JPS6151968A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6151968A JPS6151968A JP59175549A JP17554984A JPS6151968A JP S6151968 A JPS6151968 A JP S6151968A JP 59175549 A JP59175549 A JP 59175549A JP 17554984 A JP17554984 A JP 17554984A JP S6151968 A JPS6151968 A JP S6151968A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
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-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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-
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に、大型イメ
ージセンサに使用されるマトリックス配線の方法に関す
るものである。
ージセンサに使用されるマトリックス配線の方法に関す
るものである。
第２図はイメージセンサの構造を示す概略図であり、ガ
ラス基板１上にフォトダイオード１１とブロッキングダ
イオード１２が複数配列され、各フォトダイオードが１
つの光センサを構成している。
ラス基板１上にフォトダイオード１１とブロッキングダ
イオード１２が複数配列され、各フォトダイオードが１
つの光センサを構成している。
大型のイメージセンサでは、フォトダイオードＩＩとブ
ロッキングダイオード１２を幾つかのグループに分けて
端子群１３に接続し、また、各グループの同順位のダイ
オード同志を端子群１４に共通接続して、ダイオードの
属するグループとグループ内の順位の組合せで、特定の
フォトダイオードを選択して、外部に接続する端子数が
少なくされている。
ロッキングダイオード１２を幾つかのグループに分けて
端子群１３に接続し、また、各グループの同順位のダイ
オード同志を端子群１４に共通接続して、ダイオードの
属するグループとグループ内の順位の組合せで、特定の
フォトダイオードを選択して、外部に接続する端子数が
少なくされている。
ところが、同一基板上に設けられた複数のダイオードを
このように接続するには、順位選択用電極が不所望の箇
所で交差するので、下部電極２と上部電極７を絶縁層１
５を介して絶縁するとともに、絶縁層１５上の電極７と
下部のダイオードの電極２とを接続点１０で絶縁層１５
を介して接続する技術が必要で、本発明はこの接続点１
０での接続方法を提供する。
このように接続するには、順位選択用電極が不所望の箇
所で交差するので、下部電極２と上部電極７を絶縁層１
５を介して絶縁するとともに、絶縁層１５上の電極７と
下部のダイオードの電極２とを接続点１０で絶縁層１５
を介して接続する技術が必要で、本発明はこの接続点１
０での接続方法を提供する。
第５図は従来のイメージセンサの製造工程に使用される
電極接続方法を説明するための断面図である。
電極接続方法を説明するための断面図である。
第５図（ａｌはガラス基板１上にクロム２金等の下部電
極２が形成されている。
極２が形成されている。
第５図（ｂｌは下部電極２上に上部電極（図示せず）と
接続する部分に、開口部４が設けられた有機感光性絶縁
層３で被覆されている。しかしながら、開口部４ば下部
電極２上に全面に塗布された有機感光性絶縁層に所定の
マスクを当て、露光、現像して形成されるため、開口部
４の底部、即ち、上部電極と接続すべき下部電極２上に
も、現像工程で除去できなかった有機感光性絶縁層の残
留物５がある。
接続する部分に、開口部４が設けられた有機感光性絶縁
層３で被覆されている。しかしながら、開口部４ば下部
電極２上に全面に塗布された有機感光性絶縁層に所定の
マスクを当て、露光、現像して形成されるため、開口部
４の底部、即ち、上部電極と接続すべき下部電極２上に
も、現像工程で除去できなかった有機感光性絶縁層の残
留物５がある。
第５図（Ｃ１は酸素ガスのドライエツチングにより下部
電極２上の残留物５が除去されている。このドライエツ
チング工程では、有機感光性絶縁層３もプラズマに曝さ
れて表面が変質し、膜の弱い所にはピンホール６ができ
る。
電極２上の残留物５が除去されている。このドライエツ
チング工程では、有機感光性絶縁層３もプラズマに曝さ
れて表面が変質し、膜の弱い所にはピンホール６ができ
る。
第５図（ｄｌは有機感光性絶縁層３上にアルミニウム等
が蒸着され、パターニングされて上部電極７が形成され
、開口部４で下部電極２と上部電極７が接続されている
。
が蒸着され、パターニングされて上部電極７が形成され
、開口部４で下部電極２と上部電極７が接続されている
。
上記従来のイメージセンサの上部、下部両電極間の接続
では、開口部の現像で完全には除去できなかった有機感
光性絶縁層の残留物を除去するドライエツチング工程で
、開口部以外の有機感光性絶縁層表面もプラズマに曝さ
れて変質し、膜の弱い所にはピンボールができて、両電
極が不所望の箇所で短絡し、歩留が低下するという問題
があった。
では、開口部の現像で完全には除去できなかった有機感
光性絶縁層の残留物を除去するドライエツチング工程で
、開口部以外の有機感光性絶縁層表面もプラズマに曝さ
れて変質し、膜の弱い所にはピンボールができて、両電
極が不所望の箇所で短絡し、歩留が低下するという問題
があった。
ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明は、上記問題点を解消した電極接続方法を提供す
るもので、その手段は、下部電極上に無機絶縁層を形成
し、その上に開口部を有するｆ機感光性絶縁層を設けた
後、開口部の無機絶縁層をケミカルエツチングすること
によって解決される。
るもので、その手段は、下部電極上に無機絶縁層を形成
し、その上に開口部を有するｆ機感光性絶縁層を設けた
後、開口部の無機絶縁層をケミカルエツチングすること
によって解決される。
上記電極間接続方法においては、ドライエツチングを使
用しないので、有機怒光性絶Ｘ＆ＪＬｌｆにはピンボー
ルができず、従って、上部電極の蒸着時にも開口部以外
の箇所で短絡する恐れはない。また、開口部形成時にで
きる有機感光性絶縁層の残留物は無機絶縁層上に残って
いるので、無機絶縁層のケミカルエツチング時に完全に
除去される。
用しないので、有機怒光性絶Ｘ＆ＪＬｌｆにはピンボー
ルができず、従って、上部電極の蒸着時にも開口部以外
の箇所で短絡する恐れはない。また、開口部形成時にで
きる有機感光性絶縁層の残留物は無機絶縁層上に残って
いるので、無機絶縁層のケミカルエツチング時に完全に
除去される。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例のイメージセンサの製造工程
に使用される電極接続方法を説明するための断面図であ
る。
に使用される電極接続方法を説明するための断面図であ
る。
第１図（ａｌはガラス基板１上にクロム、金等の下部電
極２が形成されている。
極２が形成されている。
第１図（ｂ）は下部電極２上に数十〜数百人のＳｉＯ□
膜８が全面にスパッタされている。
膜８が全面にスパッタされている。
第１図（Ｃ１はＳｉＯ２膜８上膜上上電極（図示せず）
と接続する部分に開口部４が設けられた有機感光性絶縁
層３で被覆されている。しかしながら従来同様に、開口
部４の底部のＳｉＯ□膜上にも現像工程で除去できなか
った残留物５がある。
と接続する部分に開口部４が設けられた有機感光性絶縁
層３で被覆されている。しかしながら従来同様に、開口
部４の底部のＳｉＯ□膜上にも現像工程で除去できなか
った残留物５がある。
第１図（ｄｉは開口部４の底部のＳｉＯ□膜がケミカル
エツチングされ、下部電極２が露出されている。
エツチングされ、下部電極２が露出されている。
このケミカルエツチング工程で同時にＳｉＯ□ｆｆＡ
ｓ上の残留物５も除去される。
ｓ上の残留物５も除去される。
第１図（８１は有機感光性絶縁層３上にアルミニウム等
が蒸着され、パターニングされて上部電極７が形成され
、開口部４で下部電極２と上部電極７が接続されている
。
が蒸着され、パターニングされて上部電極７が形成され
、開口部４で下部電極２と上部電極７が接続されている
。
第２図は本発明の他の実施例で、イメージセンサのダイ
オード上での上部電極と下部電極の接続方法を説明する
ための断面図である。
オード上での上部電極と下部電極の接続方法を説明する
ための断面図である。
第２図（ａｌはガラス基板２１上の下部電極２２上にア
モルファスシリコンからなるダイオード２９が形成され
、その上にＳｉＯ□膜２８と有機感光性絶縁層２３が設
けられている。
モルファスシリコンからなるダイオード２９が形成され
、その上にＳｉＯ□膜２８と有機感光性絶縁層２３が設
けられている。
第２図（ｂｌは有機感光性絶縁ＪｉｉＮ２３にパターニ
ングによってダイオード２９上に開口部２４が形成され
、続いて、開口部２４底部のＳｆＯ，膜２８がケミカル
エツチングされてダイオード２９の一部が露出している
。
ングによってダイオード２９上に開口部２４が形成され
、続いて、開口部２４底部のＳｆＯ，膜２８がケミカル
エツチングされてダイオード２９の一部が露出している
。
第２図（Ｃ）はを機感光性絶縁層２３上にアルミニウム
等が蒸着され、さらに、パターニングされて上部電極２
７が形成されている。
等が蒸着され、さらに、パターニングされて上部電極２
７が形成されている。
第３図はイメージセンサのダイオード上で上部電極と下
部電極を接続する他の方法を説明するための断面図であ
る。
部電極を接続する他の方法を説明するための断面図であ
る。
ガラス基板３１上の下部電極３２上にアモルファスシリ
コンからなるダイオード３９と、その上にＳｉＯ□膜３
８力□（引き続いて形成された後、有機感光性絶縁層３
３の開口部３４の底部のＳｉＯ□ＩＢ！３８がケミカル
エツチングされてダイオード３９の一部が露出し、その
上にアルミニウム等が蒸着され、さらに、バターニング
されて上部電極パターン３７が形成されている。この場
合、アモルファスシリコンからなるダイオード３９と５
ｉ（ｈ膜３８が引き続いて形成されることにより、アモ
ルファスシリコンの界面が保Ｂｌｓ’ｌされるという利
点がある。
コンからなるダイオード３９と、その上にＳｉＯ□膜３
８力□（引き続いて形成された後、有機感光性絶縁層３
３の開口部３４の底部のＳｉＯ□ＩＢ！３８がケミカル
エツチングされてダイオード３９の一部が露出し、その
上にアルミニウム等が蒸着され、さらに、バターニング
されて上部電極パターン３７が形成されている。この場
合、アモルファスシリコンからなるダイオード３９と５
ｉ（ｈ膜３８が引き続いて形成されることにより、アモ
ルファスシリコンの界面が保Ｂｌｓ’ｌされるという利
点がある。
以上説明したように本発明によれば、有機感光性絶縁層
にピンホールができず、上部、下部両電極間の接続に際
し、不所望の箇所での配線短絡が防止でき、歩留が向上
するといった効果がある。
にピンホールができず、上部、下部両電極間の接続に際
し、不所望の箇所での配線短絡が防止でき、歩留が向上
するといった効果がある。
第１図は本発明の一実施例のイメージセンサの製造工程
に使用される電極接続の方法を説明するための断面図、 第２図は本発明の他の実施例で、イメージセンサのダイ
オード上での上部電極と下部電極の接続方法を説明する
ための断面図、 第３図はイメージセンサのダイオード上で上部電極と下
部電極を接続する他の方法を説明するための断面図、 第４図はイメージセンサの構造を示す概略図、第５図は
従来のイメージセンサの製造工程に使用される電極接続
の方法を説明するための断面図である。 図において、 １、２１．３１はガラス基板、２．２２．３２は下部電
極、３ 、２３． ’３３は有機感光性絶縁層、４、２
４．３４はコンタクトホール、 ５は残留物、 ６はピンホール、７、２７．
３７は上部電極、 ８．２８．３８は５ｉＯｚ膜、１０
は接続点、 １１はフォトダイオード、１
２はプロソキイグダイオード、 １３、１４は端子群、 １５は絶８ｉ層、２９、
３９はダイオード、 をそれぞれ示す。 第 １図 第３ば 第４図 第５図′
に使用される電極接続の方法を説明するための断面図、 第２図は本発明の他の実施例で、イメージセンサのダイ
オード上での上部電極と下部電極の接続方法を説明する
ための断面図、 第３図はイメージセンサのダイオード上で上部電極と下
部電極を接続する他の方法を説明するための断面図、 第４図はイメージセンサの構造を示す概略図、第５図は
従来のイメージセンサの製造工程に使用される電極接続
の方法を説明するための断面図である。 図において、 １、２１．３１はガラス基板、２．２２．３２は下部電
極、３ 、２３． ’３３は有機感光性絶縁層、４、２
４．３４はコンタクトホール、 ５は残留物、 ６はピンホール、７、２７．
３７は上部電極、 ８．２８．３８は５ｉＯｚ膜、１０
は接続点、 １１はフォトダイオード、１
２はプロソキイグダイオード、 １３、１４は端子群、 １５は絶８ｉ層、２９、
３９はダイオード、 をそれぞれ示す。 第 １図 第３ば 第４図 第５図′
Claims (1)
- 第一の電極上に無機絶縁層を形成し、該無機絶縁層の
上部に開口部を有する有機感光性絶縁層を形成して、開
口部の無機絶縁物をケミカルエッチングで除去した後、
該開口部を有する有機感光性絶縁層上に第二の電極を形
成し、前記第一の電極と前記第二の電極を開口部を介し
て接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59175549A JPS6151968A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59175549A JPS6151968A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6151968A true JPS6151968A (ja) | 1986-03-14 |
Family
ID=15998019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59175549A Pending JPS6151968A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6151968A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01120092A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-12 | Fujitsu Ltd | 薄膜絶縁層の形成方法 |
-
1984
- 1984-08-22 JP JP59175549A patent/JPS6151968A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01120092A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-12 | Fujitsu Ltd | 薄膜絶縁層の形成方法 |
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