KR20050103027A - 노치 필터를 갖는 이미지센서 및 그 제조 방법 - Google Patents
노치 필터를 갖는 이미지센서 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050103027A KR20050103027A KR1020040028403A KR20040028403A KR20050103027A KR 20050103027 A KR20050103027 A KR 20050103027A KR 1020040028403 A KR1020040028403 A KR 1020040028403A KR 20040028403 A KR20040028403 A KR 20040028403A KR 20050103027 A KR20050103027 A KR 20050103027A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- notch filter
- red
- image sensor
- oxide film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 241001428800 Cell fusing agent virus Species 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 208000036971 interstitial lung disease 2 Diseases 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B02—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
- B02C—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; MILLING GRAIN
- B02C18/00—Disintegrating by knives or other cutting or tearing members which chop material into fragments
- B02C18/06—Disintegrating by knives or other cutting or tearing members which chop material into fragments with rotating knives
- B02C18/14—Disintegrating by knives or other cutting or tearing members which chop material into fragments with rotating knives within horizontal containers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B02—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
- B02C—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; MILLING GRAIN
- B02C18/00—Disintegrating by knives or other cutting or tearing members which chop material into fragments
- B02C18/06—Disintegrating by knives or other cutting or tearing members which chop material into fragments with rotating knives
- B02C18/16—Details
- B02C18/18—Knives; Mountings thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B02—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
- B02C—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; MILLING GRAIN
- B02C18/00—Disintegrating by knives or other cutting or tearing members which chop material into fragments
- B02C18/06—Disintegrating by knives or other cutting or tearing members which chop material into fragments with rotating knives
- B02C18/16—Details
- B02C18/22—Feed or discharge means
- B02C18/2216—Discharge means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B02—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
- B02C—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; MILLING GRAIN
- B02C18/00—Disintegrating by knives or other cutting or tearing members which chop material into fragments
- B02C18/06—Disintegrating by knives or other cutting or tearing members which chop material into fragments with rotating knives
- B02C18/16—Details
- B02C18/24—Drives
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/201—Filters in the form of arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02165—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors using interference filters, e.g. multilayer dielectric filters
Abstract
본 발명은 칼라 필터의 분광영역이 오버랩되는 부분을 최소화하여 색 재현 특성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 기판 상에 배치된 복수의 포토다이오드; 상기 포토다이오드 상부에 배치된 적, 녹, 청 칼라 필터; 및 상기 적색 및 청색의 칼라 필터 영역에서 녹색광을 차단하기 위해 상기 적색 및 청색 칼라 필터 하부에 배치된 노치 필터를 포함하는 이미지센서를 제공한다.
또한, 본 발명은, 기판 상에 복수의 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 복수의 포토다이오드 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 산화막과 질화막을 교번적으로 복수회 증착하는 단계; 녹색 칼라 필터 영역에서 교번적으로 증착된 상기 산화막 및 질화막을 선택적으로 제거하여 적색과 청색 칼라 필터 영역에서 상기 산화막 및 질화막이 교번적으로 적층되어 녹색광을 차단하기 위한 노치 필터를 형성하는 단계; 상기 노치 필터 상에 평탄화막을 형성하는 단계; 및 상기 노치 필터 상에 적, 녹, 청 칼라 필터를 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
Description
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 칼라 구현 능력을 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지센서라 함은 광학 영상(Optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자이다. 이 중 전하결합소자(CCD : Charge Coupled Device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, CMOS(Complementary MOS; 이하 CMOS) 이미지센서는 제어회로(Control circuit) 및 신호처리회로(Signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수만큼 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(Output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
이러한 다양한 이미지센서를 제조함에 있어서, 이미지센서의 감광도(Photo sensitivity)를 증가시키기 위한 노력들이 진행되고 있는 바, 그 중 하나가 집광기술이다. 예컨대, CMOS 이미지센서는 빛을 감지하는 포토다이오드와 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 CMOS 로직회로부분으로 구성되어 있는 바, 광감도를 높이기 위해서는 전체 이미지센서 면적에서 포토다이오드의 면적이 차지하는 비율(이를 통상 Fill Factor"라 한다)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있다.
이미지 센서는 적,녹,청(Red, Green, Blue)의 칼라 필터 어레이(Colour Filter Array; 이하 CFA라 함)를 구비함으로써 각각의 색상을 혼합하여 색상을 구현하도록 한다.
이러한 칼라 이미지센서의 분광 특성은 칼라 필터 물질의 특성에 직접적인 영향을 받으며, 이와 같은 특성은 이미지센서의 색 재현 특성, 색상 구현 능ㄹ혁에 반영이 된다. 현재 사용되고 있는 칼라 필터용 포토레지스트의 분과 특성은 이상적인 특성과는 거리가 있으며, RGB 각각에 대한 오버랩이 상당 수준 존재함으로써 감도(Sensitivity) 증가를 위한 필터 두께의 튜닝(Tuning)과 관련된 연구도 색 재현 특성의 열화에 따른 문제를 고려해야 한다.
도 1은 종래기술에 따른 이미지 센서를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(10)에 다수의 포토다이오드(11)가 배치되어 있으며, 그 상부에 제1절연막(12) 예컨대, 평탄화층이 형성되어 있고, 제1절연막(12) 상의 포토다이오드(11)와 오버랩되지 않은 영역 즉, 포토다이오드(11)에 인접된 영역에 게이트전극(13)이 배치되어 있으며, 게이트전극(13)으로 빛이 입사되는 것을 차단하기 위한 광차단막(15)이 게이트전극(13) 상부에 오버랩되도록 배치되어 있다. 광차단막(15)과 게이트전극(13) 사이에는 제2절연막(14) 예컨대, PMD(Pre Metal Dielectric)층이 형성되어 있다.
광차단막(15) 상에는 제3절연막(16) 예컨대, OCL(Over Coating Layer)이 형성되어 있으며, 제3절연막(16) 상에 적(R), 녹(G), 청(B)의 칼라 필터(17a, 17b, 17c)가 각각 포토다이오드(11)와 오버랩되도록 배치되어 있으며, 적, 녹, 청 칼라 필터(17a, 17b, 17c) 상에 제4절연막(18) 예컨대, OCL 등의 평탄화층이 배치되어 있으며, 제4절연막(18) 상에 적, 녹 청 칼라 필터(17a, 17b, 17c)와 각각 오버랩되는 볼록한 형상의 마이크로렌즈(19)가 배치되어 있다.
전술한 이미지센서의 칼라 특성은 R,G,B 칼라 물질막을 사용하여 구현한 것으로 R,G,B 각각의 필터 특성은 이상적인 컷오프(Cutoff) 특성과는 거리가 있고, 서로의 분광영역이 근원적으로 오버랩되는 부분이 존재하게 된다. 이는 칼라 처리 단계에서 순수 칼라 성분을 줄이는 역할을 하게 되고, 칼라 신호대잡음비에 영향을 주어 동적영역(Dynamic range)의 감소를 초래하게 된다.
도 2는 종래의 이미지센서의 각 색상의 파장에 따른 투과 특성 즉, 분광특성을 도시한 그래프이다.
도 2를 참조하면, R은 600nm 이상의 파장 영역에서 광 투과도가 높으며, G는 500nm ∼ 600nm의 파장 영역에서 광 투과도가 높으며, B는 500nm 이하의 파장 영역에서 광 투과도가 높음을 알 수 있다.
한편, G는 자신의 가장 두드러진 패장 영역이 500nm ∼ 600nm임에도 불구하고 그 분포가 450nm ∼ 650nm 파장 영역까지 넓게 분포함을 알 수 있다. G의 이러한 넓은 오버랩 특성으로 인해 순수 칼라 성분의 비율이 상대적으로 낮아지고, 이로 인해 색 재현 특성에 문제가 발생한다.
한편, 각 카라 성분의 응답 특성을 증가시키기 위해 각 칼라 필터의 두께를 낮게할 경우에는 오버랩의 증가 범위를 더욱 넓히는 문제가 발생한다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명은, 칼라 필터의 분광영역이 오버랩되는 부분을 최소화하여 색 재현 특성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판 상에 배치된 복수의 포토다이오드; 상기 포토다이오드 상부에 배치된 적, 녹, 청 칼라 필터; 및 상기 적색 및 청색의 칼라 필터 영역에서 녹색광을 차단하기 위해 상기 적색 및 청색 칼라 필터 하부에 배치된 노치 필터를 포함하는 이미지센서를 제공한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판 상에 복수의 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 복수의 포토다이오드 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 산화막과 질화막을 교번적으로 복수회 증착하는 단계; 녹색 칼라 필터 영역에서 교번적으로 증착된 상기 산화막 및 질화막을 선택적으로 제거하여 적색과 청색 칼라 필터 영역에서 상기 산화막 및 질화막이 교번적으로 적층되어 녹색광을 차단하기 위한 노치 필터를 형성하는 단계; 상기 노치 필터 상에 평탄화막을 형성하는 단계; 및 상기 노치 필터 상에 적, 녹, 청 칼라 필터를 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
본 발명은, 기본적인 칼라 필터용 포토레지스트는 정상적으로 사용하면서 색 재현 특성의 개선 즉, 칼라 오버랩 부분의 최소화를 위해 RGB의 경우 B와 R 칼라 필터 하부에 멀티 레이어 구조의 필터를 형성하여 두 칼라 영역에서의 G와 Cy만을 필터링하여 제거하는 노치 필터(Notch filter)를 구현한다.
따라서, 기존의 G칼라 영역으로 분포되는 B 또는 R의 응답(Response)을 자신의 영역에만 한정시켜 줌으로써 순수 신호 성분의 비율을 증가시켜 이미지 센서의 칼라 구현 능력을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 일실시에에 따른 이미지센서를 도시한 단면도이며, 도 4는 본 발명의 멀티 레이러 구조의 노치 필터를 도시한 단면도이며, 도 5는 노치 필터의 분광특성을 도시한 그래프이며, 도 6은 본 발명에 따른 이미지센서의 분광특성을 도시한 그래프이다.
도 3을 참조하면 본 발명의 이미지센서는, 기판(30) 상에 뱌치된 복수의 포토다이오드(31)와, 상기 포토다이오드(31) 상에 형성된 제1절연막(32)과, 제1절연막(32) 상의 포토다이오드(31)와 오버랩되지 않은 영역 즉, 포토다이오드(31)에 인접하는 영역에 배치된 게이트전극(33)과, 상기 게이트전극(33) 상에 배치된 제2절연막(34)과, 게이트전극(33)으로 빛이 입사되는 것을 차단하기 위해 게이트전극(33)과 오버랩되도록 제2절연막(34) 상에 배치된 광차단막(35)과, 광차단막(35) 상에 배치된 제3절연막(36)과, 적색 및 청색의 칼라 필터 영역에서 녹색광을 차단하기 위해 적색 및 청색 칼라 필터 상에 배치된 노치 필터(37)와, 노치 필터(37) 상에 배치된 제4절연막(38)과, 포토다이오드(31)와 각각 오버랩되도록 제4절연막(38) 상에 배치된 청, 녹, 적 칼라 필터(39a, 39b, 39c)와, 청, 녹, 적 칼라 필터(39a, 39b, 39c) 상에 배치된 제5절연막(40) 예컨대, 평탄화막과, 평탄화막(40) 상에 청, 녹, 적 칼라 필터(39a, 39b, 39c)와 각각 오버랩되도록 배치된 마이크로 렌즈(41)를 구비하여 구성된다.
노치 필터(37)는 특수한 파장의 빛을 차단(Cut-off)하는 특징이 있는 바, 도 4를 참조하면, 노치필터(37)는 질화막(37a)과 산화막(37b)이 교번적으로 적층된 바이레이어 구조를 이루고 있으며, 노치필터(37)는 질화막(37a)과 산화막(37b)이 적어도 10번 정도 반복적으로 적층되도록 하는 것이 바람직하다.
따라서, 노치 필터(37)는 굴절율이 1.96 ∼ 2.01인 질화막(37a)과 굴절율이 1.45 ∼ 1.488인 산화막(37b)이 적층되어 도 5에 도시된 바와 같이 0.5㎛ ∼ 0.6㎛(500nm ∼ 600nm) 정도의 녹색(G)광을 거의 차단하는 분광 특성을 갖는 0.5㎛ 기준파장의 QWRS(Quarter Wavelength Reflector Stack)이다. 질화막(37a)은 800Å ∼ 1000Å, 산화막(37b)은 600Å ∼ 700Å의 두께를 갖도록 하는 것이 바람직하다.
도 6을 참조하면, 전술한 본 발명의 일실시예에서 사용한 노치 필터에 의해 B 및 R 칼라 영역에서 G의 성분이 거의 제거되고 B와 R 칼라에 대한 영향은 거의 없으므로, 분광특성이 개선되어 G와 B의 분광영역이 오버랩되는 부분을 최소화할 수 있음을 알 수 있다.
한편, 전술한 본 발명의 일실시예에서는 마이크로렌즈가 볼록 형성인 것을 그 일예로 하였으나, 오목 형상인 경우에도 적용이 가능하다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 일실시예에 따른 노치 필터를 갖는 이미지센서 제조 공정을 도시한 단면도이다.
도 7a를 참조하면, 각 RGB 칼라 필터 형성 영역(rgb)으로 구획된 기판(70)에 포토다이오드(도시하지 않음)와 트랜지스터 등을 형성한 다음, 절연막(71)을 형성한다.
이 후, 게이트전극과 광차단막 등을 형성하며, 이러한 구체적인 공정은 생략한다.
이어서, 절연막(71) 상에 산화막(72a)과 질화막(72b)을 교번적으로 복수회 증착하여 산화막(72a)과 질화막(72b)의 바이레이어 구조를 형성한다.
이 때, 산화막(72a)과 질화막(72b)을 10회 이상 반복하여 적층하며, 질화막(72b)은 800Å ∼ 1000Å, 산화막(72a)은 800Å ∼ 1000Å의 두께가 되도록 한다. 따라서, 굴절율이 1.96 ∼ 2.01인 질화막(72b)과 굴절율이 1.45 ∼ 1.488인 산화막(72a)이 적층되어 0.5㎛ ∼ 0.6㎛(500nm ∼ 600nm) 정도의 녹색(G)광을 거의 차단하는 분광 특성을 갖는 0.5㎛ 기준파장의 QWRS을 이루는 노치 필터를 이룰 수 있다.
이어서, G 칼라 영역(g)에서 교번적으로 적층된 산화막(72a) 및 질화막(72b)을 제거하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성한 다음, 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 G 칼라 영역(g)에서 교번적으로 적층된 산화막(72a) 및 질화막(72b)을 식각하여 제거함으로써, B 및 R 칼라 영역(b, r)에서 산화막(72a) 및 질화막(72b)의 바이레이어 구조를 갖는 노치 필터(72)를 형성한다.
이어서, 포토레지스트 패턴을 제거한 다음, 평탄화층(73) 예컨대, OCL층을 형성한 다음, 그 상부에 통상적인 공정을 통해 BGR 칼라 필터(74a, 74b, 74c)를 형성한다.
한편, 도면에 도시되지는 않았지만, BGR 칼라 필터(74a, 74b, 74c) 상에 평탄화층과 마이크로렌즈 및 보호막을 형성하는 공정을 추가로 실시함으로써 이미지센서 형성 공정이 완료된다.
전술한 본 발명은, 기본적인 칼라 필터용 포토레지스트는 정상적으로 사용하면서 색 재현 특성의 개선 즉, 칼라 오버랩 부분의 최소화를 위해 RGB의 경우 B와 R의 칼라 필터 하부에 멀티 레이어 구조의 필터를 형성하여 두 칼라 영역에서의 G와 Cy만을 필터링하여 제거하는 노치 필터(Notch filter)를 형성하여 기존의 G칼라 영역으로 분포되는 B 또는 R의 응답을 자신의 영역에만 한정시켜 줌으로써, 순수 신호 성분의 비율을 증가시켜 이미지 센서의 칼라 구현 능력을 향상시킬 수 있음을 실시예를 통해 알아 보았다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 본 발명은, 이미지센서의 칼라 구현 능력을 향상시킬 수 있어, 궁극적으로 이미지센서의 성능을 크게 향상시킬 수 있는 탁월한 효과를 기대할 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 이미지 센서를 도시한 단면도.
도 2는 종래의 이미지센서의 각 색상의 파장에 따른 투과 특성 즉, 분광특성을 도시한 그래프.
도 3은 본 발명의 일실시에에 따른 이미지센서를 도시한 단면도.
도 4는 본 발명의 멀티 레이러 구조의 노치 필터를 도시한 단면도.
도 5는 노치 필터의 분광특성을 도시한 그래프.
도 6은 본 발명에 따른 이미지센서의 분광특성을 도시한 그래프.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 일실시예에 따른 노치 필터를 갖는 이미지센서 제조 공정을 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
30 : 기판 31 : 포토다이오드
32 : 제1절연막 33 : 게이트전극
34 : 제2절연막 35 : 광차단막
36 : 제3절연막 37 : 노치 필터
38 : 제4절연막 39a, 39b, 39c : 칼라 필터
40 : 제5절연막 41 : 마이크로렌즈
Claims (11)
- 기판 상에 배치된 복수의 포토다이오드;상기 포토다이오드 상부에 배치된 적, 녹, 청 칼라 필터; 및상기 적색 및 청색의 칼라 필터 영역에서 녹색광을 차단하기 위해 상기 적색 및 청색 칼라 필터 하부에 배치된 노치 필터를 포함하는 이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 노치 필터는 질화막과 산화막이 교번적으로 적층된 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 2 항에 있어서,상기 노치 필터는 질화막과 산화막이 교번하여 적어도 10번 적층된 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 2 항에 있어서,상기 질화막의 굴절율은 1.96 내지 2.01 이며, 상기 산화막의 굴절율은 1.45 내지 1.488인 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 2 항에 있어서,상기 질화막은 800Å 내지 1000Å의 두께이며, 상기 산화막은 600Å 내지 700Å인 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 각 칼라필터 상에 배치된 복수의 마이크로렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 6 항에 있어서,상기 마이크로렌즈는 볼록 또는 오목 형상인 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 기판 상에 복수의 포토다이오드를 형성하는 단계;상기 복수의 포토다이오드 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 산화막과 질화막을 교번적으로 복수회 증착하는 단계;녹색 칼라 필터 영역에서 교번적으로 증착된 상기 산화막 및 질화막을 선택적으로 제거하여 적색과 청색 칼라 필터 영역에서 상기 산화막 및 질화막이 교번적으로 적층되어 녹색광을 차단하기 위한 노치 필터를 형성하는 단계;상기 노치 필터 상에 평탄화막을 형성하는 단계; 및상기 노치 필터 상에 적, 녹, 청 칼라 필터를 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 노치 필터는 질화막과 산화막이 교번하여 적어도 10번 적층된 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 질화막은 800Å 내지 1000Å의 두께이며, 상기 산화막은 600Å 내지 700Å인 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 각 칼라 필터를 형성하는 단계 후, 상기 칼라 필터 상에 복수의 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040028403A KR20050103027A (ko) | 2004-04-23 | 2004-04-23 | 노치 필터를 갖는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
| US11/073,344 US20050236653A1 (en) | 2004-04-23 | 2005-03-04 | Image sensor having notch filter and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040028403A KR20050103027A (ko) | 2004-04-23 | 2004-04-23 | 노치 필터를 갖는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050103027A true KR20050103027A (ko) | 2005-10-27 |
Family
ID=35135560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040028403A KR20050103027A (ko) | 2004-04-23 | 2004-04-23 | 노치 필터를 갖는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050236653A1 (ko) |
| KR (1) | KR20050103027A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100781552B1 (ko) * | 2006-06-26 | 2007-12-05 | 삼성전기주식회사 | 고해상도 이미지 복원 장치 및 방법 |
| KR100827242B1 (ko) * | 2006-06-26 | 2008-05-07 | 삼성전기주식회사 | 이미지 복원 방법 및 장치 |
| CN112397528A (zh) * | 2019-08-16 | 2021-02-23 | 新唐科技股份有限公司 | 光学感测滤光器及其形成方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101106336B1 (ko) * | 2004-07-29 | 2012-01-18 | 인텔렉츄얼 벤처스 투 엘엘씨 | 신호대잡음비를 개선할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
| JP2006228938A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換膜積層型固体撮像素子 |
| KR100660346B1 (ko) * | 2005-09-21 | 2006-12-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100788354B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2008-01-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 보호막, 이를 사용한 이미지 센서, 및 이를사용한 이미지 센서의 제조방법 |
| JP2011100900A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法と設計方法並びに電子機器 |
| US9960199B2 (en) * | 2015-12-29 | 2018-05-01 | Viavi Solutions Inc. | Dielectric mirror based multispectral filter array |
| US9923007B2 (en) | 2015-12-29 | 2018-03-20 | Viavi Solutions Inc. | Metal mirror based multispectral filter array |
| EP3955033A1 (en) * | 2020-08-11 | 2022-02-16 | Infineon Technologies AG | Image sensor and device for an image sensor |
| US11394934B2 (en) * | 2020-09-24 | 2022-07-19 | Qualcomm Incorporated | Binned anti-color pixel value generation |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5737045A (en) * | 1995-09-22 | 1998-04-07 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | LCD with notch filter |
-
2004
- 2004-04-23 KR KR1020040028403A patent/KR20050103027A/ko not_active Application Discontinuation
-
2005
- 2005-03-04 US US11/073,344 patent/US20050236653A1/en not_active Abandoned
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100781552B1 (ko) * | 2006-06-26 | 2007-12-05 | 삼성전기주식회사 | 고해상도 이미지 복원 장치 및 방법 |
| KR100827242B1 (ko) * | 2006-06-26 | 2008-05-07 | 삼성전기주식회사 | 이미지 복원 방법 및 장치 |
| CN112397528A (zh) * | 2019-08-16 | 2021-02-23 | 新唐科技股份有限公司 | 光学感测滤光器及其形成方法 |
| CN112397528B (zh) * | 2019-08-16 | 2023-09-29 | 新唐科技股份有限公司 | 光学感测滤光器及其形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050236653A1 (en) | 2005-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7312093B2 (en) | Image sensor capable of adjusting focusing length for individual color and fabrication method thereof | |
| US20050236653A1 (en) | Image sensor having notch filter and method for fabricating the same | |
| US8846433B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| KR100329782B1 (ko) | 광감도 개선을 위한 이미지센서 제조방법 | |
| KR20050103772A (ko) | 더블렌즈를 구비한 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100449951B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100410670B1 (ko) | 시모스 이미지센서의 칼라필터 형성방법 | |
| KR100817710B1 (ko) | 입사광의 파장에 따라 마이크로렌즈의 곡률반경을 달리한시모스 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100748327B1 (ko) | 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR20040058664A (ko) | 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100440774B1 (ko) | 광차단층을 구비한 이미지센서 | |
| KR100465540B1 (ko) | 노치 필터를 갖는 이미지센서 | |
| KR100776145B1 (ko) | 다층 칼라필터를 이용한 이미지 센서 | |
| KR20010059316A (ko) | 광감도 개선을 위한 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100873289B1 (ko) | 경사입사광의 영향을 감소시킨 시모스 이미지센서 | |
| KR100700264B1 (ko) | 이미지센서의 칼라필터 형성방법 | |
| KR20030039713A (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20030057611A (ko) | 청색광에 대한 광감도를 향상시키기 위한 이미지센서 | |
| KR20030001111A (ko) | 이미지센서 | |
| KR20060010884A (ko) | 노치 필터를 갖는 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20050039160A (ko) | 칼라필터를 내부렌즈로 사용하는 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR20030056338A (ko) | 광효율을 향상시키기 위한 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20030002902A (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100880529B1 (ko) | 시모스 이미지센서의 칼라필터 및 그 제조방법 | |
| KR100720463B1 (ko) | 시모스 이미지 센서의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20060526 Effective date: 20070227 Free format text: TRIAL NUMBER: 2006101004527; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20060526 Effective date: 20070227 |