C3 (de) | 1980-07-17 |
| NL7710002A (nl) | 1978-03-15 |
| FR2364578A1 (fr) | 1978-04-07 |
| FR2364578B1 (ja) | 1982-02-26 |
| DE2741226A1 (de) | 1978-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5941351B2 (ja) | カラ−用固体撮像素子 | |
| CN106067469B (zh) | 摄像装置和电子设备 | |
| JP2009105381A (ja) | 透明なトランジスタを備えたｃｍｏｓイメージセンサー | |
| US20080036024A1 (en) | Image sensors and methods of manufacturing the same | |
| US7612318B2 (en) | Complementary metal oxide semiconductor image sensor having cross talk prevention and method for fabricating the same | |
| US11742368B2 (en) | Image sensing device and method for forming the same | |
| US11749699B2 (en) | Solid-state image sensor with pillar surface microstructure and method of fabricating the same | |
| US5237185A (en) | Image pickup apparatus with different gate thicknesses | |
| JP4779304B2 (ja) | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール | |
| KR20050069521A (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 광 칼라 감도 감지 방법 | |
| KR20150118635A (ko) | 이미지센서 및 그의 제조 방법 | |
| JPH0416948B2 (ja) | ||
| US7138289B2 (en) | Technique for fabricating multilayer color sensing photodetectors | |
| KR20020048716A (ko) | 기판 뒷면에 반사층을 구비하는 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| JPH04259256A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH01220862A (ja) | 固体撮像素子 | |
| CN219716869U (zh) | 图像传感器及电子设备 | |
| JPH0472664A (ja) | 固体撮像素子 | |
| KR20020057277A (ko) | 이중 렌즈를 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| JPS59163860A (ja) | 固体撮像素子 | |
| US6534808B2 (en) | Metal-insulator-semiconductor photocell and imager | |
| JPS5870685A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS63266872A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS639753B2 (ja) | ||
| KR20020045820A (ko) | 마이크로 렌즈 표면의 반사를 감소시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 |