JPS61217087A - 液晶表示装置用非線形抵抗素子 - Google Patents
液晶表示装置用非線形抵抗素子Info
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- JPS61217087A JPS61217087A JP60059209A JP5920985A JPS61217087A JP S61217087 A JPS61217087 A JP S61217087A JP 60059209 A JP60059209 A JP 60059209A JP 5920985 A JP5920985 A JP 5920985A JP S61217087 A JPS61217087 A JP S61217087A
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- Japan
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- layer
- liquid crystal
- crystal display
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、複数の行電極および列電極、その行電極およ
び列電極の間に直列接続された液晶表示要素および非線
形抵抗素子を有するマトリックス要素からなるアクティ
ブマトリックス方式の液晶表示装置に用いられる非線形
抵抗素子に関する。
び列電極の間に直列接続された液晶表示要素および非線
形抵抗素子を有するマトリックス要素からなるアクティ
ブマトリックス方式の液晶表示装置に用いられる非線形
抵抗素子に関する。
近年、液晶を用いた画像表示装置が進展するにつれて高
密度表示パネルの開発が盛んになってきている。こ２の
ような時分割性に劣る表示素子を用いて高密度表示を行
う場合、次の二つの方式がとられている。第一の方式は
、時分割度は適当な値に抑えて多重配線等で逃げる方式
で、多重マトリックス方式と呼ばれる。第二の方式は、
トランジスタ、非線形抵抗等の能動素子をスイッチとし
てパネル上に形成し、各画素に電圧を蓄積させる方法で
アクティブマトリックス方式と呼ばれる。前者は、パネ
ル製造は比較的容易であるが、配線多重度を上げるにも
限界があり、表示密度が余り上げられない、後者は表示
密度は十分上げられるが、電荷を十分に蓄積させること
のできる高性能スイッチング素子を高密度、無欠陥に作
り込む技術が困難である。このアクティブマトリックス
方式のパネルとして、例えば特開昭５９−１５４４９号
公報に開示されているマトリックスパネルがある。 第２図は上記公報に開示された表示装置の概念図を示す
、走査電極側のパネルには、Ｓｔ、Ｓ２．Ｓ３・・・で
あられされる走査電極２１を形成し、各々の各々の画素
の一方の電極である透明電極との間にダイオード２２を
逆並列接続させたものを介在させる。 データ電極側のパネルには、ＤＩ、Ｄ２．Ｄ３・・・で
あられされるデータ電極２３が走査電極側の画素サイズ
と対応する中で形成される。この二つの電極パネルの間
に液晶２４を約１０．ｎの厚さに封じ込み、各パネルの
電極Ｓｌ、Ｓ２．Ｓ３・・・とＤＩ、Ｄ２．Ｄ３・・・
は互いに直交するように構成する。 第３図は第２図のダイオード２２の断面構造を示す、ガ
ラス板等を用いる透明絶縁基板１の上に■ＴＯから成る
透明電極２および３が形成され、透明電極２の延長部は
走査電極２１に接続され、透明電極３は画素電極である
。透明電極２の上にダイオードが構成される。ダイオー
ドは基板側からＣｒ電極４１．アモルファスシリコン（
以下ａ −３ｉと記す）のｐ形層５１．イントリンシッ
ク層５２．ｎ形層５３が積層される。ａ−８ｉ層はグロ
ー放電分解で形成され、層５１，５２．５３の膜厚はそ
れぞれ５００人、０．５ｉｍ ＋ ｓｏｏ Ａである。 この上に再びＣｒ電極４２．ａ −５ｔのｐ形層５１．
イントリンシック層５２．ｎ形層５３を積層し、さら
に最上層にＣｒ電極４３を被着する。 Ｃｒ電極は電子
ビーム蒸着またはスパッタリングで形成され、膜厚は約
１０００人である。これらの各層は一面に形成の後、光
蝕刻法でパターニングされる。 こうしてｐｉｎａ−３ｉダイオードが２段に直列接続さ
れた構成ができ上がる。ｐｉｎａ−５ｔダイオードを２
段に構成するのは、液晶表示の制御性を向上させるため
にこの非線形素子のしきい値を大きくするためである。 次に絶縁膜６を、例えばシランとアンモニアのグロー放
電分解による５ｉＪ４膜で形成し、光蝕刻法でパターニ
ングする。ダイオードの最上層のＣｒ電極４の上の絶縁
膜６は中央にコンタクト孔７を有し、このコンタクト孔
において、絶縁膜６を覆って蒸着又はスパッタリングに
より被着され、光蝕刻法でパターニングされるＡ１電極
８がＣｒ電極４３に接触する。このａｔ電極８の延長部
は画素電極３と接続される。図示しないが、この２段直
列ダイオードに隣接して同構造のダイオードを形成し、
その上部ＡＩ電極８とこのダイオードの下部電極２とを
接続することにより、逆並列ダイオードが構成される。 第４図は逆並列ダイオードの電流・電圧特性を示し、実
線は良品の暗時の特性である。ところがこのような素子
においても、１万ルクス程度の光を照射すると、破線の
ような出力特性が得られた。 この非線形素子は、光を受けた状態でもしきい値以下の
小バイアス領域において電流を１０−’ Ａ程度以下に
抑える必要がある。この電流が大きいと電圧を蓄積させ
る能力が低下し、画質が極端に低下するという問題が発
生した。
密度表示パネルの開発が盛んになってきている。こ２の
ような時分割性に劣る表示素子を用いて高密度表示を行
う場合、次の二つの方式がとられている。第一の方式は
、時分割度は適当な値に抑えて多重配線等で逃げる方式
で、多重マトリックス方式と呼ばれる。第二の方式は、
トランジスタ、非線形抵抗等の能動素子をスイッチとし
てパネル上に形成し、各画素に電圧を蓄積させる方法で
アクティブマトリックス方式と呼ばれる。前者は、パネ
ル製造は比較的容易であるが、配線多重度を上げるにも
限界があり、表示密度が余り上げられない、後者は表示
密度は十分上げられるが、電荷を十分に蓄積させること
のできる高性能スイッチング素子を高密度、無欠陥に作
り込む技術が困難である。このアクティブマトリックス
方式のパネルとして、例えば特開昭５９−１５４４９号
公報に開示されているマトリックスパネルがある。 第２図は上記公報に開示された表示装置の概念図を示す
、走査電極側のパネルには、Ｓｔ、Ｓ２．Ｓ３・・・で
あられされる走査電極２１を形成し、各々の各々の画素
の一方の電極である透明電極との間にダイオード２２を
逆並列接続させたものを介在させる。 データ電極側のパネルには、ＤＩ、Ｄ２．Ｄ３・・・で
あられされるデータ電極２３が走査電極側の画素サイズ
と対応する中で形成される。この二つの電極パネルの間
に液晶２４を約１０．ｎの厚さに封じ込み、各パネルの
電極Ｓｌ、Ｓ２．Ｓ３・・・とＤＩ、Ｄ２．Ｄ３・・・
は互いに直交するように構成する。 第３図は第２図のダイオード２２の断面構造を示す、ガ
ラス板等を用いる透明絶縁基板１の上に■ＴＯから成る
透明電極２および３が形成され、透明電極２の延長部は
走査電極２１に接続され、透明電極３は画素電極である
。透明電極２の上にダイオードが構成される。ダイオー
ドは基板側からＣｒ電極４１．アモルファスシリコン（
以下ａ −３ｉと記す）のｐ形層５１．イントリンシッ
ク層５２．ｎ形層５３が積層される。ａ−８ｉ層はグロ
ー放電分解で形成され、層５１，５２．５３の膜厚はそ
れぞれ５００人、０．５ｉｍ ＋ ｓｏｏ Ａである。 この上に再びＣｒ電極４２．ａ −５ｔのｐ形層５１．
イントリンシック層５２．ｎ形層５３を積層し、さら
に最上層にＣｒ電極４３を被着する。 Ｃｒ電極は電子
ビーム蒸着またはスパッタリングで形成され、膜厚は約
１０００人である。これらの各層は一面に形成の後、光
蝕刻法でパターニングされる。 こうしてｐｉｎａ−３ｉダイオードが２段に直列接続さ
れた構成ができ上がる。ｐｉｎａ−５ｔダイオードを２
段に構成するのは、液晶表示の制御性を向上させるため
にこの非線形素子のしきい値を大きくするためである。 次に絶縁膜６を、例えばシランとアンモニアのグロー放
電分解による５ｉＪ４膜で形成し、光蝕刻法でパターニ
ングする。ダイオードの最上層のＣｒ電極４の上の絶縁
膜６は中央にコンタクト孔７を有し、このコンタクト孔
において、絶縁膜６を覆って蒸着又はスパッタリングに
より被着され、光蝕刻法でパターニングされるＡ１電極
８がＣｒ電極４３に接触する。このａｔ電極８の延長部
は画素電極３と接続される。図示しないが、この２段直
列ダイオードに隣接して同構造のダイオードを形成し、
その上部ＡＩ電極８とこのダイオードの下部電極２とを
接続することにより、逆並列ダイオードが構成される。 第４図は逆並列ダイオードの電流・電圧特性を示し、実
線は良品の暗時の特性である。ところがこのような素子
においても、１万ルクス程度の光を照射すると、破線の
ような出力特性が得られた。 この非線形素子は、光を受けた状態でもしきい値以下の
小バイアス領域において電流を１０−’ Ａ程度以下に
抑える必要がある。この電流が大きいと電圧を蓄積させ
る能力が低下し、画質が極端に低下するという問題が発
生した。
本発明は、液晶表示装置に用いられる非線形抵抗素子と
して、それぞれａ −５１層を用いた複数のダイオード
が積層により直列接続され、積層体の上面および側面が
絶縁膜で被覆され、下面には透明基板上の下部金属電極
が、上面には絶縁膜の開口部において上部金属電極がそ
れぞれ接触するものにおいて、例えば屋外等の高照度下
においても電流・電圧特性が暗時の電流・電圧特性に類
似する特性を持ち、しかも低バイアス領域での電流が小
さい均一な特性を有する素子を提供することを目的とす
る。
して、それぞれａ −５１層を用いた複数のダイオード
が積層により直列接続され、積層体の上面および側面が
絶縁膜で被覆され、下面には透明基板上の下部金属電極
が、上面には絶縁膜の開口部において上部金属電極がそ
れぞれ接触するものにおいて、例えば屋外等の高照度下
においても電流・電圧特性が暗時の電流・電圧特性に類
似する特性を持ち、しかも低バイアス領域での電流が小
さい均一な特性を有する素子を提供することを目的とす
る。
本発明によれば、下部金属電極がそれより上の積層体よ
り大きな面積を有し、さらに絶縁膜上の上部金属電極が
下部金属電極の上方を覆う区域より張り出していること
によって上記の目的を達成する。
り大きな面積を有し、さらに絶縁膜上の上部金属電極が
下部金属電極の上方を覆う区域より張り出していること
によって上記の目的を達成する。
第１図は本発明の一実施例を示し、第３図と共通の部分
には同一の符号が付されている。第３図と異なっている
点は、透明導電膜２の上に形成されるＣｒ電極４１が第
３図の最下層のＣｒ電極４１より大きく、従ってその上
にａ −５ｉＮ５１．５２．５３あるいは中間および最
上層のＣｒ電極４２．４３よりも大きい面積を有するこ
と、コンタクトホール７で最上層のＣｒ電極４３に接触
するＡＩ上部電極８が、積層ダイオードの上面およｒメ
柵面７ｔ−塙福［＋ｆｆ Ｇ尤Δ１プ圏 ずおり、下部
Ｃｒ電極４１の上方よりもさらに外側に張り出している
。このように構成することにより各ａ −Ｓｉ層５１．
５２．５３へ入射する光は下部Ｃｒ電極４１およびＡ１
上部電極８によってさえぎられるので、この非線形抵抗
素子の電流・電圧特性は暗時と変わらない。 次にこの素子の製造工程を第５図を引用して説明する。 ガラス基板上に第５図（ａｌのように透明電極パターン
を形成し、第５図（ｂｌの段階で全面にＣｒ層４．ａ−
Ｓｉ層５を交互に積層する。この積層の上にレジストパ
ターン９１を形成し、第５図（Ｃ）に示すようにプラズ
マエツチング法で最下層のＣｒ層４を除いた各層５．４
をパターニングしてａ −５ｔ層５Ｌ５２，５３、Ｃｒ
電極４２．４３を形成する。 Ｃｒ層４のエツチングは
ＢＣｌｉと０３の混合ガスを導入し、プラズマ分解する
ことにより、ａ−５ｔ層５のエツチングはＣＦ、と０．
の混合ガスのプラズマ分解により精度よく行うことがで
きる０次に第５図（ｄ）に示すように１２０℃で３０時
間のレジストのベーキングを行い、ダイオード部の外側
まで延びるレジストパターニング９２を形成し、その後
再び最下層のＣｒ層４をプラズマエツチングを行うと下
部Ｃｒ電・極４１を形成することができる。第５図（ｅ
）においては、Ｓｉ３Ｎ４などの絶縁膜６を被覆後パタ
ーニングを行い、さらに全面にＡＩ蒸着層８を形成後、
電極４１の上方より数μ外側に張り出した区域にレジス
ト９３を被着する。このあとプラズマエツチングを行う
ことにより第１図の構造を完成する。 以上の工程により作成したパターンにおいて電流・電圧
特性を測定したところ、１万〜５万ルクス程度の明るさ
においても、低バイアス領域の電流は１０−” Ａを越
えることがなく、液晶表示要素駆動に好適な非線形抵抗
素子が得られた。 第６図は別の実施例を示し、第１図の素子と最上層のＣ
ｒ電極４３が存在しない点が異なり、これは電極４３に
接触するｎ形ａ−３１層５３のドーピングを強くし、ま
た上部電極をｃｒｔ８ｉａｔとすることにより可能にな
る。第７図はさらに別の実施例を示し、この場合は中間
電極４２も省略したものである。こネにより、ダイオー
ドのリーク電流が低下し、ダイオードの良品率がさらに
向上した。これは第５図（Ｃ１に対応するダイオード部
のパターニングの際に、金属雰囲気にａ−５ｔ層の接合
がさらされないため短絡部分発生が減少したためと考え
られ、一つのパネル上に敵方個形成される非線形素子の
不良率が減少する結果が得られた。またダイオード部の
プラズマエツチング時にガスを変える必要がない点でも
、低コスト化に有効である。 【発明の効果］ 本発明は、アクティブマトリックス方式の液晶表示装置
のスイッチ用に用いられる積層ａ −３ｉダイオードか
らなる非線形抵抗素子の下部金属電極をダイオード部よ
り広くし、また上部金属電極を絶縁膜上において下部金
属電極の上方領域より張り出させることにより、ａ −
Ｓｉ層への光の入射を抑えることができ、屋外等の高照
度下における低バイアス領域の電流を抑えることができ
る効果が得られた。
には同一の符号が付されている。第３図と異なっている
点は、透明導電膜２の上に形成されるＣｒ電極４１が第
３図の最下層のＣｒ電極４１より大きく、従ってその上
にａ −５ｉＮ５１．５２．５３あるいは中間および最
上層のＣｒ電極４２．４３よりも大きい面積を有するこ
と、コンタクトホール７で最上層のＣｒ電極４３に接触
するＡＩ上部電極８が、積層ダイオードの上面およｒメ
柵面７ｔ−塙福［＋ｆｆ Ｇ尤Δ１プ圏 ずおり、下部
Ｃｒ電極４１の上方よりもさらに外側に張り出している
。このように構成することにより各ａ −Ｓｉ層５１．
５２．５３へ入射する光は下部Ｃｒ電極４１およびＡ１
上部電極８によってさえぎられるので、この非線形抵抗
素子の電流・電圧特性は暗時と変わらない。 次にこの素子の製造工程を第５図を引用して説明する。 ガラス基板上に第５図（ａｌのように透明電極パターン
を形成し、第５図（ｂｌの段階で全面にＣｒ層４．ａ−
Ｓｉ層５を交互に積層する。この積層の上にレジストパ
ターン９１を形成し、第５図（Ｃ）に示すようにプラズ
マエツチング法で最下層のＣｒ層４を除いた各層５．４
をパターニングしてａ −５ｔ層５Ｌ５２，５３、Ｃｒ
電極４２．４３を形成する。 Ｃｒ層４のエツチングは
ＢＣｌｉと０３の混合ガスを導入し、プラズマ分解する
ことにより、ａ−５ｔ層５のエツチングはＣＦ、と０．
の混合ガスのプラズマ分解により精度よく行うことがで
きる０次に第５図（ｄ）に示すように１２０℃で３０時
間のレジストのベーキングを行い、ダイオード部の外側
まで延びるレジストパターニング９２を形成し、その後
再び最下層のＣｒ層４をプラズマエツチングを行うと下
部Ｃｒ電・極４１を形成することができる。第５図（ｅ
）においては、Ｓｉ３Ｎ４などの絶縁膜６を被覆後パタ
ーニングを行い、さらに全面にＡＩ蒸着層８を形成後、
電極４１の上方より数μ外側に張り出した区域にレジス
ト９３を被着する。このあとプラズマエツチングを行う
ことにより第１図の構造を完成する。 以上の工程により作成したパターンにおいて電流・電圧
特性を測定したところ、１万〜５万ルクス程度の明るさ
においても、低バイアス領域の電流は１０−” Ａを越
えることがなく、液晶表示要素駆動に好適な非線形抵抗
素子が得られた。 第６図は別の実施例を示し、第１図の素子と最上層のＣ
ｒ電極４３が存在しない点が異なり、これは電極４３に
接触するｎ形ａ−３１層５３のドーピングを強くし、ま
た上部電極をｃｒｔ８ｉａｔとすることにより可能にな
る。第７図はさらに別の実施例を示し、この場合は中間
電極４２も省略したものである。こネにより、ダイオー
ドのリーク電流が低下し、ダイオードの良品率がさらに
向上した。これは第５図（Ｃ１に対応するダイオード部
のパターニングの際に、金属雰囲気にａ−５ｔ層の接合
がさらされないため短絡部分発生が減少したためと考え
られ、一つのパネル上に敵方個形成される非線形素子の
不良率が減少する結果が得られた。またダイオード部の
プラズマエツチング時にガスを変える必要がない点でも
、低コスト化に有効である。 【発明の効果］ 本発明は、アクティブマトリックス方式の液晶表示装置
のスイッチ用に用いられる積層ａ −３ｉダイオードか
らなる非線形抵抗素子の下部金属電極をダイオード部よ
り広くし、また上部金属電極を絶縁膜上において下部金
属電極の上方領域より張り出させることにより、ａ −
Ｓｉ層への光の入射を抑えることができ、屋外等の高照
度下における低バイアス領域の電流を抑えることができ
る効果が得られた。
笛＋ ＦＢＩ ＋＋＋Ｊ！Ｌ閤バーφ皆瀉ハ締じ石面
竺り開時アクティブマトリックス方式液晶表示装置の概
念図、第３図は従来の非線形素子の断面構造図、第４図
は非線形素子の出力特性例を示す電流・電圧線図、第５
図は第１図の素子の製造工程を順次示す断面図、第６図
、第７図はそれぞれ本発明の異なる実施例の断面図であ
る。 １：透明絶縁基板、２：透明電極、５１．４２．４３゜
８１ ： Ｃｒ電極、５１：ｐ形ａ −３ｉｎ−、５２
： ｉ−ａ −Ｓｉ層・、５３：ｎ形ａ−３ｔ層、６：
絶縁膜、７：コンタクトホール、８：Ａ１電極。 第１図 第４図 第５図
竺り開時アクティブマトリックス方式液晶表示装置の概
念図、第３図は従来の非線形素子の断面構造図、第４図
は非線形素子の出力特性例を示す電流・電圧線図、第５
図は第１図の素子の製造工程を順次示す断面図、第６図
、第７図はそれぞれ本発明の異なる実施例の断面図であ
る。 １：透明絶縁基板、２：透明電極、５１．４２．４３゜
８１ ： Ｃｒ電極、５１：ｐ形ａ −３ｉｎ−、５２
： ｉ−ａ −Ｓｉ層・、５３：ｎ形ａ−３ｔ層、６：
絶縁膜、７：コンタクトホール、８：Ａ１電極。 第１図 第４図 第５図
Claims (1)
- １）それぞれアモルファスシリコン層を用いた複数のダ
イオードが積層により直列接続され、該積層体の上面お
よび側面が絶縁膜で被覆され、下面には透明基板上の下
部金属電極が、上面には前記絶縁膜の開口部において上
部金属電極がそれぞれ接触するものにおいて、下部金属
電極がそれより上の積層体より大きな面積を有し、上部
金属電極が下部金属電極の上方を覆う区域より張り出し
ていることを特徴とする非線形抵抗素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60059209A JPS61217087A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 液晶表示装置用非線形抵抗素子 |
| US06/842,550 US4738513A (en) | 1985-03-22 | 1986-03-21 | Liquid crystal display including a non-linear resistance element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60059209A JPS61217087A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 液晶表示装置用非線形抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61217087A true JPS61217087A (ja) | 1986-09-26 |
Family
ID=13106784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60059209A Pending JPS61217087A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 液晶表示装置用非線形抵抗素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4738513A (ja) |
| JP (1) | JPS61217087A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63281134A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Fuji Electric Co Ltd | アクティブマトリックス形表示パネル |
| GB2213639B (en) * | 1987-12-10 | 1990-11-07 | Seiko Epson Corp | "non-linear device, e.g. for a liquid crystal display" |
| US4895789A (en) * | 1988-03-29 | 1990-01-23 | Seiko Instruments Inc. | Method of manufacturing non-linear resistive element array |
| NL8802409A (nl) * | 1988-09-30 | 1990-04-17 | Philips Nv | Weergeefinrichting, steunplaat voorzien van diode en geschikt voor de weergeefinrichting en werkwijze ter vervaardiging van de steunplaat. |
| NL8900521A (nl) * | 1989-03-03 | 1990-10-01 | Philips Nv | Schakeleenheid ten behoeve van een weergeefinrichting en weergeefinrichting voorzien van een dergelijke schakeleenheid. |
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