JPS61128561A - イメ−ジセンサの製造方法 - Google Patents
イメ−ジセンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS61128561A JPS61128561A JP59249996A JP24999684A JPS61128561A JP S61128561 A JPS61128561 A JP S61128561A JP 59249996 A JP59249996 A JP 59249996A JP 24999684 A JP24999684 A JP 24999684A JP S61128561 A JPS61128561 A JP S61128561A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- film
- transparent
- transparent electrode
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 abstract 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は基板上に薄膜半導体で構成されたセンサと信
号読取り等の制御用ＩＣとを搭載するハイブリッド型の
イメージセンサの製造方法に関する。
号読取り等の制御用ＩＣとを搭載するハイブリッド型の
イメージセンサの製造方法に関する。
ファクシミリセットの小形化、低コスト化をめざして、
薄膜半導体素子を用いた密着型イメージセンサの開発が
進められている。第２図にその例を示す、センサ部２は
、フォトダイオード列３を有し、フォトダイオード列は
例えばｌｆｌあたり３個、すなわちＡ４版の原稿に対し
ては全体で１７２８個のフォトダイオードから構成され
ている。このセンサ２と原稿１との間には、原稿の像が
フォトダイオードに１・悩°ようにセルフォックレンズ
アレイ５を配置する。原稿１は、セルフォックレンズア
レイの両側に配置された発光ダイ木−ド列４の光により
照射される。このフォトダイオードがＩｎあたり８個の
場合は、フォトダイオードの大きさは約１００μｍＸＩ
ｏｏ μｍ、１ｍあたり１６個の場合はフォトダイオー
ドの大きさは約５０ｐｍ ｘ５Ｑμ閣の大きさとにする
必要がある。 現在ファクシミリの高速化が指向される傾向にあり、Ｇ
３又は今後Ｇ４機種が広く普及していくことが考えられ
るが、そのためにはＡ４版もしくは８４版において１走
査線あたりの読取速度が４ｍｓ程度あるいはそれ以下で
なければならない、それに対応するために非晶質シリコ
ン（ａ−３１）を用いたセンサの開発が進められている
。 第３図はａ−３１を用いたセンサの一例を示し、伽）は
平面図１ａｌのＸ−Ｘ’腺断面図である。透明絶縁基板
１０の上に基板側から入射する光信号により作動する構
造のセンサとして、透明電極２１．ａ −３Ｌ１１１３
１、金属電極４１からフォトダイオードが構成される光
デバイスが形成されている。透明電極２１は厚さ５０（
１〜２０００人の透明導電膜からなり、ａ −５ｉ層３
１は公知の方法で透明電極側から厚さ約１００人の２層
、厚さ約０．５ｕ鋼のノンドープ連層、厚さ約５００人
の０層が順次成膜されたものであり、金属電極４１は約
１μ謡の厚さを育する。透明電＄１２１は、１日あたり
８個あるいは１６個の割合で形成される１００ μｍ×
１００ μｍあるいは５０μ麟×５０μｍの正方形電８
ｉ２２とリード部２３とから成り、これは進明導電膜被
着後フォトリソグラフィ法によって得られる。ａ−３ｉ
層３１は透明電橋群全体を覆う所定の領域に連続的に形
成され、金属電極４１は共通電極としてａ −５ｉ層３
１の上に透明電極群を覆う形でしかも透明電極２１とは
ａ−３ｉ層３１で隔てられ、接触しないようにマスク蒸
着によって形成される。 透明電極のリード部２２には金属リード電８ｉ４２が接
続され、この金属リード電極４２は２１，３１．４１か
ら成るセンサより得られるセンサ信号読取りおよび信号
制御を行うＬＳＩ５０の端子へ信号を伝達するものであ
り、このパターンは蒸着後のフォトリソグラフィ法によ
って形成される。 ＬＳＩ５０のパッド５１と金属リー
ド電極４２との接続はリードボンディング法により導線
６０で行われる。 第４図は、センサ部の透明電極２１と金属リード電極４
２の形成方法を示す、この透明電極２１と金属リード電
極４２のパターニングはｍ細パターンであるのでフォト
リングラフィ法で行われる。又、ａ−Ｓｌセンサの良品
率を向上させるために、フォトリングラフィ工程はａ
−５ｉを形成する以前に終了しておくことが望ましい、
すなわちｆａｔ図においてガラス基板ｌＯの前面にＩＴ
Ｏ又はＩ Ｔ Ｏ／ Ｓｎｏｗの複合膜を被着した後、
フォトリソグラフィ法により透明電極パターン２１を形
成する。透明導電膜は、蒸着法、スパッタリング法ある
いは熱ＣＶＤ法など当業者には周知の方法で形成される
０次に由）図に示すように、Ａ１等の約１μ醜の厚さの
金属薄膜４０を蒸着法により全面に形成し、この上に金
属パターンを形成するだめのフォトレジストパターン７
０を形成する０次いでりん酸と硝酸を２１の混合液でエ
ツチングを行うと、レジスト７０のない部分の金属薄膜
４０が溶解して、金属リード電極パターン４２が形成で
きる。しかし、Ａ１の溶解の際発生する水素によって透
明導電膜が還元され、透明電極パターン２１が消滅して
しまうことが見出された。 ＡＩのエツチング液の濃度を１０倍にうすめたり、種々
のエツチング液の検討を行ったが、ＡＩの溶解が水素ガ
スを発生して行われる状況ではこの透明電極のパターン
が消滅する状況は克服できなかった。
薄膜半導体素子を用いた密着型イメージセンサの開発が
進められている。第２図にその例を示す、センサ部２は
、フォトダイオード列３を有し、フォトダイオード列は
例えばｌｆｌあたり３個、すなわちＡ４版の原稿に対し
ては全体で１７２８個のフォトダイオードから構成され
ている。このセンサ２と原稿１との間には、原稿の像が
フォトダイオードに１・悩°ようにセルフォックレンズ
アレイ５を配置する。原稿１は、セルフォックレンズア
レイの両側に配置された発光ダイ木−ド列４の光により
照射される。このフォトダイオードがＩｎあたり８個の
場合は、フォトダイオードの大きさは約１００μｍＸＩ
ｏｏ μｍ、１ｍあたり１６個の場合はフォトダイオー
ドの大きさは約５０ｐｍ ｘ５Ｑμ閣の大きさとにする
必要がある。 現在ファクシミリの高速化が指向される傾向にあり、Ｇ
３又は今後Ｇ４機種が広く普及していくことが考えられ
るが、そのためにはＡ４版もしくは８４版において１走
査線あたりの読取速度が４ｍｓ程度あるいはそれ以下で
なければならない、それに対応するために非晶質シリコ
ン（ａ−３１）を用いたセンサの開発が進められている
。 第３図はａ−３１を用いたセンサの一例を示し、伽）は
平面図１ａｌのＸ−Ｘ’腺断面図である。透明絶縁基板
１０の上に基板側から入射する光信号により作動する構
造のセンサとして、透明電極２１．ａ −３Ｌ１１１３
１、金属電極４１からフォトダイオードが構成される光
デバイスが形成されている。透明電極２１は厚さ５０（
１〜２０００人の透明導電膜からなり、ａ −５ｉ層３
１は公知の方法で透明電極側から厚さ約１００人の２層
、厚さ約０．５ｕ鋼のノンドープ連層、厚さ約５００人
の０層が順次成膜されたものであり、金属電極４１は約
１μ謡の厚さを育する。透明電＄１２１は、１日あたり
８個あるいは１６個の割合で形成される１００ μｍ×
１００ μｍあるいは５０μ麟×５０μｍの正方形電８
ｉ２２とリード部２３とから成り、これは進明導電膜被
着後フォトリソグラフィ法によって得られる。ａ−３ｉ
層３１は透明電橋群全体を覆う所定の領域に連続的に形
成され、金属電極４１は共通電極としてａ −５ｉ層３
１の上に透明電極群を覆う形でしかも透明電極２１とは
ａ−３ｉ層３１で隔てられ、接触しないようにマスク蒸
着によって形成される。 透明電極のリード部２２には金属リード電８ｉ４２が接
続され、この金属リード電極４２は２１，３１．４１か
ら成るセンサより得られるセンサ信号読取りおよび信号
制御を行うＬＳＩ５０の端子へ信号を伝達するものであ
り、このパターンは蒸着後のフォトリソグラフィ法によ
って形成される。 ＬＳＩ５０のパッド５１と金属リー
ド電極４２との接続はリードボンディング法により導線
６０で行われる。 第４図は、センサ部の透明電極２１と金属リード電極４
２の形成方法を示す、この透明電極２１と金属リード電
極４２のパターニングはｍ細パターンであるのでフォト
リングラフィ法で行われる。又、ａ−Ｓｌセンサの良品
率を向上させるために、フォトリングラフィ工程はａ
−５ｉを形成する以前に終了しておくことが望ましい、
すなわちｆａｔ図においてガラス基板ｌＯの前面にＩＴ
Ｏ又はＩ Ｔ Ｏ／ Ｓｎｏｗの複合膜を被着した後、
フォトリソグラフィ法により透明電極パターン２１を形
成する。透明導電膜は、蒸着法、スパッタリング法ある
いは熱ＣＶＤ法など当業者には周知の方法で形成される
０次に由）図に示すように、Ａ１等の約１μ醜の厚さの
金属薄膜４０を蒸着法により全面に形成し、この上に金
属パターンを形成するだめのフォトレジストパターン７
０を形成する０次いでりん酸と硝酸を２１の混合液でエ
ツチングを行うと、レジスト７０のない部分の金属薄膜
４０が溶解して、金属リード電極パターン４２が形成で
きる。しかし、Ａ１の溶解の際発生する水素によって透
明導電膜が還元され、透明電極パターン２１が消滅して
しまうことが見出された。 ＡＩのエツチング液の濃度を１０倍にうすめたり、種々
のエツチング液の検討を行ったが、ＡＩの溶解が水素ガ
スを発生して行われる状況ではこの透明電極のパターン
が消滅する状況は克服できなかった。
本発明は、半導体薄膜を挟んで金属電極と対向する一列
に配置された多数の透明電極より延びる透明電極リード
部の端部にそれぞれ接触する金属リード電極のパターニ
ングのためのエツチング時に、透明電極リード部の消滅
が起こることのないイメージセンサの製造方法を提供す
ることを目的とする。
に配置された多数の透明電極より延びる透明電極リード
部の端部にそれぞれ接触する金属リード電極のパターニ
ングのためのエツチング時に、透明電極リード部の消滅
が起こることのないイメージセンサの製造方法を提供す
ることを目的とする。
本発明によれば、透明絶縁基板上に透明Ｒ電膜を被着し
たのち透明導電膜の一部に接触する金属薄膜を被着し、
次いで透明Ｒ１を膜の露出面および金属リード電極を形
成すべき金属ｆｉ膜面を覆うフォトレジストパターンを
形成後金属ｙｌ膜のエッチングを行い、そのあと透明導
電膜よりなる透明電穫上に半導体ｙｔ膜および対向電極
を積層することによって、金＊＊膜のフォトエツチング
時に透明電極がレジストにより覆われているようにして
上記の目的を達成する。
たのち透明導電膜の一部に接触する金属薄膜を被着し、
次いで透明Ｒ１を膜の露出面および金属リード電極を形
成すべき金属ｆｉ膜面を覆うフォトレジストパターンを
形成後金属ｙｌ膜のエッチングを行い、そのあと透明導
電膜よりなる透明電穫上に半導体ｙｔ膜および対向電極
を積層することによって、金＊＊膜のフォトエツチング
時に透明電極がレジストにより覆われているようにして
上記の目的を達成する。
第１図は本発明の一実施例を示し、（ａ）は平面図、伽
）はそのｘ−ｘ’線断面図であり、第３．第４図と共通
の部分には同一の符号が付されている。ガラス基板１０
の上にＩＴＯまたはＳｎｏｗからなる透明導電膜を、基
板全面又は金属マスクを用いることにより少なくとも透
明電極パターンを形成すべき領域に設け、次いでフォト
リソグラフィ法を用いて第１図１ａｌに示すような透明
電極２１のパターニングを行う０次にＡＩ等を用いて金
属薄膜４０の蒸着を行う、この蒸着は、透明電極２１の
リード部２３の一部を覆い、第３図に示す金属リード電
極４２を形成すべき領域に限られるため、金属マスクを
用いて行われろ、透明電極のリード部２３を適当な長さ
としておくことによって、リード部と金属リード電極の
接触部に余裕をとることができるので、金属薄１１！４
Ｇと透明電極リード部２３との重ね合わせの精度は高い
必要はなく、０．１〜数鰭の程度でよい、つづいてフォ
トレジストパターンを第１図１ａｌに斜線で示した領域
７１に形成する。すなわちフォトレジストパターン７１
は、透明電極パターンが存在する領域は金属薄膜との重
なり部を含めてすべて覆い、かつ金属リード電極を形成
すべき領域７２を覆う。 第１図に示した状態でりん酸、硝酸の１：１混合液によ
り金ｉｓ膜４０のエツチングを行う０次いでレジストを
除去することにより第３図に示す金属リード電極４２の
良好なパターンが得られる。金属薄膜のエツチング時に
は、エツチング雰囲気が透明電極に影響を及ぼすことが
全くない、このあとを透明電極の電極部２２の上に第３
図に示すａ −５１層３１および対向電極４１を積層す
る。 本発明の他の実施例では、透明電極２１のパターニング
を行う前に金属薄膜４０を一部が透明導電膜の縁部に重
なるように形成し、第１図１ａｌと同様のパターンのフ
ォトレジストを被着して金属エツチングを行い、その後
で透明電極のためのフォトレジストパターンを被着し、
塩化第二鉄（ｐｅｃｌｓ）と塩酸（ＨＣＩ）の混合液を
用いて透明導電膜のエツチングを行い、透明電極２１を
形成する。この場合も金属エツチング時に透明導電膜は
レジストに被覆されているので発生水素によって還元さ
れろことがない。
）はそのｘ−ｘ’線断面図であり、第３．第４図と共通
の部分には同一の符号が付されている。ガラス基板１０
の上にＩＴＯまたはＳｎｏｗからなる透明導電膜を、基
板全面又は金属マスクを用いることにより少なくとも透
明電極パターンを形成すべき領域に設け、次いでフォト
リソグラフィ法を用いて第１図１ａｌに示すような透明
電極２１のパターニングを行う０次にＡＩ等を用いて金
属薄膜４０の蒸着を行う、この蒸着は、透明電極２１の
リード部２３の一部を覆い、第３図に示す金属リード電
極４２を形成すべき領域に限られるため、金属マスクを
用いて行われろ、透明電極のリード部２３を適当な長さ
としておくことによって、リード部と金属リード電極の
接触部に余裕をとることができるので、金属薄１１！４
Ｇと透明電極リード部２３との重ね合わせの精度は高い
必要はなく、０．１〜数鰭の程度でよい、つづいてフォ
トレジストパターンを第１図１ａｌに斜線で示した領域
７１に形成する。すなわちフォトレジストパターン７１
は、透明電極パターンが存在する領域は金属薄膜との重
なり部を含めてすべて覆い、かつ金属リード電極を形成
すべき領域７２を覆う。 第１図に示した状態でりん酸、硝酸の１：１混合液によ
り金ｉｓ膜４０のエツチングを行う０次いでレジストを
除去することにより第３図に示す金属リード電極４２の
良好なパターンが得られる。金属薄膜のエツチング時に
は、エツチング雰囲気が透明電極に影響を及ぼすことが
全くない、このあとを透明電極の電極部２２の上に第３
図に示すａ −５１層３１および対向電極４１を積層す
る。 本発明の他の実施例では、透明電極２１のパターニング
を行う前に金属薄膜４０を一部が透明導電膜の縁部に重
なるように形成し、第１図１ａｌと同様のパターンのフ
ォトレジストを被着して金属エツチングを行い、その後
で透明電極のためのフォトレジストパターンを被着し、
塩化第二鉄（ｐｅｃｌｓ）と塩酸（ＨＣＩ）の混合液を
用いて透明導電膜のエツチングを行い、透明電極２１を
形成する。この場合も金属エツチング時に透明導電膜は
レジストに被覆されているので発生水素によって還元さ
れろことがない。
本発明は、透明導電膜の透明電極パターン形成前あるい
はその前に一部に重ね合わせた形で金属ｙ＃膜を形成し
、金属薄膜から金属リード電極形成のためのフォトレジ
ストパターン形成の際同時に露出透明導電膜もレジスト
で覆いエツチングすることにより、透明電極に対する金
属エツチング雰囲気の影響の及ぶことなしに、透明電極
のリード部の端部の上に金属リード電極が重なり、電気
的に接続するパターンの形成が可能になった。しかも、
透明導電膜および金属薄膜のエツチング条件はそれぞれ
任意に選定できるので、透明電極および金属リード電極
のパターンがどのように微細であっても形成でき、密着
型イメージセンサの製造に与える効果は大きい。
はその前に一部に重ね合わせた形で金属ｙ＃膜を形成し
、金属薄膜から金属リード電極形成のためのフォトレジ
ストパターン形成の際同時に露出透明導電膜もレジスト
で覆いエツチングすることにより、透明電極に対する金
属エツチング雰囲気の影響の及ぶことなしに、透明電極
のリード部の端部の上に金属リード電極が重なり、電気
的に接続するパターンの形成が可能になった。しかも、
透明導電膜および金属薄膜のエツチング条件はそれぞれ
任意に選定できるので、透明電極および金属リード電極
のパターンがどのように微細であっても形成でき、密着
型イメージセンサの製造に与える効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例の工程の途中の状態を示し、
ｌａｌが平面図、−）がｌａｌのＸ−Ｘ’線断面図、第
２図は本発明により製造されるイメージセンサのファク
シミリにおける使用状態を示す斜視図、第３図はイメー
ジセンサの構造の一部を示し、（８）が平面図、φ）が
ｌａｌのｘ−ｘ’線断面図、第４図は従来の製造工程の
一部を順次示す断面図である。 ｌＯニガラス基板、２１ ： ｉ２１明電極、２２：透
明電極電極部、２３：ｉ３明ｉ極リード部、３１：ａ
−３ｉ層、４０：金属ｆｆ１ｌｉ、 ４１ ：金ｆｉｔ
ｆｉ、４２： 金１１’Ｊ−トｉｉ極、７０ニレジスト
。 ′・） ７１′１ ・−・−（、Ｊ ；” ”−□・“′１１１図 第２図 第３図 第４図 手続補正書（自発） 昭和６０年 ２月１８日 １、事件の表示 特願昭くト１女２ｐアど３、補正
をする者 事件との関係 出願人 性 所 、 ＪｌｌｌＬ、：ｉ市１１ｅ：：ｒ、
！ＪＸ１辺２１田１番１号名 称 （５２３１富士電（
１丈株式会社昭和５９年９月１０乞弥変更済（一括）（
ほか 名） ４、代 理 人 補 正 の 内 容 特許請求の範囲を次のとおり補正する。 ［１）半導体薄膜を侠んで金属電極と対向する一列に配
置された多数の透明電極より延びる透明電極リード部の
端部にそれぞれ金属リードＩＥ極が接触するイメージセ
ンサの製造方法であって、透明絶縁基板上に透明導電膜
を被着したのち透明導電膜の一部に接触する金属薄膜を
被着し、次いで透明導電膜の露出面および金属リード電
極を形成すべき金属薄膜面を糧うフォトレジストパター
ンを形成後金属薄膜のエツチングを行い、そのあと透明
導電膜よりなる透明電極上に半導体薄膜および対向電極
を積層することを特徴とするイメージセンサの製造方法
。 ２）特許請求の範囲第１項記載の方法において、金属リ
ード電極形成のためのフォトレジストパターン形成の前
をこ透明導電膜より透明電極パターンを形成することを
特徴とするイメージセンサの製造方法。
ｌａｌが平面図、−）がｌａｌのＸ−Ｘ’線断面図、第
２図は本発明により製造されるイメージセンサのファク
シミリにおける使用状態を示す斜視図、第３図はイメー
ジセンサの構造の一部を示し、（８）が平面図、φ）が
ｌａｌのｘ−ｘ’線断面図、第４図は従来の製造工程の
一部を順次示す断面図である。 ｌＯニガラス基板、２１ ： ｉ２１明電極、２２：透
明電極電極部、２３：ｉ３明ｉ極リード部、３１：ａ
−３ｉ層、４０：金属ｆｆ１ｌｉ、 ４１ ：金ｆｉｔ
ｆｉ、４２： 金１１’Ｊ−トｉｉ極、７０ニレジスト
。 ′・） ７１′１ ・−・−（、Ｊ ；” ”−□・“′１１１図 第２図 第３図 第４図 手続補正書（自発） 昭和６０年 ２月１８日 １、事件の表示 特願昭くト１女２ｐアど３、補正
をする者 事件との関係 出願人 性 所 、 ＪｌｌｌＬ、：ｉ市１１ｅ：：ｒ、
！ＪＸ１辺２１田１番１号名 称 （５２３１富士電（
１丈株式会社昭和５９年９月１０乞弥変更済（一括）（
ほか 名） ４、代 理 人 補 正 の 内 容 特許請求の範囲を次のとおり補正する。 ［１）半導体薄膜を侠んで金属電極と対向する一列に配
置された多数の透明電極より延びる透明電極リード部の
端部にそれぞれ金属リードＩＥ極が接触するイメージセ
ンサの製造方法であって、透明絶縁基板上に透明導電膜
を被着したのち透明導電膜の一部に接触する金属薄膜を
被着し、次いで透明導電膜の露出面および金属リード電
極を形成すべき金属薄膜面を糧うフォトレジストパター
ンを形成後金属薄膜のエツチングを行い、そのあと透明
導電膜よりなる透明電極上に半導体薄膜および対向電極
を積層することを特徴とするイメージセンサの製造方法
。 ２）特許請求の範囲第１項記載の方法において、金属リ
ード電極形成のためのフォトレジストパターン形成の前
をこ透明導電膜より透明電極パターンを形成することを
特徴とするイメージセンサの製造方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体薄膜を挟んで金属電極と対向する一列に配置
された多数の透明電極より延びる透明電極リード部の端
部にそれぞれ金属リード電極が接触するイメージセンサ
の製造方法であって、透明絶縁基板上に透明導電膜を被
着し、次いで透明導電膜の露出面および金属リード電極
を形成すべき金属薄膜面を覆うフォトレジストパターン
を形成後金属薄膜のエッチングを行い、そのあと透明導
電膜よりなる透明電極上に半導体薄膜および対向電極を
積層することを特徴とするイメージセンサの製造方法。 ２）特許請求の範囲第１項記載の方法において、金属リ
ード電極形成のためのフォトレジストパターン形成の前
に透明導電膜より透明電極パターンを形成することを特
徴とするイメージセンサの製造方法。 ３）特許請求の範囲第１項記載の方法において、金属リ
ード電極形成のためのエッチング終了後に透明導電膜よ
り透明電極パターンを形成することを特徴とするイメー
ジセンサの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59249996A JPS61128561A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | イメ−ジセンサの製造方法 |
| US06/801,932 US4665008A (en) | 1984-11-26 | 1985-11-26 | Method for fabricating thin-film image sensing devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59249996A JPS61128561A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128561A true JPS61128561A (ja) | 1986-06-16 |
Family
ID=17201288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59249996A Pending JPS61128561A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-27 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61128561A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63177462A (ja) * | 1987-01-17 | 1988-07-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | イメ−ジセンサの製造方法 |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP59249996A patent/JPS61128561A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63177462A (ja) * | 1987-01-17 | 1988-07-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | イメ−ジセンサの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4336295A (en) | Method of fabricating a transparent metal oxide electrode structure on a solid-state electrooptical device | |
| JPS61128561A (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JPH0691105B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS61127166A (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JPS5897860A (ja) | 光センサ− | |
| JPS62166562A (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JP2588545B2 (ja) | 配線の形成方法 | |
| JPS6314872B2 (ja) | ||
| JPH0513545B2 (ja) | ||
| JPH0370184A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH07101735B2 (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JPS5928066B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| JPS61295658A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPS63227056A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH09321328A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPS5927105B2 (ja) | 赤外線撮像用半導体装置の製造法 | |
| JPH04120773A (ja) | 薄膜太陽電池の素子構造 | |
| JPS6225466A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPS60242669A (ja) | 光センサアレイ装置 | |
| JPS6197875A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62119966A (ja) | 配線パタ−ンの形成方法 | |
| JPS6184861A (ja) | 光センサアレイとその製造方法 | |
| JPS62117377A (ja) | アモルフアスシリコン等倍センサ | |
| JPH02103968A (ja) | 光電変換素子 | |
| JPS61278173A (ja) | 半導体装置の製造方法 |