JPH01115141A - 配線の形成方法 - Google Patents
配線の形成方法Info
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- JPH01115141A JPH01115141A JP27194387A JP27194387A JPH01115141A JP H01115141 A JPH01115141 A JP H01115141A JP 27194387 A JP27194387 A JP 27194387A JP 27194387 A JP27194387 A JP 27194387A JP H01115141 A JPH01115141 A JP H01115141A
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
イメージセンサ等の配線の形成方法、特に異金属による
２層配線の形成方法に関し、 フォトリングラフィ工程におけるレジスト現像液による
配線の断線を防止することを目的とし、異種金属が２層
に重なる部分を有する配線の形成方法であって、基板の
上に第１の配線材料で下層の配線を形成する工程と、該
下層の配線に上層の配線が重なる部分を含んで第２の配
線材料を被着する工程と、該第２の配線材料及び下層の
配線の上に下層の配線より太い幅でレジストパターンを
形成する工程と、該レジスｌ−パターンをマスクにして
第２の配線材料をエツチングして上層の配線を形成する
工程とを含んで構−成する。
２層配線の形成方法に関し、 フォトリングラフィ工程におけるレジスト現像液による
配線の断線を防止することを目的とし、異種金属が２層
に重なる部分を有する配線の形成方法であって、基板の
上に第１の配線材料で下層の配線を形成する工程と、該
下層の配線に上層の配線が重なる部分を含んで第２の配
線材料を被着する工程と、該第２の配線材料及び下層の
配線の上に下層の配線より太い幅でレジストパターンを
形成する工程と、該レジスｌ−パターンをマスクにして
第２の配線材料をエツチングして上層の配線を形成する
工程とを含んで構−成する。
本発明はイメージセンサ等の配線の形成方法、特に異金
属による２層配線の形成方法に関する。
属による２層配線の形成方法に関する。
第２図は従来のイメージセンサを示す図でありａは平面
図、ｂはａ図のｂ−ｂ線における断面図である。同図に
おいて１”は基板であり、その上にＣｒ等の下部共通電
極２が形成され、その上に水素化アモルファスシリコン
膜３及び多数の透明なＩＴＯの個別電極４が形成され、
該個別電極４に一部を重ねて接続したＡ１の引出し線５
が形成されており、下部共通電極２と上部電極４の交差
部でフォトダイオードを形成している。
図、ｂはａ図のｂ−ｂ線における断面図である。同図に
おいて１”は基板であり、その上にＣｒ等の下部共通電
極２が形成され、その上に水素化アモルファスシリコン
膜３及び多数の透明なＩＴＯの個別電極４が形成され、
該個別電極４に一部を重ねて接続したＡ１の引出し線５
が形成されており、下部共通電極２と上部電極４の交差
部でフォトダイオードを形成している。
第３図は上記の個別電極４と引出し線５の接続部を形成
する従来の配線形成方法を示す図であり、ａ、ｃ、ｅ、
ｇは各工程の平面、ｂ、ｄ、ｆ、ｈはそれぞれａ、ｃ、
ｅ、ｇ図の断面図である。この方法は、先ずａ及びｂ図
に示すように基板１の上にＩＴＯで個別電極４を形成し
、次にＣ及びｄ図に示すように個別電極４に引出し線５
が重なる部分を含んでＡ７！７層を形成したのち全面に
フォトレジスト膜７を被着する。次いでｅ及びｆ図に示
すようにフォトレジスト膜を露光・現像して個別電極４
と同じ幅のレジストパターン８を形成する。最後にｇ及
びｈ図に示すようにレジストパターン８をマスクにして
Ａ１層６をエツチングして引出し線５を形成するのであ
る。
する従来の配線形成方法を示す図であり、ａ、ｃ、ｅ、
ｇは各工程の平面、ｂ、ｄ、ｆ、ｈはそれぞれａ、ｃ、
ｅ、ｇ図の断面図である。この方法は、先ずａ及びｂ図
に示すように基板１の上にＩＴＯで個別電極４を形成し
、次にＣ及びｄ図に示すように個別電極４に引出し線５
が重なる部分を含んでＡ７！７層を形成したのち全面に
フォトレジスト膜７を被着する。次いでｅ及びｆ図に示
すようにフォトレジスト膜を露光・現像して個別電極４
と同じ幅のレジストパターン８を形成する。最後にｇ及
びｈ図に示すようにレジストパターン８をマスクにして
Ａ１層６をエツチングして引出し線５を形成するのであ
る。
上記従来の配線形成方法では、ｅ及びｆ図に示す工程で
フォトレジスト膜７を現像するとき、個別電極４の側面
とＡＩ！［６とが現像液を通して接触することにより局
部電池が形成され、その接触部で個別電極４のＩＴＯが
溶は出し、断線に到るという問題があった。
フォトレジスト膜７を現像するとき、個別電極４の側面
とＡＩ！［６とが現像液を通して接触することにより局
部電池が形成され、その接触部で個別電極４のＩＴＯが
溶は出し、断線に到るという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑み、フォトリソグラフィ工程に
おけるレジスト現像液による配線の断線を防止した配線
の形成方法を提供することを目的とするものである。
おけるレジスト現像液による配線の断線を防止した配線
の形成方法を提供することを目的とするものである。
上記目的は、異種金属が２層に重なる部分を有する配線
の形成方法であって、基板１０の上に第１の配線材料で
下層の配線１１を形成する工程と、該下層の配線１１に
上層の配線１５が重なる部分を含んで第２の配線材料１
２を被着する工程と、該第２の配線材料１２及び下層の
配線１１の上に下層の配線１１より太い幅でレジストパ
ターント１を形成する工程と、該レジストパターン１４
をマスクにして第２の配線材料１２をエツチングして上
層の配線１５を形成する工程とを含むことを特徴とする
配線の形成方法により達成される。
の形成方法であって、基板１０の上に第１の配線材料で
下層の配線１１を形成する工程と、該下層の配線１１に
上層の配線１５が重なる部分を含んで第２の配線材料１
２を被着する工程と、該第２の配線材料１２及び下層の
配線１１の上に下層の配線１１より太い幅でレジストパ
ターント１を形成する工程と、該レジストパターン１４
をマスクにして第２の配線材料１２をエツチングして上
層の配線１５を形成する工程とを含むことを特徴とする
配線の形成方法により達成される。
第２の配線材料１２及び下層の配線１１の上に下層の配
線１１より太い幅のレジストパターン１４を形成するこ
とにより、該レジストパターンは下層の配線の側面及び
上面を覆うため、現像液は下層の配線１１には接触せず
、第２の配線材料１２との間には局部電池は形成されな
い。従って下層の配線１１の断線はない。
線１１より太い幅のレジストパターン１４を形成するこ
とにより、該レジストパターンは下層の配線の側面及び
上面を覆うため、現像液は下層の配線１１には接触せず
、第２の配線材料１２との間には局部電池は形成されな
い。従って下層の配線１１の断線はない。
第１図は本発明の詳細な説明するための図であり、ａ、
ｃ、ｅ、ｇは各工程の平面図、ｂ 、 ｄ。
ｃ、ｅ、ｇは各工程の平面図、ｂ 、 ｄ。
ｆ、ｈはそれぞれａ、ｃ、ｅ、ｇ図の断面図である。
本実施例の配線方法は、先ずａ及びｂ図の如く基板１０
上にＩＴＯ（第１の配線材料）で下層の配線１１を形成
する。次にＣ及びｄ図の如く下層の配線１１に上層の配
線１５が重なる部分以外をメタルマスクで覆い第２の配
線材料１２（Ａ７りを蒸着等により被着する。次いで全
面にフォトレジスト膜１３を被着する。次に該フォトレ
ジスト膜を露光・現像してｅ及びｆ図の如く下層の配線
１１より太い幅のレジストパターン１４を形成する。最
後にｇ及びｈ図の如くレジストパターン１４をマスクに
して第２の配線材料１２をエツチングして上層の配線１
５を形成するのである。
上にＩＴＯ（第１の配線材料）で下層の配線１１を形成
する。次にＣ及びｄ図の如く下層の配線１１に上層の配
線１５が重なる部分以外をメタルマスクで覆い第２の配
線材料１２（Ａ７りを蒸着等により被着する。次いで全
面にフォトレジスト膜１３を被着する。次に該フォトレ
ジスト膜を露光・現像してｅ及びｆ図の如く下層の配線
１１より太い幅のレジストパターン１４を形成する。最
後にｇ及びｈ図の如くレジストパターン１４をマスクに
して第２の配線材料１２をエツチングして上層の配線１
５を形成するのである。
本実施例によれば第１図ｅ及びｆ図に示す工程でフォト
レジストパターン１４を形成したとき、そのパターン幅
を下層の配線１１よりも太くしているため、フォトレジ
ストパターン１４は下層の配線１１の上面のみでなく両
側面も覆うように形成されるので、現像液は下層の配線
１１には接触しない。そのため上層の配線１５と下層の
配線１１との間には現像液による局部電池は形成されず
、従って下層の配線が溶は出すこともなく、断線も生じ
ない。
レジストパターン１４を形成したとき、そのパターン幅
を下層の配線１１よりも太くしているため、フォトレジ
ストパターン１４は下層の配線１１の上面のみでなく両
側面も覆うように形成されるので、現像液は下層の配線
１１には接触しない。そのため上層の配線１５と下層の
配線１１との間には現像液による局部電池は形成されず
、従って下層の配線が溶は出すこともなく、断線も生じ
ない。
以上説明した様に、本発明によれば、異種金属が２層に
重なる部分を有する配線をフォトリソグラフィ法で形成
する際にフォトレジストの現像液で２つの金属間に形成
される局部電池の発生を防止することにより断線の防止
を可能とした配線の形成方法を提供することができる。
重なる部分を有する配線をフォトリソグラフィ法で形成
する際にフォトレジストの現像液で２つの金属間に形成
される局部電池の発生を防止することにより断線の防止
を可能とした配線の形成方法を提供することができる。
第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図は従
来のイメージセンサを示す図、第３図は従来の配線形成
方法を示す図である。 図において、 １０は基板、 工１は下層の配線、 １２は第２の配線材料、 １３はフォトレジスト膜、 １４はレジストパターン、 １５は上層の配線、 を示す。
来のイメージセンサを示す図、第３図は従来の配線形成
方法を示す図である。 図において、 １０は基板、 工１は下層の配線、 １２は第２の配線材料、 １３はフォトレジスト膜、 １４はレジストパターン、 １５は上層の配線、 を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、異種金属が２層に重なる部分を有する配線の形成方
法であって、 基板（１０）の上に第１の配線材料で下層の配線（１１
）を形成する工程と、 該下層の配線（１１）に上層の配線（１５）が重なる部
分を含んで第２の配線材料（１２）を被着する工程と、 該第２の配線材料（１２）及び下層の配線（１１）の上
に下層の配線（１１）より太い幅でレジストパターン（
１４）を形成する工程と、 該レジストパターン（１４）をマスクにして第２の配線
材料（１２）をエッチングして上層の配線（１５）を形
成する工程とを含むことを特徴とする配線の形成方法。 ２、上記第１の配線材料がＩＴＯであり、第２の配線材
料がＡｌである特許請求の範囲第１項記載の配線の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62271943A JP2588545B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62271943A JP2588545B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 配線の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01115141A true JPH01115141A (ja) | 1989-05-08 |
| JP2588545B2 JP2588545B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=17506995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62271943A Expired - Lifetime JP2588545B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2588545B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012137710A1 (ja) * | 2011-04-06 | 2012-10-11 | シャープ株式会社 | 配線接続構造、端子部、視差バリア基板およびタッチパネル |
| CN112289692B (zh) * | 2019-07-24 | 2024-06-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件的形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62245654A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-10-29 JP JP62271943A patent/JP2588545B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62245654A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012137710A1 (ja) * | 2011-04-06 | 2012-10-11 | シャープ株式会社 | 配線接続構造、端子部、視差バリア基板およびタッチパネル |
| JP5475187B2 (ja) * | 2011-04-06 | 2014-04-16 | シャープ株式会社 | 配線接続構造、視差バリア基板およびタッチパネル |
| US9491857B2 (en) | 2011-04-06 | 2016-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wiring connection structure, terminal portion, parallax barrier substrate, and touch panel |
| CN112289692B (zh) * | 2019-07-24 | 2024-06-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件的形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2588545B2 (ja) | 1997-03-05 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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