JPS6348234B2 - - Google Patents
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- JPS6348234B2 JPS6348234B2 JP53101179A JP10117978A JPS6348234B2 JP S6348234 B2 JPS6348234 B2 JP S6348234B2 JP 53101179 A JP53101179 A JP 53101179A JP 10117978 A JP10117978 A JP 10117978A JP S6348234 B2 JPS6348234 B2 JP S6348234B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体カラー撮像装置に関し、特に
色分離機能を組み込んだ半導体カラー撮像装置に
関する。
色分離機能を組み込んだ半導体カラー撮像装置に
関する。
近年半導体撮像装置は、著しい発展を続けてお
り、その性能は従来の撮像管（ビジコン，イメー
ジオルシコン他）に迫つてきている。カラー撮像
のためには色分離機能を欠かすことはできず、そ
の最も簡単な型式は撮像装置入射前に色分解を行
つておくものである。しかしながら、色分離機能
を別個に設けることは光学系の複雑化、大型化、
高価格化を招いて固体撮像装置の簡便さの特徴を
打消すと同時に使用中の機械的ずれによる色ずれ
による色ずれの可能性を招き望ましくない。従つ
て色分離機能を撮像装置と１体化することが望ま
れており、すでにそのような構成のものも発表さ
れている（松下電器色フイルタ付MOS型撮像装
置）。
り、その性能は従来の撮像管（ビジコン，イメー
ジオルシコン他）に迫つてきている。カラー撮像
のためには色分離機能を欠かすことはできず、そ
の最も簡単な型式は撮像装置入射前に色分解を行
つておくものである。しかしながら、色分離機能
を別個に設けることは光学系の複雑化、大型化、
高価格化を招いて固体撮像装置の簡便さの特徴を
打消すと同時に使用中の機械的ずれによる色ずれ
による色ずれの可能性を招き望ましくない。従つ
て色分離機能を撮像装置と１体化することが望ま
れており、すでにそのような構成のものも発表さ
れている（松下電器色フイルタ付MOS型撮像装
置）。
しかしながら今までに発表されているものは、
３色分解の方法が複雑であり、複雑な電気的処理
を終て３色分解を達成するものであつた。そのた
め電気的処理を行なう回路系が複雑化すると共
に、高集積度を実現するには製作工程にも高精度
の制御が要求される欠点を有していた。
３色分解の方法が複雑であり、複雑な電気的処理
を終て３色分解を達成するものであつた。そのた
め電気的処理を行なう回路系が複雑化すると共
に、高集積度を実現するには製作工程にも高精度
の制御が要求される欠点を有していた。
本発明の目的は各絵素が簡単な色構成の光学フ
イルタを備え、単純な電気的処理で３色分離が行
なえる半導体カラー撮像装置を提供することであ
る。
イルタを備え、単純な電気的処理で３色分離が行
なえる半導体カラー撮像装置を提供することであ
る。
本発明の他の目的は各絵素が保護膜の作用を兼
ねた光学フイルタを備えた半導体カラー撮像装置
を提供することである。
ねた光学フイルタを備えた半導体カラー撮像装置
を提供することである。
本発明の１実施例によれば、撮像装置の半導体
材料としてシリコンを用い、各絵素上に形成する
多層膜フイルタの誘電体材料として半導体保護
（安定化）材料として用いられる酸化シリコンと
窒化シリコンとを用いる。保護膜としての酸化シ
リコン、窒化シリコンの性質はよく知られている
ので説明を省略する。誘電体としての酸化シリコ
ン（SiO2）、および窒化シリコン（Si3N4）の性
質は製法によつて変化はするが、通常の方法で作
成した薄膜の可視領域での屈折率ｎはそれぞれ
1.48付近1.97付近にある。さらにシリコン基板上
への付着力は強固で、かつ堆積条件を制御するこ
とによつて√（3 4）≒ｎ（SiO2）とすること
もできる。従つて誘電体多層膜材料としての酸化
シリコン、窒化シリコンの組み合わせは非常に優
れているといえる。今ｎ（SiO2）＝1.48、ｎ
（Si3N4）＝2.19として説明をつづける。光学厚
λ0／４の交互多層膜の反射率は近似的に １−４（nL／nH）2mnS／nH で与えられる。基板をシリコンとしてnS＝ｎ（Si）
＝3.4、nH＝ｎ（Si3N4）＝2.19、nL＝ｎ（SiO2）＝
1.48とすると、層数（2m＋１）を９層としたと
きの反射率が約0.73、11層としたときの反射率が
約0.88、13層としたときの反射率が約0.94、15層
としたときの反射率が約0.97となる。さらに層数
を増せば反射率がさらに高くなることは明らかで
ある。
材料としてシリコンを用い、各絵素上に形成する
多層膜フイルタの誘電体材料として半導体保護
（安定化）材料として用いられる酸化シリコンと
窒化シリコンとを用いる。保護膜としての酸化シ
リコン、窒化シリコンの性質はよく知られている
ので説明を省略する。誘電体としての酸化シリコ
ン（SiO2）、および窒化シリコン（Si3N4）の性
質は製法によつて変化はするが、通常の方法で作
成した薄膜の可視領域での屈折率ｎはそれぞれ
1.48付近1.97付近にある。さらにシリコン基板上
への付着力は強固で、かつ堆積条件を制御するこ
とによつて√（3 4）≒ｎ（SiO2）とすること
もできる。従つて誘電体多層膜材料としての酸化
シリコン、窒化シリコンの組み合わせは非常に優
れているといえる。今ｎ（SiO2）＝1.48、ｎ
（Si3N4）＝2.19として説明をつづける。光学厚
λ0／４の交互多層膜の反射率は近似的に １−４（nL／nH）2mnS／nH で与えられる。基板をシリコンとしてnS＝ｎ（Si）
＝3.4、nH＝ｎ（Si3N4）＝2.19、nL＝ｎ（SiO2）＝
1.48とすると、層数（2m＋１）を９層としたと
きの反射率が約0.73、11層としたときの反射率が
約0.88、13層としたときの反射率が約0.94、15層
としたときの反射率が約0.97となる。さらに層数
を増せば反射率がさらに高くなることは明らかで
ある。
また反射領域の幅Δλは近似的に
Δλ／λ0＝４／πsin-1（nH−nL／nH＋nL）
で与えられる。nH＝2.19、nL＝1.48の組み合わせ
では、Δλ／λ0≒0.25となる。たとえば、5200Aに
反射領域の中心λ0を設定すると反射領域の幅Δλ
は約1300Aとなり、約4630Aから約5930Aが反射
領域となる。従つて選択的に緑色(G)を反射し、青
色(B)および赤色（Ｒ）を透過するフイルタができ
る。
では、Δλ／λ0≒0.25となる。たとえば、5200Aに
反射領域の中心λ0を設定すると反射領域の幅Δλ
は約1300Aとなり、約4630Aから約5930Aが反射
領域となる。従つて選択的に緑色(G)を反射し、青
色(B)および赤色（Ｒ）を透過するフイルタができ
る。
同様に青色反射フイルタ、赤色反射フイルタを
作つて３者を組み合わせることにより（Ｂ＋Ｇ）
信号、（Ｂ＋Ｒ）信号、（Ｇ＋Ｒ）信号および（Ｂ
＋Ｇ＋Ｒ）信号を得ることができる。これらの信
号に簡単な論理演算を行なうことにより青(B)信
号、緑(G)信号、赤（Ｒ）信号を得ることができ
る。
作つて３者を組み合わせることにより（Ｂ＋Ｇ）
信号、（Ｂ＋Ｒ）信号、（Ｇ＋Ｒ）信号および（Ｂ
＋Ｇ＋Ｒ）信号を得ることができる。これらの信
号に簡単な論理演算を行なうことにより青(B)信
号、緑(G)信号、赤（Ｒ）信号を得ることができ
る。
上の説明では屈折率として、nH＝2.19、nL＝
1.48を採用したため反射領域の幅が約0.25となつ
たが、nH≒2.0、nL≒1.42とすると反射領域の幅は
約0.22となり、また製作上の条件を押えやすい、
nH＝1.97、nL＝1.46とすると少々ミスマツチがあ
るが反射領域の幅は約0.19となる。このように酸
化シリコンと窒化シリコンとの組合わせで可視領
域をほぼ理想的に３分割することができる。
1.48を採用したため反射領域の幅が約0.25となつ
たが、nH≒2.0、nL≒1.42とすると反射領域の幅は
約0.22となり、また製作上の条件を押えやすい、
nH＝1.97、nL＝1.46とすると少々ミスマツチがあ
るが反射領域の幅は約0.19となる。このように酸
化シリコンと窒化シリコンとの組合わせで可視領
域をほぼ理想的に３分割することができる。
他に表面保護を兼ねるフイルタ材料として用い
ることのできるものは酸化アルミニウム、窒化ア
ルミニウム、透明絶縁樹脂、酸化度や窒化度の異
なるシリコン酸化物、シリコン窒化物、および他
の半導体の酸化物、窒化物等がある。半導体表面
の保護を別にすれば材料の選定はさらに広がり、
光学フイルタでよく用いる（ZnS，MgF2または
CaF2）その他の組み合わせも用いることができ
る。
ることのできるものは酸化アルミニウム、窒化ア
ルミニウム、透明絶縁樹脂、酸化度や窒化度の異
なるシリコン酸化物、シリコン窒化物、および他
の半導体の酸化物、窒化物等がある。半導体表面
の保護を別にすれば材料の選定はさらに広がり、
光学フイルタでよく用いる（ZnS，MgF2または
CaF2）その他の組み合わせも用いることができ
る。
３色分割の方法は上記の如く反射領域で１つの
色を取り徐くものの他、各絵素に単１色を透過さ
せるハンドパスフイルタにしてもよい。透過領域
巾に問題があるフアブリペロ型バンドパスフイル
タでパスバンドを広くするようにマルチキヤビテ
イ型にする方法、および構成がやや複雑になるが
ローパスフイルタとハイパスフイルタの組合わせ
で中間にパスバンドを残す方法、使用材料の吸収
を用いてある領域の光を吸収させてしまう方法、
およびこれらの組合わせ等によつて３原色のバン
ドパスフイルタが作成できる。
色を取り徐くものの他、各絵素に単１色を透過さ
せるハンドパスフイルタにしてもよい。透過領域
巾に問題があるフアブリペロ型バンドパスフイル
タでパスバンドを広くするようにマルチキヤビテ
イ型にする方法、および構成がやや複雑になるが
ローパスフイルタとハイパスフイルタの組合わせ
で中間にパスバンドを残す方法、使用材料の吸収
を用いてある領域の光を吸収させてしまう方法、
およびこれらの組合わせ等によつて３原色のバン
ドパスフイルタが作成できる。
第１図ａ，ｂは本発明の１実施例による半導体
カラー撮像装置の製作工程中の上面図および断面
図であり、ｃは製作工程終了後の断面図である。
第１図ａに見られるように半導体チツプ内には絵
素１，２，３，…，１，２，３，
…，１，２，３，…が形成されており、各
絵素は第１図ｂに示すようなユニポーラトランジ
スタ型構造を有する。第１図ａで横方向に延びて
いる広い領域がそれぞれのフイルタ部分であり、
各フイルタ部分間の狭い領域は隣接する色フイル
タが互いに重なつている領域である。第１図ｂを
参照すると、各絵素上に３原色のうちの所定の１
色を反射する光学フイルタが形成されている。各
フイルタは高屈折率材料としてSi3N4、抵屈折率
材料としてSiO2を用い、λ0／４を基本光学厚と
して11層を積層し、所定の波長域で約90％近い反
射率を得ている。第11層のSi3CN4層上には、さ
らに第12層としてλ0／２のSiO2膜を形成し反射
防止膜としてある。SiO2膜およびSi3N4膜の形成
は電子ビーム蒸着かCVD（chemical vapor
deposition）であるいはその他の方法で交互堆積
を行なうのがよい。λ0／４交互層の基本構成に修
正を加えれば透過領域のリツプル成分を減少で
き、フイルタのパフオーマンスを改善できる。光
学フイルタを形成した後、コンタクトホールをあ
けて主電流電極を形成する。さらにゲート領域の
１部分上のフイルタをエツチして取り去り、ゲー
ト領域を露出し、露出したゲート領域表面に熱酸
化膜を約1000〜2000A形成し、その上にゲート電
極を形成して第１図ｃの構造を得る。第１図ｃを
参照して、各絵素の構造を説明する。Ｐ型基板１
上に埋込み電極となるn+型領域２を形成し、そ
の上にn-型領域３が形成されている。n-型領域
３内にP+型制御領域４とn+型電極領域５が形成
され、n+型領域５にはオーム性電極５′が、P+型
領域４上には絶縁電極４′が形成されている。電
極形成部以外の表面には反射防止膜７を備えた高
反射多層膜フイルタ６が形成されている。
カラー撮像装置の製作工程中の上面図および断面
図であり、ｃは製作工程終了後の断面図である。
第１図ａに見られるように半導体チツプ内には絵
素１，２，３，…，１，２，３，
…，１，２，３，…が形成されており、各
絵素は第１図ｂに示すようなユニポーラトランジ
スタ型構造を有する。第１図ａで横方向に延びて
いる広い領域がそれぞれのフイルタ部分であり、
各フイルタ部分間の狭い領域は隣接する色フイル
タが互いに重なつている領域である。第１図ｂを
参照すると、各絵素上に３原色のうちの所定の１
色を反射する光学フイルタが形成されている。各
フイルタは高屈折率材料としてSi3N4、抵屈折率
材料としてSiO2を用い、λ0／４を基本光学厚と
して11層を積層し、所定の波長域で約90％近い反
射率を得ている。第11層のSi3CN4層上には、さ
らに第12層としてλ0／２のSiO2膜を形成し反射
防止膜としてある。SiO2膜およびSi3N4膜の形成
は電子ビーム蒸着かCVD（chemical vapor
deposition）であるいはその他の方法で交互堆積
を行なうのがよい。λ0／４交互層の基本構成に修
正を加えれば透過領域のリツプル成分を減少で
き、フイルタのパフオーマンスを改善できる。光
学フイルタを形成した後、コンタクトホールをあ
けて主電流電極を形成する。さらにゲート領域の
１部分上のフイルタをエツチして取り去り、ゲー
ト領域を露出し、露出したゲート領域表面に熱酸
化膜を約1000〜2000A形成し、その上にゲート電
極を形成して第１図ｃの構造を得る。第１図ｃを
参照して、各絵素の構造を説明する。Ｐ型基板１
上に埋込み電極となるn+型領域２を形成し、そ
の上にn-型領域３が形成されている。n-型領域
３内にP+型制御領域４とn+型電極領域５が形成
され、n+型領域５にはオーム性電極５′が、P+型
領域４上には絶縁電極４′が形成されている。電
極形成部以外の表面には反射防止膜７を備えた高
反射多層膜フイルタ６が形成されている。
反射領域外の光が上面より入射すると、制御領
域４周辺の光学的活性領域で吸収され、ペア生成
を起す。１方の極性のキヤリア（この場合正孔）
は光学的活性領域の電位勾配に従つて移動して制
御領域４に蓄積される。蓄積した電荷によつて制
御領域４の電位が変化し主電流を制御する。この
ようにして反射領域外の入射光の強度を検出でき
る。の絵素には青(B)を除く緑(G)と赤（Ｒ）の光
が入射するので（Ｇ＋Ｒ）信号が得られる。同様
にしての絵素からは（Ｂ＋Ｒ）信号、の絵素
からは（Ｂ＋Ｇ）信号が得られる。
域４周辺の光学的活性領域で吸収され、ペア生成
を起す。１方の極性のキヤリア（この場合正孔）
は光学的活性領域の電位勾配に従つて移動して制
御領域４に蓄積される。蓄積した電荷によつて制
御領域４の電位が変化し主電流を制御する。この
ようにして反射領域外の入射光の強度を検出でき
る。の絵素には青(B)を除く緑(G)と赤（Ｒ）の光
が入射するので（Ｇ＋Ｒ）信号が得られる。同様
にしての絵素からは（Ｂ＋Ｒ）信号、の絵素
からは（Ｂ＋Ｇ）信号が得られる。
，，の各絵素からの信号の和を取ること
により（Ｂ＋Ｇ＋Ｒ）信号を得、各絵素からの信
号を引算することによつてＢ信号，Ｇ信号，Ｒ信
号を得ることができる。同様のことを画像面で行
なうことによりカラー撮像が行なえる。信号処理
の電気系は上記説明と通常の回路技術から容易に
理解されるであろうから説明を省略する。
により（Ｂ＋Ｇ＋Ｒ）信号を得、各絵素からの信
号を引算することによつてＢ信号，Ｇ信号，Ｒ信
号を得ることができる。同様のことを画像面で行
なうことによりカラー撮像が行なえる。信号処理
の電気系は上記説明と通常の回路技術から容易に
理解されるであろうから説明を省略する。
上記実施例では上面入射型ユニポーラフオトト
ランジスタを用いたが受光面に光学フイルタを設
ければ上面入射、背面入射を問わず、またフオト
センサもメモリ機能を持つ必要がなければユニポ
ーラ型フオトセンサに限らずフオトダイオード
型、CCD型、バイポーラフオトトランジスタ型
とすることができる。１例としてフオトダイオー
ド型フオトセンサとMOS型検出素子を用いた例
を第２図に示す。
ランジスタを用いたが受光面に光学フイルタを設
ければ上面入射、背面入射を問わず、またフオト
センサもメモリ機能を持つ必要がなければユニポ
ーラ型フオトセンサに限らずフオトダイオード
型、CCD型、バイポーラフオトトランジスタ型
とすることができる。１例としてフオトダイオー
ド型フオトセンサとMOS型検出素子を用いた例
を第２図に示す。
第２図において、ｎ型基板１１とP+型領域１
２とがフオトダイオードを形成し、P+型領域１
５が電流取出し領域となつている。すなわちP+
型領域１２，１５とｎ型領域１１が、絶縁電極１
４′主電流電極１５′と共にMISトランジスタを形
成する。多層膜フイルタ１６、反射防止膜１７は
第１図のものと同様である。
２とがフオトダイオードを形成し、P+型領域１
５が電流取出し領域となつている。すなわちP+
型領域１２，１５とｎ型領域１１が、絶縁電極１
４′主電流電極１５′と共にMISトランジスタを形
成する。多層膜フイルタ１６、反射防止膜１７は
第１図のものと同様である。
以上の実施例では多層膜フイルタが所定の１色
に相当する光を反射する構成を用いたため、電気
的処理を介してＢ，Ｇ，Ｒ各信号を取り出した。
各フオトセンサが各１色のみを受光するようにす
れば、各絵素から直接Ｂ，Ｇ，Ｒ各信号を取り出
すことができる。このタイプの実施例を第３図に
示す。
に相当する光を反射する構成を用いたため、電気
的処理を介してＢ，Ｇ，Ｒ各信号を取り出した。
各フオトセンサが各１色のみを受光するようにす
れば、各絵素から直接Ｂ，Ｇ，Ｒ各信号を取り出
すことができる。このタイプの実施例を第３図に
示す。
この実施例ではバンドパスフイルタを構成する
のにローパスフイルタ１８とハイパスフイルタ１
９を用い、パスバンドの反射防止膜１７をその上
に形成している。ローパスフイルタ１８は（Ｈ／
２，Ｌ，Ｈ／２）を基本スタツクとし、ハイパス
フイルタ１９は（Ｌ／２，Ｈ，Ｌ／２）を基本ス
タツクとしている。両者の間に整合層を加えると
パフオーマンスを改善できる。本実施例のフオト
センサは第３図ｂに見られるような変形MIS構造
で、２相制御のシフトレジスタを構成している。
のにローパスフイルタ１８とハイパスフイルタ１
９を用い、パスバンドの反射防止膜１７をその上
に形成している。ローパスフイルタ１８は（Ｈ／
２，Ｌ，Ｈ／２）を基本スタツクとし、ハイパス
フイルタ１９は（Ｌ／２，Ｈ，Ｌ／２）を基本ス
タツクとしている。両者の間に整合層を加えると
パフオーマンスを改善できる。本実施例のフオト
センサは第３図ｂに見られるような変形MIS構造
で、２相制御のシフトレジスタを構成している。
以上の説明で明らかなように本発明の半導体カ
ラー撮像装置は各フオトセンサ上に特定の色の光
を反射もしくは透過させる光学フイルタを備えた
ものであり、簡単な電気的処理で色分解した信号
が得られるものである。
ラー撮像装置は各フオトセンサ上に特定の色の光
を反射もしくは透過させる光学フイルタを備えた
ものであり、簡単な電気的処理で色分解した信号
が得られるものである。
第１図ａ，ｂ，ｃは本発明の１実施例を説明す
るための上面図および断面図であり、第２図は本
発明の他の実施例を示す断面図であり、第３図
ａ，ｂは本発明のさらに他の実施例を示す断面図
である。
るための上面図および断面図であり、第２図は本
発明の他の実施例を示す断面図であり、第３図
ａ，ｂは本発明のさらに他の実施例を示す断面図
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 色分離機能を有する部分と、光を電気信号に
変換する部分と、電気信号を処理して、色別の電
気信号を取り出す部分とを少なくとも有する半導
体カラー撮像装置において、光を電気信号に変換
する部分が、シリコンを主成分とする単一の半導
体チツプに配列された複数個のフオトセンサから
構成され、色分離機能を有する部分が、窒化シリ
コンと酸化シリコンとの多層膜で構成され、前記
フオトセンサ上に一体に形成された特定の色の光
を反射もしくは透過する光学フイルタであること
を特徴とする半導体カラー撮像装置。 ２ ブルーのみを反射する光学フイルタを有する
第１のフオトセンサとグリーンのみを反射する光
学フイルタを有する第２のフオトセンサとレツド
のみを反射する光学フイルタを有する第３のフオ
トセンサとを少なくとも有し、第１、第２、第３
のフオトセンサの信号の和をとることによりブル
ー、グリーン、レツドの信号の和を得、第１、第
２、第３それぞれのフオトセンサからの信号を引
算することによつてブルー、グリーン、レツドの
それぞれの信号を得る電気回路を有することを特
徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の半導体
カラー撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10117978A JPS5527778A (en) | 1978-08-18 | 1978-08-18 | Semiconductor color pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10117978A JPS5527778A (en) | 1978-08-18 | 1978-08-18 | Semiconductor color pickup device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5527778A JPS5527778A (en) | 1980-02-28 |
| JPS6348234B2 true JPS6348234B2 (ja) | 1988-09-28 |
Family
ID=14293759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10117978A Granted JPS5527778A (en) | 1978-08-18 | 1978-08-18 | Semiconductor color pickup device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5527778A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005069376A1 (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及びこれを用いたカメラ |
| JP2007219515A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-30 | Samsung Electronics Co Ltd | カラーフィルタ、カラーフィルタアレイ及びその製造方法、並びにイメージセンサー |
| JPWO2014033784A1 (ja) * | 2012-08-30 | 2016-08-08 | パイオニア株式会社 | 光学フィルターの製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814569A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Olympus Optical Co Ltd | カラ−撮像装置 |
| US4831628A (en) * | 1983-07-27 | 1989-05-16 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Denices fabricated using method of selective area epitaxial growth using ion beams |
| JPH03151847A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-06-28 | Ishida Tekkosho:Kk | 塊粒状調味料 |
| US9239484B2 (en) | 2010-11-10 | 2016-01-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device substrate and method for fabricating same, and display device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140029A (ja) * | 1974-09-30 | 1976-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS5347227A (en) * | 1976-10-08 | 1978-04-27 | Eastman Kodak Co | Color picture forming device |
-
1978
- 1978-08-18 JP JP10117978A patent/JPS5527778A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPWO2014033784A1 (ja) * | 2012-08-30 | 2016-08-08 | パイオニア株式会社 | 光学フィルターの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5527778A (en) | 1980-02-28 |
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