JP2588545B2 - 配線の形成方法 - Google Patents

配線の形成方法

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JP2588545B2
JP2588545B2 JP62271943A JP27194387A JP2588545B2 JP 2588545 B2 JP2588545 B2 JP 2588545B2 JP 62271943 A JP62271943 A JP 62271943A JP 27194387 A JP27194387 A JP 27194387A JP 2588545 B2 JP2588545 B2 JP 2588545B2
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康由 三島
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忠之 木村
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 イメージセンサ等の配線の形成方法、特に異金属によ
る２層配線の形成方法に関し、 フォトリソグラフィ工程におけるレジスト現像液によ
る配線の断線を防止することを目的とし、 異種金属が２層に重なる部分を有する配線の形成方法
であって、基板の上に第１の配線材料で下層の配線を形
成する工程と、該下層の配線に上層の配線が重なる部分
を含んで第２の配線材料を被着する工程と、該第２の配
線材料及び下層の配線の上に下層の配線より太い幅でレ
ジストパターンを形成する工程と、該レジストパターン
をマスクにして第２の配線材料をエッチングして上層の
配線を形成する工程とを含んで構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明はイメージセンサ等の配線の形成方法、特に異
金属による２層配線の形成方法に関する。
〔従来の技術〕
第２図は従来のイメージセンサを示す図でありａは平
面図、ｂはａ図のｂ−ｂ線における断面図である。同図
において１は基板であり、その上にCr等の下部共通電極
２が形成され、その上に水素化アモルファスシリコン膜
３及び多数の透明なITOの個別電極４が形成され、該個
別電極４に一部を重ねて接続したAlの引出し線５が形成
されており、下部共通電極２と上部電極４の交差部でフ
ォトダイオードを形成している。
第３図は上記の個別電極４と引出し線５の接続部を形
成する従来の配線形成方法を示す図であり、a,c,e,gは
各工程の平面、b,d,f,hはそれぞれa,c,e,g図の断面図で
ある。この方法は、先ずａ及びｂ図に示すように基板１
の上にITOで個別電極４を形成し、次にｃ及びｄ図に示
すように個別電極４に引出し線５が重なる部分を含んで
Al層６を形成したのち全面にフォトレジスト膜７を被着
する。次いでｅ及びｆ図に示すようにフォトレジスト膜
を露光・現像して個別電極４と同じ幅のレジストパター
ン８を形成する。最後にｇ及びｈ図に示すようにレジス
トパターン８をマスクにしてAl層６をエッチングして引
出し線５を形成するのである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来の配線形成方法では、ｅ及びｆ図に示す工程
でフォトレジスト膜７を現像するとき、個別電極４の側
面とAl層６とが現像液を通して接触することにより局部
電池が形成され、その接触部で個別電極４のITOが溶け
出し、断線に致るという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑み、フォトリソグラフィ工程
におけるレジスト現像液による配線の断線を防止した配
線の形成方法を提供することを目的とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、異種金属が２層に重なる部分を有する配
線の形成方法であって、基板10の上に第１の配線材料で
下層の配線11を形成する工程と、該下層の配線11に上層
の配線15が重なる部分を含んで第２の配線剤12を被着す
る工程と、該第２の配線材料12及び下層の配線11の上に
下層の配線11より太い幅で該下層の配線11の側面及び上
面を覆うようにレジストパターン14を形成する工程と、
該レジストパターン14をマスクにして第２の配線材料12
をエッチングして上層の配線15を形成する工程とを含む
ことを特徴とする配線の形成方法により達成される。
〔作 用〕 第２の配線材料12及び下層の配線11の上に下層の配線
11より太い幅のレジストパターン14を形成することによ
り、該レジストパターンは下層の配線の側面及び上面を
覆うため、現像液は下層の配線11には接触せず、第２の
配線材料12との間には局部電池は形成されない。従って
下層の配線11の断線はない。
〔実施例〕
第１図は本発明の実施例を説明するための図であり、
a,c,e,gは各工程の平面図、b,d,f,hはそれぞれa,c,e,g
の断面図である。
本実施例の配線方法は、先ずａ及びｂ図の如く基板10
上にITO（第１の配線材料）で下層の配線11を形成す
る。次にｃ及びｄ図の如く下層の配線11に上層の配線15
が重なる部分以外をメタルマスクで覆い第２の配線材料
12（Al）を蒸着等により被着する。次いで全面にフォト
レジスト膜13を被着する。次に該フォトレジスト膜を露
光・現像してｅ及びｆ図の如く下層の配線11より太い幅
のレジストパターン14を形成する。最後にｇ及びｈ図の
如くレジストパターン14をマスクにして第２の配線材料
12をエッチングして上層の配線15を形成するのである。
本実施例によれば第１図ｅ及びｆ図に示す工程でフォ
トレジストパターン14を形成したとき、そのパターン幅
を下層の配線11よりも太くしているため、フォトレジス
トパターン14は下層の配線11の上面のみでなく両側面も
覆うように形成されるので、現像液は下層の配線11には
接触しない。そのため上層の配線15と下層の配線11との
間には現像液による局部電池は形成されず、従って下層
の配線が溶け出すこともなく、断線も生じない。
〔発明の効果〕
以上説明した様に、本発明によれば、異種金属が２層
になる部分を有する配線をフォトリソグラフィ法で形成
する際にフォトレジストの現像液で２つの金属間に形成
される局部電池の発生を防止することにより断線の防止
を可能とした配線の形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例を説明するための図、 第２図は従来のイメージセンサを示す図、 第３図は従来の配線形成方法を示す図である。 図において、 10は基板、 11は下層の配線、 12は第２の配線材料、 13はフォトレジスト膜、 14はレジストパターン、 15は上層の配線、 を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 忠之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】異種金属が２層になる部分を有する配線の
    形成方法であって、 基板（10）の上に第１の配線材料で下層の配線（11）を
    形成する工程と、 該下層の配線（11）に上層の配線（15）が重なる部分を
    含んで第２の配線材料（12）を被着する工程と、 該第２の配線材料（12）及び下層の配線（11）の上に下
    層の配線（11）より太い幅で該下層の配線（11）の側面
    及び上面を覆うようにレジストパターン（14）を形成す
    る工程と、 該レジストパターン（14）をマスクにして第２の配線材
    料（12）をエッチングして上層の配線（15）を形成する
    工程とを含むことを特徴とする配線の形成方法。
  2. 【請求項２】上記第１の配線材料がITOであり、第２の
    配線材料がAlである特許請求の範囲第１項記載の配線の
    形成方法。
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