JPS58166777A - 光電変換装置における電極の製造方法 - Google Patents
光電変換装置における電極の製造方法Info
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- JPS58166777A JPS58166777A JP57050698A JP5069882A JPS58166777A JP S58166777 A JPS58166777 A JP S58166777A JP 57050698 A JP57050698 A JP 57050698A JP 5069882 A JP5069882 A JP 5069882A JP S58166777 A JPS58166777 A JP S58166777A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景〕
本発明は、光読取装置等の光電変換装置における電極の
製造方法をこ関し、さらに詳しくは、電極の形成方法を
改善することにより、光電変換特性の劣化の防止が図ら
れた光電変換装置における電極の製造方法に関する。
製造方法をこ関し、さらに詳しくは、電極の形成方法を
改善することにより、光電変換特性の劣化の防止が図ら
れた光電変換装置における電極の製造方法に関する。
一般にファクシミリなどの画像読取装置に用いられる光
電変換装置は、第１図（ａ）または（ｂ）に示すような
構成をとっている。第１図（ａ）に示す光電変換装置に
おいては、絶縁性基板１上に光電変換膜２を設け、加熱
により前記光電変換膜２の活性化を行った後、さらζこ
加熱下において蒸着等により電極膜３を形成する。
電変換装置は、第１図（ａ）または（ｂ）に示すような
構成をとっている。第１図（ａ）に示す光電変換装置に
おいては、絶縁性基板１上に光電変換膜２を設け、加熱
により前記光電変換膜２の活性化を行った後、さらζこ
加熱下において蒸着等により電極膜３を形成する。
一方、第１図（ｂ）に示す光電変換装置においては。
まず加熱下において蒸着等により絶縁性基板１上に電極
膜３を形成し１次いで光電変換膜２を設け。
膜３を形成し１次いで光電変換膜２を設け。
さらに加熱により前記光電変換膜２の活性化を行うこと
により形成する。
により形成する。
しかし本発明者らの研究によれば、このような従来の製
造方法には以下に述べるような欠点があることが見出さ
れた。
造方法には以下に述べるような欠点があることが見出さ
れた。
第１図（ａ）および（ｂ）のいずれの方法においても。
電極膜３の形成や光電変換膜２の形成および活性化は基
板を加熱した状態で行われる。すなわち。
板を加熱した状態で行われる。すなわち。
電極膜の蒸着時においては、基板と電極膜との良好な接
着強度を得るために１通常基板を２００℃付近の温度に
加熱する。また、光電変換膜の蒸着時においても、光電
変換特性や接着性の向上を目的として基板温度は２００
°Ｃ前後に保持される。さらにまた、ＣｄＳ、 ＣｄＳ
ｅ等の光電変換材料にあっては、光電変換膜を形成した
後に活性化のため３００〜６００℃の温度で熱処理が施
される。しかしながら、第１図（ａ）および（ｂ）のい
ずれの場合においても。
着強度を得るために１通常基板を２００℃付近の温度に
加熱する。また、光電変換膜の蒸着時においても、光電
変換特性や接着性の向上を目的として基板温度は２００
°Ｃ前後に保持される。さらにまた、ＣｄＳ、 ＣｄＳ
ｅ等の光電変換材料にあっては、光電変換膜を形成した
後に活性化のため３００〜６００℃の温度で熱処理が施
される。しかしながら、第１図（ａ）および（ｂ）のい
ずれの場合においても。
電極材料と光電変換材料とが互いに接触した状態で上記
した種々の加熱処理が行われるため、電極膜と光電変換
膜との界面で物質の相互拡散が起こり、その結果光電変
換特性が劣化するという問題があった。
した種々の加熱処理が行われるため、電極膜と光電変換
膜との界面で物質の相互拡散が起こり、その結果光電変
換特性が劣化するという問題があった。
本発明は、上述した欠点を解決するためになされたもの
であり、加熱処理による光電変換特性に与える悪影響が
解消され、しかも基板との接着強度も充分保たれた電極
を有する光電変換装置を得るための電極の製造方法を提
供することを目的とする。
であり、加熱処理による光電変換特性に与える悪影響が
解消され、しかも基板との接着強度も充分保たれた電極
を有する光電変換装置を得るための電極の製造方法を提
供することを目的とする。
本発明は、従来法における電極形成時の操作条件の詳細
な検討の結果をふまえて生み出されたものであり、基板
上に電極を形成する場合ｌこ、１００℃以下という従来
と比較して著しく低い温度に基板を保って電極を形成し
ても基板と電極との密着強度については特段の問題はな
く、充分使用に耐え、かつ光電変換膜と電極との相互作
用による光電変換特性の低下を充分に防止しうるとの知
見にもとづくものである。すなわち本発明の光電変換装
置における電極の製造方法は、絶縁性基板上に光電変換
膜を設け、必要に応じて該光電変換膜を加熱して活性化
した後、前記基板上に電極を設けるに際して該基板を１
００℃以下の温度に保って前記電極を設けることを特徴
とするものである。
な検討の結果をふまえて生み出されたものであり、基板
上に電極を形成する場合ｌこ、１００℃以下という従来
と比較して著しく低い温度に基板を保って電極を形成し
ても基板と電極との密着強度については特段の問題はな
く、充分使用に耐え、かつ光電変換膜と電極との相互作
用による光電変換特性の低下を充分に防止しうるとの知
見にもとづくものである。すなわち本発明の光電変換装
置における電極の製造方法は、絶縁性基板上に光電変換
膜を設け、必要に応じて該光電変換膜を加熱して活性化
した後、前記基板上に電極を設けるに際して該基板を１
００℃以下の温度に保って前記電極を設けることを特徴
とするものである。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例について詳述
する。第２図（ａ）（ｂ）は製造工程を示す断面図であ
る。
する。第２図（ａ）（ｂ）は製造工程を示す断面図であ
る。
第２図（ａ）に示す・ように、ガラス、あるいはセラミ
ック等の絶縁性基板ｌ上ｔこ、ＣｄＳ、 ＣｄＳｅ等の
光電変換材料を常法ｉこ従い、たとえば真空蒸着法ある
いはスパッタ法により、基板温度を２００℃前後に保っ
て被着させ、さらに必要に応じてアルゴン等のガス雰囲
気中にて３００〜６００℃の加熱処理を施すことにより
被着した光電変換膜の活性化を行う。次いで、これをホ
トリソグラフィ法によって所定形状にエツチングして光
電変換膜２を形成する。上述した活性化熱処理とエツチ
ング処理の順序は入れかえてもよい。
ック等の絶縁性基板ｌ上ｔこ、ＣｄＳ、 ＣｄＳｅ等の
光電変換材料を常法ｉこ従い、たとえば真空蒸着法ある
いはスパッタ法により、基板温度を２００℃前後に保っ
て被着させ、さらに必要に応じてアルゴン等のガス雰囲
気中にて３００〜６００℃の加熱処理を施すことにより
被着した光電変換膜の活性化を行う。次いで、これをホ
トリソグラフィ法によって所定形状にエツチングして光
電変換膜２を形成する。上述した活性化熱処理とエツチ
ング処理の順序は入れかえてもよい。
次に、第２図（ｂ）に示すように、真空蒸着法またはス
パッタ法等により基板１上に電極膜３を設ける。電極膜
の材料としては、ＮｉＣｒ、Ｎｉ、Ｃｒ。
パッタ法等により基板１上に電極膜３を設ける。電極膜
の材料としては、ＮｉＣｒ、Ｎｉ、Ｃｒ。
Ａｌｌ 、 Ａｕ等の金属、あるいはこれらを積層した
ものが好ましく用いられる。本発明の特徴は、この電極
膜を基板温度を従来と比較して著しく低温条件下に保っ
て形成するところにある。すなわち。
ものが好ましく用いられる。本発明の特徴は、この電極
膜を基板温度を従来と比較して著しく低温条件下に保っ
て形成するところにある。すなわち。
絶縁性基板１を減圧下で、１００℃以下の温度で、好ま
しくは８０℃以下の温度で、さらに好ましくは（資）℃
から室温近傍の温度に保持した状態で、真空蒸着法また
はスパッタ法等により、電極膜を被着し、ホトリソグラ
フィ法により所定形状にエツチングして電極膜３を形成
する。
しくは８０℃以下の温度で、さらに好ましくは（資）℃
から室温近傍の温度に保持した状態で、真空蒸着法また
はスパッタ法等により、電極膜を被着し、ホトリソグラ
フィ法により所定形状にエツチングして電極膜３を形成
する。
本発明は、光電変換膜の形成とその熱処理による活性化
が終了した後に、１００°Ｃ以下の温度で電極膜を形成
するようにしたので、従来避けられなかった電極膜と光
電変換膜との界面で生ずる相互作用に基因する光電変換
特性の劣化を効果的に防止できる。
が終了した後に、１００°Ｃ以下の温度で電極膜を形成
するようにしたので、従来避けられなかった電極膜と光
電変換膜との界面で生ずる相互作用に基因する光電変換
特性の劣化を効果的に防止できる。
第１図（ａ）および（ｂ）は、従来の方法により製造さ
れた光電変換装置の断面図゛であり、第２図（ａ）およ
び（ｂ）は、本発明による光電変換装置の製造工程を示
す断面図である。 １・・絶縁性基板、２・・・光電変換膜、３・・・電極
膜。
れた光電変換装置の断面図゛であり、第２図（ａ）およ
び（ｂ）は、本発明による光電変換装置の製造工程を示
す断面図である。 １・・絶縁性基板、２・・・光電変換膜、３・・・電極
膜。
Claims (1)
- 絶縁性基板上に光電変換膜を設け、必要に応じて該光電
変換膜を加熱して活性化した後、前記基板上に電極を設
けるに際して、該基板を１００℃以下の温度に保って前
記電極を設けることを特徴とする。光電変換装置におけ
る電極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57050698A JPS58166777A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 光電変換装置における電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57050698A JPS58166777A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 光電変換装置における電極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166777A true JPS58166777A (ja) | 1983-10-01 |
Family
ID=12866122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57050698A Pending JPS58166777A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 光電変換装置における電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58166777A (ja) |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP57050698A patent/JPS58166777A/ja active Pending
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