JPS6184861A - 光センサアレイとその製造方法 - Google Patents
光センサアレイとその製造方法Info
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- JPS6184861A JPS6184861A JP59207346A JP20734684A JPS6184861A JP S6184861 A JPS6184861 A JP S6184861A JP 59207346 A JP59207346 A JP 59207346A JP 20734684 A JP20734684 A JP 20734684A JP S6184861 A JPS6184861 A JP S6184861A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリ等をはじめとする各種従来例の
構成とその問題点 従来、原稿と１対１に対応するイメージセンサは、第１
図に示すように光導電素子２が１１１Ｉ＋１１あたりに
８素子以上の密度で主走査方向の直線上に配置され、そ
れらからの信号は、それらの上に形成された共通電極３
及び個別電極４によって取り出されている。実際に用い
られる光導電素子の材料としては、Ｕ−Ｖｔ族化合物特
にはＣｄＳとＣｄＳｅの固溶体を用いることが好適であ
り、その電極としては素子とのオーミック性、ガラス基
板との密着性を考慮してＮ ｉ Ｃｒ ／ Ａ ｕ
の材料を用いている。
構成とその問題点 従来、原稿と１対１に対応するイメージセンサは、第１
図に示すように光導電素子２が１１１Ｉ＋１１あたりに
８素子以上の密度で主走査方向の直線上に配置され、そ
れらからの信号は、それらの上に形成された共通電極３
及び個別電極４によって取り出されている。実際に用い
られる光導電素子の材料としては、Ｕ−Ｖｔ族化合物特
にはＣｄＳとＣｄＳｅの固溶体を用いることが好適であ
り、その電極としては素子とのオーミック性、ガラス基
板との密着性を考慮してＮ ｉ Ｃｒ ／ Ａ ｕ
の材料を用いている。
以上のようなイメージセンサを製造する場合、次のよう
な問題点がある。第１図に示す破線の部分は、光導電素
子２を形成することによって、絶縁基板１上に生じる段
差の部分であり、電極３及び電極４の形成の際にはこの
段差を確実に被覆しなければならない。しかし、光導電
素子２の厚さに対し、形成する電極の厚さは、 （１）従来の電極３及び４のパターン形成は、電極ハタ
ーンを反転させたフォトレジスト・ぐターンを利用する
いわゆるリフトオフ法であるためにフォトレジストの厚
さに比べて充分薄くする必要があること。
な問題点がある。第１図に示す破線の部分は、光導電素
子２を形成することによって、絶縁基板１上に生じる段
差の部分であり、電極３及び電極４の形成の際にはこの
段差を確実に被覆しなければならない。しかし、光導電
素子２の厚さに対し、形成する電極の厚さは、 （１）従来の電極３及び４のパターン形成は、電極ハタ
ーンを反転させたフォトレジスト・ぐターンを利用する
いわゆるリフトオフ法であるためにフォトレジストの厚
さに比べて充分薄くする必要があること。
（２）従来の電極材料がＮｉＣｒ／Ａｕ であり、Ｎｉ
Ｃｒ蒸着膜の形成時に生じる歪のためにその膜厚を厚く
すると電極の密着性が悪くなり、光セッサとしての特性
、信頼性に問題を生じること、 等の理由によって制限をうけ、実際には、Ｎ ｉ Ｃｒ
とＡｕの両者をあわせて１０００人程度の薄い膜厚が要
求される。このため、電極形成時に第１図の破線部が、
第２図のＢに示すように基板１上に生じている段差を被
覆しきれずに断線し、光導電素子２からの信号をとり出
せないことがたびたび生じるという構成上及び製造条件
上における問題点があった。
Ｃｒ蒸着膜の形成時に生じる歪のためにその膜厚を厚く
すると電極の密着性が悪くなり、光セッサとしての特性
、信頼性に問題を生じること、 等の理由によって制限をうけ、実際には、Ｎ ｉ Ｃｒ
とＡｕの両者をあわせて１０００人程度の薄い膜厚が要
求される。このため、電極形成時に第１図の破線部が、
第２図のＢに示すように基板１上に生じている段差を被
覆しきれずに断線し、光導電素子２からの信号をとり出
せないことがたびたび生じるという構成上及び製造条件
上における問題点があった。
発明の目的
本発明の目的は、以上に述べたような基板上に光導電素
子を形成した際に生じる段差による段切れ等の不都合を
あとで形成する電極が好適な厚さを保ったまま除去し、
信頼性の高い光セッサアレイを実現するための構造及び
その製造方法を提供することを目的とする。
子を形成した際に生じる段差による段切れ等の不都合を
あとで形成する電極が好適な厚さを保ったまま除去し、
信頼性の高い光セッサアレイを実現するための構造及び
その製造方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は、絶縁性基板上の主走査方向に一列に形成され
た、島状であとの工程で電極が形成される部分の膜厚が
、形成される電極の膜厚程度の厚さく１ｏｏｏ八〜２５
ｏ〇八）を有する構造の光導電素子を配置し、さらにそ
の上に、それらからの信号取り出し用の電極を形成する
ことを特徴とする光センサアレイであって、かつこのセ
ンサアレイの製造に好適な製造方法を提供するものであ
る。
た、島状であとの工程で電極が形成される部分の膜厚が
、形成される電極の膜厚程度の厚さく１ｏｏｏ八〜２５
ｏ〇八）を有する構造の光導電素子を配置し、さらにそ
の上に、それらからの信号取り出し用の電極を形成する
ことを特徴とする光センサアレイであって、かつこのセ
ンサアレイの製造に好適な製造方法を提供するものであ
る。
実施例の説明
本発明に先立つ従来例を第１図に示しているが実際には
絶縁性基板１としてはガラス基板（コーニング社、７０
６９ ）を、光導電性素子２の薄膜としてはＣｄ５ｏ、
６Ｓｅｏ、４光導電膜を、電極３，４としてはＮ ｉ
Ｃｒ ／ Ａｕ蒸着膜を用いて実現した。光導電膜はＣ
ｄ５０．６Ｓｅｏ、４：ＣｕＣ６２（０，２％）焼結固
溶体を蒸着源としてガラス基板１上に約４００゜人〜５
０００人の厚さに蒸着したあと、５００℃でＣａＣｌ２
の飽和蒸気中で加熱処理し活性化したものである。また
、電極３及び４は電極パターンの反転パターンをまずフ
ォトレジストで形成し、次にＮ ｉ Ｃｒ ／ Ａ ｕ
を１２００八を全面に真空蒸着したあとフォトレジス
トを取り去り形成するいわゆるリフトオフ法を用いてい
る。本発明の構造は、上記の電極ハターンの反転パター
ンを７オトレジストで形成した直後に、１０％程度の０
２を含んだＡｒ プラズマ中に基板をさらして電極と光
導電素子とのコンタクト部を形成する電極の膜厚１２０
〇八程度までスパッターエツチングすることによって実
現でき、その構造の断面図は第４図に示した。
絶縁性基板１としてはガラス基板（コーニング社、７０
６９ ）を、光導電性素子２の薄膜としてはＣｄ５ｏ、
６Ｓｅｏ、４光導電膜を、電極３，４としてはＮ ｉ
Ｃｒ ／ Ａｕ蒸着膜を用いて実現した。光導電膜はＣ
ｄ５０．６Ｓｅｏ、４：ＣｕＣ６２（０，２％）焼結固
溶体を蒸着源としてガラス基板１上に約４００゜人〜５
０００人の厚さに蒸着したあと、５００℃でＣａＣｌ２
の飽和蒸気中で加熱処理し活性化したものである。また
、電極３及び４は電極パターンの反転パターンをまずフ
ォトレジストで形成し、次にＮ ｉ Ｃｒ ／ Ａ ｕ
を１２００八を全面に真空蒸着したあとフォトレジス
トを取り去り形成するいわゆるリフトオフ法を用いてい
る。本発明の構造は、上記の電極ハターンの反転パター
ンを７オトレジストで形成した直後に、１０％程度の０
２を含んだＡｒ プラズマ中に基板をさらして電極と光
導電素子とのコンタクト部を形成する電極の膜厚１２０
〇八程度までスパッターエツチングすることによって実
現でき、その構造の断面図は第４図に示した。
以下に第３，４図に示した本発明の製造方法を図にそっ
て説明する。
て説明する。
〔１〕絶縁性基板１上に、光導電膜を真空蒸着法によっ
て蒸着した後、フォトエッチフグによ−）で、主走査方
向に一列で島状の素子２に形成し、ＣｄＣ４２の飽和蒸
気圧中にて５００℃１時間程度熱処理を行う。〔第３図
ａ〕 〔２〕電啄ハターンの反転パター７５をフォトレジスト
で形成する。〔第３図ｂ〕 （３３１０％程度の０２を含んだＡｘ ガスのプラズマ
中でスパッターエツチングを行ない光導電膜の断面形状
を第３図Ｃに示すものとし、エツチング部の光導電膜の
膜厚を１０００人〜２５００八とする。
て蒸着した後、フォトエッチフグによ−）で、主走査方
向に一列で島状の素子２に形成し、ＣｄＣ４２の飽和蒸
気圧中にて５００℃１時間程度熱処理を行う。〔第３図
ａ〕 〔２〕電啄ハターンの反転パター７５をフォトレジスト
で形成する。〔第３図ｂ〕 （３３１０％程度の０２を含んだＡｘ ガスのプラズマ
中でスパッターエツチングを行ない光導電膜の断面形状
を第３図Ｃに示すものとし、エツチング部の光導電膜の
膜厚を１０００人〜２５００八とする。
〔４〕基基板面にＮｔＣｒ ５００ Ａ 、 Ａｕ ６
５０ Ａを真空蒸着法で蒸着する。〔第３図ｄ〕〔５〕
フオトレジストによって、電極部以外のＮｉＣｒ／Ａｕ
のリフトオフを行ない電極を形成する〔第４図〕。
５０ Ａを真空蒸着法で蒸着する。〔第３図ｄ〕〔５〕
フオトレジストによって、電極部以外のＮｉＣｒ／Ａｕ
のリフトオフを行ない電極を形成する〔第４図〕。
以上のように、従来工程と比べ本発明は〔３〕に示した
工程を取り入れたことが特徴であり、この工程を導入す
ることによって、光導電素子を形成することによって生
じた基板上に存在する段差を確実に被覆できるようにな
っただけでなく、電極蒸着直前に光導電素子の電極蒸着
部をエノチッグするために、クリーンな表面状態の上に
電極形成ができるために電極の光導電素子に対する密着
性及びオーミック性を向上させる。また電極形成部の膜
厚を１０００人〜２５０Ｏ人と限定したのは、１ｏｏｏ
Ａ以下では電極形成部の光導電薄膜の抵抗成分が増すこ
とによる抵抗の増大が生じ、２５００Å以上では所期の
効果が小さいからである。
工程を取り入れたことが特徴であり、この工程を導入す
ることによって、光導電素子を形成することによって生
じた基板上に存在する段差を確実に被覆できるようにな
っただけでなく、電極蒸着直前に光導電素子の電極蒸着
部をエノチッグするために、クリーンな表面状態の上に
電極形成ができるために電極の光導電素子に対する密着
性及びオーミック性を向上させる。また電極形成部の膜
厚を１０００人〜２５０Ｏ人と限定したのは、１ｏｏｏ
Ａ以下では電極形成部の光導電薄膜の抵抗成分が増すこ
とによる抵抗の増大が生じ、２５００Å以上では所期の
効果が小さいからである。
発明の効果
本発明によれば、光導電素子に形成する電極が被覆しな
ければならない段差は、たかだか電極自身の膜厚と同程
度となり、段差による断線が確実に防止でき、信頼性の
高い特性のそろった光センサアレイの実現に大きく寄与
するものである。
ければならない段差は、たかだか電極自身の膜厚と同程
度となり、段差による断線が確実に防止でき、信頼性の
高い特性のそろった光センサアレイの実現に大きく寄与
するものである。
第１図は従来の光センサアレイの平面図、第２図は第１
図Ａ −Ａ’線で示す平面で切った断面図、第３図は本
発明における製造方法の工程断面図、第４図は本発明に
よる素子の断面図である。 １・・・・絶縁性基板、２・・光導電膜、３・・・・・
個別電極、４・・・・・共通電極、６・・・・・フォト
レジスト。
図Ａ −Ａ’線で示す平面で切った断面図、第３図は本
発明における製造方法の工程断面図、第４図は本発明に
よる素子の断面図である。 １・・・・絶縁性基板、２・・光導電膜、３・・・・・
個別電極、４・・・・・共通電極、６・・・・・フォト
レジスト。
Claims (2)
- （１）絶縁性基板と、前記絶縁性基板上の主走査方向に
一列に形成され、島状で電極形成部の膜厚が１０００Å
〜２５００Åである部分を有する光導電薄膜素子と、前
記光導電薄膜素子の電極形成部に形成された電極とを設
けてなることを特徴とする光センサアレイ。 - （２）絶縁基板上の主走査方向で一列に島状の光導電薄
膜素子を形成する工程と、前記基板上に電極及び信号取
り出し用の配線を形成する部分以外にレジストを配し、
Ｏ＿２を含むＡｒガスのプラズマ中にさらし、前記光導
電薄膜素子の露出している部分をスパッタ−エッチング
によって１０００Å〜２５００Å膜厚とする工程と、前
記光導電薄膜素子上の電極形成部に電極を形成する工程
とを備えたことを特徴とする光センサアレイの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207346A JPS6184861A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 光センサアレイとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207346A JPS6184861A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 光センサアレイとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184861A true JPS6184861A (ja) | 1986-04-30 |
| JPH0436579B2 JPH0436579B2 (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=16538213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207346A Granted JPS6184861A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 光センサアレイとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184861A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58155758A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換素子およびその製造方法 |
| JPS59125656A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-20 | Fujitsu Ltd | 光導電素子アレイの製造方法 |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP59207346A patent/JPS6184861A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58155758A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換素子およびその製造方法 |
| JPS59125656A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-20 | Fujitsu Ltd | 光導電素子アレイの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0436579B2 (ja) | 1992-06-16 |
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