NL8802409A - Weergeefinrichting, steunplaat voorzien van diode en geschikt voor de weergeefinrichting en werkwijze ter vervaardiging van de steunplaat. - Google Patents

Weergeefinrichting, steunplaat voorzien van diode en geschikt voor de weergeefinrichting en werkwijze ter vervaardiging van de steunplaat. Download PDF

Info

Publication number
NL8802409A
NL8802409A NL8802409A NL8802409A NL8802409A NL 8802409 A NL8802409 A NL 8802409A NL 8802409 A NL8802409 A NL 8802409A NL 8802409 A NL8802409 A NL 8802409A NL 8802409 A NL8802409 A NL 8802409A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor
semiconductor region
display device
support plate
conductivity type
Prior art date
Application number
NL8802409A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8802409A priority Critical patent/NL8802409A/nl
Priority to US07/412,024 priority patent/US5008590A/en
Priority to JP24898889A priority patent/JP2524840B2/ja
Priority to EP89202402A priority patent/EP0362928B1/en
Priority to DE68916358T priority patent/DE68916358T2/de
Publication of NL8802409A publication Critical patent/NL8802409A/nl

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/868—PIN diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2405—Shape
    • H01L2224/24051—Conformal with the semiconductor or solid-state device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24226—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01072—Hafnium [Hf]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12043—Photo diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Description

De uitvinding heeft betrekking op een weergeefinrichting bevattende een electro-optisch weergeefmedium tussen twee steunplaten, een stelsel van in rijen en kolommen gerangschikte beeldelementen, waarbij elk beeldelement wordt gevormd door twee op de naar elkaar toegekeerde oppervlakken van de steunplaten aangebrachte beeldelectroden, een stelsel van rij- en kolomelectroden voor het aansturen van de beeldelementen, waarbij de rijelectroden op de ene steunplaat en de kolomelectroden op de andere steunplaat zijn aangebracht, en een stelsel van schakelelementen, waarbij tussen ten minste een rij- en een kolomelectrode in serie met elk beeldelement een schakelelement is opgenomen, welke schakelelementen ten minste één pin diode bevatten met een mesavormig halfgeleiderlichaam dat in een doorsnede dwars op een steunplaat achtereenvolgens ten minste omvat een eerste halfgeleidergebied van een eerste geleidingstype en met een relatief hoge doteringsconcentratie, een tweede halfgeleidergebied van het eerste of een tweede geleidingstype en met een relatief lage doteringsconcentratie en een derde halfgeleidergebied van het tweede geleidingstype met een relatief hoge doteringsconcentratie, waarbij het eerste en het derde halfgeleidergebied voorzien zijn van een aansluitgeleider.
Een dergelijke weergeefinrichting is geschikt voor het weergeven van alpha-numerieke en video-informatie met behulp van passieve electro-optische weergeefmedia zoals vloeibare kristallen, electro-phoretische suspensies en electro-chrome materialen.
Een weergeefinrichting van de in de aanhef genoemde soort is bekend uit de engelse octrooiaanvrage 2129183, waarbij een nadelige invloed van omgevingsstraling op de werking van de weergeefinrichting en met name op de schakelelementen genoemd wordt. Wanneer dit schakelelement een of meer dioden omvat is een van de eisen dat wanneer er een sperspanning op de diode staat de door het omgevingsstraling opgewekte fotostroom zo gering mogelijk is om behoud van de spanning over het beeldelement te waarborgen. In de engelse octrooiaanvrage wordt opgeaerkt dat bij de daar gebruikte configuratie van diodes, namelijk een anti-parallel schakeling van een gelijk aantal dioden, de invloed van het omgevingsstraling gedeeltelijk wordt opgeheven. Verder wordt in de engelse octrooiaanvrage opgeaerkt dat door het werken met niet transparante aansluitgeleiders verhinderd wordt dat licht het halfgeleiderlichaam binnen dringt.
Een bezwaar van de bekende inrichting is dat bij de gegeven uitvoering van de aansluitgeleider nog steeds een deel van het omgevingsstraling, namelijk het zijwaarts op het halfgeleiderlichaam invallende licht door kan dringen tot het halfgeleiderlichaam. Het afschermen voor invallende straling van alle zijvlakken van het halfgeleiderlichaam van een diode door deze te bedekken met niet transparante aansluitgeleiders is technologisch niet aantrekkelijk.
De uitvinding beoogt onder meer het bezwaar van de gevoeligheid van het halfgeleiderlichaam voor zijwaarts invallend licht te ondervangen.
De uitvinding berust onder meer op het inzicht dat dit doel bereikt kan worden door de diode zelf, dat wil zeggen het halfgeleiderlichaam van de diode, minder gevoelig te maken voor zijwaarts invallende straling. De uitvinding berust verder op het inzicht dat hiertoe het beïnvloeden van het electrische veldprofiel in het halfgeleiderlichaam aangewend kan worden.
Volgens de uitvinding heeft een weergeefinrichting van de in de aanhef genoemde soort daartoe het kenmerk dat een gebied waarbinnen het tweede halfgeleidergebied en het derde halfgeleidergebied aan elkaar grenzen in projectie gezien binnen de rand van het tweede halfgeleidergebied ligt. Het electrische veld aan en in de buurt van de rand van het tweede halfgeleidergebied zal althans nagenoeg gelijk aan nul zijn daar het gebied waar de junctie tussen het tweede en het derde halfgeleidergebied gevormd wordt nergens de rand van het tweede halfgeleidergebied bereikt. De mate van de op deze wijze gerealiseerde bescherming van het halfgeleiderlichaam tegen omgevingsstraling en de daarmee samengaande vermindering van de stroomsterkte in de sperrichting zal onder meer afhangen van de afstand van het gebied waarbinnen het tweede en derde halfgeleidergebied aan elkaar grenzen tot de rand van het tweede halfgeleidergebied. De bescherming hangt ook af van de indringdiepte van de omgevingsstraling in het tweede halfgeleidergebied alsook van de diffusielengte van ladingsdragers in het tweede halfgeleidergebied. In het algemeen kan men stellen: hoe groter de eerder genoemde afstand tot de rand is, des te beter is de bescherming.
Voor een goede bescherming tegen zijwaarts invallend omgevingsstraling is het gewenst dat het gebied waar geen collectie van door licht gegenereerde ladingsdragers plaats vindt ten minste een dikte heeft - gerekend vanaf de zijkant van het tweede halfgeleidergebied - die overeenkomt met één maal de indringdiepte van het licht plus de diffusielengte van ladingsdragers. Onder indringdiepte wordt (hier) verstaan die diepte waarop de intensiteit van het licht met een factor 1/e is afgenomen. De afstand van het eerder genoemde gebied tot de rand van het tweede halfgeleidergebied zal bij voorkeur ten minste gelijk moeten zijn aan deze indringdiepte plus de diffusielengte van ladingsdragers. Een tweede uitvoeringsvorm wordt dan ook daardoor gekenmerkt dat de afstand van het gebied waarbinnen het tweede halfgeleidergebied en het derde halfgeleidergebied aan elkaar grenzen tot de rand van het tweede halfgeleidergebiedovereenkofflt met ten minste één maal de indringdiepte van omgevingsstraling plus de diffusielengte van ladingsdragers. Het halfgeleiderlichaam van de pin dioden welke gebruikt worden in een weergeefinrichting volgens de uitvinding wordt bijvoorkeur vervaardigd uit gehydrogeneerd amorph silicium (a-Si:H). Voor dit materiaal is de indringdiepte voor de gangbare omgevingsstraling (λ=450 tot 750 nm, overeenkomend met de grenzen van het spectrum van een fluorescentie lamp) ongeveer 0,4 ym. De diffusielengte van ladingsdragers in dit materiaal kan geschat worden op ongeveer 1 a 2 ym. In verband met het eerder opgemerkte en in verband met de gebruikelijke toleranties in de uitrichtnauwkeurigheid tijdens de verschillende photolithografische processtappen van het vervaardigingsproces van een diode in een weergeefinrichting volgens de uitvinding, wordt bij voorkeur een afstand van ongeveer 5 ym genomen.
Een bijkomend voordeel van een weergeefinrichting volgens de uitvinding is dat ook een eventuele matige kwaliteit van het grensvlak tussen de zijkanten van het halfgeleiderlichaam en een daarop aanwezige isolerende laag minder invloed meer heeft op de stroom in de sperrichting. Immers, de lengte van een oppervlakte lekpad dat loopt van het eerste halfgeleidergebied naar het derde halfgeleidergebied gemeten over de buitenkant van het halfgeleiderlichaam zal bij een dergelijke weergeefinrichting groter zijn dan bij de gebruikelijke weergeefinrichting. Daardoor neemt de weerstand van een dergelijk lekpad toe en derhalve de lekstroom door zo'n pad af.
Een verdere uitvoeringsvorm van een weergeefinrichting volgens de uitvinding wordt daardoor gekenmerkt dat zich tussen het tweede halfgeleidergebied en het derde halfgeleidergebied een isolerende laag bevindt die plaatselijk een venster heeft ter plaatse waarvan het tweede en derde halfgeleidergebied aan elkaar grenzen. Onder andere vanwege het onderdrukken van oppervlakte lekstromen en het voorkomen van kortsluiting is het gewenst dat die delen van het halfgeleiderlichaam en met name van het tweede halfgeleidergebied die niet bedekt zijn met een andere halfgeleidergebied, bedekt zijn met een isolerende laag. Bij deze uitvoeringsvorm wordt hierin voorzien en worden tevens enkele voordelen met betrekking tot de vervaardiging berreikt, zoals een klein aantal benodigde photolithografische processtappen.
Het halfgeleiderlichaam van de pin diodes welke gebruikt worden in een weergeefinrichting volgens de uitvinding wordt bij voorkeur vervaardigd van a-Si:H bevattende lagen. Aangezien gebleken is dat het moeilijken is om van dit materiaal lagen van een goede kwaliteit te groeien op een laag van het p-geleidingstype, wordt een verdere uitvoeringsvorm van een weergeefinrichting volgens de uitvinding daardoor gekenmerkt dat het eerste halfgeleidergebied van het n-geleidingstype is. Het voor een pin diode vereiste gebied van het p-geleidingstype wordt dan dus als laatste aangebracht en de verkregen diode wordt een nip diode genoemd.
De uitvinding heeft niet alleen betrekking op een weergeefinrichting maar ook op steunplaat voorzien van een diode en geschikt voor gebruik in een dergelijke weergeefinrichting en daarnaast ook op een vervaardigingswijze van een dergelijke steunplaat.
Als electro-optisch medium in een weergeefinrichting volgens de uitvinding kunnen verschillende materialen gebruikt worden zoals een vloeibaarkristal, een electrophoretische suspensie of een electrochroom materiaal.
De uitvinding zal thans worden beschreven aan de hand van een uitvoeringsvoorbeeld en de tekening, waarin
Figuur 1 schematisch een aanstuurschema van een deel van een weergeefinrichting volgens de uitvinding toont,
Figuur 2 schematisch in bovenaanzicht het binnen de stippellijnen die in figuur 1 met II aangegeven zijn, gelegen deel van een weergeefinrichting volgens de uitvinding toont, en
Figuur 3 en 4 schematisch een dwarsdoorsnede volgens de lijnen IÏÏ-III en IV-IV in figuur 2 van een weergeefinrichting volgens de uitvinding tonen, en figuur 5 t/m 7 de weergeefinrichting van figuur 2 schematisch in dwarsdoorsnede volgens de lijn IV-IV en in opeenvolgende stadia van vervaardiging tonen, en
Figuur 8 schematisch een dwarsdoorsnede volgens de lijn III-III in figuur 2 van een weergeefinrichting volgens de uitvinding en in een andere uitvoeringsvorm toont.
De figuren zijn schematisch en niet op schaal getekend, waarbij in het bijzonder de afmetingen in de dikterichting ter wille van de duidelijkheid zijn overdreven. Overeenkomstige delen zijn als regel in de verchillende voorbeelden met hetzelfde verwijzingscijfer aangeduid. Halfgeleidergebieden van hetzelfde geleidingstype zijn in de dwarsdoorsnede als regel in dezelfde richting gearceerd.
Figuur 1 toont schematisch een aanstuurschema van een deel van een weergeefinrichting volgens de uitvinding. Dit deel van de inrichting omvat rijelectroden 15 en kolomelectroden 14 waartussen zich beeldelementen A bevinden. Tussen een beeldelement A en een rijelectrode 15 bevinden zich twee anti-parallel geschakelde halfgeleiderdioden B en C welke tesamen een schakelelement vormen. De dioden B en C bevatten een halfgeleiderlichaam, 20 en 25 respectievelijk. Deze halfgeleiderlichamen zijn met een rijelectrode 15 en - via het beeld element A dat twee beeldelectroden 2 en 12 bevat - met een kolomelectrode 14 verbonden via aansluitgeleiders 6 en 7.
Figuur 2 toont schematisch in bovenaanzicht het binnen de stippellijnen die in figuur 1 met II aangegeven zijn, gelegen deel van een weergeefinrichting volgens de uitvinding. Terwille van de duidelijkheid is in deze figuur de bovenste steunplaat waarop zich onder weer een kolomelectrode 14 en een beeldelectrode 12 bevinden weggelaten en wordt slechts een bovenaanzicht van de onderste steunplaat van de weergeefinrichting getoond. Hierop bevinden zich een i rijelectrode 15, een beeldelectrode 3 van het beeldelement k en de beide dioden B en C. Dit deel van de weergeefinrichting omvat in bovenaanzicht onder meer een halfgeleiderlichaam 20 van diode B dat aan de onderzijde via aansluitgeleider 6 en een contactgebied 22 verbonden is met beeldelectrode 2 terwijl de bovenzijde via contactopening 21, aansluitgeleider 7 en contactopening 24 verbonden is met de rijelectrode 15. Dit deel bevat verder een halfgeleiderlichaam 25 van diode C dat aan de onderzijde via een aansluitgeleider 6 met de rijelectrode 15 en aan de bovenzijde via conctactopening 23, aansluitgeleider 7 en contactgebied 26 verbonden is met de beeldelectrode 2. Op deze wijze zijn de dioden B en C antiparallel. De lengte en breedte van de vierkante en mesavormige halfgeleiderlichamen zijn ongeveer 30 pm, terwijl de lengte en breedte van de contactopeningen ongeveer 20 pm zijn. De aansluitgeleiders 6 en 7 en de rijelectrode 15 en de hier niet getoonde kolomelectrode 14 bevatten bijvoorbeeld goud, chroom of aluminium. De beeldelectrode 2 bevat bijvoorbeeld indiuatinoxyde (ITO) dat doorlaatbaar is voor licht.
Figuur 3 en 4 tonen schematisch een dwarsdoorsnede volgens de lijnen III-III en IV-IV in figuur 2 van een weergeefinrichting volgens de uitvinding. De inrichting omvat (zie figuur 3) onder meer een eerste substraat 1, bijvoorbeeld van glas met daarop een isolerende laag 3, bijvoorbeeld van siliciumdioxyde of siliciumnitride. Daaronder bevindt zich plaatselijk een beeldelectrode 2 in dit voorbeeld van ITO («indiumtinoxyde). Op het substraat 1 bevinden zich plaatselijk een rijelectrode 15 en een aansluitgeleider 6, waarboven zich een halfgeleiderlichaam 20 bevindt. Deze aansluitgeleider is op een buiten deze doorsnede vallende plaats via een contactgebied 22 met een beeldelectrode 2 verbonden. Het halfgeleiderlichaam bevat een structuur die achtereenvolgens ten minste omvat een eerste halfgeleidergebied 8 van het n-geleidings-type, met een doteringsconcentratie van ongeveer 10^ a 10^® at/cm en een dikte van ongeveer 50 nm. Daarop is aangebracht een tweede halfgeleidergebied 9 in dit voorbeeld van het v-geleidingstype, met een zeer lage doteringsconcentratie en een dikte van ongeveer 400 nm, waarop een derde halfgeleidergebied 10 van het p-geleidingstype, , |Q 9f\ o met een doteringsconcentratie van 10 a 10 at/cm en met een dikte van ongeveer 30 nm. De halfgeleidergebieden zijn in dit voorbeeld van a-Si:H. Tussen het tweede halfgeleidergebied 9 en het derde halfgeleidergebied 10, bevindt zich de isolerende laag 3 die plaatselijk onderbroken is en ter plaatse van die onderbreking welke samenvalt met contactopening 21, grenzen het tweede halfgeleidergebied 9 en het derde halfgeleidergebied 10 aan elkaar. Deze onderbreking heeft overal een afstand van 5 pm tot de rand van het tweede halfgeleidergebied 9 welke rand samenvalt met de rand van het halfgeleiderlichaam 20. Op de halfgeleiderstructuur bevindt zich een aansluitgeleider 7 die samen met halfgeleiderlaag 10 verbonden is met een rijelectrode 15. Hierboven is vervolgens een eerste orienteringslaag 4 bijvoorbeeld polyimide bevattend aangebracht. Hierboven bevinden zich tenslotte achtereenvolgens een laag 19 bijvoorbeeld vloeibare kristallen bevattend, een tweede orienteringslaag 11 eveneens bijvoorbeeld polyimide bevattend, een beeldelectrode 12 ITO bevattend en een tweede substraat 13 bijvoorbeeld glas bevattend. Op substraat 13 is behalve de lagen 11 en 12 ook een kolomelectrode 14, bijvoorbeeld goud, chroom of aluminium bevattend, aangebracht. De functie van kolomelectrode kan ook vervuld worden door de ITO laag 12 daar deze zelf goed geleidend is. Halfgeleidergebied 10 strekt zich de over de isolerende laag 3 uit ten minste tot aan de randen van het mesavormige halfgeleiderlichaam 20. Het zelfde geldt voor aansluitgeleider 7. Plaatselijk, namelijk daar waar dat nodig is om contactopening 24 en rijelectrode 15 te bereiken, strekken zich het halfgeleidergebied 10 en de aansluitgeleider 7 nog verder uit over de isolerende laag 3. Bij de hier geschetste weergeefinrichting volgens de uitvinding wordt bescherming tegen zijwaarts invallend licht verkregen doordat het gebied waarbinnen het tweede halfgeleidergebied 9 en het derde halfgeleidergebied 10 aan elkaar grenzen (bijvoorbeeld gebied 21) in projectie gezien ligt binnen de rand van het tweede halfgeleidergebied 9, welke rand hier samenvalt met de rand van het mesavormige halfgeleiderlichaam (bijvoorbeeld halfgeleiderlichaam 20). De bescherming tegen zijwaarts invallende omgevingsstraling wordt in dit voorbeeld verkregen doordat de afstand van het gebied waarbinnen de halfgeleidergebieden 9 en 10 aan elkaar grenzen tot de rand van het halfgeleidergebied 9 welke in dit voorbeeld ongeveer 5 μη bedraagt, groter is dan de indringdiepte van de ongevingsstraling plus de diffusielengte van ladingsdragers, i Figuur 4 toont behalve halfgeleiderlichaam 20 (van diode 6} ook een halfgeleiderlichaam 25 (van diode C). In contactgebied 26 zijn halfgeleiderlaag 10 en aansluitgeleider 7 van het halfgeleiderlichaam 25 verbonden met beeldelectrode 2. In contactgebied 22 is aansluitgeleider 6 van het halfgeleiderlichaam 20 verbonden met beeldelectrode 2. Opgemerkt wordt dat het niet noodzakelijk is dat Figuur 5 t/n 7 tonen de weergeefinrichting volgens de uitvinding van figuur 2 schematisch in dwarsdoorsnede volgens de lijn IV-IV en in opeenvolgende stadia van vervaardiging. Een vervaardigingswijze volgens de uitvinding van een dergelijke weergeefinrichting omvat onder meer de volgende processtappen: op een glazen substraat 1 met gebruikelijke afmetingen wordt, na reiniging op gebruikelijke wijze, allereerst met behulp van algemeen gebruikelijke technieken een beeldelectrode 2 bevattende indiumtinoxyde (ITO) van gebruikelijke samenstelling en met gebruikelijke dikte aangebracht waarna deze beeldelectrode met behulp van fotolithografie en algemeen gebruikelijke etsmiddelen plaatselijk verwijderd wordt. Hierna wordt met behulp van de sputtertechniek een geleidende laag 6 van goud, chroom of aluminium aangebracht met een dikte van van ongeveer 150 nm. Hierop worden met behulp van PECVD (= Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) vanuit silaan (SiH^) achtereenvolgens de uit gehydrogeneerd amorph silicium (a-Si:H) bestaande halfgeleiderlagen 8 en 9 aangebracht (zie figuur 5). De halfgeleiderlaag 8 is van het n-geleidingstype, heeft een zeer hoge doteringsconcentratie van ongeveer 1Q ΟΛ i 10 a 10 at/cm en een dikte van ongeveer 50 nm. De dotering in dit gebied wordt verkregen door toevoeging van 1 % phosphine (PH3) aan het silaan. Halfgeleiderlaag 9 is van het v-geleidingstype, heeft een zeer lage doteringsconcentratie waardoor de specifieke weerstand van het gebiedongeveer 109 Qcm is en een dikte van ongeveer 400 nm. Vervolgens worden (zie figuur 6) met behulp van photolithografie en algemeen gebruikelijke etsmiddelen de mesa vormige halfgeleiderlichamen 20 en 25 gevormd waarna op soortgelijke wijze aansluitgeleiders 6 waar de halfgeleiderlichamen 20 en 25 op rusten gevormd worden, De halfgeleiderlichamen 20 en 25 hebben in dit voorbeeld een vierkante dwarsdoorsnede met een afmeting van ongeveer
O
30x30 pnr en omvatten op dxt moment nog slechts de halfgeleidergebieden 8 en 9 rustend op een aansluitgeleider 6. Opgemerkt wordt dat het voor de werking van de uitvinding geenzins noodzakelijk is dat de halfgeleiderlichamen 20 en 25 een vierkante dwarsdoorsnede hebben. Ook andere geometriëen zoals rechthoekige of ronde zijn denkbaar. Over de resulterende structuur wordt met behulp van bijvoorbeeld de sputtertechniek of de eerder genoemde PECVD techniek een isolerende laag 3 van bijvoorbeeld siliciumdioxyde (S1O2) en met een dikte van ongeveer 350 nm aangebracht (zie figuur 6). Hierna worden met behulp van photolithografie en een op waterstoffluoride (HF) gebaseerd etsmiddel contactopeningen 21 en 23 en contactgebied 26 gerealiseerd. De afmetingen van de contactopeningen is ongeveer 20x20 pm2 (zie figuur 7). Dan wordt een derde halfgeleidergebied 10 aangebracht waarin het derde halfgeleidergebied 10 wordt gevormd, eveneens van gehydrogeneerd amorph silicium, van het p-geleidingstype en met een hoge doteringsconcentratie, in dit voorbeeld 1019 a 1020 at/cm3, en met een dikte van ongeveer 30 nm. Ook deze laag wordt met behulp van bijvoorbeeld PECVD vanuit silaan (SiH^) aangebracht. In dit geval wordt de dotering verkregen door toevoeging aan het silaan van 1 % diboraan (I^Hg). Vervolgens wordt, bijvoorbeeld met behulp van de sputtertechniek, een metaallaag 7 van goud, chroom of alumunium aangebracht met een dikte van ongeveer 150 nm. Met behulp van photolithografie en algemeen gebruikelijke etsmiddelen worden nu de lagen 7 en 10 plaatselijk verwijderd. Over de resulterende structuur wordt vervolgens een orienteringslaag 4 van bijvoorbeeld polyimide aangebracht, waarmee de onderste steunplaat van figuur 4 verkregen is. Met behulp van een tweede substraat dat op gebruikelijke wijze voorzien is van een beeldelectrode 12 van ITO, een orienterings laag 11 van bijvoorbeeld polyimide en een kolomelectrode 14 van goud, chroom of aluminium kan nu de weergeefinrichting op gebruikelijke wijze geassembleerd en met bijvoorbeeld een medium 19 bestaande uit vloeibare kristallen gevuld worden. Hiermee is de volledige structuur van figuur 4 verkregen.
Fiauur 8 toont schematisch een dwarsdoorsnede volaens de lijn III-III in figuur 2 van een weergeefinrichting volgens de uitvinding en in een ander uitvoeringsvoorbeeld. Een verschil met de structuur van figuur 3 betreft het derde halfgeleidergebied 10 dat nu alleen ter plaatse van gebied 21 aanwezig is. De vervaardiging van de structuur van figuur 8 verloopt grotendeels analoog aan de vervaardiging van de structuur van figuur 3. De verschillen zijn als volgt: de halfgeleiderlagen 8, 9 en 10 worden nu direct achter elkaar aangebracht waarna de mesavormige lichamen 20 en 25 (in deze doorsnede is slechts halfgeleiderlichaam 20 zichtbaar) geëtst worden. Voordat een isolerende laag 2 wordt aangebracht wordt eerst met behulp van photolithografie en algemeen gebruikelijke etsmiddelen halfgeleiderlaag 10 buiten gebied 21 verwijderd. Bij de hier geschetste weergeefinrichting volgens de uitvinding wordt bescherming tegen zijwaarts invallend licht verkregen doordat het gebied waarbinnen het tweede halfgeleidergebied 9 en het derde halfgeleidergebied 10 aan elkaar grenzen (bijvoorbeeld gebied 21 in figuur 8) in projectie gezien ligt binnen de rand van het tweede halfgeleidergebied 9, welke rand hier samenvalt met de rand van het mesavormige halfgeleiderlichaam (bijvoorbeeld halfgeleiderlichaam 20 in figuur 8). De bescherming is groot omdat de afstand van het gebied waarbinnen de halfgeleidergebieden 9 en 10 aan elkaar grenzen tot de rand van het halfgeleidergebied 9 ongeveer 5 pm bedraagt en groter is dan de indringdiepte van de omgevingsstraling plus de diffusielengte van ladingsdragers.
Ofschoon in deze aanvrage de uitvinding beschreven is voor een weergeefinrichting met een bepaald aanstuurschema, is toepassing van de uitvinding, om dezelfde redenen als bij de gegeven voorbeelden, eveneens van groot belang bij andere aanstuurschema's.
De uitvinding is dan ook geenszins beperkt op de gegeven uitvoeringsvoorbeelden, maar heeft betrekking op alle vormen van weergeefinrichtingen waarbij de schakelelementen dioden bevatten waarin zich een junctie bevindt waarvan het gewenst is dat de sperstroom laag is ondanks de aanwezigheid van omgevingsstraling.
Ook moet opgemerkt worden dat naast de structuren van bijvoorbeeld figuur 3 en figuur 8 nog andere structuren denkbaar zijn waarin de hier beschreven uitvinding belichaamd is, d.w.z. structuren waarin het gebied waarbinnen het tweede halfgeleidergebied grenst aan het derde halfgeleidergebied in projectie gezien binnen de rand van het tweede halfgeleidergebied ligt. Zo is het bijvoorbeeld ook mogelijk het gebied waarbinnen het tweede en eerste halfgeleidergebied aan elkaar grenzen zo te realiseren dat dit in projectie gezien binnen de rand van het tweede halfgeleidergebied valt. Hierdoor kan de bescherming tegen zijwaarts invallend omgevingsstraling nog verder verbeteren.
Verder moet worden opgemerkt dat de aansluitgeleider die zich aan de bovenzijde van de mesavormige diode en op het derde halfgeleidergebied bevindt bij voorkeur zo is aangebracht dat deze ten minste de gehele bovenzijde van de diode bedekt. Aangezien de voor de vervaardiging van aansluitgeleiders gebruikelijke materialen metalen omvatten welke in het algemeen niet transparant zijn voor de omgevingsstraling wordt op deze wijze een goede bescherming tegen zijwaarts invallend omgevingsstraling gecombineerd met een goede bescherming tegen van boven invallend omgevingsstraling. Hierbij moet nog worden aangetekend dat het geenzins noodzakelijk is dat zich op elke plaats onder de aanluitgeleider van het derde halfgeleidergebied ook het derde halfgeleidergebied bevindt. Het derde halfgeleidergebied kan beperkt worden tot binnen de randen van de mesavormige diode. In dat geval strekt zich alleen de aansluitgeleider van dat derde halfgeleidergebied plaatselijk (waar dat nodig is) uit over de isolerende laag.
Tevens zal uit het bovenstaande duidelijk zijn dat de uitvinding niet beperkt is tot een weergeefinrichting maar ook een steunplaat geschikt voor gebruik in een dergelijke weergeefinrichting en een werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke steunplaat omvat. Hierbij wordt opgemerkt dat er verschillende processtappen in de werkwijze volgens de uitvinding vervangen kunnen worden door andere algemeen gebruikelijke processtappen. Zo kunnen bijvoorbeeld de p- en n-type doteringen van de halfgeleiderlagen waarin het eerste en het derde halfgeleidergebied gevormd worden, ook met behulp van diffusie of ionenimplantatie gerealiseerd worden. De halfgeleidergebieden komen dan tot stand door het etsen van een mesavormig halfgeleiderlichaam in de halfgeleiderlagenstructuur. Het is ook mogelijk om het eerste en met name het derde halfgeleidergebied door diffusie of implantatie te vormen. Wanneer we bijvoorbeeld het derde halfgeleidergebied op zo'n
Banier willen vormen kan locaal een implantatie of diffusie in het tweede halfgeleidergebied uitgevoerd worden. Het derde halfgeleidergebied is aldus gevormd als een in het tweede halfgeleidergebied verzonken zone. In deze opzichten wijkt de technologie van gehydrogeneerd amorph silicium welk materiaal bij voorkeur gebruikt wordt voor de vervaardiging van een weergeefinrichting volgens de uitvinding niet wezenlijk af van de technologie van éénkristallijn silicium. In laatstgenoemde technologie zijn ook zeer veel alternatieve en algemeen gebruikelijke processtappen en uitvoeringsvormen naast elkaar voorhanden.

Claims (8)

1. Weergeefinrichting bevattende een electro-optisch weergeefmedium tussen twee steunplaten, een stelsel van in rijen en kolommen gerangschikte beeldelementen, waarbij elk beeldelement wordt gevormd door twee op de naar elkaar toegekeerde oppervlakken van de steunplaten aangebrachte beeldelectroden, een stelsel van rij- en kolomelectroden voor het aansturen van de beeldelementen, waarbij de rijelectroden op de ene steunplaat en de kolomelectroden op de andere steunplaat zijn aangebracht, en een stelsel van schakelelementen, waarbij tussen ten minste een rij- en een kolomelectrode in serie met elk beeldelement een schakelelement is opgenomen, welke schakelelementen ten minste één pin diode bevatten met een mesavormig halfgeleiderlichaam dat in een doorsnede dwars op een steunplaat achtereenvolgens ten minste omvat een eerste halfgeleidergebied van een eerste geleidingstype en met een relatief hoge doteringsconcentratie, een tweede halfgeleidergebied van het eerste of een tweede geleidingstype en met een relatief lage doteringsconcentratie en een derde halfgeleidergebied van het tweede geleidingstype met een relatief hoge doteringsconcentratie, waarbij het eerste en het derde halfgeleidergebied voorzien zijn van een aansluitgeleider, met het kenmerk dat een gebied waarbinnen de tweede halfgeleiderlaag en het derde halfgeleidergebied aan elkaar grenzen in projectie gezien binnen de rand van het tweede halfgeleidergebied ligt.
2. Weergeefinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk dat de afstand van het gebied waarbinnen het tweede halfgeleidergebied en het derde halfgeleidergebied aan elkaar grenzen tot de rand van de tweede halfgeleidergebied overeenkomt met ten minste één maal de indringdiepte van omgevingsstraling plus de diffusielengte van ladingsdragers in het tweede halfgeleidergebied.
3. Weergeefinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk dat de afstand van het gebied waarbinnen het tweede halfgeleidergebied en het derde halfgeleidergebied aan elkaar grenzen tot de rand van het tweede halfgeleidergebied overeenkomt met ten minste 2 pm.
4. Weergeefinrichting volgens conclusie 1,2 of 3 met het kenmerk dat het tweede en derde halfgeleidergebied elk door een halfgeleiderlaag gevormd worden en zich tussen deze halfgeleiderlagen een isolerende laag bevindt die plaatselijk onderbroken is ter plaatse A A Λ O L Λ Q waarvan de halfgeleiderlagen aan elkaar grenzen.
5. Weergeefinrichting volgens een der voorafgaande conclusies met het kenmerk dat het eerste halfgeleidergebied van het n-geleidingstype is.
6. Weergeefinrichting volgens een der voorafgaande conclusies met het kenmerk dat de halfgeleidergebieden uit a-Si:H bestaan.
7. Steunplaat voorzien van ten minste één diode en geschikt voor gebruik in een weergeefinrichting volgens een der voorafgaande conclusies.
8. Werkwijze ter vervaardiging van een steunplaat volgens conclusie 6 met het kenmerk dat op een substraat achtereenvolgens ten minste een metaallaag, een eerste halfgeleiderlaag van een eerste geleidingstype en met een relatief hoge doteringsconcentratie die het eerste halfgeleidergebied vormt en een tweede halfgeleiderlaag van het eerste of een tweede geleidingstype met een relatief lage doteringsconcentratie die het tweede halfgeleidergebied vormt worden aangebracht, dat vervolgens de halfgeleiderlagen tot een mesavormig halfgeleiderlichaam geetst worden, dat over de resulterende structuur een isolerende laag wordt aangebracht waarin boven het halfgeleiderlichaam een venster geetst wordt dat in projectie gezien binnen de rand van de tweede halfgeleiderlaag ligt en dat over de aldus ontstane structuur een derde halfgeleiderlaag van een tweede geleidingstype en met een relatief hoge doteringsconcentratie gegroeid wordt die het derde halfgeleidergebied vormt.
NL8802409A 1988-09-30 1988-09-30 Weergeefinrichting, steunplaat voorzien van diode en geschikt voor de weergeefinrichting en werkwijze ter vervaardiging van de steunplaat. NL8802409A (nl)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8802409A NL8802409A (nl) 1988-09-30 1988-09-30 Weergeefinrichting, steunplaat voorzien van diode en geschikt voor de weergeefinrichting en werkwijze ter vervaardiging van de steunplaat.
US07/412,024 US5008590A (en) 1988-09-30 1989-09-25 Display arrangement having pin diode switching elements
JP24898889A JP2524840B2 (ja) 1988-09-30 1989-09-25 表示装置及び表示装置の製造方法
EP89202402A EP0362928B1 (en) 1988-09-30 1989-09-25 Display arrangement provided with diodes and method of manufacturing the display arrangement
DE68916358T DE68916358T2 (de) 1988-09-30 1989-09-25 Wiedergabeanordnung mit Dioden und Verfahren zum Herstellen der Wiedergabeanordnung.

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8802409A NL8802409A (nl) 1988-09-30 1988-09-30 Weergeefinrichting, steunplaat voorzien van diode en geschikt voor de weergeefinrichting en werkwijze ter vervaardiging van de steunplaat.
NL8802409 1988-09-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8802409A true NL8802409A (nl) 1990-04-17

Family

ID=19852980

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8802409A NL8802409A (nl) 1988-09-30 1988-09-30 Weergeefinrichting, steunplaat voorzien van diode en geschikt voor de weergeefinrichting en werkwijze ter vervaardiging van de steunplaat.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5008590A (nl)
EP (1) EP0362928B1 (nl)
JP (1) JP2524840B2 (nl)
DE (1) DE68916358T2 (nl)
NL (1) NL8802409A (nl)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5619092A (en) * 1993-02-01 1997-04-08 Motorola Enhanced electron emitter
US6180444B1 (en) 1998-02-18 2001-01-30 International Business Machines Corporation Semiconductor device having ultra-sharp P-N junction and method of manufacturing the same
WO1999047970A1 (en) 1998-03-18 1999-09-23 E-Ink Corporation Electrophoretic displays and systems for addressing such displays
US6704133B2 (en) 1998-03-18 2004-03-09 E-Ink Corporation Electro-optic display overlays and systems for addressing such displays
DE69918308T2 (de) 1998-04-10 2004-10-21 E Ink Corp Elektronische anzeige basierend auf organischen feldeffekt-transistoren
US7075502B1 (en) 1998-04-10 2006-07-11 E Ink Corporation Full color reflective display with multichromatic sub-pixels
EP1078331A2 (en) 1998-05-12 2001-02-28 E-Ink Corporation Microencapsulated electrophoretic electrostatically-addressed media for drawing device applications
AU4703999A (en) * 1998-06-22 2000-01-10 E-Ink Corporation Means of addressing microencapsulated display media
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6504524B1 (en) 2000-03-08 2003-01-07 E Ink Corporation Addressing methods for displays having zero time-average field
US6531997B1 (en) 1999-04-30 2003-03-11 E Ink Corporation Methods for addressing electrophoretic displays
AU6365900A (en) * 1999-07-21 2001-02-13 E-Ink Corporation Use of a storage capacitor to enhance the performance of an active matrix drivenelectronic display
US7893435B2 (en) * 2000-04-18 2011-02-22 E Ink Corporation Flexible electronic circuits and displays including a backplane comprising a patterned metal foil having a plurality of apertures extending therethrough
DE60139463D1 (de) * 2000-04-18 2009-09-17 E Ink Corp Prozess zur herstellung von dünnfilmtransistoren
US20020060321A1 (en) 2000-07-14 2002-05-23 Kazlas Peter T. Minimally- patterned, thin-film semiconductor devices for display applications
US6967640B2 (en) * 2001-07-27 2005-11-22 E Ink Corporation Microencapsulated electrophoretic display with integrated driver
KR102620764B1 (ko) * 2018-12-24 2024-01-02 엘지디스플레이 주식회사 디지털 엑스레이 검출장치용 어레이 패널 및 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8103376A (nl) * 1981-07-16 1983-02-16 Philips Nv Weergeefinrichting.
US4642620A (en) * 1982-09-27 1987-02-10 Citizen Watch Company Limited Matrix display device
GB2144266B (en) * 1983-06-29 1987-03-18 Citizen Watch Co Ltd Method of manufacture for ultra-miniature thin-film diodes
US4748445A (en) * 1983-07-13 1988-05-31 Citizen Watch Co., Ltd. Matrix display panel having a diode ring structure as a resistive element
EP0150728A3 (en) * 1984-01-23 1986-01-08 Energy Conversion Devices, Inc. Liquid crystal displays operated by amorphous silicon alloy diodes
JPS61217087A (ja) * 1985-03-22 1986-09-26 富士電機株式会社 液晶表示装置用非線形抵抗素子
NL8502663A (nl) * 1985-09-30 1987-04-16 Philips Nv Weergeefinrichting met verbeterde aansturing.

Also Published As

Publication number Publication date
JP2524840B2 (ja) 1996-08-14
JPH02116830A (ja) 1990-05-01
DE68916358T2 (de) 1995-02-16
DE68916358D1 (de) 1994-07-28
EP0362928A1 (en) 1990-04-11
US5008590A (en) 1991-04-16
EP0362928B1 (en) 1994-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8802409A (nl) Weergeefinrichting, steunplaat voorzien van diode en geschikt voor de weergeefinrichting en werkwijze ter vervaardiging van de steunplaat.
US4864376A (en) Thin-film transistor and method of fabricating the same
EP0634800B1 (en) An imaging device
EP0494666B1 (en) Spatial light modulator
CA1242783A (en) Displays and subassemblies having improved pixel electrodes
EP0474474A2 (en) Semiconductor light valve device and process for fabricating the same
US5301048A (en) Active matrix display device with Schottky contact switching elements
US4842376A (en) Double-schottky diode liquid crystal light valve
KR100229371B1 (ko) 반사형 액정 디스플레이 및 이의 형성 방법
US4881110A (en) Double-Schottky diode liquid crystal light valve
US5164322A (en) Method for manufacturing photoelectric conversion device with a high response speed
JP2001501039A (ja) イメージセンサ及びその製造
NL8702490A (nl) Weergeefinrichting met laterale schottky-dioden.
US5144406A (en) Diode devices and active matrix addressed display devices incorporating them
EP0229397A2 (en) Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same
USH840H (en) Single-Schottky diode liquid crystal light valve and method
JP3305814B2 (ja) 薄膜トランジスタおよびそれを用いた液晶表示装置
WO1989002613A1 (en) Single-schottky diode liquid crystal light valve and method
JPS5890782A (ja) 半導体装置
KR100710280B1 (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
JPH0323680A (ja) 光電変換素子
JPS63314863A (ja) 受光素子アレイ
JPS63119259A (ja) アモルフアスシリコンホトダイオ−ドアレイ
JPS63147361A (ja) フオトセンサ
JPH01243031A (ja) アクティブマトリクス用２端子素子

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed