JPS5814569A - カラ−撮像装置 - Google Patents

カラ−撮像装置

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JPS5814569A
JPS5814569A JP56110794A JP11079481A JPS5814569A JP S5814569 A JPS5814569 A JP S5814569A JP 56110794 A JP56110794 A JP 56110794A JP 11079481 A JP11079481 A JP 11079481A JP S5814569 A JPS5814569 A JP S5814569A
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井田 正利
Kenji Fukuoka
謙二 福岡
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後藤 敦夫
Toshimasa Akagi
利正 赤木
Masaharu Imai
今井 正晴
Kenji Kimura
健次 木村
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645Colour imagers

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  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は固体撮像素子を用いるカラー撮像装置に関する
ものである。
固体撮像素子の入射面側に、例えば赤(R)、緑(G)
および青(B)フィルタから成るカラーフィルタを配置
し、被写体像をこのカラーフィルタにより色分解して固
体撮像素子に結像させてカラー画像信号を得るようにし
た単板式カラー固体撮像装置は従来種々提案されている
。このような単板式カラー固体撮像装置においては、一
固体撮像素子を構成する受光セルの分光特性により各色
に対する感度が漬なり、そのま−では良好なカラー画像
信号を得ることができないため、何らかの方法でカラー
フィルタの各色に対する感度が見掛上等しくなるように
色感度の捕正を行なっている。□第7図は固体撮像素子
の代表的な材料であるシリコン受光セルの分光特性の一
飼を示すものである。第7図から明らかなように、シリ
コン受光セルにおいては波長かはx 410 nmの赤
色の相対感度がOotであるのに対し、波長かはνss
o nmの緑色および波長がは鵞ダto nmの青色の
相対感度く、かつ各色感度が著しく異なっている。゛な
お、このような分光特性を有する固体撮像素子を用いる
場合には、波長がtoo nm以上の赤外領域の光は撮
影において有害となるため、一般には撮像素子の前面に
赤外カットフィルタを配置してカットび一色感度に比し
て高いことから、この赤外カットフィルタにより赤色波
長領域まで一部カットすることにより、このフィルタに
赤色フィルタの透過率を緑および青色フィルタに比し小
さく抑える作用を兼ねさせることもある。
第7図に示すような分光特性を有する固体撮像素子を用
いる場合の従来の色感度補正方法としては、■カラーフ
ィルタの各色の透過率を変える方法、■色信号の重み付
は法、■受光セルの受光窓面積を変える方法、等がある
上記■の色感度補正方法は、第λ図aに示すように緑色
フィルタGを順次のライン上で市松状にルタBをライン
毎交互に緑色フィルタGに隣接し′ て配置したカラー
フィルタ/を用い、このカラーフィルタIの各色フィル
タR,G、Bの分光透過特性をそれぞれ第2図すに示す
ように設定して、固体撮像素子の各色フィルタに対応す
る受光セルの見掛上の色感度を第2図0に示すようには
!等しくなるようにして色感度を補正するものである。
また、上記■の色感度補正方法は、蕗Jv!Jに示すよ
うに、撮影レンズコを介してカラーフィルタを有する固
体撮像素子J上に結像される被写体像の画素信号を、プ
リアンプダおよびサンプリング回路Sを経て各色信号に
分離した後、緑色信号Gを基準に色感度の低(1青色信
号Bに対しては重み付は回路tにより1以上の重みをか
け、色感度の高い赤色信号Rに対しては重み付は回i!
87により7以下の重みを付けることにより、色感度を
補正  □するものである。しかし、この補正方法は、
重み付は回路4および7等の余分な信号処理回路な必要
とするため、構成が複雑かつ高価となる本具合がある。
更に、上記■の色感度補正方法は、第参図に示すように
、固体撮像素子lの赤色フィルタRS緑色フィルタGお
よび青色フィルタBに対応するそれfれの受光セルの受
光窓デ、/θおよびl/の面積を、この順序で順次大き
く形成することにより、色感度を補正するものである。
しかし、この場合には固体撮像素子jの全ての受光セル
の配列間隔を暖も大きい面積の受光窓すなわち青色フィ
ルタBに対応する受光室を形成する受光セルに合わせる
必要があるため、受光室面積が小さい緑色フィルタGお
よび赤色フィルタRに対応する受光セルにおいて撮影に
関与しない無駄な領域が多くなって像の再現性したがっ
て解像度が低下すると共に。
製作上も不利となる不Jlがある。
本発明の目的は上述した不具合を解決し、カラーフィル
タの各色の透過率を調整したり、余分な信号処理回路を
付加したり、あるいは受光セルの受光窓の面積を変えた
りすることなく、カラーフィルタの各色に対応する固体
撮像素子の受光セルの見掛上の色感度かは鵞等しくなる
ように適切に構成したカラー撮像装置を提供しようとす
るものであ由。
本発明は、多数の受光セルを画素単位に配列して成る固
体撮像素子と、この固体撮像素子の入射面側に配置した
複数の色フィルタから成るカラーフィルタとを具えるカ
ラー撮像装置において、前記固体撮像素子の個々の受光
セルを増幅機能を有する素子をもって構成すると共に、
これら各受光セルの増幅率を、前記カラーフィルタの各
色に対する感度に応じて設定して、見掛上の色感度が一
様となるように構成したことを特徴とするものである。
本発明の好適実施例においては、固体撮像素子の個々の
受光セルを増幅機能を有するホ))ランジスタをもって
構成する。このように各受光セルを増幅機能を有するホ
トトランジスタをもって構成すれば、入射光によって発
生したキャリア(NPNホトトランジスタの場合には正
孔)を蓄積するぺ−ス層の厚さおよび/または幅の寸法
を変化させることにより所定の増幅率を得ることができ
る。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第3図は本発明のカラー撮像装置に用いる固体撮像素子
の一例の要部の構成を示す断面図である。
この固体撮像素子は同−基体上に増幅機能を有するホト
トランジスタより成る多数の受光セルをマトリックス状
に配列して形成すると共に、各受光セルの増幅率を、入
射面側に配置されるカラーフィルタ(図示せず)の各色
に対する感度に応じて、色感度が見掛上は!等しくなる
ように設定したものである0第j図では2個の受光セル
2/aおよび1bのみを示すが、個々の受光セルはn+
の同一基体nにn−のコレクタ領域241、pのベース
領域Bおよびn のエミッタ領域スを順次接合すると共
に、表面のエミッタ領域スに信号読出し用の金属配線1
を接続して形成する。なお1.各受光セルの表面はエミ
ッタ領域ぶと金属配ll1127との接続部を除いて酸
化11ffで絶縁被覆する。第5図に示す受光セル21
5Lおよび2/bはカラーフィルタの異なる色に対応す
るもので、本例ではベース領域Bの厚さWB&、WBb
の寸法を適切に設定することにより、受光セル2/aお
よび2/bにおける色感度が見掛上はヌ等しくなるよう
にこれらの増幅率を設定する。
すなわち、受光セル2/aおよび2/bはベース領域B
の厚さのみが構造上具なり、増幅率はベース領域Bの厚
さが薄い受光セ/L/2/bの方が大きい。なベース領
域Bの製作法としては、コレクタ領域2ヂの形成後、先
ず深いベース領域を形成する受光セル2/aに対してベ
ース7オトリソグラフイツクを行なってP型不純物を拡
散し、その後受光セル2/a−および2/bの双方のペ
ースフオYリソグラフィツクを行なって再びPfi不純
物を拡散することにより、受光セル1aに、おいては厚
いベース領域Bを、受光セル2/bにおいては薄いベー
ス領域Bをそれぞれ形成することができる。その後は、
通−常   □あホトトランジスタの製造工程に従って
エミッタ拡散、金属配線形成を行なうことにより、増幅
率の異なる受光セル2/a、27bを得ることができる
第6図は本発明のカラー撮像装置に用いる固体撮像素子
の他の例の要部の構成を示す断面図である。この固体撮
像素子においては、各受光セルを裏面照射型でフック構
造より成るNPN型ホトトランジスタをもって構成する
。第4図では3個の受光セルJl& 、 j/bおよび
310のみを示すが、個々の受光セルは同一の真性半導
体(1)基体33の裏面側にn+層34Iを介して透明
電極3jを設け、表面側にはPのベース領域36および
n+のエミッタ領域nを順次に接合すると共に、表面の
エミッタ領域Iに信号読出し用の金属配線3jを接続し
て形成する。なお、各受光セルの表面はエミッタ領域n
と金属配@31との接続部を除いて酸化膜1で絶縁被覆
する。#!≦図に示す受光セルj/a 、 ztbおよ
びJloはカラーフィルタ(図示せず)の異なる色に対
応するもので、本例では受光セルJ/aのベース領域3
tの厚さ”Baおよび輻LBaを基準とし、受光セルJ
obにおいてはそのベース領域3ぶの厚さWBbおよび
幅LBbをそれぞれ”Bb < ”BaおよびLBb−
LBaとし、受光セルJ10においてはそのベース領域
3乙の厚さWBoおよび幅LB0をそれぞれ”Be””
Baおよ” LBe < LBaとして、受光セル1/
eJ、 、 31bおよびJloにおける色感度が見掛
上は!等しくなるようにそれらの増幅率を設定したもの
である。
第6図に示すような7ツク構造のホトトランジスタより
成る受光セルにおいては、透明電極3Sに正のバイアス
電圧V6(+)を印加して高抵抗の1層33をn+層3
4+からベース領域3乙に至るまで空乏化した状態で、
透明電極3Sに光が入射すると、これにより1層33の
n+層31の近傍で電子−正孔対が発生する。この電子
−正孔対のうち電子はn+層3グに引き込まれ、正孔は
1層33に加わっている電界により加速されては覧飽和
速度でゲート領域3乙に流れ込み、このゲート領域36
を正に帯電する。
ゲート領域34が正に帯電すると、エミッタ領域nとの
間が順方向にバイアスされることになってこの間の電位
障壁が低くなるから、エミッタ領域nから電子がゲート
領域3乙に注入され、この注入された電子はゲート領域
36を通過し、高抵抗の土層33をドリフト走行して裏
面のn+層34Iに吸収される。このように表面のn+
層すなわちエミッタ領域Iか石電子が流出すると、この
領域nも電子が不足して正に帯電され、ついにはベース
領域3tと平衡状態に達して電子の流れが停止する。こ
のときのエミッタ領域nの電位は、ベース領域3乙の電
位より拡散電位だけ高くなる。
こ−でベース領域3≦の電位V(t)は、V(t)Z 
q −s −o −t70f+ Vblとなる。た!し
、qは単位電荷、Sは入射光の光子密度、Cは光速度、
tは積分時間、Ofはベース領域3tとエミッタ領域I
との間の空乏層容量、Vbi ハペース領域3≦とエミ
ッタ領域nとの間の拡散電位を表わす。上式から明らか
なように、電位V(t)は入射光強度Sおよび積分時間
tに比例し、空乏層容量Cに反比例する。
第ぶ図において、受光セルj/bは受光セル31aに比
しペース領域3乙の厚さのみが薄くなっている。
したがって、受光セルJ/bにおいては、エミッタ領域
Iに接続した金属配線31を介して画素41号を読出す
ときに、ペース領域3乙の電位変化に応じてエミッタ領
域〃から透明電極3jに向けて流れる光電流(電子)が
、ベース領域3≦の厚さWBbが受光また、受光セルJ
10は、受光セルJI&に比しベース領域36の幅のみ
が短くなっている。この場合、例えば個々の受光セルを
正方形で形成したとすると、受光セルJ10のベース領
域36の底面積は(LBo)となり、受光セル3/eL
および310のベース領域36とエミッタ領域nとの間
の空乏層容量をそれぞれOfaおよびCfcとすれば、
これらの間には、が成り立つ。したがって、受光セルJ
/aおよびJ/6のそれぞれのべ一憂値域36の電位を
それぞれVa(t)   ’およびV。(1)とすれば
、vo(t)は部分で受光セル、?10のn+層31近
傍の高抵抗1層33で発生した正孔も強い電界の作用に
より、は鵞確実に受光セル110のペース領域3乙に流
れ込むためと考えられる。
なお、厚いベース領域3≦の製作法としては、第3図の
場合と同様にベース拡散を2回行なう方法やその他の方
法を採用することができる″。また、幅の挾いベース領
域3tおよ沙エミッタ領域1はこの部分を形成する際の
ホトマスクの形゛を小さくすることにより形成すること
ができる。
以上のように、第6図においては個々の受光セルのペー
ス領域3乙の厚さおよび/または幅を適切に変えて増幅
率を設定することにより、各色に対応する受光セルの色
感度−見掛上等しくすることができる。
なお、第4図においては基体33は真性半導体(1)に
限らず、高抵抗のn−またはp−の基体を甫いることも
できるし、またn+層31を除いて基体33と透明電極
3jとをショットキー接触させてもよい。
第7図は本発明のカラー撮像装置に用いる固体撮像素子
の更に他の例の要部の構成を示す断面図である。この固
体撮像素子は個々の受光セルを第ぶ図に示した裏面照射
M7ツク構造のホ))ランジスタに信号読出し用の静電
誘導トランジスタを一体に形成して構成したもので、第
を図に示す符号と同一符号は同一作用を成すものを表す
。第7図には7個の受光子ルダlのみを示すが、個々の
受光セルはホトトランジスタのn+のエミッタ領域1を
70−ティングにして、このエミッタ領域Iに接合して
n−のバルク層(ドレイン領域)−2を形成し、このバ
ルク層鴨に接合してp+のゲート領域Qおよびn+−ソ
ース領域邦をそれぞれ〜形成して、これらゲート領域C
およびソース領域仰をそれぞれワードライン電極グjお
よびビットライン電極6に接続して構成する。なお、隣
接する受光セル間および各受光セルの表面はワードライ
ン電極社、ピットライン電極らの接続部を除いて酸化膜
31で絶縁する。か−る受光セルVにおいては、ワード
ライン電極4ISを介して静電誘導トランジスタを導通
させることにより、ホトトランジスタのn のエミッタ
領域nに表われる画素信号電圧をビットライン電極餡を
経て読出すことができる。勿論、本例においても第6図
で説明したと同様に、個々の受光セルを構成するホトト
ランジスタのベース領域36の厚さWBおよび/または
幅LBを変えて、各色に対応する受光セルの色感度が見
掛上等しくなるように各々の増幅率を設定する。
第1図は本発明のカラー繻像装置に用いる固体撮像素子
の更に他の例の要部の構成を示す断面図である。この固
体撮像素子においては、各受光セルを表面照射型でフッ
ク構造より成るNPN型ホFトランジスタとこのホトト
ランジスタでの画素信号を銃出すための読出し用トラン
ジスタとをもって構成する。第を図では3個の受光セル
jI& 、 j/1)およびjloのみを示すが、個々
の受光セルのホトトランジスタ部1/&−/、51b−
/、310−/および読出し用トランジスタ部5th−
λ、5tb−コ。
l10−Jは、ホ)Yランジスタ部3HL −/ 、 
31b−/は幅の寸法が異なるものである。ホトトラン
ジスタ部は同一のP型基体S3の表面側に、n+、の工
曙ツタ領域評、Pのベース領域お、P−(n−または土
でもよい)の高抵抗層56およびn層j7を順次に接合
して形成すると共に、表面のn1lj7上にp一層おが
空乏化するに十分な正のバイアス電圧7s(+)を印加
するための電極srを設けて構成する。なお、個々の受
光セルのホトトランジスタ部と読出し用トランジスタ部
との間の所要の部分、隣接する受光セル間、および各受
光セルの所要の電極との接続部を除く表面は酸化膜j9
で絶縁する。また、各受光セルの読出し用トランジスタ
は、ホトトランジスタのn+のエミッタ領域Elをソー
スまたはドレイン領域とする静電誘導トランジスタ等に
より構成することができる。Hz図に示す受光セルj/
eL。
stbおよび310は図示しないカラーフィルタの異な
る色に対応するもの士、本例では受光セル57aのベー
ス領域j!rの厚さ”Baおよび輔LBILを基準とし
、第を図と同様に受光上kjlbにおいてはそのベース
領域SSの厚さWBbおよび幅”BbをそれぞれWBb
<”BaおよびLBb −LBaとし、受光セル310
においてはそのベース領域SSの厚さwBoおよび幅L
Boをそれぞれ”BO−WBaおよび”B(:t <”
Baとして、受光セル1/eL 、 jobおよびjl
oにおける色感度が見掛上は鵞等しくなるようにそれら
の増幅率を設定したものである。
第1図に示すようなフック構造のホトトランジスタを有
する受光セルにおいては、電極srに高抵抗層Stが空
乏化するに十分な正のバイアス電圧VB(+)を印加す
ることにより第4図と同様に動作る。
なお、厚さの異なるベース領域SSは、途中の工程で深
いベース領域についてはコ回のベース拡散を行なうこと
により形成することができる。また、ベース領域5jの
底面積を小さくするには、この部分を形成する際のホト
マスクの形を小さくするか、あるいは表面より窒素(N
)または酸素(0)をSIMOX法(separati
on by ll0I)lantai (lxygen
 )によッテヘース領域SSまで打込むことにより、そ
の部分を絶縁層に変えることによって形成するか、また
は晧9図に1つの受光セルgのみを示すように絶縁酸化
膜S?をベース領域jSの方に食込ませることでベース
領域SSの底面積を小さくすることができる。なお、第
9図に示す受光セルt/は、第を図と同様ホトトランジ
スタ部+4/ −/と読出し用トランジスタ部6ノー2
とから成るもので、第を図に示す符号と同一符号は同一
作用を成すものを表わす。
なお、本発明は上述した例にのみ限定されるものではな
く、幾多の変形または変更が可能である。例えば第7図
、第1図および第9図に示すように個々の受光セルをホ
トトランジスタ部と続出し用トランジスタ部とをもって
構成する場合には、読出し用トランジスタの増幅率を適
切に設定することにより色感度を補正するよう構成する
こともできる。
以上詳細に説明したように、本発明においては、固体撮
像素子の個々の受光セルを増幅機能を有する素子をもっ
て構成すると共に、これら各受光セルの増幅率を、カラ
ーフィルタの各色に対する感度に応じて設定して、見掛
上の色感度が一様となるように構成したから、カラーフ
ィルタの各色の透過率を調整したり、余分な信号処理回
路を付加したり、あるいは受光セルの受光窓の面積を変
えたりすることなく、カラーフィルタの各色に対応□す
る固体撮像素子の受光セルの見掛上の色感度をほぼ等し
くすることができ、本発明の目的を有効に達成すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はシリコン受光セルの分光特性の一例を示す線図
、第コ図a、bおよび0は従来の色感度補正方法の一例
を説明するための縮図、第3図および第ダ図は同じく他
の一つの例を説明するための線図、第j図、第6図、第
7図、第を図および第9図は本発明のカラー撮像装置に
用いる固体撮像素子のそれぞれの要部の構成を示す断面
図でコ/a、Jlb・・・受光セル、B・・・基体、2
#・・・コレクタ領域s n・・・ベース領域、に・・
・エミッタ領域、1・・・金属配線、1・・・絶縁酸化
膜% Jl&、Jlb、Jlo・・・受光セル、33・
・・基体、3ダ・・・n+層、JJ・・・透明電極、3
6・・・ベース領域、I・・・エミッタ領域、31・・
・電極。 n・・・絶縁酸化膜、グハ・・受光セル、p・・・バル
ク層、ダ3・・・ゲート領域、仰・・・ソース領域、−
5−ワードライン電極、%・・・ビットライン電極、j
/a、 Jlb。 310 ・・・受光セル、j/a−/−、Jlb−/、
 j/c−/−・・ホト)ランジスタ部、 j/a−2
,Jlb−2,310−2・・・読出し用トランジスタ
部、!3・・・基体、S4I・・・エミッタ領域Jj・
・・ペース領域、St・・・高抵抗層、j7・・・n+
層、sr・・・電極、j?・・・絶縁酸化膜、 4/・
・・受光セル、6/−l・・・ホトトランジスタ部、コ
l−コ・・・続出し用トランジスタ部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 L 多数の受光セルを画素単位に配列して成る固体撮像
    素子と、この固体撮像素子の入射面側に配置した複数の
    色フィルタから成るカラーフィルタとを具えるカラー撮
    像装置において、 前記固体撮像素子の個々の受光セルを増幅機能を有する
    素子をもって構成すると共に、これら各受光セルの増幅
    率を、前記カラーフィルタの各色に対する感度に応じて
    設定して、見掛上の色感度が一様となるように構成した
    ことを特徴とするカラー撮像装置。 2 前記増幅機能を有する個々の受光セル牽ホトトラン
    ジスタをもって構成すると共に、このホトトランジスタ
    のペース層の厚さおよび/または幅の寸法を変化させる
    ことにより所定の増幅率を得るようにしたことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載のカラー撮像装置。
JP56110794A 1981-07-17 1981-07-17 カラ−撮像装置 Granted JPS5814569A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56110794A JPS5814569A (ja) 1981-07-17 1981-07-17 カラ−撮像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56110794A JPS5814569A (ja) 1981-07-17 1981-07-17 カラ−撮像装置

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Publication Number Publication Date
JPS5814569A true JPS5814569A (ja) 1983-01-27
JPH0416948B2 JPH0416948B2 (ja) 1992-03-25

Family

ID=14544798

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56110794A Granted JPS5814569A (ja) 1981-07-17 1981-07-17 カラ−撮像装置

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JP (1) JPS5814569A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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