JPH0521777A - 読み取り装置及びその製造方法 - Google Patents
読み取り装置及びその製造方法Info
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- JPH0521777A JPH0521777A JP3198404A JP19840491A JPH0521777A JP H0521777 A JPH0521777 A JP H0521777A JP 3198404 A JP3198404 A JP 3198404A JP 19840491 A JP19840491 A JP 19840491A JP H0521777 A JPH0521777 A JP H0521777A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチングによって透明層間絶縁膜にコンタ
クトホールを形成する時、フォトダイオードやブロッキ
ングダイオードまでもがエッチングによるダメージを受
けないようにする。 【構成】 フォトダイオード１４やブロッキングダイオ
ード１６を覆っている透明電極２８ａ，２８ｂ上のう
ち、コンタクトホール３２ａ，３２ｂを形成する予定の
位置に、エッチングストッパーとしてクロムCrなどから
成る金属膜３３ａ，３３ｂを形成した。
クトホールを形成する時、フォトダイオードやブロッキ
ングダイオードまでもがエッチングによるダメージを受
けないようにする。 【構成】 フォトダイオード１４やブロッキングダイオ
ード１６を覆っている透明電極２８ａ，２８ｂ上のう
ち、コンタクトホール３２ａ，３２ｂを形成する予定の
位置に、エッチングストッパーとしてクロムCrなどから
成る金属膜３３ａ，３３ｂを形成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は読み取り装置及びその製
造方法に関し、さらに詳しくは、ファクシミリ、イメー
ジスキャナ、デジタル複写機、電子黒板などに使用され
る密着型の読み取り装置及びその製造方法に関する。
造方法に関し、さらに詳しくは、ファクシミリ、イメー
ジスキャナ、デジタル複写機、電子黒板などに使用され
る密着型の読み取り装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ファクシミリなどには、縮小光学
系を必要とするＣＣＤ型の読み取り装置に代わって、原
稿を等倍で読み取るいわゆる密着型の読み取り装置が広
く採用されている。この密着型の読み取り装置として
は、フォトダイオードなどの光電変換素子が一次元に多
数配列され、これら光電変換素子からの信号をブロック
単位で順次読み出すマトリクス駆動方式のものが一般的
である。
系を必要とするＣＣＤ型の読み取り装置に代わって、原
稿を等倍で読み取るいわゆる密着型の読み取り装置が広
く採用されている。この密着型の読み取り装置として
は、フォトダイオードなどの光電変換素子が一次元に多
数配列され、これら光電変換素子からの信号をブロック
単位で順次読み出すマトリクス駆動方式のものが一般的
である。
【０００３】たとえば従来の読み取り装置は、図１１に
示すように、ガラスなどの絶縁性基板１上にフォトダイ
オード２とブロッキングダイオード３とマトリクス配線
４とが形成されて構成されている。このフォトダイオー
ド２とブロッキングダイオード３とは共に同じアモルフ
ァスシリコンの半導体層５ａ，５ｂで構成され、それぞ
れの上面にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から成る透明
電極６ａ，６ｂが形成されている。ここでブロッキング
ダイオード３側にも透明電極６ｂが形成されているの
は、フォトダイオード２側に透明電極６ａを形成すると
同時に、ブロッキングダイオード３側にも透明電極６ｂ
を形成すれば、製造工程を簡略化できるためである。さ
らにフォトダイオード２とブロッキングダイオード３と
は、SiOxから成る透明層間絶縁膜７により覆われてい
て、その透明層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホー
ル８を介して接続配線９によって逆極性に直列接続され
ている。
示すように、ガラスなどの絶縁性基板１上にフォトダイ
オード２とブロッキングダイオード３とマトリクス配線
４とが形成されて構成されている。このフォトダイオー
ド２とブロッキングダイオード３とは共に同じアモルフ
ァスシリコンの半導体層５ａ，５ｂで構成され、それぞ
れの上面にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から成る透明
電極６ａ，６ｂが形成されている。ここでブロッキング
ダイオード３側にも透明電極６ｂが形成されているの
は、フォトダイオード２側に透明電極６ａを形成すると
同時に、ブロッキングダイオード３側にも透明電極６ｂ
を形成すれば、製造工程を簡略化できるためである。さ
らにフォトダイオード２とブロッキングダイオード３と
は、SiOxから成る透明層間絶縁膜７により覆われてい
て、その透明層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホー
ル８を介して接続配線９によって逆極性に直列接続され
ている。
【０００４】このような読み取り装置を製造するには、
半導体層５ａ，５ｂとなるアモルファスシリコンなどの
半導体膜と、透明電極６ａ，６ｂとなるＩＴＯ膜とを順
次成膜した後、それぞれを逆の順序でパターン化して透
明電極６ａ，６ｂと、半導体層５ａ，５ｂとを形成し、
次いでこれら全体を透明層間絶縁膜７で覆い、その透明
層間絶縁膜７の所定の位置にコンタクトホール８を形成
した後、その上に接続配線９やマトリクス配線４などを
形成するのである。
半導体層５ａ，５ｂとなるアモルファスシリコンなどの
半導体膜と、透明電極６ａ，６ｂとなるＩＴＯ膜とを順
次成膜した後、それぞれを逆の順序でパターン化して透
明電極６ａ，６ｂと、半導体層５ａ，５ｂとを形成し、
次いでこれら全体を透明層間絶縁膜７で覆い、その透明
層間絶縁膜７の所定の位置にコンタクトホール８を形成
した後、その上に接続配線９やマトリクス配線４などを
形成するのである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ここで透明層間絶縁膜
７にコンタクトホール８を形成するには、CF4 ガスを用
いた反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching;
ＲＩＥ）によるのが一般的であるが、この場合、ＲＩＥ
によって透明電極６ａ，６ｂまでもがエッチングされ、
その膜厚が薄くなってしまうことがあった。さらに透明
電極６ａ，６ｂの膜厚が薄い場合は、その下方の半導体
層５ａ，５ｂまでもがダメージを受けることがあった。
このため透明電極６ａ，６ｂと接続配線９との接触抵抗
が大きくなり、時定数が大きくなって読み出し速度が遅
くなるという問題があった。また接触抵抗のバラツキも
大きくなるため、出力信号のバラツキも大きくなるとう
いう問題があった。さらにＲＩＥによるエッチング力は
絶縁性基板１上の位置によって異なっているため、半導
体層５ａ，５ｂによって受けるダメージの程度が異な
り、出力信号のバラツキがさらに大きくなるという問題
があった。そこで本発明者らは、このような問題を解決
するため鋭意研究を重ねた結果、本発明に至った。
７にコンタクトホール８を形成するには、CF4 ガスを用
いた反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching;
ＲＩＥ）によるのが一般的であるが、この場合、ＲＩＥ
によって透明電極６ａ，６ｂまでもがエッチングされ、
その膜厚が薄くなってしまうことがあった。さらに透明
電極６ａ，６ｂの膜厚が薄い場合は、その下方の半導体
層５ａ，５ｂまでもがダメージを受けることがあった。
このため透明電極６ａ，６ｂと接続配線９との接触抵抗
が大きくなり、時定数が大きくなって読み出し速度が遅
くなるという問題があった。また接触抵抗のバラツキも
大きくなるため、出力信号のバラツキも大きくなるとう
いう問題があった。さらにＲＩＥによるエッチング力は
絶縁性基板１上の位置によって異なっているため、半導
体層５ａ，５ｂによって受けるダメージの程度が異な
り、出力信号のバラツキがさらに大きくなるという問題
があった。そこで本発明者らは、このような問題を解決
するため鋭意研究を重ねた結果、本発明に至った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る読み取り装
置の要旨とするところは、絶縁性基板上に、透明電極で
覆われた光電変換素子が一次元に複数形成されていて、
該光電変換素子が透明層間絶縁膜によって覆われている
とともに、該透明層間絶縁膜に形成されたコンタクトホ
ールを介して接続配線に接続された読み取り装置におい
て、少なくとも前記透明電極上のコンタクトホールが形
成される位置に、金属膜が形成されたことにある。
置の要旨とするところは、絶縁性基板上に、透明電極で
覆われた光電変換素子が一次元に複数形成されていて、
該光電変換素子が透明層間絶縁膜によって覆われている
とともに、該透明層間絶縁膜に形成されたコンタクトホ
ールを介して接続配線に接続された読み取り装置におい
て、少なくとも前記透明電極上のコンタクトホールが形
成される位置に、金属膜が形成されたことにある。
【０００７】また、かかる読み取り装置において、前記
金属膜が、Cr，Ti，Ni及びNi／Crからなる群の中の１つ
から構成されたことにある。
金属膜が、Cr，Ti，Ni及びNi／Crからなる群の中の１つ
から構成されたことにある。
【０００８】一方、本発明に係る読み取り装置の製造方
法の要旨とするところは、絶縁性基板上に、透明電極で
覆われた光電変換素子が一次元に複数形成されていて、
該光電変換素子が透明層間絶縁膜によって覆われている
とともに、該透明層間絶縁膜に形成されたコンタクトホ
ールを介して接続配線に接続された読み取り装置の製造
方法において、前記透明層間絶縁膜を形成する前に、少
なくとも前記透明電極上のコンタクトホールが形成され
る位置に、金属膜を形成することにある。
法の要旨とするところは、絶縁性基板上に、透明電極で
覆われた光電変換素子が一次元に複数形成されていて、
該光電変換素子が透明層間絶縁膜によって覆われている
とともに、該透明層間絶縁膜に形成されたコンタクトホ
ールを介して接続配線に接続された読み取り装置の製造
方法において、前記透明層間絶縁膜を形成する前に、少
なくとも前記透明電極上のコンタクトホールが形成され
る位置に、金属膜を形成することにある。
【０００９】
【作用】かかる読み取り装置は、光電変換素子の表面を
覆っている透明電極上のうち、コンタクトホールが形成
される予定の位置に金属膜が形成された後、これら光電
変換素子などが透明層間絶縁膜で覆われ、その透明層間
絶縁膜の所定の位置にエッチングによってコンタクトホ
ールが形成され、さらにその上に接続配線などが形成さ
れて製造される。ここで、透明層間絶縁膜にコンタクト
ホールが形成される時、透明電極上に形成された金属膜
がエッチングストッパーとしての機能を果たすため、透
明電極までもがエッチングによるダメージを受けること
はない。
覆っている透明電極上のうち、コンタクトホールが形成
される予定の位置に金属膜が形成された後、これら光電
変換素子などが透明層間絶縁膜で覆われ、その透明層間
絶縁膜の所定の位置にエッチングによってコンタクトホ
ールが形成され、さらにその上に接続配線などが形成さ
れて製造される。ここで、透明層間絶縁膜にコンタクト
ホールが形成される時、透明電極上に形成された金属膜
がエッチングストッパーとしての機能を果たすため、透
明電極までもがエッチングによるダメージを受けること
はない。
【００１０】したがって接続配線との接触抵抗が小さく
なり、つまりは時定数が小さくなって読み出し速度が速
くなる。また接触抵抗のバラツキも小さくなるので、出
力信号のバラツキも小さくなる。さらにエッチング力に
は絶縁性基板上の位置によってバラツキがあるにもかか
わらず、透明電極までもがダメージを受けることがない
ので、出力信号のバラツキはさらに小さくなる。
なり、つまりは時定数が小さくなって読み出し速度が速
くなる。また接触抵抗のバラツキも小さくなるので、出
力信号のバラツキも小さくなる。さらにエッチング力に
は絶縁性基板上の位置によってバラツキがあるにもかか
わらず、透明電極までもがダメージを受けることがない
ので、出力信号のバラツキはさらに小さくなる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明に係る読み取り装置及びその製
造方法の実施例について図面に基づき詳しく説明する。
造方法の実施例について図面に基づき詳しく説明する。
【００１２】図１(a)(b)において、符号１０は本発明に
係る読み取り装置である。この読み取り装置１０は概
略、無アルカリガラスなどの絶縁性基板１２上にフォト
ダイオード１４と、各フォトダイオード１４間における
クロストークを防止するためのブロッキングダイオード
１６とが一次元に複数形成されて構成されている。これ
らブロッキングダイオード１６は一定個数毎に共通する
共通電極１８によって接続されていて、この共通電極１
８と、この共通電極１８に接続された一定個数のブロッ
キングダイオード１６と、このブロッキングダイオード
１６に相対応する一定個数のフォトダイオード１４とを
一単位としてブロック２０が構成されている。また、絶
縁性基板１２上にはマトリクス配線２２が形成されてい
て、このマトリクス配線２２によって各ブロック２０間
で相対的に同じ位置にあるフォトダイオード１４同士が
その引出電極２４を介して共通に接続されている。
係る読み取り装置である。この読み取り装置１０は概
略、無アルカリガラスなどの絶縁性基板１２上にフォト
ダイオード１４と、各フォトダイオード１４間における
クロストークを防止するためのブロッキングダイオード
１６とが一次元に複数形成されて構成されている。これ
らブロッキングダイオード１６は一定個数毎に共通する
共通電極１８によって接続されていて、この共通電極１
８と、この共通電極１８に接続された一定個数のブロッ
キングダイオード１６と、このブロッキングダイオード
１６に相対応する一定個数のフォトダイオード１４とを
一単位としてブロック２０が構成されている。また、絶
縁性基板１２上にはマトリクス配線２２が形成されてい
て、このマトリクス配線２２によって各ブロック２０間
で相対的に同じ位置にあるフォトダイオード１４同士が
その引出電極２４を介して共通に接続されている。
【００１３】フォトダイオード１４とブロッキングダイ
オード１６は共に同じアモルファスシリコンの半導体層
２６ａ，２６ｂで構成され、これら半導体層２６ａ，２
６ｂの上面には、ＩＴＯから成る透明電極２８ａ，２８
ｂが形成されている。さらにこれら透明電極２８ａ，２
８ｂ上のうち、コンタクトホール３２ａ，３２ｂが形成
される位置には、クロムCrから成る金属膜３３ａ，３３
ｂが形成されている。このうちフォトダイオード１４側
の金属膜３３ａは、その上のコンタクトホール３２ａよ
りもひとまわり大きい形状に形成されていて、他方ブロ
ッキングダイオード１６側の金属膜３３ｂは、そのブロ
ッキングダイオード１６がフォトダイオードとして機能
しないように遮光するため、その透明電極２８ｂと同じ
形状に形成されている。
オード１６は共に同じアモルファスシリコンの半導体層
２６ａ，２６ｂで構成され、これら半導体層２６ａ，２
６ｂの上面には、ＩＴＯから成る透明電極２８ａ，２８
ｂが形成されている。さらにこれら透明電極２８ａ，２
８ｂ上のうち、コンタクトホール３２ａ，３２ｂが形成
される位置には、クロムCrから成る金属膜３３ａ，３３
ｂが形成されている。このうちフォトダイオード１４側
の金属膜３３ａは、その上のコンタクトホール３２ａよ
りもひとまわり大きい形状に形成されていて、他方ブロ
ッキングダイオード１６側の金属膜３３ｂは、そのブロ
ッキングダイオード１６がフォトダイオードとして機能
しないように遮光するため、その透明電極２８ｂと同じ
形状に形成されている。
【００１４】さらに、これらフォトダイオード１４やブ
ロッキングダイオード１６などは、SiOxから成る透明層
間絶縁膜３４によって覆われているとともに、その透明
層間絶縁膜３４に形成されたコンタクトホール３２ａ，
３２ｂを介して接続配線３５によって接続されている。
そして、これら全体がSiNxから成る絶縁保護膜３６によ
り覆われて、読み取り装置１０が構成されている。
ロッキングダイオード１６などは、SiOxから成る透明層
間絶縁膜３４によって覆われているとともに、その透明
層間絶縁膜３４に形成されたコンタクトホール３２ａ，
３２ｂを介して接続配線３５によって接続されている。
そして、これら全体がSiNxから成る絶縁保護膜３６によ
り覆われて、読み取り装置１０が構成されている。
【００１５】この読み取り装置１０は、たとえば次のよ
うにして製造することができる。まず図２に示すよう
に、無アルカリガラス（コーニング7059）などの絶縁性
基板１２上にスパッタリング法や真空蒸着法などによっ
てクロムCrなどを約１５００Å厚で成膜した後、フォト
エッチングなどによって所定形状にパターン化して共通
電極１８と引出電極２４とを形成する。
うにして製造することができる。まず図２に示すよう
に、無アルカリガラス（コーニング7059）などの絶縁性
基板１２上にスパッタリング法や真空蒸着法などによっ
てクロムCrなどを約１５００Å厚で成膜した後、フォト
エッチングなどによって所定形状にパターン化して共通
電極１８と引出電極２４とを形成する。
【００１６】次いで図３に示すように、これらの上にグ
ロー放電分解法などによってｐ型，ｉ型，ｎ型のアモル
ファスシリコンをそれぞれ約３００Å厚，約５０００Å
厚，約３００Å厚で順次積層してＰＩＮ構造の半導体膜
４０を成膜した後、さらにその上にスパッタリング法や
真空蒸着法などによって約８００Å厚のＩＴＯ膜４２を
成膜する。
ロー放電分解法などによってｐ型，ｉ型，ｎ型のアモル
ファスシリコンをそれぞれ約３００Å厚，約５０００Å
厚，約３００Å厚で順次積層してＰＩＮ構造の半導体膜
４０を成膜した後、さらにその上にスパッタリング法や
真空蒸着法などによって約８００Å厚のＩＴＯ膜４２を
成膜する。
【００１７】さらに図４に示すように、これらの上にス
パッタリング法や真空蒸着法などによって約１０００Å
厚のクロム膜４３を成膜し、次いでこのクロム膜４３
を、図５に示すようにフォトエッチングなどによってパ
ターン化して所定の位置に金属膜３３ａ，３３ｂを形成
する。ここで金属膜３３ａ，３３ｂを形成する所定の位
置というのは、後の工程で透明層間絶縁膜（３４）にコ
ンタクトホール（３２ａ，３２ｂ）を形成する予定の位
置である。またフォトダイオード（１４）となる側の金
属膜３３ａの形状は、その上に形成する予定のコンタク
トホール（３２ａ）よりもひとまわり大きく形成し、他
方ブロッキングダイオード（１６）となる側の金属膜３
３ｂの形状は、その下に形成する予定の透明電極（２８
ｂ）と同じ形状に形成する。
パッタリング法や真空蒸着法などによって約１０００Å
厚のクロム膜４３を成膜し、次いでこのクロム膜４３
を、図５に示すようにフォトエッチングなどによってパ
ターン化して所定の位置に金属膜３３ａ，３３ｂを形成
する。ここで金属膜３３ａ，３３ｂを形成する所定の位
置というのは、後の工程で透明層間絶縁膜（３４）にコ
ンタクトホール（３２ａ，３２ｂ）を形成する予定の位
置である。またフォトダイオード（１４）となる側の金
属膜３３ａの形状は、その上に形成する予定のコンタク
トホール（３２ａ）よりもひとまわり大きく形成し、他
方ブロッキングダイオード（１６）となる側の金属膜３
３ｂの形状は、その下に形成する予定の透明電極（２８
ｂ）と同じ形状に形成する。
【００１８】次いでＩＴＯ膜４２を、図６に示すように
フォトエッチングなどによって所定形状にパターン化し
て透明電極２８ａ，２８ｂを形成した後、CF4 ガスと O
2 ガスを用いた反応性イオンエッチング（Reactive Ion
Etching; ＲＩＥ）などによって半導体膜４０を透明電
極２８ａ，２８ｂと同一形状にパターン化して、半導体
層２６ａ，２６ｂを形成する。これら引出電極２４，半
導体層２６ａ及び透明電極２８ａによってフォトダイオ
ード１４が形成されていて、共通電極１８，半導体層２
６ｂ及び透明電極２８ｂによってブロッキングダイオー
ド１６が形成されている。
フォトエッチングなどによって所定形状にパターン化し
て透明電極２８ａ，２８ｂを形成した後、CF4 ガスと O
2 ガスを用いた反応性イオンエッチング（Reactive Ion
Etching; ＲＩＥ）などによって半導体膜４０を透明電
極２８ａ，２８ｂと同一形状にパターン化して、半導体
層２６ａ，２６ｂを形成する。これら引出電極２４，半
導体層２６ａ及び透明電極２８ａによってフォトダイオ
ード１４が形成されていて、共通電極１８，半導体層２
６ｂ及び透明電極２８ｂによってブロッキングダイオー
ド１６が形成されている。
【００１９】次に図７に示すように、フォトダイオード
１４やブロッキングダイオード１６などを覆うように、
SiH4 ガスと N2 O ガスを用いたプラズマＣＶＤ法など
によって約１μｍ厚のSiOxなどを成膜した後、CF4 ガス
を用いたＲＩＥなどによって所定形状にパターン化して
透明層間絶縁膜３４を形成するとともに、その透明層間
絶縁膜３４の所定の位置にコンタクトホール３２ａ，３
２ｂを形成する。このとき金属膜３３ａ，３３ｂは、Ｒ
ＩＥによるダメージを受けずエッチングストッパーとし
ての機能を果たすため、透明電極２８ａ，２８ｂや半導
体層２６ａ，２６ｂまでもがダメージを受けることはな
い。
１４やブロッキングダイオード１６などを覆うように、
SiH4 ガスと N2 O ガスを用いたプラズマＣＶＤ法など
によって約１μｍ厚のSiOxなどを成膜した後、CF4 ガス
を用いたＲＩＥなどによって所定形状にパターン化して
透明層間絶縁膜３４を形成するとともに、その透明層間
絶縁膜３４の所定の位置にコンタクトホール３２ａ，３
２ｂを形成する。このとき金属膜３３ａ，３３ｂは、Ｒ
ＩＥによるダメージを受けずエッチングストッパーとし
ての機能を果たすため、透明電極２８ａ，２８ｂや半導
体層２６ａ，２６ｂまでもがダメージを受けることはな
い。
【００２０】さらに図８に示すように、これらの上にス
パッタリング法や真空蒸着法などによってクロムCrとア
ルミニウムAlとをそれぞれ約５００Å厚，約１．５μｍ
厚で順次積層した後、フォトエッチングなどによって所
定形状にパターン化して接続配線３５，マトリクス配線
２２，駆動電極４４などを形成する。この接続配線３５
によってフォトダイオード１４とブロッキングダイオー
ド１６とが逆極性に直列接続され、しかも金属膜３３
ａ，３３ｂがＲＩＥによるダメージを受けていないの
で、接続配線３５との間で十分な電気的接合が得られ
る。なお、駆動電極４４はワイヤーボンディングなどに
よる外部との接続を容易にするためのものであり、図示
しないマトリクス配線２２の端部にも同様に取出電極な
るものを形成するのが望ましい。
パッタリング法や真空蒸着法などによってクロムCrとア
ルミニウムAlとをそれぞれ約５００Å厚，約１．５μｍ
厚で順次積層した後、フォトエッチングなどによって所
定形状にパターン化して接続配線３５，マトリクス配線
２２，駆動電極４４などを形成する。この接続配線３５
によってフォトダイオード１４とブロッキングダイオー
ド１６とが逆極性に直列接続され、しかも金属膜３３
ａ，３３ｂがＲＩＥによるダメージを受けていないの
で、接続配線３５との間で十分な電気的接合が得られ
る。なお、駆動電極４４はワイヤーボンディングなどに
よる外部との接続を容易にするためのものであり、図示
しないマトリクス配線２２の端部にも同様に取出電極な
るものを形成するのが望ましい。
【００２１】その後、 SiH4 ガスとNH3 ガスを用いたプ
ラズマＣＶＤ法などによってこれら全体を覆うようにSi
Nxなどを約１μｍ厚で成膜し、CF4 ガスを用いたＲＩＥ
などによりパターン化して絶縁保護膜３６を形成すれ
ば、読み取り装置１０が完成する。
ラズマＣＶＤ法などによってこれら全体を覆うようにSi
Nxなどを約１μｍ厚で成膜し、CF4 ガスを用いたＲＩＥ
などによりパターン化して絶縁保護膜３６を形成すれ
ば、読み取り装置１０が完成する。
【００２２】このように、コンタクトホール３２ａ，３
２ｂを形成する位置に金属膜３３ａ，３３ｂをエッチン
グストッパーとして形成しているため、透明電極２８
ａ，２８ｂや半導体層２６ａ，２６ｂまでもがエッチン
グによるダメージを受けることはなく、出力信号のバラ
ツキは極めて小さくなる。また金属膜３３ａ，３３ｂと
接続配線３５とが電気的に十分接続されているので、接
触抵抗つまりは時定数が小さくなって読み出し速度が速
くなる。しかも接触抵抗のバラツキも小さくなるので、
出力信号のバラツキはさらに小さくなる。
２ｂを形成する位置に金属膜３３ａ，３３ｂをエッチン
グストッパーとして形成しているため、透明電極２８
ａ，２８ｂや半導体層２６ａ，２６ｂまでもがエッチン
グによるダメージを受けることはなく、出力信号のバラ
ツキは極めて小さくなる。また金属膜３３ａ，３３ｂと
接続配線３５とが電気的に十分接続されているので、接
触抵抗つまりは時定数が小さくなって読み出し速度が速
くなる。しかも接触抵抗のバラツキも小さくなるので、
出力信号のバラツキはさらに小さくなる。
【００２３】以上、本発明に係る読み取り装置の一実施
例を詳述したが、本発明は上述した実施例に限定される
ことなく、その他の態様でも実施し得るものである。
例を詳述したが、本発明は上述した実施例に限定される
ことなく、その他の態様でも実施し得るものである。
【００２４】たとえば図９に示すように、ブロッキング
ダイオード４５側の半導体層２６ｂの上面には透明電極
ではなく、クロムCrなどの金属電極４６が形成されてい
る読み取り装置４８の場合、ブロッキングダイオード４
５側にはあえて金属膜を形成する必要はなく、フォトダ
イオード１４側にのみ金属膜５０を形成すれば足りる。
すなわち透明電極がエッチングに対してダメージを受け
易いのであるから、少なくとも透明電極上のコンタクト
ホールが形成される位置に、金属膜を形成すれば良いの
である。なおこの読み取り装置４８は、透明電極２８ａ
を形成した後、クロムCrなどを成膜，パターン化して金
属電極４６と金属膜５０とを同時に形成することによっ
て製造するのが望ましい。
ダイオード４５側の半導体層２６ｂの上面には透明電極
ではなく、クロムCrなどの金属電極４６が形成されてい
る読み取り装置４８の場合、ブロッキングダイオード４
５側にはあえて金属膜を形成する必要はなく、フォトダ
イオード１４側にのみ金属膜５０を形成すれば足りる。
すなわち透明電極がエッチングに対してダメージを受け
易いのであるから、少なくとも透明電極上のコンタクト
ホールが形成される位置に、金属膜を形成すれば良いの
である。なおこの読み取り装置４８は、透明電極２８ａ
を形成した後、クロムCrなどを成膜，パターン化して金
属電極４６と金属膜５０とを同時に形成することによっ
て製造するのが望ましい。
【００２５】また図１０に示すように、絶縁性基板上５
２に形成された下地電極５４によってフォトダイオード
５６とブロッキングダイオード５８とが逆極性に直列接
続されていて、これらの透明電極６０ａ，６０ｂ上のコ
ンタクトホール６２ａ，６２ｂが形成される位置に、ク
ロムCrなどから成る金属膜６４ａ，６４ｂが形成された
読み取り装置６６でも良い。本例におけるフォトダイオ
ード５６とブロッキングダイオード５８は、透明層間絶
縁膜６８に形成されたコンタクトホール６２ａ，６２ｂ
を介して別々の接続配線７０ａ，７０ｂに接続されてい
て、フォトダイオード５６側の接続配線７０ａはマトリ
クス配線７２へ接続するためのものであり、他方ブロッ
キングダイオード５８側の接続配線７０ｂは外部へ引き
出すためのものである。
２に形成された下地電極５４によってフォトダイオード
５６とブロッキングダイオード５８とが逆極性に直列接
続されていて、これらの透明電極６０ａ，６０ｂ上のコ
ンタクトホール６２ａ，６２ｂが形成される位置に、ク
ロムCrなどから成る金属膜６４ａ，６４ｂが形成された
読み取り装置６６でも良い。本例におけるフォトダイオ
ード５６とブロッキングダイオード５８は、透明層間絶
縁膜６８に形成されたコンタクトホール６２ａ，６２ｂ
を介して別々の接続配線７０ａ，７０ｂに接続されてい
て、フォトダイオード５６側の接続配線７０ａはマトリ
クス配線７２へ接続するためのものであり、他方ブロッ
キングダイオード５８側の接続配線７０ｂは外部へ引き
出すためのものである。
【００２６】また、上述した金属膜３３ａ，３３ｂ，５
０，６４ａ，６４ｂの材料としては、クロムCrの他、エ
ッチングによるダメージを受け難く、しかも高融点でも
あるチタンTi，ニッケルNiあるいはニッケルNiとクロム
Crを積層したものNi／Crが望ましいが、特に限定される
ものではない。さらにフォトダイオード１４，５６やブ
ロッキングダイオード１６，４５，５８を構成している
半導体層２６ａ，２６ｂは、ＰＩＮ型に限定されるもの
ではなくＰＮ型，ショットキーバリア型あるいはＭＩＳ
型，ＭＯＳ型，ホモ接合型，ヘテロ接合型などでも良
く、しかもその半導体材料はアモルファスシリコンに限
定されることなく、種々の半導体材料を用いることがで
きる。その他、透明電極２８ａ，２８ｂ，６０ａ，６０
ｂの材料として SnO2 やＩＴＯ／ SnO2 などを用いても
良く、透明層間絶縁膜３４，６８や接続配線３５，７０
ａ，７０ｂなどの材料も特に限定されるものではない。
なお前述した実施例では、透明層間絶縁膜３４や接続配
線３５などの膜厚まで例示したが、特に限定されるもの
でないのは当然である。
０，６４ａ，６４ｂの材料としては、クロムCrの他、エ
ッチングによるダメージを受け難く、しかも高融点でも
あるチタンTi，ニッケルNiあるいはニッケルNiとクロム
Crを積層したものNi／Crが望ましいが、特に限定される
ものではない。さらにフォトダイオード１４，５６やブ
ロッキングダイオード１６，４５，５８を構成している
半導体層２６ａ，２６ｂは、ＰＩＮ型に限定されるもの
ではなくＰＮ型，ショットキーバリア型あるいはＭＩＳ
型，ＭＯＳ型，ホモ接合型，ヘテロ接合型などでも良
く、しかもその半導体材料はアモルファスシリコンに限
定されることなく、種々の半導体材料を用いることがで
きる。その他、透明電極２８ａ，２８ｂ，６０ａ，６０
ｂの材料として SnO2 やＩＴＯ／ SnO2 などを用いても
良く、透明層間絶縁膜３４，６８や接続配線３５，７０
ａ，７０ｂなどの材料も特に限定されるものではない。
なお前述した実施例では、透明層間絶縁膜３４や接続配
線３５などの膜厚まで例示したが、特に限定されるもの
でないのは当然である。
【００２７】さらに本発明は、レンズアレイを用いない
完全密着型の読み取り装置にも適用し得るもので、この
場合の絶縁性基板にはガラスなどの透光性材料を用いる
必要があるが、レンズアレイを用いる通常の密着型読み
取り装置の場合には、あえて透光性材料を用いる必要は
ない。
完全密着型の読み取り装置にも適用し得るもので、この
場合の絶縁性基板にはガラスなどの透光性材料を用いる
必要があるが、レンズアレイを用いる通常の密着型読み
取り装置の場合には、あえて透光性材料を用いる必要は
ない。
【００２８】その他ブロッキングダイオードでなく、Ｔ
ＦＴなどをスイッチング素子として用いたものや、光電
変換素子としてCdS-CdSeなど用いた光導電型のものにも
適用し得るものである。さらにマトリクス駆動方式でな
く、個別駆動方式でも良いなど、本発明はその主旨を逸
脱しない範囲内で当業者の知識に基づき種々なる改良，
修正，変形を加えた態様で実施し得るものである。
ＦＴなどをスイッチング素子として用いたものや、光電
変換素子としてCdS-CdSeなど用いた光導電型のものにも
適用し得るものである。さらにマトリクス駆動方式でな
く、個別駆動方式でも良いなど、本発明はその主旨を逸
脱しない範囲内で当業者の知識に基づき種々なる改良，
修正，変形を加えた態様で実施し得るものである。
【００２９】
【発明の効果】本発明に係る読み取り装置及びその製造
方法は、透明電極上のコンタクトホールが形成される位
置に金属膜が形成されていて、透明層間絶縁膜にコンタ
クトホールを形成する時、その金属膜がエッチングスト
ッパーとしての機能を果たすため、光電変換素子などが
ダメージを受けることはない。このためバラツキの小さ
い出力信号が得られるとともに、接続配線との接触抵抗
も小さくなり、高速読み出しが可能になる。しかも接触
抵抗のバラツキも小さくなるので、さらにバラツキの小
さい出力信号が得られる。
方法は、透明電極上のコンタクトホールが形成される位
置に金属膜が形成されていて、透明層間絶縁膜にコンタ
クトホールを形成する時、その金属膜がエッチングスト
ッパーとしての機能を果たすため、光電変換素子などが
ダメージを受けることはない。このためバラツキの小さ
い出力信号が得られるとともに、接続配線との接触抵抗
も小さくなり、高速読み出しが可能になる。しかも接触
抵抗のバラツキも小さくなるので、さらにバラツキの小
さい出力信号が得られる。
【００３０】また、金属膜がCr，Ti，Ni又はNi／Crから
構成されているため、光電変換素子などはさらにダメー
ジを受け難くなるなど、優れた効果を奏する。
構成されているため、光電変換素子などはさらにダメー
ジを受け難くなるなど、優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係る読み取り装置の一実施例を示す図
であり、同図(a) は正面断面説明図、同図(b) は平面説
明図である。
であり、同図(a) は正面断面説明図、同図(b) は平面説
明図である。
【図２】図１に示した読み取り装置の一製造工程を示す
正面断面説明図である。
正面断面説明図である。
【図３】図１に示した読み取り装置の一製造工程を示す
正面断面説明図である。
正面断面説明図である。
【図４】図１に示した読み取り装置の一製造工程を示す
正面断面説明図である。
正面断面説明図である。
【図５】図１に示した読み取り装置の一製造工程を示す
正面断面説明図である。
正面断面説明図である。
【図６】図１に示した読み取り装置の一製造工程を示す
正面断面説明図である。
正面断面説明図である。
【図７】図１に示した読み取り装置の一製造工程を示す
正面断面説明図である。
正面断面説明図である。
【図８】図１に示した読み取り装置の一製造工程を示す
正面断面説明図である。
正面断面説明図である。
【図９】本発明に係る読み取り装置の他の実施例を示す
正面断面説明図である。
正面断面説明図である。
【図１０】本発明に係る読み取り装置の更に他の実施例
を示す正面断面説明図である。
を示す正面断面説明図である。
【図１１】従来の読み取り装置の正面断面説明図であ
る。
る。
１０，４８，６６；読み取り装置
１２，５２；絶縁性基板
１４，５６；フォトダイオード（光電変換素子）
１６，４５，５８；ブロッキングダイオード
２２，７２；マトリクス配線
２８ａ，２８ｂ，６０ａ，６０ｂ；透明電極
３２ａ，３２ｂ，６２ａ，６２ｂ；コンタクトホール
３３ａ，３３ｂ，５０，６４ａ，６４ｂ；金属膜
３４，６８；透明層間絶縁膜
３５，７０ａ，７０ｂ；接続配線
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に、透明電極で覆われた光
電変換素子が一次元に複数形成されていて、該光電変換
素子が透明層間絶縁膜によって覆われているとともに、
該透明層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し
て接続配線に接続された読み取り装置において、 少なくとも前記透明電極上のコンタクトホールが形成さ
れる位置に、金属膜が形成されたことを特徴とする読み
取り装置。 - 【請求項２】 前記金属膜が、Cr，Ti，Ni及びNi／Crか
らなる群の中の１つから構成されたことを特徴とする請
求項１に記載の読み取り装置。 - 【請求項３】 絶縁性基板上に、透明電極で覆われた光
電変換素子が一次元に複数形成されていて、該光電変換
素子が透明層間絶縁膜によって覆われているとともに、
該透明層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し
て接続配線に接続された読み取り装置の製造方法におい
て、前記透明層間絶縁膜を形成する前に、少なくとも前
記透明電極上のコンタクトホールが形成される位置に、
金属膜を形成することを特徴とする読み取り装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3198404A JPH0521777A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 読み取り装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3198404A JPH0521777A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 読み取り装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521777A true JPH0521777A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16390569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3198404A Withdrawn JPH0521777A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 読み取り装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521777A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008227448A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
| JP2010067762A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置、及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP3198404A patent/JPH0521777A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008227448A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
| JP2010067762A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置、及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |