JPS6154756A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
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- JPS6154756A JPS6154756A JP59177089A JP17708984A JPS6154756A JP S6154756 A JPS6154756 A JP S6154756A JP 59177089 A JP59177089 A JP 59177089A JP 17708984 A JP17708984 A JP 17708984A JP S6154756 A JPS6154756 A JP S6154756A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 17
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/1906—Arrangements for performing substitution scanning for a defective element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
- Y10S257/925—Bridge rectifier module
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
ファクシミリの原稿読取りは、第７図に示すように原稿
７１を螢光灯７２等の光源で照射し、その原稿の住をｆ
ｆｌ ７３． レンズ７４ｈ％を用いてＣＯＤ七ンセ
ン５に縮小投影する方式を用いている。しかしこの場合
、原稿７１とセンサ７５間の距離が大きいこと、光学系
の精密な１１が必要であるなどの点から、ファクシミリ
装置が大きくかつ低コスト化に困難があった。 これに対して原稿と同寸法のセンサが１００発されるよ
うになり、センサの各エレメントを原稿と１：ｌに対応
させることが可能とな、た、第８図はそのようなファク
シミリの原稿読取り部を示し、原稿７１の上を発光ダイ
オードアレイ７６から線状の光７７を照射し、セルフォ
ックレンズ７８を介して原稿の像をそのままの大きさで
イメージセンサ７９の上に投射する。このためこのセン
サは密着型センサと呼ばれる。センサ７９からの出力（
８号はコンピュータによりて整理され、画像信号として
出力される。このようなイメージセンサは精密な光学系
が不要でＩＩＩ！が容易になると共に、原稿とセンサの
間の距離も小さくなり、小型低コスト化を図ることがで
きる。 第９ｖ！Ｊに密、Ｖ型センサの措造例を示す、ζａ）は
平面図であり、（ｂ）、（（＋）はそれぞれｌａｌのＡ
−＾°線、Ｂ−８°腺の断面図を示す、この密着型イメ
ージセンサはガラス基［１の上に形成されたもので、光
信号はガラス側から入射するものである。基板１の上に
ｊ２ｉ明電極２がＩＴＯ（インジウム錫酸化物）又はＳ
ｎｏｗ （酸化錫）又はその両層を爪ね合わせた膜から
形成される３図に示した帯状パターンに形成されるが、
これは蒸着時のマスク法によることもできれば、全面に
透明電極形成後、光蝕刻法を用いて形成することも可能
である。この上にセンサ列を形成する。このセンサ列は
、感光部３および電極４から成る。感光部３はアモルフ
ァスシリコン（ａ−５ｉ）［で構成され、第３図（Ｃ１
から判るようにセンサ列全体に連続して形成される。ａ
−５ｉＪｌｉはシランガスのグロー放電法で形成され、
ａ−３ｌ１５のバターニングは光蝕刻法を用いて行われ
る。ａ−３１層の上には金属電極４と電気信号取出し部
５がパターン伏に形成される。ｌ＠ｓあたりこの光セン
サユニットが８個、従ってＡ４版の場合１７２８個のセ
ンサユニットが形成される。 第１θ図はこの密着型センサの感光部のａ −５ｉ層の
構造の３ａ１１を示す、第１Ｏ図（ａｌにおいては、ガ
ラス基板１の上に透明型ａ！ｔ２．５光部としての約１
μ−の厚さのノンドープミー３１層６１、金属Ｎ極４が
＃ｆｌＪＩ！ｌされたもので、このノンドープａ−３Ｌ
ｌｌ（ｉＪｌｌ）６１はシランガスのグロー放電分解に
より形成される。第１Ｏ図伽）は感光部３として、ｎ型
ａ −５ｌ［６２を約１００人、ノンドープａ−５ｉ［
６１を約０，５μ驕、再びｎ型ａ−３１６２を約５００
人の厚さに順次積層したものである。第１Ｏ図ｔｃ＞は
、感光部３としてｐ型ａ−ｓｔｉｅａを約１００人、ノ
ンドープａ −３ｉ７１６１を約０．５４ｍ、 ｎＪａ
−５ｉ層６２を約ＳＯＯ人の厚さに順次積層したもの
である。第５ Ｖｌｌａｌ 、 Ｔｅｌに示したタイプ
は光起電力型であり、第５図山）に示したタイプは光罪
電型である。光起電力型の場合も通常は逆バイアスが印
加される。 このようなファクシミリ用イメージセンサとしては、例
えば１７２８側のセンサユニットがすべて良 −品でな
ければならない、大面積化するほどすべてのセンチユニ
ットが良品になるのは田趙になるという問題がある。
７１を螢光灯７２等の光源で照射し、その原稿の住をｆ
ｆｌ ７３． レンズ７４ｈ％を用いてＣＯＤ七ンセ
ン５に縮小投影する方式を用いている。しかしこの場合
、原稿７１とセンサ７５間の距離が大きいこと、光学系
の精密な１１が必要であるなどの点から、ファクシミリ
装置が大きくかつ低コスト化に困難があった。 これに対して原稿と同寸法のセンサが１００発されるよ
うになり、センサの各エレメントを原稿と１：ｌに対応
させることが可能とな、た、第８図はそのようなファク
シミリの原稿読取り部を示し、原稿７１の上を発光ダイ
オードアレイ７６から線状の光７７を照射し、セルフォ
ックレンズ７８を介して原稿の像をそのままの大きさで
イメージセンサ７９の上に投射する。このためこのセン
サは密着型センサと呼ばれる。センサ７９からの出力（
８号はコンピュータによりて整理され、画像信号として
出力される。このようなイメージセンサは精密な光学系
が不要でＩＩＩ！が容易になると共に、原稿とセンサの
間の距離も小さくなり、小型低コスト化を図ることがで
きる。 第９ｖ！Ｊに密、Ｖ型センサの措造例を示す、ζａ）は
平面図であり、（ｂ）、（（＋）はそれぞれｌａｌのＡ
−＾°線、Ｂ−８°腺の断面図を示す、この密着型イメ
ージセンサはガラス基［１の上に形成されたもので、光
信号はガラス側から入射するものである。基板１の上に
ｊ２ｉ明電極２がＩＴＯ（インジウム錫酸化物）又はＳ
ｎｏｗ （酸化錫）又はその両層を爪ね合わせた膜から
形成される３図に示した帯状パターンに形成されるが、
これは蒸着時のマスク法によることもできれば、全面に
透明電極形成後、光蝕刻法を用いて形成することも可能
である。この上にセンサ列を形成する。このセンサ列は
、感光部３および電極４から成る。感光部３はアモルフ
ァスシリコン（ａ−５ｉ）［で構成され、第３図（Ｃ１
から判るようにセンサ列全体に連続して形成される。ａ
−５ｉＪｌｉはシランガスのグロー放電法で形成され、
ａ−３ｌ１５のバターニングは光蝕刻法を用いて行われ
る。ａ−３１層の上には金属電極４と電気信号取出し部
５がパターン伏に形成される。ｌ＠ｓあたりこの光セン
サユニットが８個、従ってＡ４版の場合１７２８個のセ
ンサユニットが形成される。 第１θ図はこの密着型センサの感光部のａ −５ｉ層の
構造の３ａ１１を示す、第１Ｏ図（ａｌにおいては、ガ
ラス基板１の上に透明型ａ！ｔ２．５光部としての約１
μ−の厚さのノンドープミー３１層６１、金属Ｎ極４が
＃ｆｌＪＩ！ｌされたもので、このノンドープａ−３Ｌ
ｌｌ（ｉＪｌｌ）６１はシランガスのグロー放電分解に
より形成される。第１Ｏ図伽）は感光部３として、ｎ型
ａ −５ｌ［６２を約１００人、ノンドープａ−５ｉ［
６１を約０，５μ驕、再びｎ型ａ−３１６２を約５００
人の厚さに順次積層したものである。第１Ｏ図ｔｃ＞は
、感光部３としてｐ型ａ−ｓｔｉｅａを約１００人、ノ
ンドープａ −３ｉ７１６１を約０．５４ｍ、 ｎＪａ
−５ｉ層６２を約ＳＯＯ人の厚さに順次積層したもの
である。第５ Ｖｌｌａｌ 、 Ｔｅｌに示したタイプ
は光起電力型であり、第５図山）に示したタイプは光罪
電型である。光起電力型の場合も通常は逆バイアスが印
加される。 このようなファクシミリ用イメージセンサとしては、例
えば１７２８側のセンサユニットがすべて良 −品でな
ければならない、大面積化するほどすべてのセンチユニ
ットが良品になるのは田趙になるという問題がある。
本発明は、上述のｒＪＩＩＩを解決し多数の光センサユ
ニットからなる密着型イメージセンサを、一部ユニット
が不良である場合も全体としては良品として使用ができ
るように改心することを目的とする。
ニットからなる密着型イメージセンサを、一部ユニット
が不良である場合も全体としては良品として使用ができ
るように改心することを目的とする。
本発明による密着型イメージセンサは、直線状に配列さ
れた？ＪＩ数個の光センサユニットからなるセンサ列を
平行に複数列備え、センサ列方向に直角方向に並ぶセン
サユニットのうちの一つからの出力信号のみが取り出さ
れることによって上記目的を達成する。すなわち、セン
サユニットのうちに不良品があった場合は、スイッチの
切替えによってセンサ列方向と直角方向に並ぶ他のセン
サ列に属するセンサユニットからの出力信号を取り出す
、あるいは、各センサユニットの一方の電極をすべて共
通端子に接続し、一つのセンサ列の他方の電極をそれぞ
れ個別端子に接続しておき、その列のセンサユニットに
不良があった場合はそのユニットと個別端子との接続を
切り、センサ列方向に直角方向に並ぶ他のセンサ列に属
するユニットの他方の電極をその個別端子と接続する。
れた？ＪＩ数個の光センサユニットからなるセンサ列を
平行に複数列備え、センサ列方向に直角方向に並ぶセン
サユニットのうちの一つからの出力信号のみが取り出さ
れることによって上記目的を達成する。すなわち、セン
サユニットのうちに不良品があった場合は、スイッチの
切替えによってセンサ列方向と直角方向に並ぶ他のセン
サ列に属するセンサユニットからの出力信号を取り出す
、あるいは、各センサユニットの一方の電極をすべて共
通端子に接続し、一つのセンサ列の他方の電極をそれぞ
れ個別端子に接続しておき、その列のセンサユニットに
不良があった場合はそのユニットと個別端子との接続を
切り、センサ列方向に直角方向に並ぶ他のセンサ列に属
するユニットの他方の電極をその個別端子と接続する。
以下図を引用して本発明のいくつかの実施例について説
明する。第１図は一実施例を示し、ｌａｌは平面図、伽
）、（Ｃ）はそれぞれ（ａ）のＡ−＾°線、Ｂ−８’綿
断面図であろ、この、場合ガラスｗｉｔの上に短冊状の
透明電極２１．２２が分離して形成され、その上に第９
図について説明したのと同様な方法で感光部３．金属電
極４を積層、パターニングして二つのセンサ列１１．１
２が形成されている。八４ｗ、の場合には、センサ列１
１．１２がそれぞれ１７２８ケのセンサユニットからな
る。金属電極４はそれぞれ二つのセンサ列１１．１２に
属しセンサ列方向と直角方向に並ぶ二つのセンナユニッ
トに対する共通電極となっていて電気（８号取出し部５
を有する。従つてセンサ列１１に属するセンサユニット
の出力信号は透明ｍＪｉ２１と金ｉＷ１極４から、セン
サ列１２に属するセンサユニットの出力信号は透明電極
２２と金属電極４から取出すことができる。各センサユ
ニットの特性をチェックして、例えばセンサ列１１に属
する感光部３１を用いたセンサユニットが不良の場合、
センサ列１２に属する感光部３２を用いたセンナユニッ
トの（８号を用いろことができる。第２図は光起電力型
感光部を用いた場合のこのイメージセンサの等価回路を
示し、第１図の部分に相当する個所に同一の符号が付さ
れている。制御ｖｉ匝によってスイッチ１４および１５
を操作し、まずスイッチ１４をａａ！１に入れて各感光
部３にバイアス電Ｂ１６から電圧を印加しスキャナ回路
１７によって感光部３１に対応するスイッチ１８を除（
他のスイッチ１５を入れることにより各センサユニット
からの出力１８号を読取り、Ｎ稿からの光がセンナ列１
２に移動した際スイッチ１４をｂ側に入れ、感光部３２
に対応するスイッチ１８のみを入れてそのデータを感光
部３１のデータの代わりとしてコンピュータに入れ、画
像信号の形成に使用する。これにより読取り速度を低下
させることなく読み込むことができる。 ｍ３図は別の実施例を示し、（龜）は平面図、伽）。 （Ｃ１はそれぞれｌａｌのＡ −Ａ’＆Ｉ、 Ｂ −８
’腺断面図である。この場合は一つの共通透明電極２１
の上に二つのセンサ列１１．１２が形成されている。各
センサユニットの金属電極４はそれぞれ電気４３号取出
し部５を有する。今、第４図に第３図ｔｂ＋と同様に示
された二つのセンサユニットの内、特性チェックによっ
てセンサ列１１に属するユニットの感光部３１が不良で
あるとするとこれをマーキングしておき、レーザ加工機
によってこの感光部３１に接続された信号取出し部５１
を個所５４において切断する。レーザ光源としてはＹＡ
Ｇレーザを用いればビーム径、数百１”ａｈ 出力数Ｗ
で容易に加工できろ０次にこの切断部を被覆する職＆を
膜７を形成する。この膜は、プラズマＣＶＤ法を用い、
ＣＨｓと■、の分解による５１ｓＮ４あるいはＣＨａ
と０８の分解によるＳｔＯ。 にようて形成され、その後光錬刻法を行うことによって
バターニングされる。または印刷法を用いて絶縁塗布膜
として形成することもできる０次いで切断部５４の外側
にある信号取出し部５１とセンサ列１２に属するユニッ
トの感光部３２に接続された信号取出し部５２とをリー
ド線８によって接続する。 この結果原稿からの光がセンサ列１１に入射した時には
感光部３１のユニット以外のユニットからの出力信号を
読取り、次にセンサ列１２に入射したときには感光部３
２のユニットからの出力信号を信号取出し部５２．
リード＆１Ｂを経て信号取出し部５１から読取ってセン
サ列１１から得られたデータと共にコンピュータで整理
して画像信号として出力する。 第５図はセンサ列を３列１１．１２．１３として形成し
た場合を示す、センサ列１３は進明電（！！２１を分岐
させたｉ！［電［１２３の上に形成されている０例えば
特性チェックの結果、センサ列１１に属する感光部３１
を用いたセンサユニットの特性不良の場合、このユニッ
トにマーキングを施す、そしてセンサ列１２のうち感光
部３１に対向する感光６１１３２を用いたセンチユニッ
トの特性チェックを行い、もしもこれも不良の場合はさ
らにセンサ列１３のうちの感光部３１゜３２と並ぶ感光
部３３を用いたセンサユニットの特性チェックを行い、
これが良品でありだとする。この場合は第４図の場合と
同様な方法で第６図に示すように金属電極を二つの個所
５４．５５でレーザ切断し、絶縁ＷＡ７で切断部５４．
５５および感光部３１．３２の上の上部電極５を被覆し
たのち、リードｗＡ８によ、て感光部３３の上の１ｕＪ
ｆｔ５を１δ号取出し部５３゜・５２を経て（３ｒＪ取
出し部５１に接続する。これによりセンサ列１１に属す
る感光部３１を用いたユニットの代わりにセンサ列１３
に属する感光部３３を用いたユニットの光電流（３号を
用いることができる０図においては感光部３３の上には
＆ｌ！Ｉ緑膜７金膜７ていないが、リードＶＲ８が同じ
七／す列の！＃１接ユニフトと接触する危険を防ぐ／Ｓ
、めに番よ１！緑膜で覆う方が望ましい。 【発明の効果］ 本発明は一線上に並んだ多数のセンサユニットからなる
七ン叉トタ１を複数設け、−パりのセンサ列のセンサユ
ニットに不良品があ、ノζ場合、ス・「ツチの切替えあ
石５いは不良ユニットの電極引出し部の切断４３よびリ
ード線の接続などの方法によフて他のｆｔ ：／ ４Ｊ
−列のユニットからの出力信号を代わって採用できるよ
うにしたものである。これにより一部センサユニットに
不良が出た場合にもイメージセンサ全体としては良品と
すること力（可詣になり、密着型イメージセンサの良品
率を向上させる効果が得られた。 例えば１７２８ケのセンサユニットからなるファクシミ
リのへ４版用イメージセンサのセンサ列において、ユニ
ットの一つがつねに不良になるとすると、すなわち０．
０６％の不良率の場合にこのイメージセンサを用いるこ
とができず良品率は０になる。 しかし本発明によりセンサ列が２列にな９た場合は、二
つのセンサ列の対向するユニットが同時に不良になる確
率は３．３ Ｘ １０−１％となり、イメージセンサ全
体の良品率は９９％と飛躍的に向上する。 本発明はａ−・ＳＬを用いたイメージセンサに限定され
ることなく、ａ−３ｌｉｉの代わりにＣｄＳなどのｒｓ
ＷＡからなる光電変換層または光転ａｉｌを用いる場合
も適用することができることはいうまでもない。
明する。第１図は一実施例を示し、ｌａｌは平面図、伽
）、（Ｃ）はそれぞれ（ａ）のＡ−＾°線、Ｂ−８’綿
断面図であろ、この、場合ガラスｗｉｔの上に短冊状の
透明電極２１．２２が分離して形成され、その上に第９
図について説明したのと同様な方法で感光部３．金属電
極４を積層、パターニングして二つのセンサ列１１．１
２が形成されている。八４ｗ、の場合には、センサ列１
１．１２がそれぞれ１７２８ケのセンサユニットからな
る。金属電極４はそれぞれ二つのセンサ列１１．１２に
属しセンサ列方向と直角方向に並ぶ二つのセンナユニッ
トに対する共通電極となっていて電気（８号取出し部５
を有する。従つてセンサ列１１に属するセンサユニット
の出力信号は透明ｍＪｉ２１と金ｉＷ１極４から、セン
サ列１２に属するセンサユニットの出力信号は透明電極
２２と金属電極４から取出すことができる。各センサユ
ニットの特性をチェックして、例えばセンサ列１１に属
する感光部３１を用いたセンサユニットが不良の場合、
センサ列１２に属する感光部３２を用いたセンナユニッ
トの（８号を用いろことができる。第２図は光起電力型
感光部を用いた場合のこのイメージセンサの等価回路を
示し、第１図の部分に相当する個所に同一の符号が付さ
れている。制御ｖｉ匝によってスイッチ１４および１５
を操作し、まずスイッチ１４をａａ！１に入れて各感光
部３にバイアス電Ｂ１６から電圧を印加しスキャナ回路
１７によって感光部３１に対応するスイッチ１８を除（
他のスイッチ１５を入れることにより各センサユニット
からの出力１８号を読取り、Ｎ稿からの光がセンナ列１
２に移動した際スイッチ１４をｂ側に入れ、感光部３２
に対応するスイッチ１８のみを入れてそのデータを感光
部３１のデータの代わりとしてコンピュータに入れ、画
像信号の形成に使用する。これにより読取り速度を低下
させることなく読み込むことができる。 ｍ３図は別の実施例を示し、（龜）は平面図、伽）。 （Ｃ１はそれぞれｌａｌのＡ −Ａ’＆Ｉ、 Ｂ −８
’腺断面図である。この場合は一つの共通透明電極２１
の上に二つのセンサ列１１．１２が形成されている。各
センサユニットの金属電極４はそれぞれ電気４３号取出
し部５を有する。今、第４図に第３図ｔｂ＋と同様に示
された二つのセンサユニットの内、特性チェックによっ
てセンサ列１１に属するユニットの感光部３１が不良で
あるとするとこれをマーキングしておき、レーザ加工機
によってこの感光部３１に接続された信号取出し部５１
を個所５４において切断する。レーザ光源としてはＹＡ
Ｇレーザを用いればビーム径、数百１”ａｈ 出力数Ｗ
で容易に加工できろ０次にこの切断部を被覆する職＆を
膜７を形成する。この膜は、プラズマＣＶＤ法を用い、
ＣＨｓと■、の分解による５１ｓＮ４あるいはＣＨａ
と０８の分解によるＳｔＯ。 にようて形成され、その後光錬刻法を行うことによって
バターニングされる。または印刷法を用いて絶縁塗布膜
として形成することもできる０次いで切断部５４の外側
にある信号取出し部５１とセンサ列１２に属するユニッ
トの感光部３２に接続された信号取出し部５２とをリー
ド線８によって接続する。 この結果原稿からの光がセンサ列１１に入射した時には
感光部３１のユニット以外のユニットからの出力信号を
読取り、次にセンサ列１２に入射したときには感光部３
２のユニットからの出力信号を信号取出し部５２．
リード＆１Ｂを経て信号取出し部５１から読取ってセン
サ列１１から得られたデータと共にコンピュータで整理
して画像信号として出力する。 第５図はセンサ列を３列１１．１２．１３として形成し
た場合を示す、センサ列１３は進明電（！！２１を分岐
させたｉ！［電［１２３の上に形成されている０例えば
特性チェックの結果、センサ列１１に属する感光部３１
を用いたセンサユニットの特性不良の場合、このユニッ
トにマーキングを施す、そしてセンサ列１２のうち感光
部３１に対向する感光６１１３２を用いたセンチユニッ
トの特性チェックを行い、もしもこれも不良の場合はさ
らにセンサ列１３のうちの感光部３１゜３２と並ぶ感光
部３３を用いたセンサユニットの特性チェックを行い、
これが良品でありだとする。この場合は第４図の場合と
同様な方法で第６図に示すように金属電極を二つの個所
５４．５５でレーザ切断し、絶縁ＷＡ７で切断部５４．
５５および感光部３１．３２の上の上部電極５を被覆し
たのち、リードｗＡ８によ、て感光部３３の上の１ｕＪ
ｆｔ５を１δ号取出し部５３゜・５２を経て（３ｒＪ取
出し部５１に接続する。これによりセンサ列１１に属す
る感光部３１を用いたユニットの代わりにセンサ列１３
に属する感光部３３を用いたユニットの光電流（３号を
用いることができる０図においては感光部３３の上には
＆ｌ！Ｉ緑膜７金膜７ていないが、リードＶＲ８が同じ
七／す列の！＃１接ユニフトと接触する危険を防ぐ／Ｓ
、めに番よ１！緑膜で覆う方が望ましい。 【発明の効果］ 本発明は一線上に並んだ多数のセンサユニットからなる
七ン叉トタ１を複数設け、−パりのセンサ列のセンサユ
ニットに不良品があ、ノζ場合、ス・「ツチの切替えあ
石５いは不良ユニットの電極引出し部の切断４３よびリ
ード線の接続などの方法によフて他のｆｔ ：／ ４Ｊ
−列のユニットからの出力信号を代わって採用できるよ
うにしたものである。これにより一部センサユニットに
不良が出た場合にもイメージセンサ全体としては良品と
すること力（可詣になり、密着型イメージセンサの良品
率を向上させる効果が得られた。 例えば１７２８ケのセンサユニットからなるファクシミ
リのへ４版用イメージセンサのセンサ列において、ユニ
ットの一つがつねに不良になるとすると、すなわち０．
０６％の不良率の場合にこのイメージセンサを用いるこ
とができず良品率は０になる。 しかし本発明によりセンサ列が２列にな９た場合は、二
つのセンサ列の対向するユニットが同時に不良になる確
率は３．３ Ｘ １０−１％となり、イメージセンサ全
体の良品率は９９％と飛躍的に向上する。 本発明はａ−・ＳＬを用いたイメージセンサに限定され
ることなく、ａ−３ｌｉｉの代わりにＣｄＳなどのｒｓ
ＷＡからなる光電変換層または光転ａｉｌを用いる場合
も適用することができることはいうまでもない。
第１図は本発明の一実施例を示し、（５）が平面図。
（ｂｌが（コ）のＡ−Ａ’線断面図、（Ｃ）が（Ｑｌの
ａ−ａ’ｔ１断面図、第２ｇは第１図のイメージセンサ
の使用吠７１１の等価回路図、第３図は別の実施例を示
しくａｌが平面図、 ＴｏｌがＩｎ）のＡ−ＡＪＭ断面
図、（Ｃ）が＋ａｌのＢ−ｔｌ’絋断面断面図４図は第
３図のイメージセンサの使用状態におりる一部断面図、
第５図はさらに異なる実施例の平面図、第６図は第５図
のイメージセンサの使用状態における一部断面図、第７
図は密着型イメージセンサを用いないファクシミリの原
稿読取り部の斜視図、第８図は密着型イメージセンサを
用いたファクシミリの原稿読取り部の断面図、第９図は
従来の密着型イメージセンサを示し、Ｔａ）が平面図、
（ｂｌが＋ａｌのＡ−＾゛腺断面図、（Ｃ）が（８）
ノＢ−８’線断面図、第１Ｏ図はイメージセンサの３ａ
ｉ頬のセンサユニットの断面図である。 １ニガラス基板、２ 、２１，２２．２３ ＋透明電極
、３゜３１．３２．３３ ：感光部、４＋ｅ属電極、５
＝電気（δ号堰出し部。 ！ 本１０ − ｆｚ口 ４゛１ ｆｓｗ ７乙 ロ アフロ 守８０ ｌ ｔ ｑ 口 （Ｃ）
ａ−ａ’ｔ１断面図、第２ｇは第１図のイメージセンサ
の使用吠７１１の等価回路図、第３図は別の実施例を示
しくａｌが平面図、 ＴｏｌがＩｎ）のＡ−ＡＪＭ断面
図、（Ｃ）が＋ａｌのＢ−ｔｌ’絋断面断面図４図は第
３図のイメージセンサの使用状態におりる一部断面図、
第５図はさらに異なる実施例の平面図、第６図は第５図
のイメージセンサの使用状態における一部断面図、第７
図は密着型イメージセンサを用いないファクシミリの原
稿読取り部の斜視図、第８図は密着型イメージセンサを
用いたファクシミリの原稿読取り部の断面図、第９図は
従来の密着型イメージセンサを示し、Ｔａ）が平面図、
（ｂｌが＋ａｌのＡ−＾゛腺断面図、（Ｃ）が（８）
ノＢ−８’線断面図、第１Ｏ図はイメージセンサの３ａ
ｉ頬のセンサユニットの断面図である。 １ニガラス基板、２ 、２１，２２．２３ ＋透明電極
、３゜３１．３２．３３ ：感光部、４＋ｅ属電極、５
＝電気（δ号堰出し部。 ！ 本１０ − ｆｚ口 ４゛１ ｆｓｗ ７乙 ロ アフロ 守８０ ｌ ｔ ｑ 口 （Ｃ）
Claims (1)
- １）直線状に配列された複数個の光センサユニットから
なるセンサ列を平行に複数列備え、センサ列方向に直角
方向に並ぶセンサユニットのうちの一つからの出力信号
のみが取り出されることを特徴とする密着型イメージセ
ンサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59177089A JPS6154756A (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 密着型イメ−ジセンサ |
| US06/706,409 US4659920A (en) | 1984-08-25 | 1985-02-28 | Image sensor arrays with series redundancy |
| EP85303206A EP0177117B1 (en) | 1984-08-25 | 1985-05-07 | Image sensor |
| DE8585303206T DE3572280D1 (en) | 1984-08-25 | 1985-05-07 | Image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59177089A JPS6154756A (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154756A true JPS6154756A (ja) | 1986-03-19 |
Family
ID=16024933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59177089A Pending JPS6154756A (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4659920A (ja) |
| EP (1) | EP0177117B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6154756A (ja) |
| DE (1) | DE3572280D1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0681225B2 (ja) * | 1985-04-09 | 1994-10-12 | キヤノン株式会社 | 画像読み取り装置 |
| US5120960A (en) * | 1991-04-25 | 1992-06-09 | Westinghouse Electric Corp. | Infrared image detecting device and method |
| KR0137398B1 (ko) * | 1992-10-23 | 1998-04-29 | 모리시타 요이찌 | 완전밀착형 이미지센서 및 유닛 그리고 그 제조방법 |
| US5499114A (en) * | 1994-10-31 | 1996-03-12 | Eastman Kodak Company | Digital image scanning apparatus with pixel data compensation for bad photosites |
| FR2726691B1 (fr) * | 1994-11-08 | 1997-01-24 | Thomson Csf | Photodetecteur de grande dimension et procede de realisation d'un tel photodetecteur |
| US5962846A (en) * | 1997-08-29 | 1999-10-05 | Lucent Technologies Inc. | Redundant linear detection arrays |
| US7831151B2 (en) * | 2001-06-29 | 2010-11-09 | John Trezza | Redundant optical device array |
| US8177601B2 (en) * | 2006-11-01 | 2012-05-15 | Penny Ekstein-Lieberman | Peek-a-boo doll with dual activation |
| WO2010122293A1 (en) | 2009-04-20 | 2010-10-28 | Oxford Nanopore Technologies Limited | Lipid bilayer sensor array |
| EP2507387B1 (en) | 2009-12-01 | 2017-01-25 | Oxford Nanopore Technologies Limited | Biochemical analysis instrument and method |
| US9310576B1 (en) | 2014-11-26 | 2016-04-12 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit having redundant optical signal paths and method of creating same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4463649A (en) * | 1972-11-17 | 1984-08-07 | Nippon Gakki Seizo Kabushiki Kaisha | Waveform producing system employing scanning of a waveform pattern |
| JPS5479511A (en) * | 1977-12-08 | 1979-06-25 | Fuji Xerox Co Ltd | Scan reader |
| JPS58500267A (ja) * | 1981-03-10 | 1983-02-17 | ア−ルシ−エ− コ−ポレ−シヨン | 撮像器用誤差補正装置 |
| EP0070620A3 (en) * | 1981-07-20 | 1985-11-06 | Xerox Corporation | High density imager |
| DE3221520A1 (de) * | 1982-06-08 | 1984-03-01 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Anordnung mit mehreren phototransistoren |
| US4567529A (en) * | 1983-10-26 | 1986-01-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image sensor |
| FR2556539B1 (fr) * | 1983-12-08 | 1988-05-13 | Telecommunications Sa | Dispositif de detection a diodes photovoltaiques |
-
1984
- 1984-08-25 JP JP59177089A patent/JPS6154756A/ja active Pending
-
1985
- 1985-02-28 US US06/706,409 patent/US4659920A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-05-07 DE DE8585303206T patent/DE3572280D1/de not_active Expired
- 1985-05-07 EP EP85303206A patent/EP0177117B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4659920A (en) | 1987-04-21 |
| EP0177117B1 (en) | 1989-08-09 |
| DE3572280D1 (en) | 1989-09-14 |
| EP0177117A1 (en) | 1986-04-09 |
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