JPS60242669A - 光センサアレイ装置 - Google Patents
光センサアレイ装置Info
- Publication number
- JPS60242669A JPS60242669A JP59099061A JP9906184A JPS60242669A JP S60242669 A JPS60242669 A JP S60242669A JP 59099061 A JP59099061 A JP 59099061A JP 9906184 A JP9906184 A JP 9906184A JP S60242669 A JPS60242669 A JP S60242669A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- electrodes
- array device
- patterns
- shaped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はファクシミリ、複写機等に適用される光センサ
アレイ装置に関するものである。
アレイ装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、この種の光センサアレイ装置としては、シリコン
単結晶基板上にＩＣ製造技術を利用して形成される素子
が用いられてきた。しかし、これらは、単結晶基板を使
用する為、サイズ的には、３０ｍｍが限度で、原稿を読
み取る場合、光学綿／」＼系レンズを併用する必要があ
り、装置が大型化すること、及び、価格が高くつくこと
が避けられなイブの光センサアレイが発明されている。
単結晶基板上にＩＣ製造技術を利用して形成される素子
が用いられてきた。しかし、これらは、単結晶基板を使
用する為、サイズ的には、３０ｍｍが限度で、原稿を読
み取る場合、光学綿／」＼系レンズを併用する必要があ
り、装置が大型化すること、及び、価格が高くつくこと
が避けられなイブの光センサアレイが発明されている。
そのひとつであるＣｄＳ 、 ＣｄＴｅ等のＩＩ−ＩＶ
族化合物半導体を用いた薄膜タイプの光センサアレイを
第１図および第２図に示した。同図において１は上部電
極、２はＣｄＴｅ層である。透明電極部ｉは各素子ごと
に分離されているが、ＣｄＴｅ部は分離されていない。
族化合物半導体を用いた薄膜タイプの光センサアレイを
第１図および第２図に示した。同図において１は上部電
極、２はＣｄＴｅ層である。透明電極部ｉは各素子ごと
に分離されているが、ＣｄＴｅ部は分離されていない。
ガラス基板下方から光を照射した場合、光電流は第１図
で示すように、隣接素子からの漏れ電流の影響を受ける
。
で示すように、隣接素子からの漏れ電流の影響を受ける
。
第３図はこの欠点を防ぐ為、フオトエ１．チング法を用
いてＣｄＴｅ層２を各素子ごとに分離したものであるが
、ＣｄＴｅ層２のパターン制御が困難々上、製造工程中
、不純物等の汚染を受け易い為、性能が著しく劣化する
。即ち従来のＴＩ−ＩＶ族光センサアレイでは、性能の
劣化を伴わず、隣接素子からの漏れ電流の影響を阻止す
ることができないという欠点があった。
いてＣｄＴｅ層２を各素子ごとに分離したものであるが
、ＣｄＴｅ層２のパターン制御が困難々上、製造工程中
、不純物等の汚染を受け易い為、性能が著しく劣化する
。即ち従来のＴＩ−ＩＶ族光センサアレイでは、性能の
劣化を伴わず、隣接素子からの漏れ電流の影響を阻止す
ることができないという欠点があった。
発明の目的
本発明の目的は、半導体膜そのものを分離せずに隣接素
子間の電気的影響を除去可能とする光センサアレイ装置
を提供することにある。
子間の電気的影響を除去可能とする光センサアレイ装置
を提供することにある。
発明の構成
本発明の光センサアレイ装置は、透光性基板上に、絶縁
性の遮光層と電極を交互に配列させ、前記遮光層と前記
電極の上部に、半導体膜を形成させたものであり、前記
半導体膜そのものを分離せずに隣接素子間の電気的影響
が除去されることを可能にしたものである。
性の遮光層と電極を交互に配列させ、前記遮光層と前記
電極の上部に、半導体膜を形成させたものであり、前記
半導体膜そのものを分離せずに隣接素子間の電気的影響
が除去されることを可能にしたものである。
実施例の説明
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。第４図は本発明によシ得られた光センサアレイ
装置の断面図である。同図において従来例を示す部分に
は同一番号を付している。
明する。第４図は本発明によシ得られた光センサアレイ
装置の断面図である。同図において従来例を示す部分に
は同一番号を付している。
まず４で示すガラス基板の上に、透明電極のパターンを
７オトエフチング法により、形成する。この後Ａｌを蒸
着、再びフォトエツチング法により。
７オトエフチング法により、形成する。この後Ａｌを蒸
着、再びフォトエツチング法により。
第・図忠示す様に、各受光素子間隙に、遮光・リフトの
パターンを形成した後、さらに酸素雰囲気中にて、４０
０〜６００℃で数時間熱処理を行い、ＡＩ衣表面絶縁層
とする。次にＣｄＴ ｅフォトコンダクタ一層を形成す
る。作製条件は、蒸着法により、基板温度３００〜３５
０℃、層厚さ１〜２μｍである。最後に、上部電極とし
て、ＡＩ或いはＳｎを同様に蒸着法で形成、所定パター
ンを作る。
パターンを形成した後、さらに酸素雰囲気中にて、４０
０〜６００℃で数時間熱処理を行い、ＡＩ衣表面絶縁層
とする。次にＣｄＴ ｅフォトコンダクタ一層を形成す
る。作製条件は、蒸着法により、基板温度３００〜３５
０℃、層厚さ１〜２μｍである。最後に、上部電極とし
て、ＡＩ或いはＳｎを同様に蒸着法で形成、所定パター
ンを作る。
第１図に示す従来の光センサアレイの場合、受光素子部
面積８０μｍＸ１２５μｍ、隣接素子間隔４６μｍで、
受光部照度が２０００ ｌｘの時各素子より隣接素子へ
の漏れ電流は、１素子あた９に発生する光電流の約２〜
６％であったが、遮光層を介在させることにより、０．
１％以下に押えることが可能になる。
面積８０μｍＸ１２５μｍ、隣接素子間隔４６μｍで、
受光部照度が２０００ ｌｘの時各素子より隣接素子へ
の漏れ電流は、１素子あた９に発生する光電流の約２〜
６％であったが、遮光層を介在させることにより、０．
１％以下に押えることが可能になる。
尚、これは半導体膜として、ＣｄＴｅを用いた実施例で
あるが、容易に成膜形成の可能な［−１Ｖ族化合物半導
体を使用する場合は何れも同様な効果が期待できること
は言うまでもない。
あるが、容易に成膜形成の可能な［−１Ｖ族化合物半導
体を使用する場合は何れも同様な効果が期待できること
は言うまでもない。
発明の効果
以上の様に、本発明は透光性基板の上に、絶縁性の遮光
層と電極を交互に配列させ、その上部に半導体膜を形成
させた光センサアレイ装置、であり、隣接素子からの漏
れ電流を阻止することが可能となるものである。さらに
遮光層自体の表面に酸化膜を形成する為、新たに絶縁層
を成膜させる必要もなく、しかも半導体膜を分離させな
くても良い為、工程が簡単で、且つ、信頼性の高い光セ
ンサアレイを提供することができる。
層と電極を交互に配列させ、その上部に半導体膜を形成
させた光センサアレイ装置、であり、隣接素子からの漏
れ電流を阻止することが可能となるものである。さらに
遮光層自体の表面に酸化膜を形成する為、新たに絶縁層
を成膜させる必要もなく、しかも半導体膜を分離させな
くても良い為、工程が簡単で、且つ、信頼性の高い光セ
ンサアレイを提供することができる。
第１図は、従来の構造を持つ光センサアレイの断面図、
第２図は同アレイの正面図、第３図は従来の光センサア
レイのＣｄＴｅ層部分を各受光素子ごとにフォトエツチ
ングにより、分離したものの断面図、第４図は本発明の
実施例の光センサアレイ装置の断面図、第６図は同装置
の正面図である。 １・・・・・・上部電極、２・・・・・・ＣｄＴｅ層、
３・・・・・・透明電極、４・・・・・ガラス基板、５
・・・・・・隣接素子への漏れ光電流、６・・・・・・
光電流、７・・・・・・入射光、８・・・・・・Ｍ遮光
膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ４ 図 第５図 マ
第２図は同アレイの正面図、第３図は従来の光センサア
レイのＣｄＴｅ層部分を各受光素子ごとにフォトエツチ
ングにより、分離したものの断面図、第４図は本発明の
実施例の光センサアレイ装置の断面図、第６図は同装置
の正面図である。 １・・・・・・上部電極、２・・・・・・ＣｄＴｅ層、
３・・・・・・透明電極、４・・・・・ガラス基板、５
・・・・・・隣接素子への漏れ光電流、６・・・・・・
光電流、７・・・・・・入射光、８・・・・・・Ｍ遮光
膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ４ 図 第５図 マ
Claims (3)
- （１）透光性基板の上に絶縁性の遮光層と電極を交互に
配列させ、前記遮光層と電極の上部に、半導体膜を形成
させた光センサアレイ装置。 - （２）遮光層として、金属酸化膜を使用した特許請求の
範囲第１項記載の光センサアレイ装置。 - （３）半導体膜として、■−■族化合物半導体を使用し
た特許請求の範囲第１項記載の光センサアレ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59099061A JPS60242669A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 光センサアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59099061A JPS60242669A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 光センサアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60242669A true JPS60242669A (ja) | 1985-12-02 |
Family
ID=14237211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59099061A Pending JPS60242669A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 光センサアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60242669A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63275167A (ja) * | 1987-05-07 | 1988-11-11 | Nec Corp | 密着イメ−ジセンサの製造方法 |
-
1984
- 1984-05-17 JP JP59099061A patent/JPS60242669A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63275167A (ja) * | 1987-05-07 | 1988-11-11 | Nec Corp | 密着イメ−ジセンサの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05502783A (ja) | 光電変換素子上における静電荷制御用被覆層 | |
| US5147468A (en) | Photovoltaic semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JPS6154756A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JPS60242669A (ja) | 光センサアレイ装置 | |
| JPS5928065B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPS61203668A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH0564468B2 (ja) | ||
| JPS61171161A (ja) | 一次元イメ−ジセンサ | |
| JPS63227056A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPS60157273A (ja) | 薄膜ホトトランジスタの製造方法 | |
| JPH0338063A (ja) | カラー固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPS61141172A (ja) | 一次元イメ−ジセンサ | |
| JPS63314863A (ja) | 受光素子アレイ | |
| JPH01184866A (ja) | イメージセンサ | |
| JPS62193173A (ja) | 画像読取ヘツドの製造方法 | |
| JPS616879A (ja) | 薄膜型フオトトランジスタ | |
| JPS6197875A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6391603A (ja) | 固体カラ−撮像デバイスおよびその製造方法 | |
| JPS61127166A (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JPS61198670A (ja) | アモルフアスイメ−ジセンサの製造方法 | |
| JPS61232664A (ja) | イメ−ジセンサとその製造方法 | |
| JPS61198669A (ja) | アモルフアスシリコンイメ−ジセンサの製造方法 | |
| JPH01173752A (ja) | 等倍イメージセンサー | |
| JPS58223971A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS61128561A (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 |